JP2005150332A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細なエッチング開口からの犠牲層のエッチングにより、大きな中空部や複雑な構成の空間部を形状精度良好に形成できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物のエッチング処理を行い(第3ステップS3、第4ステップS4)、その後、処理室内を減圧することにより、被処理物の近傍における処理流体の密度を第4ステップS4よりも低下させる(第1ステップS1)。これらの第1ステップS1〜第4ステップS4を繰り返し行う際、第1ステップS1の後に行われる第3ステップS3および第4ステップS4では、被処理物が配置された処理雰囲気に対して新たにエッチング反応種を含有する処理流体を供給し、被処理物の近傍における当該処理流体の密度を第1ステップS1よりも上昇させる。
【選択図】図2
【解決手段】エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物のエッチング処理を行い(第3ステップS3、第4ステップS4)、その後、処理室内を減圧することにより、被処理物の近傍における処理流体の密度を第4ステップS4よりも低下させる(第1ステップS1)。これらの第1ステップS1〜第4ステップS4を繰り返し行う際、第1ステップS1の後に行われる第3ステップS3および第4ステップS4では、被処理物が配置された処理雰囲気に対して新たにエッチング反応種を含有する処理流体を供給し、被処理物の近傍における当該処理流体の密度を第1ステップS1よりも上昇させる。
【選択図】図2
Description
本発明はエッチング方法に関し、特には半導体装置やマイクロマシンなどの製造において中空部を有する微細構造体を形成するに際し、エッチング開口の大きさに対して形成するする中空部が大きい場合や複雑な構成の中空部を形成する場合に適用されるエッチング方法に関する。
微細技術の進展に伴い、マイクロマシン(Micro Electro Mechanical Systems:MEMS)、およびマイクロマシンを組み込んだ小型機器が注目されている。マイクロマシンは、シリコン基板、ガラス基板等の基板上形成された3次元構造体からなる可動部と、この可動部の駆動を制御する半導体集積回路等とを、電気的・機械的に結合させた素子である。
従来、このようなマイクロマシン分野においては、3次元構造体を実現する技術の1つとして、基板上に予め犠牲層を形成し、この犠牲層上に構造体層を形成してパターニングした後、犠牲層を選択的にエッチング除去することにより、パターニングされた構造体層の下方に空間部が設けられた構造の3次元構造体が得られる。犠牲層としては酸化シリコン(SiO2)やシリコン(Si)が用いられている。酸化シリコンにより犠牲層を形成した場合には、フッ素(F)系のエッチング液、また、シリコンにより犠牲層を形成した場合には気相のフッ化キセノン(XeF2)やフッ化臭素(BrF3)等のエッチングガスがエッチャントとして用いられている(以上、下記特許文献1参照)。
例えば、図4に示す構成の3次元構造体を形成する場合には、先ず、基板1の表面側に形成された凹部1a内に犠牲層2を埋め込み、基板1および犠牲層2上を覆う状態で構造体層3を形成する。次いで、必要に応じた形状に構造体層3をパターニングすると共に、構造体層3に犠牲層2に達するエッチング開口3aを形成する。その後、エッチング開口3aを介して犠牲層2をエッチング除去する。これにより、構造体層3の下方に中空部aを形成する。尚、このエッチングにおいては、上述したように、犠牲層2を構成する材質によって適切なエッチャントが選択されることになる。
しかしながら、このような3次元構造体の形成方法には、以下のような課題があった。例えば、図4を用いて説明した3次元構造体の形成においては、エッチング開口3aと比較して、エッチングによって形成する中空部aが非常に大きい場合に、犠牲層2を完全にエッチング除去することが困難になる。
これは次のようなエッチングのメカニズムに起因している。すなわち、犠牲層2のエッチングが進んで中空部aが形成されるに従い、形成された中空部a内にエッチャントが進入していく。一方、エッチングの進行により、エッチャントに含まれるエッチング反応種は減少し、反応生成物が増加する。しかしながら、エッチング開口3aが微細である場合、ある程度の大きさにまで中空部aが広がると、中空部a内のエッチャントの置換効率が低下する。このため、エッチング開口3aの断面積と比較して中空部aが大きくなると、犠牲層2のエッチングレートが極端に低下してしまうのである。
このような現象は、例えばスピン式処理を行うことで、エッチング開口部分付近のエッチャントの流れを速くして置換効果を高めたとしても、完全に防止することはできない。また、エッチャントとしてガスを用いた場合であっても、エッチャントが液体である場合よりも軽微ではあるが、同様の現象が発生するのである。
