JP2003309098A - レジスト除去装置及びレジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去装置及びレジスト除去方法Info
- Publication number
- JP2003309098A JP2003309098A JP2002113550A JP2002113550A JP2003309098A JP 2003309098 A JP2003309098 A JP 2003309098A JP 2002113550 A JP2002113550 A JP 2002113550A JP 2002113550 A JP2002113550 A JP 2002113550A JP 2003309098 A JP2003309098 A JP 2003309098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- liquid film
- substrate
- active oxygen
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 29
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- -1 O 2 − Chemical compound 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical compound [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストに液膜を形成し、液膜内で発生する
活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能
とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ち
レジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない
環境共生型技術を実現する。 【解決手段】 基板ステージ２の下移動機構２ｂによ
り、基板１０表面と紫外線透過板３との距離を所定距離
に調節し、Ｏ3水供給部１２からＯ3水を、処理チャンバ
ー１の基板１０表面と紫外線透過板３との間に形成され
る処理空間に供給して液膜４１を形成する。この液膜４
１に紫外線ランプにより波長１７２ｎｍ〜３１０ｎｍの
紫外線を照射し、Ｏ3を分解することで各種の活性酸素
を発生させ、これによりレジストを溶解除去する。
活性酸素を利用してレジストを溶解除去することを可能
とし、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、即ち
レジストの除去に高エネルギーや化学溶剤に依存しない
環境共生型技術を実現する。 【解決手段】 基板ステージ２の下移動機構２ｂによ
り、基板１０表面と紫外線透過板３との距離を所定距離
に調節し、Ｏ3水供給部１２からＯ3水を、処理チャンバ
ー１の基板１０表面と紫外線透過板３との間に形成され
る処理空間に供給して液膜４１を形成する。この液膜４
１に紫外線ランプにより波長１７２ｎｍ〜３１０ｎｍの
紫外線を照射し、Ｏ3を分解することで各種の活性酸素
を発生させ、これによりレジストを溶解除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
の微細構造形成のためのリソグラフィー工程において不
可欠であるレジスト除去装置及びレジスト除去方法に関
する。
の微細構造形成のためのリソグラフィー工程において不
可欠であるレジスト除去装置及びレジスト除去方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】現在、レジスト膜を除去する手法として
は、酸素プラズマによりレジスト膜を灰化除去する方法
と、有機溶媒（フェノール系・ハロゲン系など有機溶
媒、９０℃〜１３０℃）を用いてレジスト膜を加熱溶解
させる方法、または濃硫酸・過酸化水素を用いる加熱溶
解法がある。これら何れの手法も、レジスト膜を分解し
溶解するための時間、エネルギー及び化学材料が必要で
あり、リソグラフィー工程の負担となっている。このよ
うな灰化や溶解による除去に替わる新しいレジスト除去
技術への要求は大きいが、剥離技術の開発は未だ数少な
い。その代表例は、剥離液を開発し高周波超音波の剥離
作用を用いる新技術である。剥離液として例えば「ＩＰ
Ａ−Ｈ2Ｏ2成分系＋フッ化物などの塩類」の剥離効果が
認められている。
は、酸素プラズマによりレジスト膜を灰化除去する方法
と、有機溶媒（フェノール系・ハロゲン系など有機溶
媒、９０℃〜１３０℃）を用いてレジスト膜を加熱溶解
させる方法、または濃硫酸・過酸化水素を用いる加熱溶
解法がある。これら何れの手法も、レジスト膜を分解し
溶解するための時間、エネルギー及び化学材料が必要で
あり、リソグラフィー工程の負担となっている。このよ
うな灰化や溶解による除去に替わる新しいレジスト除去
技術への要求は大きいが、剥離技術の開発は未だ数少な
い。その代表例は、剥離液を開発し高周波超音波の剥離
作用を用いる新技術である。剥離液として例えば「ＩＰ
Ａ−Ｈ2Ｏ2成分系＋フッ化物などの塩類」の剥離効果が
認められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、レジ
ストに液膜を形成し、液膜内で発生する活性酸素を利用
してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エ
ネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去
に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術
を実現するレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提
供することである。
ストに液膜を形成し、液膜内で発生する活性酸素を利用
してレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エ
ネルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去
に高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術
を実現するレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提
供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト除去装
置は、基板上のレジストを除去するための処理空間を構
成する処理室と、前記処理室内で前記基板を支持し、前
記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処
理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、
前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成
する液膜生成手段とを含み、前記液膜を形成するに際し
て、前記基板支持手段の前記移動機構により前記処理空
間を調節し、前記液膜の状態を制御する。
置は、基板上のレジストを除去するための処理空間を構
成する処理室と、前記処理室内で前記基板を支持し、前
記処理室内で前記基板を上下方向に移動せしめ、前記処
理空間を自在に調節する機構を有する基板支持手段と、
前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成
する液膜生成手段とを含み、前記液膜を形成するに際し
て、前記基板支持手段の前記移動機構により前記処理空
間を調節し、前記液膜の状態を制御する。
【０００５】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記液膜生成手段は、前記基板上に形成された前記液膜
に紫外線を照射する紫外線照射機構を含む。
前記液膜生成手段は、前記基板上に形成された前記液膜
に紫外線を照射する紫外線照射機構を含む。
【０００６】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記紫外線照射手段から照射する紫外線の波長が１７２
ｎｍ〜３１０ｎｍである。
前記紫外線照射手段から照射する紫外線の波長が１７２
ｎｍ〜３１０ｎｍである。
【０００７】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記紫外線照射手段が低圧紫外線ランプである。
前記紫外線照射手段が低圧紫外線ランプである。
