JP2007173367A - 薬液処理装置および薬液処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】異なる薬液La,Lbを混合して供給する薬液供給管3を備えた薬液処理装置1であって、薬液供給管3には超音波混合部34が設けられており、配管内の薬液La,Lbを超音波振動させる超音波照射手段34aが設けられていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
<薬液処理装置>
図1は、第1実施形態の薬液処理装置の一例を示す構成図であり、図2は図1における要部拡大図である。これらの図に示す薬液処理装置1は、例えば半導体装置の製造工程において、被処理基板となる半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)W表面に薬液によって処理するために用いられる枚葉式の薬液処理装置1であり、スピンチャック2、薬液供給管3、および処理室4を備えている。
次に、以上のように構成された薬液処理装置1を用いて、ウエハW表面のレジストを剥離するためのSPM処理を行う薬液処理方法を説明する。
<薬液処理装置>
図3は、第2実施形態の薬液処理装置の一例を示す構成図であり、図4は図3における要部拡大図である。これらの図に示す薬液処理装置5が、図1,2を用いて説明した第1実施形態の薬液処理装置(1)と異なるところは、薬液供給管6の構成にあり、特に薬液供給管6に、第1実施形態において薬液供給管(3)に設けられていた超音波混合部(34)に換えて、薬液供給管内の薬液にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段61を設けたところにある。その他の構成は、第1実施形態の薬液処理装置(1)と同様である。
次に、以上のように構成された薬液処理装置5を用いて、ウエハW表面のレジストを剥離するための薬液処理方法を説明する。
Claims (7)
- 異なる薬液を混合して供給する薬液供給管を備えた薬液処理装置であって、
前記薬液供給管内の薬液を超音波振動させる超音波照射手段が設けられている
ことを特徴とする薬液処理装置。 - 請求項1記載の薬液処理装置において、
前記薬液供給管内には、前記超音波照射手段に対向配置された状態で振動板が設けられている
ことを特徴とする薬液処理装置。 - 請求項1記載の薬液処理装置において、
前記薬液供給管には、前記異なる薬液として硫酸と過酸化水素とが供給される
ことを特徴とする薬液処理装置。 - 異なる薬液を混合して供給する薬液供給管を備えた薬液処理装置であって、
前記薬液供給管内の薬液をマイクロ波振動させるマイクロ波照射手段が設けられている
ことを特徴とする薬液処理装置。 - 請求項4記載の薬液処理装置において、
前記異なる薬液は、硫酸と過酸化水素である
ことを特徴とする薬液処理装置。 - 被処理基板の表面に薬液供給管から薬液を供給することにより、当該被処理基板の薬液処理を行う方法であって、
超音波の照射によって前記薬液供給管内の薬液を振動させることにより、当該薬液供給管内に導入された異なる薬液を混合して前記被処理基板の表面に供給する
ことを特徴とする薬液処理方法。 - 被処理基板の表面に薬液供給管から薬液を供給することにより、当該被処理基板の薬液処理を行う方法であって、
マイクロ波の照射によって前記薬液供給管内の薬液を振動させることにより、当該薬液供給管内に導入された異なる薬液を混合して前記被処理基板の表面に供給する
ことを特徴とする薬液処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005366431A JP4915090B2 (ja) | 2005-12-20 | 2005-12-20 | 薬液処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005366431A JP4915090B2 (ja) | 2005-12-20 | 2005-12-20 | 薬液処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007173367A true JP2007173367A (ja) | 2007-07-05 |
JP4915090B2 JP4915090B2 (ja) | 2012-04-11 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP4915090B2 (ja) |
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