またこのような現象は、図5(a)に示すように、基板1と構造体層3に挟まれた狭いキャップの中空部aを形成する場合や、図5(b)に示すように、狭いエッチング開口3aに対して複雑な形状の中空部aを形成する場合等でも同様に発生する。
またさらに、このような中空部を有する3次元構造体を備えたマイクロマシンの製造においては、工程中において中空部が破壊されることを防止するために、最終の工程になるべく近い工程で犠牲層のエッチングを行うことが望ましい。例えば、図5(c)に示すように、3次元構造体を構成する中空部aよりも上層に配線層5を形成する場合、配線層5を形成してこれを絶縁膜6で埋め込んだ後に、この絶縁膜6に犠牲層(図示省略)に達するエッチング開口3aを形成し、このエッチング開口3aから犠牲層をエッチング除去して中空部aを形成することが望まれる。しかしながら、最終工程に近づくほど、エッチング開口3aが深くなって中空部aのエチャントの置換効率が低下するため、上述と同様に犠牲層が除去され難くなるのである。
そして上述したように、犠牲層を完全にエッチング除去することが困難となることにより、中空部aの形状精度が劣化する。これは、この中空部aを有するマイクロマシンの動作特性を劣化させる要因となる。
また、このような問題は、電気配線間干渉を抑えるための空中配線の形成においても同様に発生するため、空中配線を備えた半導体装置においてはその動作特性を劣化させる要因ともなる。
そこで本発明は、微細なエッチング開口から犠牲層を十分にエッチング除去し、これによって大きな中空部や複雑な構成の空間部を形状精度良好に形成できるエッチング方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するための本発明のエッチング方法は、以下の第1工程と第2工程とを繰り返し行う方法である。先ず、第1工程では、エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物をエッチング処理する。次の第2工程では、被処理物の近傍における処理流体の密度を第1工程よりも低下させる。そして、これらの第1工程と第2工程との繰り返しにおいて、第2工程の後に行われる第1工程では、被処理物が配置された処理雰囲気に対して、新たにエッチング反応種を含有する処理流体を供給すると共に、当該被処理物の近傍における当該処理流体の密度を当該第2工程よりも上昇させることを特徴とする。
ここで、処理流体が気体または超臨界流体で構成されている場合、第1工程と第2工程との間での処理流体の密度変動を、処理雰囲気内の圧力調整によって行っても良い。また、処理流体が、気体、超臨界流体、または液体である場合には、処理流体の密度変動を、処理流体の温度調整によって行っても良い。
このようなエッチング方法では、エッチング処理が行われる第1工程間において、被処理物の近傍における処理流体の密度を低下させる第2工程を行うことにより、先の第1工程でエッチングに寄与した処理流体が、その後の第2工程において被処理物の近傍から強制的に排除されることになる。このため、被処理物が中空部を有している場合であっても、この中空部内の処理流体の一部または大部分が、中空部から排除される。そして、次の第1工程で、新たにエッチング反応種を含有する処理流体を供給し、また被処理物の近傍における処理流体の密度を上昇させることにより、上記の中空部内にも新たなエッチング反応種を含有する処理流体が導入され、処理流体の置換が行われる。このため、これらの工程を繰り返すことにより、被処理物の中空部内にも、被処理物に対して活性の失われていないエッチング反応種を含有する処理流体を、断続的に供給し続けることができる。したがって、中空部内においてのエッチングレートを保ち続けることができる。
これにより本発明のエッチング方法によれば、微細なエッチング開口からのエッチングにより、複雑な形状の中空部やエッチング開口に対して大きい中空部をエッチング残りなく形状精度良好に形成することが可能になる。この結果、例えば、中空部を有する3次元構造体部分を備えたマイクロマシンや半導体装置の動作特性の向上を図ることが可能になる。
以下、本発明のエッチング方法の実施の形態を説明する。ここでは、微細なエッチング開口を介して、大きな体積または複雑な構成の犠牲層を選択的にエッチング除去する場合に適するエッチング方法を説明する。尚、エッチング方法の実施の形態を説明するのに先立ち、このエッチング装置に好適に用いられる処理装置の一構成例を説明する。
<処理装置>