【０００８】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記基板支持手段の前記移動機構により前記基板表面と
前記処理室内の上面部とを近接させ、前記液膜の状態を
前記基板上の前記レジストの略全面を覆うサイズに調節
する。
前記基板支持手段の前記移動機構により前記基板表面と
前記処理室内の上面部とを近接させ、前記液膜の状態を
前記基板上の前記レジストの略全面を覆うサイズに調節
する。
【０００９】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記基板表面と前記処理室内の上面部との距離が１ｍｍ
以下である。
前記基板表面と前記処理室内の上面部との距離が１ｍｍ
以下である。
【００１０】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記液膜生成手段は、前記液膜にオゾン水を供給するオ
ゾン供給機構を含む。
前記液膜生成手段は、前記液膜にオゾン水を供給するオ
ゾン供給機構を含む。
【００１１】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記液膜生成手段は、前記液膜に過酸化水素水を供給す
る過酸化水素水供給機構を含む。
前記液膜生成手段は、前記液膜に過酸化水素水を供給す
る過酸化水素水供給機構を含む。
【００１２】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記基板支持手段の前記移動機構により前記基板表面と
前記処理室内の上面部とを離間させ、前記液膜の状態を
前記基板上の前記レジスト表面で液滴として結露するよ
うに調節する。
前記基板支持手段の前記移動機構により前記基板表面と
前記処理室内の上面部とを離間させ、前記液膜の状態を
前記基板上の前記レジスト表面で液滴として結露するよ
うに調節する。
【００１３】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記液膜生成手段は、ミスト含有水蒸気を供給する機構
を含む。
前記液膜生成手段は、ミスト含有水蒸気を供給する機構
を含む。
【００１４】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記液膜生成手段は、前記ミスト含有水蒸気供給機構で
生成されたミスト含有水蒸気にオゾンガスを供給し、前
記基板上に形成される前記液膜内に前記活性酸素を発生
せしめるオゾン供給機構を含む。
前記液膜生成手段は、前記ミスト含有水蒸気供給機構で
生成されたミスト含有水蒸気にオゾンガスを供給し、前
記基板上に形成される前記液膜内に前記活性酸素を発生
せしめるオゾン供給機構を含む。
【００１５】本発明のレジスト除去装置の一態様では、
前記液膜生成手段は、多孔質セラミック板を有してお
り、前記多孔質セラミック板の空孔からミスト含有水蒸
気を供給するものである。
前記液膜生成手段は、多孔質セラミック板を有してお
り、前記多孔質セラミック板の空孔からミスト含有水蒸
気を供給するものである。
【００１６】本発明のレジスト除去方法は、表面にレジ
ストが設けられた基板と、前記レジストを除去するため
の処理空間を構成する処理室内の上面部とが近接するよ
うに距離調節し、前記基板上の前記レジストの略全面を
覆うように、活性酸素を含む液膜を前記距離に規制され
た膜厚となるように形成し、前記活性酸素の作用により
前記レジストを溶解除去する。
ストが設けられた基板と、前記レジストを除去するため
の処理空間を構成する処理室内の上面部とが近接するよ
うに距離調節し、前記基板上の前記レジストの略全面を
覆うように、活性酸素を含む液膜を前記距離に規制され
た膜厚となるように形成し、前記活性酸素の作用により
前記レジストを溶解除去する。
【００１７】本発明のレジスト除去方法の一態様では、
前記基板表面と前記処理室内の上面部との前記距離を１
ｍｍ以下に調節する。
前記基板表面と前記処理室内の上面部との前記距離を１
ｍｍ以下に調節する。
【００１８】本発明のレジスト除去方法の一態様では、
前記液膜に紫外線を照射することにより、前記液膜内に
前記活性酸素の発生を促進せしめる。
前記液膜に紫外線を照射することにより、前記液膜内に
前記活性酸素の発生を促進せしめる。
【００１９】本発明のレジスト除去方法の一態様では、
前記液膜にオゾン水を供給することにより、前記液膜内
に前記活性酸素を発生せしめる。
前記液膜にオゾン水を供給することにより、前記液膜内
に前記活性酸素を発生せしめる。
【００２０】本発明のレジスト除去方法の一態様では、
前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液
膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液
膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
【００２１】本発明のレジスト除去方法は、表面にレジ
ストが設けられた基板と、前記レジストを除去するため
の処理空間を構成する処理室内の上面部とが離間するよ
うに距離調節し、活性酸素を含むミスト含有水蒸気を供
給して前記レジスト表面に液滴を結露させ、前記活性酸
素の作用により前記レジストを溶解除去する。
ストが設けられた基板と、前記レジストを除去するため
の処理空間を構成する処理室内の上面部とが離間するよ
うに距離調節し、活性酸素を含むミスト含有水蒸気を供
給して前記レジスト表面に液滴を結露させ、前記活性酸
素の作用により前記レジストを溶解除去する。
【００２２】本発明のレジスト除去方法の一態様では、
前記液膜に紫外線を照射することにより、前記液膜内に
前記活性酸素の発生を促進せしめる。
前記液膜に紫外線を照射することにより、前記液膜内に
前記活性酸素の発生を促進せしめる。
【００２３】本発明のレジスト除去方法の一態様では、
前記液膜にオゾンガスを供給することにより、前記液膜
内に前記活性酸素を発生せしめる。
前記液膜にオゾンガスを供給することにより、前記液膜
内に前記活性酸素を発生せしめる。
【００２４】本発明のレジスト除去方法の一態様では、
前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液
膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
前記液膜に過酸化水素水を供給することにより、前記液
膜内に前記活性酸素を発生せしめる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した好適な諸
実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【００２６】（第１の実施形態）図１は、第１の実施形
態のレジスト除去装置の概略構成を示す模式図である。
このレジスト除去装置は、リソグラフィー工程において
シリコンウェーハやガラス基板等の基板１０上に形成さ
れたレジストを除去するためのものであり、基板１０上
のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室
であり、基板出し入れ自在とされてなる枚葉式の処理チ
ャンバー１と、処理チャンバー１内に設けられ、基板１
０が支持固定される基板ステージ２と、処理チャンバー
１の上面部に設けられ、合成石英ガラスからなる紫外線
透過板３と、紫外線透過板３の上部に設けられ、紫外線
透過板３を介して処理チャンバー１内に紫外線を照射す
る低圧の紫外線ランプ４と、処理チャンバー１の流入口
１ａを介して超純水及び各種薬液を供給する液膜生成手
段５と、処理チャンバー１の流出口１ｂを介して処理チ
ャンバー１内の排液及び排気を行う排液・排気手段６と
を備えて構成されている。
態のレジスト除去装置の概略構成を示す模式図である。
このレジスト除去装置は、リソグラフィー工程において
シリコンウェーハやガラス基板等の基板１０上に形成さ
れたレジストを除去するためのものであり、基板１０上
のレジストを除去するための処理空間を構成する処理室
であり、基板出し入れ自在とされてなる枚葉式の処理チ
ャンバー１と、処理チャンバー１内に設けられ、基板１
０が支持固定される基板ステージ２と、処理チャンバー
１の上面部に設けられ、合成石英ガラスからなる紫外線
透過板３と、紫外線透過板３の上部に設けられ、紫外線
透過板３を介して処理チャンバー１内に紫外線を照射す
る低圧の紫外線ランプ４と、処理チャンバー１の流入口
１ａを介して超純水及び各種薬液を供給する液膜生成手
段５と、処理チャンバー１の流出口１ｂを介して処理チ
ャンバー１内の排液及び排気を行う排液・排気手段６と
を備えて構成されている。
【００２７】基板ステージ２は、設置された基板１０の
温度を温水／冷水により調節する温度調節機構２ｃを有
し、更には、設置された基板１０を自在に回転させる回
転機構２ａとともに、上述のように設置された基板１０
を上下方向に自在に移動せしめる上下移動機構２ｂを有
しており、基板１０上のレジスト除去時には、後述する
ように上下移動機構２ｂの作動により基板１０表面と紫
外線透過板３とを所定距離に近接させる。
温度を温水／冷水により調節する温度調節機構２ｃを有
し、更には、設置された基板１０を自在に回転させる回
転機構２ａとともに、上述のように設置された基板１０
を上下方向に自在に移動せしめる上下移動機構２ｂを有
しており、基板１０上のレジスト除去時には、後述する
ように上下移動機構２ｂの作動により基板１０表面と紫
外線透過板３とを所定距離に近接させる。
【００２８】液膜生成手段５は、処理チャンバー１内に
超純水を供給するための超純水供給部１１と、オゾン水
（Ｏ3水）水を生成して供給するためのＯ3水供給部１２
と、過酸化水素水の水溶液（Ｈ2Ｏ2水）を生成して供給
するためのＨ2Ｏ2水供給部１３と、レジスト除去処理の
後に基板１０表面に残存する薬液を除去して基板１０の
取り出しを容易にするため、基板１０表面にＯ2／Ｎ2ガ
スを供給するＯ2／Ｎ2ガス供給部１４とを備えて構成さ
れている。
超純水を供給するための超純水供給部１１と、オゾン水
（Ｏ3水）水を生成して供給するためのＯ3水供給部１２
と、過酸化水素水の水溶液（Ｈ2Ｏ2水）を生成して供給
するためのＨ2Ｏ2水供給部１３と、レジスト除去処理の
後に基板１０表面に残存する薬液を除去して基板１０の
取り出しを容易にするため、基板１０表面にＯ2／Ｎ2ガ
スを供給するＯ2／Ｎ2ガス供給部１４とを備えて構成さ
れている。
【００２９】超純水供給部１１は、外部から供給された
超純水を貯蔵する超純水タンク２１と、貯蔵された超純
水の液位を測定する液位計２２と、所定量の超純水を例
えば周期的に正確に吸引し送出するダイヤフラムポンプ
２３と、ダイヤフラムポンプ２３によって送出する超純
水量を計測するフローメータ２４とを備えて構成されて
いる。
超純水を貯蔵する超純水タンク２１と、貯蔵された超純
水の液位を測定する液位計２２と、所定量の超純水を例
えば周期的に正確に吸引し送出するダイヤフラムポンプ
２３と、ダイヤフラムポンプ２３によって送出する超純
水量を計測するフローメータ２４とを備えて構成されて
いる。
【００３０】Ｈ2Ｏ2水供給部１３は、Ｈ2Ｏ2水を貯蔵す
る圧送タンク２５と、超純水にＨ2Ｏ2を供給しＨ2Ｏ2水
を生成するＨ2Ｏ2供給ライン２６と、所定量のＨ2Ｏ2水
を圧送タンク２５から圧送するため、圧送タンク２５内
にＮ2を供給する圧送機構２７と、貯蔵されたＨ2Ｏ2水
の液位を測定する液位計２８と、送出されるＨ2Ｏ2水量
を制御するフローコントロールバルブ２９とを備えて構
成されている。
る圧送タンク２５と、超純水にＨ2Ｏ2を供給しＨ2Ｏ2水
を生成するＨ2Ｏ2供給ライン２６と、所定量のＨ2Ｏ2水
を圧送タンク２５から圧送するため、圧送タンク２５内
にＮ2を供給する圧送機構２７と、貯蔵されたＨ2Ｏ2水
の液位を測定する液位計２８と、送出されるＨ2Ｏ2水量
を制御するフローコントロールバルブ２９とを備えて構
成されている。
【００３１】Ｏ2／Ｎ2ガス供給部１４は、Ｏ2ガス及び
Ｎ2ガスの各流路をそれぞれ形成し、両者の混合ガスの
流路が設けられており、Ｏ2ガス及びＮ2ガスの各流路に
はそれぞれ圧力調節器３１及びガスの流量を調節するマ
スフローコントローラ３２が設けられている。
Ｎ2ガスの各流路をそれぞれ形成し、両者の混合ガスの
流路が設けられており、Ｏ2ガス及びＮ2ガスの各流路に
はそれぞれ圧力調節器３１及びガスの流量を調節するマ
スフローコントローラ３２が設けられている。
【００３２】排液・排気手段６は、気液分離機構３３を
有しており、この気液分離機構３３の作動により排液及
び排気を分離して行う。
有しており、この気液分離機構３３の作動により排液及
び排気を分離して行う。
【００３３】このレジスト除去装置を用いて基板１０上
のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下
移動機構２ｂにより、基板１０表面と紫外線透過板３と
の距離を所定距離に調節する。この距離としては、後述
するように照射した紫外線を減衰させない範囲内とする
ことを考慮して、０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることが好ま
しい。
のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下
移動機構２ｂにより、基板１０表面と紫外線透過板３と
の距離を所定距離に調節する。この距離としては、後述
するように照射した紫外線を減衰させない範囲内とする
ことを考慮して、０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることが好ま
しい。
【００３４】この状態で、基板ステージ２の回転機構２
ａにより基板１０を回転させつつ、Ｏ3水供給部１２か
らＯ3水を、処理チャンバー１の基板１０表面と紫外線
透過板３との間に形成される処理空間に供給する。これ
により、図２に示すように、当該処理空間をＯ3水で満
たし、基板１０表面と紫外線透過板３との距離（０．１
ｍｍ〜１ｍｍ）の薄膜状態に膜厚が規制されてなり、基
板１０上のレジスト４２の略全面を覆う液膜４１が形成
される。
ａにより基板１０を回転させつつ、Ｏ3水供給部１２か
らＯ3水を、処理チャンバー１の基板１０表面と紫外線
透過板３との間に形成される処理空間に供給する。これ
により、図２に示すように、当該処理空間をＯ3水で満
たし、基板１０表面と紫外線透過板３との距離（０．１
ｍｍ〜１ｍｍ）の薄膜状態に膜厚が規制されてなり、基
板１０上のレジスト４２の略全面を覆う液膜４１が形成
される。
【００３５】液膜４１のＯ3水中では、Ｏ3の水溶液への
溶解により、以下の一連の（式１）に示すように、ＯＨ
-とＯ3との反応によりＯ3が分解し、ＨＯ2、Ｏ2 -、ＯＨ
等の種々の活性酸素が発生する。 （式１）： Ｏ3＋ＯＨ-→ＨＯ2＋Ｏ2 - Ｏ3＋ＨＯ2→２Ｏ2＋ＯＨ Ｏ3＋ＯＨ→Ｏ2＋ＨＯ2 ２ＨＯ2→Ｏ3＋Ｈ2Ｏ ＨＯ2＋ＯＨ→Ｏ2＋Ｈ2Ｏ
溶解により、以下の一連の（式１）に示すように、ＯＨ
-とＯ3との反応によりＯ3が分解し、ＨＯ2、Ｏ2 -、ＯＨ
等の種々の活性酸素が発生する。 （式１）： Ｏ3＋ＯＨ-→ＨＯ2＋Ｏ2 - Ｏ3＋ＨＯ2→２Ｏ2＋ＯＨ Ｏ3＋ＯＨ→Ｏ2＋ＨＯ2 ２ＨＯ2→Ｏ3＋Ｈ2Ｏ ＨＯ2＋ＯＨ→Ｏ2＋Ｈ2Ｏ
【００３６】従って、水溶液中では、Ｏ3による直接酸
化の他、副生成したＯ2 -，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素に
よるラジカル的酸化が進行することになる（この場合、
Ｏ3以外の選択性は低下するが、酸化は強力であ
る。）。
化の他、副生成したＯ2 -，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素に
よるラジカル的酸化が進行することになる（この場合、
Ｏ3以外の選択性は低下するが、酸化は強力であ
る。）。
【００３７】そして、液膜４１が形成された状態で、紫
外線ランプ４により当該液膜４１に紫外線を均一に照射
する。このとき、以下の一連の（式２）に示すように、
Ｏ3が紫外線により分解し、これにより生じた励起酸素
原子と水分子の反応によりヒドロキシラジカル（ＯＨ）
の生成が助長される。この場合、照射する紫外線の波長
としては、Ｏ3を分解するためには３１０ｎｍ以下であ
ることを要し、また、波長が１７２ｎｍの紫外線の空気
に対する５０％透過距離が、酸素の光吸収断面積（０．
２５９×１０-18分子数／ｃｍ2）から３．１ｍｍとなる
が、５０％透過距離が３．１ｍｍ以下では装置化が困難
であることから、１７２ｎｍ〜３１０ｎｍのものを用い
ることが好ましい。本実施形態では比較的短い１８４．
９ｎｍ付近を採用する。ここで、当該紫外線は、水溶液
中でＯ3を発生させ、また発生したＯ3を分解する反応を
惹起するものであるため、上記のような比較的広域にわ
たる波長であっても良い。 （式２）： Ｏ3＋ｈν（λ＜３１０ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ2（ａ1Δ
Ｐ） Ｈ2Ｏ＋Ｏ（1Ｄ）→２ＯＨ ＯＨ＋Ｏ3→Ｏ2＋ＨＯ2 ＨＯ2＋Ｏ3→２Ｏ2＋ＯＨ
外線ランプ４により当該液膜４１に紫外線を均一に照射
する。このとき、以下の一連の（式２）に示すように、
Ｏ3が紫外線により分解し、これにより生じた励起酸素
原子と水分子の反応によりヒドロキシラジカル（ＯＨ）
の生成が助長される。この場合、照射する紫外線の波長
としては、Ｏ3を分解するためには３１０ｎｍ以下であ
ることを要し、また、波長が１７２ｎｍの紫外線の空気
に対する５０％透過距離が、酸素の光吸収断面積（０．
２５９×１０-18分子数／ｃｍ2）から３．１ｍｍとなる