図1は、本発明のエッチング方法に用いられる処理装置の一例を示す概略構成図である。この処理装置は、エッチングが行われる処理室11を有している。この処理室11内には、温調機能付きのステージ12が収納されており、ウェハ状の被処理物Sを所定温度に加熱または冷却した状態で保持することが可能である。また、処理室11の外周部には、処理室11内部の温度を調節したり処理室11の内壁に処理流体が過剰に吸着したり結露することを防ぐための温度調節器13や、ステージ12上の被処理物Sを加熱するためのランプ14が設けられている。さらに、処理室11には、排気ポンプPを備えた排気管15、流量調節器16aおよび温度調節器16bが設けられた処理流体供給管16、および流量調節基17aが設けられたパージガス供給管17が接続されており、処理室11の内部が所定の圧力雰囲気に保たれるように構成されている。このうち、処理流体供給管16には、3つの流量調節器16aを介して、不活性ガス(ここではN2,CO2を含む)g1のボンベ(図示書略)や、フッ酸蒸気発生部18および水蒸気発生部19が接続されている。これらのフッ酸蒸気発生部18および水蒸気発生部19は、タンク18a、19aに貯留した無水フッ酸や純水に不活性ガスg1をバブリングさせることにより、フッ酸蒸気および水蒸気を発生させるものであり、それぞれ温度調節気18b,19bを備えている。また、ここでの図示は省略したが、処理室11内には、処理室11内に供給された流体(ガス等)が、ステージ12上の被処理物Sに均一に供給され、かつ排気される様に、拡散板や整流機構を設けても良い。さらに、被処理物Sを陽動、回転、振動させる機能、および、処理室11内の処理流体を攪拌するための機構(循環装置を含む)を付加しても良い。
図1は、本発明のエッチング方法に用いられる処理装置の一例を示す概略構成図である。この処理装置は、エッチングが行われる処理室11を有している。この処理室11内には、温調機能付きのステージ12が収納されており、ウェハ状の被処理物Sを所定温度に加熱または冷却した状態で保持することが可能である。また、処理室11の外周部には、処理室11内部の温度を調節したり処理室11の内壁に処理流体が過剰に吸着したり結露することを防ぐための温度調節器13や、ステージ12上の被処理物Sを加熱するためのランプ14が設けられている。さらに、処理室11には、排気ポンプPを備えた排気管15、流量調節器16aおよび温度調節器16bが設けられた処理流体供給管16、および流量調節基17aが設けられたパージガス供給管17が接続されており、処理室11の内部が所定の圧力雰囲気に保たれるように構成されている。このうち、処理流体供給管16には、3つの流量調節器16aを介して、不活性ガス(ここではN2,CO2を含む)g1のボンベ(図示書略)や、フッ酸蒸気発生部18および水蒸気発生部19が接続されている。これらのフッ酸蒸気発生部18および水蒸気発生部19は、タンク18a、19aに貯留した無水フッ酸や純水に不活性ガスg1をバブリングさせることにより、フッ酸蒸気および水蒸気を発生させるものであり、それぞれ温度調節気18b,19bを備えている。また、ここでの図示は省略したが、処理室11内には、処理室11内に供給された流体(ガス等)が、ステージ12上の被処理物Sに均一に供給され、かつ排気される様に、拡散板や整流機構を設けても良い。さらに、被処理物Sを陽動、回転、振動させる機能、および、処理室11内の処理流体を攪拌するための機構(循環装置を含む)を付加しても良い。
このような処理装置によれば、不活性ガスg1に所定の濃度でフッ酸蒸気や水蒸気を分散させ温度調節気6bによって所定温度に調整された処理流体Lを、処理流体供給管16から処理室11内に供給することができる。この処理流体Lにおいては、微量の水分によって解離したフッ酸がシリコン酸化膜のエッチング反応種となる。また、不活性ガスg1としてN2を供給した場合には、温度圧力を適切に調整することによりN2を超臨界流体とし、この超臨界流体に所定濃度でフッ酸蒸気や水蒸気を分散させた処理流体Lを処理室11内に供給することもできる。さらに、処理室11内は、温度調節器13によって所定温度に調節され、かつ排気管15からの排気と処理流体供給管16からの処理流体Lの供給量とを調節することにより所定の圧力に調節される。したがって、処理流体Lとして超臨界流体を用いる場合には、処理室11内の温度および圧力を調整しておくことにより、処理室11内においてN2を超臨界流体の状態に保つこともできる。
尚、上述した処理装置の構成はあくまでも一例であり、処理流体Lとして用いる物質により、処理流体供給管16から供給するガス(蒸気)が適宜変更されるものである。
<エッチング方法>
次に、このような構成の処理装置を用いた被処理物Sのエッチング方法を、図2のフローチャートに基づき、図1を参照しつつ説明する。ここでは、被処理物Sの表面側において、酸化シリコンからなる犠牲層を、微細なエッチング開口から選択的にエッチング除去する方法を例示して、エッチング方法の実施形態を説明する。
次に、このような構成の処理装置を用いた被処理物Sのエッチング方法を、図2のフローチャートに基づき、図1を参照しつつ説明する。ここでは、被処理物Sの表面側において、酸化シリコンからなる犠牲層を、微細なエッチング開口から選択的にエッチング除去する方法を例示して、エッチング方法の実施形態を説明する。