が、５０％透過距離が３．１ｍｍ以下では装置化が困難
であることから、１７２ｎｍ〜３１０ｎｍのものを用い
ることが好ましい。本実施形態では比較的短い１８４．
９ｎｍ付近を採用する。ここで、当該紫外線は、水溶液
中でＯ3を発生させ、また発生したＯ3を分解する反応を
惹起するものであるため、上記のような比較的広域にわ
たる波長であっても良い。 （式２）： Ｏ3＋ｈν（λ＜３１０ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ2（ａ1Δ
Ｐ） Ｈ2Ｏ＋Ｏ（1Ｄ）→２ＯＨ ＯＨ＋Ｏ3→Ｏ2＋ＨＯ2 ＨＯ2＋Ｏ3→２Ｏ2＋ＯＨ
【００３８】上述のように液膜４１内で生成された各種
の活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジ
ストがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることにな
る。
の活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジ
ストがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることにな
る。
【００３９】また、液膜４１の生成時に、Ｏ3水に替わ
って、又はこれと共に、Ｈ2Ｏ2水供給部１３からＨ2Ｏ2
水を供給しても良い。この場合、以下の一連の（式３）
に示すように、Ｈ2Ｏ2がＯ3と反応とし、ヒドロキシラ
ジカル（ＯＨ）の生成が助長される。 （式３）： Ｈ2Ｏ2→Ｈ＋ＨＯ2 - ＨＯ2 -＋Ｏ3→ＯＨ＋Ｏ2 -＋Ｏ2
って、又はこれと共に、Ｈ2Ｏ2水供給部１３からＨ2Ｏ2
水を供給しても良い。この場合、以下の一連の（式３）
に示すように、Ｈ2Ｏ2がＯ3と反応とし、ヒドロキシラ
ジカル（ＯＨ）の生成が助長される。 （式３）： Ｈ2Ｏ2→Ｈ＋ＨＯ2 - ＨＯ2 -＋Ｏ3→ＯＨ＋Ｏ2 -＋Ｏ2
【００４０】更に、Ｈ2Ｏ2水を含む液膜４１に、前記紫
外線を照射することにより、以下の（式４）に示すよう
に、Ｈ2Ｏ2が直接分解し、ヒドロキシラジカル（ＯＨ）
の生成が更に助長される。 （式４）： Ｈ2Ｏ2＋ｈν（λ＜３１０ｎｍ）→２ＯＨ
外線を照射することにより、以下の（式４）に示すよう
に、Ｈ2Ｏ2が直接分解し、ヒドロキシラジカル（ＯＨ）
の生成が更に助長される。 （式４）： Ｈ2Ｏ2＋ｈν（λ＜３１０ｎｍ）→２ＯＨ
【００４１】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、基板１上のレジストに液膜４１を形成し、液膜４１
内で発生する各種の活性酸素を利用してレジストを溶解
除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技
術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化
学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することがで
きる。
ば、基板１上のレジストに液膜４１を形成し、液膜４１
内で発生する各種の活性酸素を利用してレジストを溶解
除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型技
術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化
学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することがで
きる。
【００４２】（第２の実施形態）本実施形態では、第１
の実施形態と略同様に構成された処理チャンバー及び基
板ステージを備えたレジスト除去装置を開示するが、レ
ジスト上の供給される液膜の状態が異なる点で相違す
る。なお、第１の実施形態と共通する構成部材等につい
ては同符号を記して説明を省略する。
の実施形態と略同様に構成された処理チャンバー及び基
板ステージを備えたレジスト除去装置を開示するが、レ
ジスト上の供給される液膜の状態が異なる点で相違す
る。なお、第１の実施形態と共通する構成部材等につい
ては同符号を記して説明を省略する。
【００４３】図３は、第２の実施形態のレジスト除去装
置の主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模
式図である。このレジスト除去装置は、第１の実施形態
のレジスト除去装置と同様に紫外線透過板３や紫外線ラ
ンプ４等が設けられた処理チャンバー１と、上下移動機
構２ｂを有する基板ステージ２と、液膜生成手段５１
と、処理チャンバー１の流出口を介して処理チャンバー
１内の排液及び排気を行う排液・排気手段（不図示：排
液・排気手段６と同様）を備えて構成されている。
置の主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模
式図である。このレジスト除去装置は、第１の実施形態
のレジスト除去装置と同様に紫外線透過板３や紫外線ラ
ンプ４等が設けられた処理チャンバー１と、上下移動機
構２ｂを有する基板ステージ２と、液膜生成手段５１
と、処理チャンバー１の流出口を介して処理チャンバー
１内の排液及び排気を行う排液・排気手段（不図示：排
液・排気手段６と同様）を備えて構成されている。
【００４４】ここで、液膜生成手段５１は、処理チャン
バー１内に水蒸気を供給する蒸気供給部５２と、処理チ
ャンバー１内に高濃度のＯ3ガスを供給するＯ3ガス供給
部（オゾナイザー）５３とを備えて構成されている。
バー１内に水蒸気を供給する蒸気供給部５２と、処理チ
ャンバー１内に高濃度のＯ3ガスを供給するＯ3ガス供給
部（オゾナイザー）５３とを備えて構成されている。
【００４５】このレジスト除去装置を用いて基板１０上
のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下
移動機構２ｂにより、基板１０表面と紫外線透過板３と
の距離を所定距離に調節する。本実施形態では、この距
離を第１の実施形態に比して離間（１０ｍｍ〜３０ｍ
ｍ）させる。ここで、処理チャンバー１内の温度を８０
℃〜９０℃、基板温度を常温〜６０℃に調節する。
のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下
移動機構２ｂにより、基板１０表面と紫外線透過板３と
の距離を所定距離に調節する。本実施形態では、この距
離を第１の実施形態に比して離間（１０ｍｍ〜３０ｍ
ｍ）させる。ここで、処理チャンバー１内の温度を８０
℃〜９０℃、基板温度を常温〜６０℃に調節する。
【００４６】この状態で、基板ステージ２の回転機構２
ａにより基板１０を回転させつつ、蒸気供給部５２から
蒸気を、Ｏ3ガス供給部５３からＯ3ガスをそれぞれ処理
チャンバー１の基板１０表面と紫外線透過板３との間に
形成される処理空間に供給する。このとき前記蒸気はミ
ストを含有する蒸気であり、処理チャンバー１内は飽和
蒸気の状態のミスト含有蒸気／Ｏ3ガスの混合雰囲気と
なる。このミスト含有蒸気とは、粒径が１０μｍ〜５０
μｍのミストと蒸気が混合したものである。ミストはほ
ぼ球状であるために表面積が大きく、従ってＯ3ガスが
浸透し易いことから、このミスト含有蒸気を用いること
によりＯ3ガスを十分に供給することができる。
ａにより基板１０を回転させつつ、蒸気供給部５２から
蒸気を、Ｏ3ガス供給部５３からＯ3ガスをそれぞれ処理
チャンバー１の基板１０表面と紫外線透過板３との間に
形成される処理空間に供給する。このとき前記蒸気はミ
ストを含有する蒸気であり、処理チャンバー１内は飽和
蒸気の状態のミスト含有蒸気／Ｏ3ガスの混合雰囲気と
なる。このミスト含有蒸気とは、粒径が１０μｍ〜５０
μｍのミストと蒸気が混合したものである。ミストはほ
ぼ球状であるために表面積が大きく、従ってＯ3ガスが
浸透し易いことから、このミスト含有蒸気を用いること
によりＯ3ガスを十分に供給することができる。
【００４７】そして、処理チャンバー１内の温度と基板
温度との温度差に加え、飽和した前記混合雰囲気によ
り、液滴が基板１０のレジスト上に、Ｏ3ガスの溶解し
た多数の微小な薄い液膜６１として結露する。このと
き、液膜６１においては、第１の実施形態で説明した一
連の（式１）の反応が惹起され、Ｏ3の水溶液への溶解
によりＯＨ-とＯ3との反応によりＯ3が分解し、ＨＯ2、
Ｏ2 -、ＯＨ等の種々の活性酸素が発生する。
温度との温度差に加え、飽和した前記混合雰囲気によ
り、液滴が基板１０のレジスト上に、Ｏ3ガスの溶解し
た多数の微小な薄い液膜６１として結露する。このと
き、液膜６１においては、第１の実施形態で説明した一
連の（式１）の反応が惹起され、Ｏ3の水溶液への溶解
によりＯＨ-とＯ3との反応によりＯ3が分解し、ＨＯ2、
Ｏ2 -、ＯＨ等の種々の活性酸素が発生する。
【００４８】従って、水溶液中では、Ｏ3による直接酸
化の他、副生成したＯ2 -，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素に
よるラジカル的酸化が進行することになる。
化の他、副生成したＯ2 -，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素に
よるラジカル的酸化が進行することになる。
【００４９】そして、液膜６１が形成された状態で、第
１の実施形態と同様の条件で紫外線ランプ４により当該
液膜６１に紫外線を均一に照射する。このとき、第１の
実施形態で説明した一連の（式２）の反応が惹起され、
Ｏ3が紫外線により分解し、これにより生じた励起酸素
原子と水分子の反応によりヒドロキシラジカル（ＯＨ）
の生成が助長される。
１の実施形態と同様の条件で紫外線ランプ４により当該
液膜６１に紫外線を均一に照射する。このとき、第１の
実施形態で説明した一連の（式２）の反応が惹起され、
Ｏ3が紫外線により分解し、これにより生じた励起酸素
原子と水分子の反応によりヒドロキシラジカル（ＯＨ）
の生成が助長される。
【００５０】上述のように液膜６１内で生成された各種
の活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジ
ストがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることにな
る。
の活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジ
ストがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることにな
る。
【００５１】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、基板１上のレジストに液膜６１を形成し、液膜６１
内（特にその表層）で発生する各種の活性酸素を利用し
てレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネ
ルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に
高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を
実現することができる。
ば、基板１上のレジストに液膜６１を形成し、液膜６１
内（特にその表層）で発生する各種の活性酸素を利用し
てレジストを溶解除去することを可能とし、資源・エネ
ルギー多消費型技術からの脱却、即ちレジストの除去に
高エネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を
実現することができる。
【００５２】−変形例−
ここで、第２の実施形態の変形例について説明する。こ
の変形例では、第２の実施形態と略同様に構成されたレ
ジスト除去装置を開示するが、紫外線ランプの替わりに
多孔質セラミック板が設けられている点で相違する。
の変形例では、第２の実施形態と略同様に構成されたレ
ジスト除去装置を開示するが、紫外線ランプの替わりに
多孔質セラミック板が設けられている点で相違する。
【００５３】図４は、本変形例のレジスト除去装置の主
要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図で
ある。このレジスト除去装置は、第１の実施形態のレジ
スト除去装置と同様の処理チャンバー１と、紫外線ラン
プの替わりに設けられた多孔質セラミック板７１と、上
下移動機構２ｂを有する基板ステージ２と、高濃度のＯ
3ガス供給部５３と、処理チャンバー１の流出口を介し
て処理チャンバー１内の排液及び排気を行う排液・排気
手段（不図示：排液・排気手段６と同様）を備えて構成
されている。
要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図で
ある。このレジスト除去装置は、第１の実施形態のレジ
スト除去装置と同様の処理チャンバー１と、紫外線ラン
プの替わりに設けられた多孔質セラミック板７１と、上
下移動機構２ｂを有する基板ステージ２と、高濃度のＯ
3ガス供給部５３と、処理チャンバー１の流出口を介し
て処理チャンバー１内の排液及び排気を行う排液・排気
手段（不図示：排液・排気手段６と同様）を備えて構成
されている。
【００５４】多孔質セラミック板７１は、その空孔７２
を介して、小粒径の均一なミストを含むミスト含有水蒸
気や更にＯ3ガスを含むミスト含有水蒸気が基板１０に
供給されるように構成されている。
を介して、小粒径の均一なミストを含むミスト含有水蒸
気や更にＯ3ガスを含むミスト含有水蒸気が基板１０に
供給されるように構成されている。
【００５５】このレジスト除去装置を用いて基板１０上
のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下
移動機構２ｂにより、基板１０表面と多孔質セラミック
板７１との距離を所定距離に調節する。本実施形態で
は、この距離を第１の実施形態に比して離間（１０ｍｍ
〜３０ｍｍ）させる。ここで、処理チャンバー１内の温
度を８０℃〜９０℃、基板温度を常温〜６０℃に調節す
る。
のレジストを除去するには、先ず、基板ステージ２の下
移動機構２ｂにより、基板１０表面と多孔質セラミック
板７１との距離を所定距離に調節する。本実施形態で
は、この距離を第１の実施形態に比して離間（１０ｍｍ
〜３０ｍｍ）させる。ここで、処理チャンバー１内の温
度を８０℃〜９０℃、基板温度を常温〜６０℃に調節す
る。
【００５６】この状態で、基板ステージ２の回転機構２
ａにより基板１０を回転させつつ、多孔質セラミック板
７１の空孔７２から蒸気を、高濃度のＯ3ガス供給部５
３からＯ3ガスをそれぞれ処理チャンバー１の基板１０
表面と多孔質セラミック板７１との間に形成される処理
空間に供給する。このとき前記蒸気はミスト含有水蒸気
であり、処理チャンバー１内は飽和蒸気の状態のミスト
含有水蒸気／Ｏ3ガスの混合雰囲気となり、Ｏ3ガスがミ
スト含有水蒸気に溶解する。
ａにより基板１０を回転させつつ、多孔質セラミック板
７１の空孔７２から蒸気を、高濃度のＯ3ガス供給部５
３からＯ3ガスをそれぞれ処理チャンバー１の基板１０
表面と多孔質セラミック板７１との間に形成される処理
空間に供給する。このとき前記蒸気はミスト含有水蒸気
であり、処理チャンバー１内は飽和蒸気の状態のミスト
含有水蒸気／Ｏ3ガスの混合雰囲気となり、Ｏ3ガスがミ
スト含有水蒸気に溶解する。
【００５７】そして、処理チャンバー１内の温度と基板
温度との温度差に加え、飽和した前記混合雰囲気によ
り、基板１０のレジスト上に液滴が多数の微小な薄い液
膜６１として結露する。
温度との温度差に加え、飽和した前記混合雰囲気によ
り、基板１０のレジスト上に液滴が多数の微小な薄い液
膜６１として結露する。
【００５８】従って、水溶液中では、Ｏ3による直接酸
化の他、副生成したＯ2 -，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素に
よるラジカル的酸化が進行することになる。
化の他、副生成したＯ2 -，ＨＯ2，ＯＨ等の活性酸素に
よるラジカル的酸化が進行することになる。
【００５９】上述のように、液膜内で生成された各種の
活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジス
トがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることにな
る。
活性酸素の有する活性作用により、有機物であるレジス
トがＨ2Ｏ／ＣＯ2に分解し、溶解除去されることにな
る。
【００６０】以上説明したように、本変形例によれば、
レジスト上にＯ3を溶解した液滴が結露して液膜が形成
され、各種の活性酸素を利用してレジストを溶解除去す
ることを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術から
の脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤
に依存しない環境共生型技術を実現することができる。
レジスト上にＯ3を溶解した液滴が結露して液膜が形成
され、各種の活性酸素を利用してレジストを溶解除去す
ることを可能とし、資源・エネルギー多消費型技術から
の脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや化学溶剤
に依存しない環境共生型技術を実現することができる。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、レジストに液膜を形成
し、液膜内で発生する活性酸素を利用してレジストを溶