先ず、第1ステップS1では、処理室11内のステージ12上に被処理物Sを載置固定して処理室11を密閉し、処理室11内を排気減圧する。ここでは、処理室11の内部を、以降に行われるエッチング処理時の圧力よりも低い圧力に減圧にして内部の気体を排出する。尚、被処理物Sを処理室11内に入れる場合の雰囲気は、大気や窒素ガスなど必要に応じて選択され、予備チャンバーで予め減圧して減圧されている処理室11内に被処理物Sを設置するようにしても良い。また、被処理物Sは、必要に応じて所定温度に加熱または冷却しておくこととする。
次に、第2ステップS2では、エッチング処理が終了であるか否かの判断を行い、終了ではない(No)と判断した場合に、次の第3ステップS3に進む。
そして、第3ステップS3では、減圧された状態の処理室11内に処理流体供給管16から処理流体Lを供給し、処理室11内を所定圧力の処理流体Lで満たす。この際、例えば、水蒸気発生部19から発生させた所定流量の水蒸気に対して、フッ酸蒸気発生部18から発生させたフッ酸蒸気を所定流量で添加した処理流体Lを、温度調整器16bで所定温度にコントロールして処理室11内に供給する。この際の処理室11内の圧力は、第1ステップS1よりも高い圧力であれば、特に限定されることはなく、大気圧を越える圧力であっても、大気圧程度であっても、大気圧よりも低くても良い。ただし、第1ステップS1との圧力差が大きい程好ましい。
尚、処理流体Lとしては、フッ酸蒸気と水蒸気を混合するのではなく、共沸濃度のフッ酸水溶液からの蒸発ガスを用いても良く、また、希釈のために所定流量の不活性ガスg1を添加しても良い。さらに、犠牲層を構成する酸化シリコンの成膜方法によっては、犠牲層の内部に水分を多く含むものもあるが、その場合、無水フッ酸のみを処理流体Lとして供給するようにしてもよい。
その後、第4ステップS4では、処理室11内を上述した所定圧力の処理流体Lで満たした状態で、所定時間のエッチング処理を行う。この際、処理室11内への処理流体Lの供給と排気を続けることで、処理室11内に気流を発生させることが好ましい。また、この第4ステップS4のエッチング処理の時間は、エッチングレートが所定の速さに十分に保たれる時間であることとする。さらに、第3ステップS3の段階でもエッチングが進むことから、ここでのエッチング処理時間は、第3ステップS3と第4ステップS4とを合わせた時間としても良い。尚、このエッチング処理時間は、処理流体Lにおけるエッチング反応種(ここでは微量の水分によって解離したフッ酸)の濃度、処理室11内の圧力、温度、エッチング対象となる犠牲層の種類、さらにはエッチングによって形成する中空部の形状などによって変化するので、事前に評価して決めておくことが好ましい。
以上の第3ステップS3および第4ステップS4が請求項に示す第1工程となる。そして第4ステップS4にて所定のエッチング処理時間が経過した後には、処理室11内への処理流体の供給を停止して第1ステップS1に戻る。
そして、次の第1ステップS1においては、第4ステップS4における処理室11内の圧力よりも低い圧力に処理室11内を減圧する。これにより、処理室11内における処理流体Lの密度を第4ステップS4よりも低下させる。尚、第1ステップS1での処理室11内の圧力は、排気ポンプPの能力や、エッチングにより形成された中空部が破壊されない程度に排気スピードを保った場合の効率を考慮し、より低い圧力に設定されることが好ましい。また、この第1ステップS1では、第4ステップS4でのエッチング処理で発生した反応生成物(例えば水分や低蒸気圧物質)を気化させ、エッチング残渣の残留や液体の表面張力による構造破壊が発生しないように、減圧下で一定時間保持してもよい。以上、この第1ステップS1が請求項に示す第2工程となる。
以降、第2ステップS2において、所定回数のエッチング処理が終了したと判断されるまで、第1ステップS1〜第4ステップS4を繰り返し行う。この繰り返し回数は、被処理物Sに形成する中空部内の犠牲層が全て除去される回数に設定されることとする。
尚、この繰り返しにおいては、第1ステップS1よりも次の第4ステップS4での処理室11内における処理流体Lの密度が上昇し、さらに第4ステップS4よりも次の第1ステップS1での処理室11内における処理流体Lの密度が降下する条件であれば、第4ステップS4におけるエッチング条件(エッチング処理時間、処理流体Lにおけるエッチング反応種の濃度、処理温度、圧力など)、および第1ステップS1における減圧条件(減圧レート、到達圧力、減圧保持時間)を、そのつど変更しても良い。ただし、第1ステップS1および第4ステップS4における処理室11内の処理流体Lの密度差が大きくなるほど好ましい。
また、ある程度の繰り返しが進行して中空部が形成された場合には、第3ステップS3における処理流体Lの供給スピードは、中空部が破壊されない程度に設定されることとする。
そして、第2ステップS2において、所定回数のエッチング処理が終了した(Yes)と判断された場合には、第5ステップS5に進む。
第5ステップS5では、直前の第1ステップS1において最終的に減圧された状態にある処理室11内に、乾燥空気や窒素、不活性ガスなどのパージガスg2を供給することにより、処理室11内の圧力を常圧に戻す。その後、被処理物Sを処理室11内から取り出す。尚、処理室11の前室として予備排気室がある場合には、処理室11を予備排気室と同じ圧力にした後、被処理物Sを予備排気室に移し変えて取り出す。
尚、このような第5ステップS5は、最終回の第4ステップS4のエッチング処理が終了した後、第1ステップS1に戻る前に行われるようにしても良い。この場合、第2ステップS2を、第4ステップS4と第1ステップS1との間に行うフローとする。このようなフローとした場合、第5ステップS5では、処理室11内へのパージバスg2の供給によって、処理室11内から処理流体Lが追い出されることになる。
また処理室11内の処理流体Lを完全に除去したい場合には、第5ステップS5の後に、処理室11内をサイクルパージするフローを行っても良い。この場合、図2のフローチャートにおいて2点鎖線で示すように、第5ステップS5の後に、サイクルパージ終了か否かの判断を行う第6ステップS6を設け、さらに第6ステップS6で終了していないと判断された場合に、処理室11内を再び減圧する第7ステップS7を設け、第7ステップS7の後に第5ステップS5に戻るフローを構成する。
以上のようなエッチング方法によれば、エッチング処理が行われる第4ステップS4を繰り返し行う間に、処理室11内を減圧することで処理流体Lの密度を低下させる第1ステップS1が行われる。これにより、第1ステップS1においては、処理室11内の処理流体Lが強制的に排気され、第4ステップS4においてエッチングに寄与した被処理物S近傍の処理流体Lが、被処理物Sの近傍から強制的に排除されることになる。このため、被処理物Sが中空部を有している場合であっても、この中空部内の処理流体Lの一部または大部分を、中空部から排除することができる。
そして、このような第1ステップS1の次の第3ステップS3で、処理室11内に新たに処理流体Lを供給し、処理室11内の圧力を上昇させることで処理流体の密度を上昇させることにより、上記の中空部内にも新たなエッチング反応種を含有する処理流体が導入される。これにより、中空部内で処理流体の置換が行われる。
例えば、第4ステップS4における処理室内の圧力の1/2の圧力になるまで、第1ステップS1において処理室11内を排気することで、処理室内における処理流体の密度がほぼ1/2になる。このため、次に第3ステップS3で処理室内に処理流体を供給した場合の処理流体の置換効率は約50%程度になる。また、処理室11の容積が1m3以下であれば、第4ステップS4において、大気圧程度の圧力でエッチング処理を行うこととすれば、簡便は真空ポンプを用いて減圧したときの圧力として1/3から1/10程度の減圧が可能である。この場合、処理流体の置換効率を30〜90%とすることが可能である。
このため、次の第4ステップS4では、活性が保たれたエッチング反応種を含有する処理流体Lによってエッチング処理が行われる。そして、これらの第1ステップS1〜第4ステップS4を繰り返すことにより、被処理物Sの中空部内にも、被処理物に対して活性の失われていないエッチング反応種を含有する処理流体を、断続的に供給し続けることができ、中空部内においてのエッチングレートを保ち続けることができる。
したがって、微細なエッチング開口からの犠牲層のエッチングにより、複雑な形状の中空部やエッチング開口に対して大きい中空部を、エッチング残りなく形状精度良好に形成することが可能になる。
この結果、例えば、形状精度の良好な中空部を有する3次元構造体部分を備えたマイクロマシンや、形状精度の良好な空中配線を備えた半導体装置の動作特性の向上を図ることが可能になる。
さらに、このようなエッチング方法によれば、犠牲層の上部に多層配線が積まれていても、この犠牲層に達する微細で深いエッチング開口から犠牲層を十分に除去できるようになるため、最終工程の近くで中空部形成のためのエッチングを行うことが可能になり、中空構造を待つマイクロマシンとLSIとの同一チップ上への集積が可能になる。
さらに、処理流体の置換効率が上昇するため、エッチング時間を短縮することもできる。これにより、被処理物の外表面や早期にエッチングによって表面に現れた部分の処理流体への曝露時間が短縮でき、腐食やエッチングなどの影響を低減できる。
また、処理流体が強制的に排除される際に、低沸点(蒸気圧の高い、揮発性のある)反応生成物も同時に除去することができる。
<変形例1>
以上説明した実施形態においては、先ず、第1ステップS1において処理室11内を排気して減圧する構成とした。しかしながら、処理室11内を減圧せずに、被処理物Sが収納された処理室11内に処理流体11を供給することにより、処理室11内を処理流体Lで置換する構成としても良い。この場合、図2のフローチャートにおいて鎖線で示すように、第3ステップS3から処理が開始されるフローを構成する。
以上説明した実施形態においては、先ず、第1ステップS1において処理室11内を排気して減圧する構成とした。しかしながら、処理室11内を減圧せずに、被処理物Sが収納された処理室11内に処理流体11を供給することにより、処理室11内を処理流体Lで置換する構成としても良い。この場合、図2のフローチャートにおいて鎖線で示すように、第3ステップS3から処理が開始されるフローを構成する。
このような手順であっても、第3ステップS3に続く第4ステップS4よりも次の第1ステップS1における処理室11内の圧力が低くなり(処理流体Lの密度が低くなり)、さらに第1ステップS1よりも次の第4ステップS4における処理室11内の圧力が高くなる(処理流体Lの密度が高くなる)ように、処理室11内の排気および処理流体Lの供給を調整することが重要である。
尚、第1ステップS1においての処理室11内の減圧率が低い場合、残留した処理流体Lによって、次の第3ステップS3で新たに供給される処理流体Lのエッチング反応種が希釈され、第4ステップS4におけるエッチングレートが低下することになる。このため、エッチング反応種の濃度を保つことを目的として、第1ステップS1での減圧率に応じてエッチング反応種の濃度の高い処理流体Lを供給するようにしても良い。
<変形例2>
処理流体Lを構成する流体としては、超臨界状態の流体(超臨界流体と記す)を用いても良い。超臨界流体を構成する物質(超臨界物質)としてはN2やCO2等が好適に用いられる。この場合、第3ステップS3の前に、予め温度と圧力を調整することにより処理室11内を超臨界流体で満たしておき、次の第3ステップS3においては、ガス状の超臨界物質(N2やCO2)に、エッチング反応種を溶解または分散させた処理流体Lを、処理室11内に供給する構成とする。この際、処理室11内を超臨界雰囲気(圧力、温度)に保ち続けることが重要である。
処理流体Lを構成する流体としては、超臨界状態の流体(超臨界流体と記す)を用いても良い。超臨界流体を構成する物質(超臨界物質)としてはN2やCO2等が好適に用いられる。この場合、第3ステップS3の前に、予め温度と圧力を調整することにより処理室11内を超臨界流体で満たしておき、次の第3ステップS3においては、ガス状の超臨界物質(N2やCO2)に、エッチング反応種を溶解または分散させた処理流体Lを、処理室11内に供給する構成とする。この際、処理室11内を超臨界雰囲気(圧力、温度)に保ち続けることが重要である。
そして、第4ステップS4の後の第1ステップS1では、超臨界雰囲気(圧力、温度)の範囲で処理室11内を減圧する。そして、第1ステップS1〜第4ステップS4の繰り返しが終了した後の第5ステップS5では、先ず、処理室11内における超臨界物質が蒸気圧曲線を横切ることのないように、処理室11内における温度を調整しながら常圧付近にまで減圧し、その後常温付近にまで温度を低下させることが重要である。
以上のように超臨界流体を用いたエッチングを行うことにより、被処理物の表面を気−液界面に晒すことなく、エッチングを終了させることが可能になる。このため、液体の表面張力による微細な構造体の破壊が防止され、エッチングによって形成された構造体の形状精度を保つことができる。また、処理流体として液体を用いた場合には、エッチング後に処理流体やリンス液を乾燥させる必要があり、微細な開口部分から内部を乾燥させることが困難であるが、このような乾燥工程を行う必要もない。
<変形例3>
上述した実施形態においては、第1ステップS1と第4ステップS4とで、処理室11内の圧力を変化させることで、処理室11内における処理流体Lの密度を変化させる構成とした。しかしながら、本発明は、第1ステップS1と第4ステップS4とで、処理室11内の温度を変化させることで、処理室11内における処理流体Lの密度を変化させる構成であっても良い。この場合、処理室11内全体の温度を調整しても良いが、被処理物Sのみ、または被処理物Sの近傍の温度のみを変化させることで、被処理物Sの近傍のみにおいて処理流体Lの密度を変化させても良い。
上述した実施形態においては、第1ステップS1と第4ステップS4とで、処理室11内の圧力を変化させることで、処理室11内における処理流体Lの密度を変化させる構成とした。しかしながら、本発明は、第1ステップS1と第4ステップS4とで、処理室11内の温度を変化させることで、処理室11内における処理流体Lの密度を変化させる構成であっても良い。この場合、処理室11内全体の温度を調整しても良いが、被処理物Sのみ、または被処理物Sの近傍の温度のみを変化させることで、被処理物Sの近傍のみにおいて処理流体Lの密度を変化させても良い。
このように、温度制御によって処理流体Lの密度を変化させる構成であれば、処理流体Lとして圧力変化の小さい液体を用いることも可能である。
尚、以上説明した実施形態および変形例1〜3では、エッチング反応種をフッ酸とし、フッ酸蒸気を水蒸気さらにはその他の流体に分散させた処理流体Lを用いて酸化シリコンからなる犠牲層をエッチング除去する場合を例示した。しかし、本発明は、処理流体Lが限定されるものではなく、犠牲層を構成する材料によって適宜選択されものである。処理流体Lとしては、キャリアガスや超臨界流体さらには液体等の流体にエッチング反応種を溶解または分散させてなるか、またはエッチング反応種(HF、XeF、HCl)がガスや超臨界流体となる場合には、エッチング反応種をそのまま処理流体として用いても良い。また、犠牲層が有機物である場合、処理流体Lとして有機溶剤を用いても良く、エッチング反応種となり得る粉末を流体に分散させて処理流体Lとしても良い。ただし、処理流体Lは、圧縮性(膨張性)を有し、さらには圧力や温度による体積変化が大きい方が高い置換率を得られるため好ましい。
さらに、図1のフローチャートを用いて説明したステップS1〜ステップS4の繰り返し工程においては、何回かの繰り返し工程の間に、他の処理を付加的に行っても良い。例えば、第1ステップS1〜第4ステップS4の繰り返し工程を所定回数行うことで、エッチングが進行して中空部がある程度の大きさに形成されたところで、エッチング表面の疎水処理を行い、その後再びステップS1〜ステップS4の繰り返し工程を開始しても良い。このような疎水処理を行うことにより、ある程度の大きさに形成された中空部の内壁の張り付き(いわゆるスティッキング:Sticking)を防止しながら、大空間または複雑な構成の中空部を形成することが可能になる。尚、ステップS1〜ステップS4の繰り返し工程間に行う付加的な処理は、このような疎水処理に限定されることはなく、エッチングにより露出した部分に保護膜や改質膜を生成する改質処理や、反応生成物除去処理であっても良い。この場合、第1ステップS1での減圧(または昇温)条件を利用した付加的な処理であっても良い。
またさらに、ステップS1〜ステップS4の繰り返し工程においては、何回かの繰り返し工程によって目的とする犠牲層をエッチング除去した後に、第3ステップS3で供給する処理流体Lを変更することで、他の対象物をエッチングする処理を引き続き行う様にしても良い。
次のように被処理物を形成した。先ず、単結晶シリコンからなる基板の表面側に、1μmの膜厚の酸化シリコン膜を犠牲層として形成し、この犠牲層上に多結晶シリコンからなる構造体層を形成した。そして、この構造体層に、開口幅0.5μmのスリット状のエッチング開口を形成し、このエッチング開口の底部に犠牲層を露出させた。
このような構成の被処理物の犠牲層を、次のような手順でエッチング除去した(図2参照)。
先ず、被処理物を処理室内のステージ上に載置固定し、処理室内を1kPaに減圧した後、排気を停止して減圧を保持した(第1ステップS1)。
次に、フッ酸蒸気と水蒸気との混合ガスを処理流体として処理室内に供給することで、処理室内の圧力を上昇させて100kPaにした。この際、フッ酸蒸気と水蒸気との比率は、常圧常温における体積比で3:1とした(第3ステップS3)。
そして、処理室内が100kPaに上昇した後、この状態で2分間保持することで被処理物のエッチング処理を行った(第4ステップS4)。
その後、再び処理室内を30秒程度の時間で排気し、処理室内を1KPaに減圧した(第1ステップS1)。
処理室内が1kPaに減圧された後、減圧状態を保持せず、直ちにフッ酸蒸気と水蒸気の混合ガスを供給し、処理室内の圧力を約10秒程度かけて100kPaにまで上昇させた(第3ステップS3)。
次に、第4ステップS4を上述と同様に行い、さらに第1ステップS1〜第4ステップS4を繰り返すことにより、10回の第4ステップS4を行った。これにより、第4ステップS4を合計して20分のエッチング処理を行った。
その後、処理室チャンバー内を1kPaに減圧し(第1ステップS1)、処理室内に窒素ガスを供給することにより処理室内を100kPa程度にまで加圧した(第5ステップS5)。次に、処理室内の減圧(第7ステップS7)と処理室内への窒素ガスの供給による加圧(第5ステップS5)とを繰り返し、処理流体や蒸発性の反応生成物、水分などを被処理物の表面から取り除いた。そして、処理室内に窒素ガスを供給することにより処理室内を常圧に戻した(第5ステップS5)後、被処理物を処理室から取り出して処理を終了させた。
この結果、被処理物においては、エッチング開口から横方向に32μmのエッチングが進行しており、この範囲で1μmの膜厚の酸化シリコンからなる犠牲層が除去されていることが確認された(図3:実施例1参照)。
一方、比較例として、同様の被処理物に対して、第4ステップS4の状態で20分間保つエッチング処理を行った。この結果、エッチング開口から横方向に約6μmしかエッチングが進行しておらず、この範囲のみにおいて1μmの膜厚の酸化シリコンからなる犠牲層が除去されていることが確認された(図3:比較例参照)。これにより、本発明を適用した実施例1のエッチング方法の効果が確認された。
次のように被処理物を形成した。先ず、単結晶シリコンからなる基板の表面側に、平面形状100μm(短辺)×400μm(長辺)、深さ1μmの凹部を形成した。次に、この凹部内に、TEOSガス用いたCVD法によって形成した酸化シリコン膜を犠牲層として埋め込んだ。その後、犠牲層上を含む基板上に多結晶シリコンからなる構造体層を形成した。そして、この構造体層に、凹部の短辺に沿って10μm幅のスリット状のエッチング開口を形成し、このエッチング開口の底部に犠牲層を露出させた。
このような被処理物に対して、実施例1と同様の手順でエッチングを行った。
この結果、平面形状100μm(短辺)×400μm(長辺)、深さ1μmの凹部内の犠牲層が全て除去され、同様の形状の中空部を形成することができた。
本実施例3では、実施例2と同様の被処理物を、CO2からなる超臨界流体で構成された処理流体を用いてエッチングした。
先ず、被処理物を処理室内のステージ上に載置固定して処理室を密閉し、処理室内にCO2を供給すると共に温度を上昇させることにより、処理室内の雰囲気をCO2が超臨界流体となる状態(31℃、7.38MPa以上)に加圧、昇温させた。ここでは、35℃、10MPaにした。これにより、処理室内をCO2超臨界流体雰囲気とした。
処理室内の圧力と温度を一定に保ちながら、CO2中にフッ酸蒸気を重量比で5%の割合で混合し、更に約2%のメタノール蒸気を添加した処理流体を処理室内に供給した。これにより、処理室内のCO2を処理流体に置換した。この際、圧力と温度を一定に保ちながら処理室内に処理流体を供給することにより、処理室をCO2超臨界流体雰囲気に保った(第3ステップS3)。尚、メタノールの代わりにButyrolactoneやエタノールなどを用いたり、それらの混合物を用いても良い。
そして、処理室内への処理流体の供給を開始してから3分間、処理流体の供給を継続することでエッチング処理を行った(第4ステップS4)。
次に、処理流体内のフッ酸やメタノールが分離することのないように、CO2超臨界流体雰囲気が保たれる範囲で、処理室内の圧力を7.5MPaに減圧すると共に温度を60℃に上昇させた(第1ステップS1)。
その後、上述したと同様の処理流体を処理室内に供給することで、CO2超臨界流体雰囲気に保たれる範囲で処理室内を再び35℃、10MPaに加圧し、3分間エッチング処理を行った(第3ステップS3,第4ステップS4)。
以下、第4ステップS4が、20回繰り返されるまで、第1ステップS1〜第4ステップS4を繰り返し行った。
その後、第1ステップS1に戻って処理室内を減圧した後、さらにCO2超臨界流体雰囲気に保たれた処理室内にエッチング反応種を含有しないCO2を供給し、処理流体中の無水フッ酸やメタノールの成分を排出した(第5ステップS5)。次に、処理室内を臨界温度以上に保ったまま減圧してCO2をガス状態とした後、処理室内の温度を常温付近まで低下させ被処理物を処理室より取り出して処理を終了させた。
この結果、平面形状100μm(短辺)×400μm(長辺)、深さ1μmの凹部内の犠牲層が全て除去され、同様の形状の中空部を形成することができた。
L…処理流体、S…被処理物、
Claims (3)
- エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物のエッチング処理を行う第1工程と、
前記被処理物の近傍における前記処理流体の密度を前記第1工程よりも低下させる第2工程とを繰り返し行い、
前記第2工程の後に行われる第1工程では、前記被処理物が配置された処理雰囲気に対して新たに前記エッチング反応種を含有する処理流体を供給すると共に、当該被処理物の近傍における当該処理流体の密度を当該第2工程よりも上昇させる
ことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1記載のエッチング方法において、
前記処理流体は気体または超臨界流体で構成され、
前記第2工程では、前記被処理物が配置された処理雰囲気内の圧力を前記第1工程よりも低下させることにより前記処理流体の密度を低下させる
ことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1記載のエッチング方法において、
前記第2工程では、前記処理流体を加熱することにより前記被処理物の近傍における当該処理流体の密度を低下させる
ことを特徴とするエッチング方法。
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