解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型
技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや
化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することが
できる。
し、液膜内で発生する活性酸素を利用してレジストを溶
解除去することを可能とし、資源・エネルギー多消費型
技術からの脱却、即ちレジストの除去に高エネルギーや
化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現することが
できる。
【図１】第１の実施形態のレジスト除去装置の概略構成
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態のレジスト除去装置において、
基板表面の近傍を拡大して示す模式図である。
基板表面の近傍を拡大して示す模式図である。
【図３】第２の実施形態のレジスト除去装置の主要構成
である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図である。
である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図である。
【図４】第２の実施形態の変形例のレジスト除去装置の
主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図
である。
主要構成である処理チャンバー近傍の様子を示す模式図
である。
１ 処理チャンバー
２ 基板ステージ
２ａ 回転機構
２ｂ 上下移動機構
２ｃ 温度調節機構
３ 紫外線透過板
４ 紫外線ランプ
５，５１ 液膜生成手段
６ 排液・排気手段
１０ 基板
１１ 超純水供給部
１２ Ｏ3水供給部
１３ Ｈ2Ｏ2水供給部
１４ Ｎ2ガス供給部
２１ 超純水タンク
２２，２８ 液位計
２３ ダイヤフラムポンプ
２４ フローメータ
２５ 圧送タンク
２６ Ｈ2Ｏ2供給ライン
２７ 圧送機構
２９ フローコントロールバルブ
３１ 圧力調節器
３２ マスフローコントローラ
３３ 気液分離機構
４１ 液膜
５２ 蒸気供給部
５３ Ｏ3ガス供給部
６１ 液滴
７１ 多孔質セラミック板
７２ 空孔
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 佐藤 淳
東京都文京区本郷４丁目１番４号 ユーシ
ーティー株式会社内
(72)発明者 天野 泰彦
東京都文京区本郷４丁目１番４号 ユーシ
ーティー株式会社内
(72)発明者 田村 哲司
岡山県玉野市玉３丁目１番１号 三井造船
株式会社玉野事業所内
Ｆターム(参考） 2H096 LA02
5F046 MA02 MA04 MA05
Claims (21)
- 【請求項１】 基板上のレジストを除去するための処理
空間を構成する処理室と、 前記処理室内で前記基板を支持し、前記処理室内で前記
基板を上下方向に移動せしめ、前記処理空間を自在に調
節する機構を有する基板支持手段と、 前記基板の前記レジスト上に活性酸素を含む液膜を形成
する液膜生成手段とを含み、 前記液膜を形成するに際して、前記基板支持手段の前記
移動機構により前記処理空間を調節し、前記液膜の状態
を制御することを特徴とするレジスト除去装置。 - 【請求項２】 前記液膜生成手段は、前記基板上に形成
された前記液膜に紫外線を照射する紫外線照射機構を含
むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去装
置。 - 【請求項３】 前記紫外線照射手段から照射する紫外線
の波長が１７２ｎｍ〜３１０ｎｍであることを特徴とす
る請求項２に記載のレジスト除去装置。 - 【請求項４】 前記紫外線照射手段が低圧紫外線ランプ
であることを特徴とする請求項２又は３に記載のレジス
ト除去装置。 - 【請求項５】 前記基板支持手段の前記移動機構により
前記基板表面と前記処理室内の上面部とを近接させ、前
記液膜の状態を前記基板上の前記レジストの略全面を覆
うサイズに調節することを特徴とする請求項２〜４のい
ずれか１項に記載のレジスト除去装置。 - 【請求項６】 前記基板表面と前記処理室内の上面部と
の距離が１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５に
記載のレジスト除去装置。 - 【請求項７】 前記液膜生成手段は、前記液膜にオゾン
水を供給するオゾン供給機構を含むことを特徴とする請
求項６に記載のレジスト除去装置。 - 【請求項８】 前記液膜生成手段は、前記液膜に過酸化
水素水を供給する過酸化水素水供給機構を含むことを特
徴とする請求項６又は７に記載のレジスト除去装置。 - 【請求項９】 前記基板支持手段の前記移動機構により
前記基板表面と前記処理室内の上面部とを離間させ、前
記液膜の状態を前記基板上の前記レジスト表面で液滴と
して結露するように調節することを特徴とする請求項２
〜４のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。 - 【請求項１０】 前記液膜生成手段は、ミスト含有水蒸
気を供給する機構を含むことを特徴とする請求項９に記
載のレジスト除去装置。 - 【請求項１１】 前記液膜生成手段は、前記ミスト含有
水蒸気供給機構で生成されたミスト含有水蒸気にオゾン
ガスを供給し、前記基板上に形成される前記液膜内に前
記活性酸素を発生せしめるオゾン供給機構を含むことを
特徴とする請求項１０に記載のレジスト除去装置。 - 【請求項１２】 前記液膜生成手段は、多孔質セラミッ
ク板を有しており、前記多孔質セラミック板の空孔から
ミスト含有水蒸気を供給するものであることを特徴とす
る請求項１に記載のレジスト除去装置。 - 【請求項１３】 表面にレジストが設けられた基板と、
前記レジストを除去するための処理空間を構成する処理
室内の上面部とが近接するように距離調節し、前記基板
上の前記レジストの略全面を覆うように、活性酸素を含
む液膜を前記距離に規制された膜厚となるように形成
し、前記活性酸素の作用により前記レジストを溶解除去
することを特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項１４】 前記基板表面と前記処理室内の上面部
との前記距離を１ｍｍ以下に調節することを特徴とする
請求項１３に記載のレジスト除去方法。 - 【請求項１５】 前記液膜に紫外線を照射することによ
り、前記液膜内に前記活性酸素の発生を促進せしめるこ
とを特徴とする請求項１３又は１４に記載のレジスト除
去方法。 - 【請求項１６】 前記液膜にオゾン水を供給することに
より、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめることを
特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のレ
ジスト除去方法。 - 【請求項１７】 前記液膜に過酸化水素水を供給するこ
とにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめるこ
とを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載
のレジスト除去方法。 - 【請求項１８】 表面にレジストが設けられた基板と、
前記レジストを除去するための処理空間を構成する処理
室内の上面部とが離間するように距離調節し、活性酸素
を含むミスト含有水蒸気を供給して前記レジスト表面に
液滴を結露させ、前記活性酸素の作用により前記レジス
トを溶解除去することを特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項１９】 前記液膜に紫外線を照射することによ
り、前記液膜内に前記活性酸素の発生を促進せしめるこ
とを特徴とする請求項１８に記載のレジスト除去方法。 - 【請求項２０】 前記液膜にオゾンガスを供給すること
により、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめること
を特徴とする請求項１８又は１９に記載のレジスト除去
方法。 - 【請求項２１】 前記液膜に過酸化水素水を供給するこ
とにより、前記液膜内に前記活性酸素を発生せしめるこ
とを特徴とする請求項１８又は１９に記載のレジスト除
去方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002113550A JP4038557B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 |
| TW092108719A TW200305930A (en) | 2002-04-16 | 2003-04-15 | Resist removing device and resist removing method |
| US10/510,245 US20050241673A1 (en) | 2002-04-16 | 2003-04-15 | Resist removing apparatus and method of removing resist |
| KR1020047016578A KR100694782B1 (ko) | 2002-04-16 | 2003-04-15 | 레지스트 제거 장치 및 레지스트 제거 방법 |
| PCT/JP2003/004751 WO2003088337A1 (fr) | 2002-04-16 | 2003-04-15 | Appareil et procede de decapage |
| EP03746487A EP1496545A1 (en) | 2002-04-16 | 2003-04-15 | Resist removing apparatus and method of removing resist |
| CNB038111683A CN100338740C (zh) | 2002-04-16 | 2003-04-15 | 光刻胶除去装置和光刻胶除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002113550A JP4038557B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309098A true JP2003309098A (ja) | 2003-10-31 |
| JP4038557B2 JP4038557B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=29243360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002113550A Expired - Fee Related JP4038557B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050241673A1 (ja) |
| EP (1) | EP1496545A1 (ja) |
| JP (1) | JP4038557B2 (ja) |
| KR (1) | KR100694782B1 (ja) |
| CN (1) | CN100338740C (ja) |
| TW (1) | TW200305930A (ja) |
| WO (1) | WO2003088337A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229198A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-08-31 | Asahi Glass Co Ltd | 紫外線内設洗浄器具のための方法および装置 |
| JP2008311256A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Univ Of Tsukuba | フォトレジスト除去装置 |
| JP2008311257A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Univ Of Tsukuba | フォトレジスト除去方法 |
| WO2013099619A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 薬液混合装置 |
| JP2017163143A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の蒸気相ヒドロキシルラジカル処理のためのシステム及び方法 |
| CN110308625A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-10-08 | 杭州德迪智能科技有限公司 | 一种光固化膜剥离装置及方法 |
| WO2023223768A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5019741B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法および基板処理システム |
| KR100780290B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2007-11-28 | 한국기계연구원 | 포토레지스트 제거 공정구현 설비 |
| KR100838374B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-06-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
| EP2166564B1 (en) * | 2008-09-19 | 2017-04-12 | Imec | Method for removing a hardened photoresist from a semiconductor substrate |
| DE102009058962B4 (de) | 2009-11-03 | 2012-12-27 | Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
| US9805946B2 (en) * | 2013-08-30 | 2017-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Photoresist removal |
| CN103995441B (zh) * | 2014-06-11 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻剥离方法及光阻剥离装置 |
| JP5994821B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2016-09-21 | ウシオ電機株式会社 | デスミア処理装置およびデスミア処理方法 |
| KR102614850B1 (ko) | 2016-10-05 | 2023-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316068A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜形成用噴霧装置 |
| JPH0719764B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1995-03-06 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 表面洗浄方法 |
| JPH05109674A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Ushio Inc | レジスト膜の灰化方法と灰化装置 |
| TW260806B (ja) * | 1993-11-26 | 1995-10-21 | Ushio Electric Inc | |
| JP3166065B2 (ja) * | 1996-02-08 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| US20010001392A1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-05-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
| JP2001015472A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hoya Schott Kk | 紫外光照射方法及び装置 |
| US6610168B1 (en) * | 1999-08-12 | 2003-08-26 | Sipec Corporation | Resist film removal apparatus and resist film removal method |
| TW466558B (en) * | 1999-09-30 | 2001-12-01 | Purex Co Ltd | Method of removing contamination adhered to surfaces and apparatus used therefor |
| JP2002025971A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Seiko Epson Corp | 基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法 |
-
2002
- 2002-04-16 JP JP2002113550A patent/JP4038557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-15 CN CNB038111683A patent/CN100338740C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-15 WO PCT/JP2003/004751 patent/WO2003088337A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2003-04-15 KR KR1020047016578A patent/KR100694782B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-04-15 TW TW092108719A patent/TW200305930A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-15 EP EP03746487A patent/EP1496545A1/en not_active Withdrawn
- 2003-04-15 US US10/510,245 patent/US20050241673A1/en not_active Abandoned
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229198A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-08-31 | Asahi Glass Co Ltd | 紫外線内設洗浄器具のための方法および装置 |
| US7921859B2 (en) | 2004-12-16 | 2011-04-12 | Sematech, Inc. | Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool |
| US8206510B2 (en) * | 2004-12-16 | 2012-06-26 | Sematech, Inc. | Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool |
| JP2008311256A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Univ Of Tsukuba | フォトレジスト除去装置 |
| JP2008311257A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Univ Of Tsukuba | フォトレジスト除去方法 |
| WO2013099619A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 薬液混合装置 |
| JP2017163143A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の蒸気相ヒドロキシルラジカル処理のためのシステム及び方法 |
| CN110308625A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-10-08 | 杭州德迪智能科技有限公司 | 一种光固化膜剥离装置及方法 |
| CN110308625B (zh) * | 2019-08-05 | 2023-08-08 | 杭州德迪智能科技有限公司 | 一种光固化膜剥离装置及方法 |
| WO2023223768A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1496545A1 (en) | 2005-01-12 |
| KR20040101505A (ko) | 2004-12-02 |
| WO2003088337A1 (fr) | 2003-10-23 |
| KR100694782B1 (ko) | 2007-03-14 |
| TWI304602B (ja) | 2008-12-21 |
| CN1653596A (zh) | 2005-08-10 |
| CN100338740C (zh) | 2007-09-19 |
| TW200305930A (en) | 2003-11-01 |
| US20050241673A1 (en) | 2005-11-03 |
| JP4038557B2 (ja) | 2008-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003309098A (ja) | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 | |
| JP4038556B2 (ja) | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法、並びに有機物除去装置及び有機物除去方法 | |
| JP6948808B2 (ja) | 基板の蒸気相ヒドロキシルラジカル処理のためのシステム及び方法 | |
| JP2001118818A (ja) | 紫外線処理装置及び紫外線処理方法 | |
| WO2000030164A1 (fr) | Procede d'elimination d'un film de photoresine | |
| KR20110001273A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
| WO2012073574A1 (ja) | フォトレジストの除去方法 | |
| JP4968028B2 (ja) | レジスト除去装置 | |
| JP2002110611A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法及び装置 | |
| TWI248125B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2002270575A (ja) | エッチング方法、この方法により製造されたことを特徴とする半導体装置およびエッチング装置 | |
| JP2005150332A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2006229002A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JP2004141704A (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| JP2002083803A (ja) | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 | |
| JP2001330969A (ja) | フォトレジスト除去装置 | |
| JP4234707B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP3487150B2 (ja) | ドライエッチング方法および装置 | |
| JP3910190B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JPS6127635A (ja) | フオトレジストの高能率乾式除去装置 | |
| JPH07308567A (ja) | 容器の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP2013030625A (ja) | 半導体装置の製造方法及び処理装置 | |
| JP2006093473A (ja) | 基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置 | |
| JPS6348825A (ja) | アツシング装置 | |
| JP2010123893A (ja) | エッチング方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070806 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20071004 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071004 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071004 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |