JP5994821B2 - デスミア処理装置およびデスミア処理方法 - Google Patents
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Description
多層配線基板の製造工程においては、図2(a)に示すように、下層の樹脂絶縁層61上に、導電層(配線導体)62を含めて上層の樹脂絶縁層63を形成し、図2(b)に示すように、レーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層63や導電層62の一部を除去することにより、ビアホール65またはスルーホールを形成する。そして、ビアホール65やスルーホールの形成においては、ビアホール65の内側やその近傍に、上層の樹脂絶縁層63の材料に起因するスミア(残渣)Sが残る。スミアSを残したままであると、ビアホール65の内側に導電層62を形成しても、導電層62の導通が不十分になることがある。従って、図2(c)に示すように、導電層62の上面が露出された状態を得るために、スミアSを除去するデスミア処理が行われる。
湿式のデスミア処理方法は、配線基板材料を過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液中に浸漬することにより、配線基板材料に残留するスミアを溶解若しくは剥離して除去する方法である(例えば特許文献1参照)。
また、近年、配線基板における配線パターンの微細化の要請に伴って、径の小さいビアホールを形成することが求められている。そして、径の小さいビアホールを有する配線基板材料に対してデスミア処理を行う場合には、アルカリ溶液がビアホール内に十分に浸入しないため、所要のデスミア処理を確実に行うことが困難となる。
乾式のデスミア処理方法としては、例えば酸素が存在する雰囲気下において、波長200nm以下の真空紫外線を配線基板材料に照射することにより、スミアを分解して除去する方法が考えられる。特に、エキシマランプから放射される真空紫外線により生成されるオゾン等の活性酸素を利用した方法は、より効率良く短時間で所定の処理を行うことが期待される。
このように、配線基板材料のデスミア処理においては、いかに絶縁層に影響が及ばないようにスミアを処理するかが問題となる。すなわち、短時間で確実にスミアを処理できる新たな処理装置や処理方法が求められている。
また、処理ガスに含ませる水分の量は、多すぎると処理速度が遅くなること、すなわち、処理ガスに含ませる水分量には適切な範囲が存在することも見出した。
本発明は、デスミア処理を高い処理効率で確実に行うことのできるデスミア処理装置およびデスミア処理方法を提供することを目的とする。
中心波長が172nmの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプよりなる紫外線光源と、当該紫外線光源が収容された光照射室と、被処理物が配置される処理空間を有する処理室と、当該光照射室の内部空間と当該処理室の処理空間とを区画する紫外線透過性の窓部材と、処理用ガスを前記処理空間内に供給する処理用ガス供給手段とを備えており、
前記処理用ガス供給手段は、前記紫外線光源からの真空紫外線によって活性化される活性種源を含む、酸素濃度が50体積%以上の処理用ガスに水分を含ませる加湿機構を備えており、当該加湿機構によって絶対容積湿度が10〜70g/m 3 の範囲内に加湿された処理用ガスを前記処理空間内に供給することを特徴とする。
前記紫外線光源として、中心波長が172nmの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプが用いられ、
真空紫外線が照射されることによって活性化される活性種源を含む、酸素濃度が50体積%以上の処理用ガスであって、水分を絶対容積湿度が10〜70g/m 3 の範囲内に含ませたものを前記処理空間内に供給することを特徴とする。
また、処理用ガスに含まれる水分量(絶対容積湿度)が制御されていることにより、被処理物に照射される真空紫外線の光量が大幅に低下することを抑制することができ、安定したスミア除去効果を得ることができる。
図1は、本発明のデスミア処理装置の一例における要部の構成の概略を示す断面図である。
このデスミア処理装置は、紫外線光源が収容された光照射室10と、被処理物60が配置される処理室20とを備えている。
筐体11の内部には、紫外線光源である複数本の棒状の紫外線ランプ15が、中心軸が同一水平面内において互いに平行に延びるよう、並設されていると共に、これらの紫外線ランプ15の上方側の位置に、反射鏡16が設けられている。
また、筐体11には、例えば窒素ガスの不活性ガスをパージする不活性ガスパージ手段(図示せず)が設けられている。
筐体21における、処理ステージ25の被処理物載置面25aより上方に突出する上端側部分には、被処理物載置面25aに沿って内方に向かって延びる光照射室支持部22が形成されている。図1における30は、光照射室10における窓部材12と処理ステージ25との間の離間距離を一定の大きさとするためのスペーサ部材である。そして、光照射室10の筐体11に設けられた窓部材12の光出射面(下面)における周縁部が、矩形枠状のシール部材31が介在する状態で、光照射室支持部22の上面に気密に配置されることにより、窓部材12によって光照射室10の内部空間と区画された、被処理物60が配置される処理空間Psが形成されている。
また、排気口27aの開口面積は、給気口26aの開口面積よりも大きいことが好ましい。このような構成とされていることにより、処理用ガスが処理空間Ps内で停滞することがなく、給気口26aから排気口27aに向かう一方向の一様な流れを安定して形成することができる。従って、処理用ガスが被処理物60の面方向の全体に行きわたるので、処理ムラが発生することを回避することができる。
処理用ガス供給手段40は、紫外線ランプ15からの真空紫外線によって活性化される活性種源を含む、乾燥した処理用ガスを供給する処理用ガス供給機構41と、処理用ガスに水分を含ませる加湿機構46とを備えており、加湿機構46によって加湿されて絶対容積湿度が制御された処理用ガスを処理室20における処理空間Ps内に供給する。
処理用ガスにおける酸素濃度は、例えば50体積%以上であることが好ましく、より好ましくは70体積%以上、特に好ましくは90体積%以上である。酸素濃度が50体積%以上であることにより、真空紫外線によって生成されるオゾンおよび活性種の量を多くすることができて所期の処理を確実に行うことができる。
この例のデスミア処理装置においては、加湿機構46における加湿水槽47内の水温が、算出された絶対容積湿度に基づいて、調整されることにより、処理用ガスに含ませる水分量(水蒸気量)が調整され、適正な絶対容積湿度に制御された処理用ガスが処理用ガス供給手段40によって供給される。
具体的には例えば、処理用ガスの絶対容積湿度(水蒸気量)は、10〜70g/m3であることが好ましい。処理用ガスの絶対容積湿度(水蒸気量)が10〜70g/m3であることにより、水分を含ませない処理用ガス(絶対容積湿度が0g/m3)を用いた場合よりも処理効率を向上させることができる。一方、絶対容積湿度が70g/m3を超えると、真空紫外線による十分なエッチング効果を得ることが困難となるため、水分を含ませない処理用ガス(絶対容積湿度が0g/m3)を用いた場合よりも処理効率が低下してしまう。
このデスミア処理装置においては、処理用ガス供給手段40によって、絶対容積湿度が制御された処理用ガス(図1において斜線を付した矢印で示す。)が給気口26aを介して処理室20の処理空間Ps内に供給される。処理用ガス供給手段40においては、処理用ガス供給機構41より適正に制御されたガス流量で供給される処理用ガス(図1において白抜きの矢印で示す。)が加湿機構46における加湿水槽47に貯留された水中にバブリングされる。これにより、処理用ガスに所定量の水分が含まされ、加湿された処理用ガスが処理室20における処理空間Ps内に供給される。ここに、加湿水槽47に貯留された純水Wの温度は、露点計55により測定される露点温度に基づいて設定された所定温度に加温されており、これにより、処理用ガスに含ませる水分量(供給する処理用ガスの絶対容積湿度)が制御される。
処理室20の処理空間Ps内に供給された処理用ガスは、被処理物60の表面と窓部材12の光出射面との間の間隙を、被処理物60の表面および窓部材12の光出射面に沿って流通されて排気口27aを介して処理空間Psから排出される。
一方、不活性ガス供給手段(図示せず)によって、例えば窒素ガスなどの不活性ガスが光照射室10内に供給され、当該不活性ガスが光照射室10内を流通されることにより光照射室10内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換される。
被処理物60に照射される真空紫外線の積算光量は、スミアSの残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば30〜120J/cm2である。なお、上記のようなデスミア処理は、不活性ガスおよび処理用ガスが継続して供給されながら、行われる。
なお、スミアSの分解除去によって生成された、例えば二酸化炭素ガスなどの反応生成ガスは、流通される活性種含有ガスの流れに乗って、排気口27aを介して処理空間Psから排出される。
また、処理用ガスに含まれる水分量(絶対容積湿度)が制御されていることにより、被処理物60に照射される真空紫外線の光量が大幅に低下することを抑制することができ、安定したスミア除去効果を得ることができる。
そして、このようなデスミア処理方法が実施される上記のデスミア処理装置によれば、所期のデスミア処理を高い処理効率で確実に行うことができる。
例えば、処理用ガス供給手段における加湿機構は、バブリング式のものに限定されず、例えば超音波式のものにより構成されていてもよい。
また、処理用ガスに含まれる活性種源としては、真空紫外線が照射されることによって活性種を生成するものであれば、従来より好適に用いられているものを利用することができ、例えば、空気、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスなどを用いることもできる。
具体的には例えば、処理ステージに、被処理物を加熱する加熱機構が設けられた構成とすることができる。このような構成によれば、被処理物の表面の温度が上昇されることに伴ってオゾンおよび活性種による作用を促進させることができるので、効率よく処理を行うことができる。
さらにまた、処理用ガスを加熱して昇温させた状態で処理用空間を流通させることにより、被処理物の表面の温度を上昇させるようにしても、同様の効果を得ることができる。
加熱条件としては、被処理物の表面の温度が、例えば80℃以上、340℃以下となる条件であることが好ましく、より好ましくは、80℃以上、200℃以下となる条件である。
図1に示す構成に従って本発明に係るデスミア処理装置を作製した。このデスミア処理装置の仕様は、以下のとおりである。
[被処理物(60)]
銅箔上にビアホールを有する絶縁層が積層された試験用配線基板材料
平面の寸法:500mm×500mm、銅箔の厚さ:35μm、絶縁層の厚さ:30μm、ビアホールの底面の直径:φ50μm
[紫外線光源]
5本の紫外線ランプ(15)により構成
紫外線ランプ(15):発光長が700mm、最大外径が40mmであるキセノンエキシマランプ(主たる発光の波長172nm)
紫外線ランプ(15)の配置ピッチ(隣接する紫外線ランプの中心軸間の距離):60mm
定格入力電力:500W
試験用配線基板材料の表面における積算光量:16.2J/cm2
紫外線照射時間:150sec
[窓部材(12)]
材質:合成石英ガラス、厚さ:5mm
〔処理室(20)〕
処理ステージ(25)の寸法:650mm×650mm、厚さ20mm
給気口(26a)の紫外線ランプの配列方向における寸法:3mm、紫外線ランプのランプ中心軸方向における寸法:600mm
排気口(27a)の紫外線ランプの配列方向における寸法10mm、紫外線ランプのランプ中心軸方向における寸法:600mm
加熱手段:被処理物の被処理面の温度が120℃となる加熱条件で動作する抵抗発熱ヒータ
窓部材(12)の光出射面と被処理物(60)の表面との間の離間距離(G):0.3mm
処理空間(Ps)の容積:約100cm3
[処理用ガス供給手段(40)]
処理用ガス:乾燥酸素ガス(濃度100体積%、絶対容積湿度0g/m3)
処理用ガス供給配管(45)の開口面からの液面の高さ(d):300mm
処理用ガスの供給量:0.03リットル/min
そして、デスミア処理が終了した試験用配線基板材料におけるビアホール底部を走査型電子顕微鏡によって観察し、スミアの残り具合を定量化して評価を行なった。結果を、波長172nmの真空紫外線についての処理用ガスの透過率と共に、下記表1に示す。
11 筐体
12 窓部材
15 紫外線ランプ
16 反射鏡
20 処理室
21 筐体
22 光照射室支持部
25 処理ステージ
25a 被処理物載置面
26 処理用ガス供給配管
26a 給気口
27 排気配管
27a 排気口
30 スペーサ部材
31 シール部材
Ps 処理空間
40 処理用ガス供給手段
41 処理用ガス供給機構
42 ガス供給源
43 流量調整弁
44 制御手段
45 処理用ガス供給配管
46 加湿機構
47 加湿水槽
48 温度測定手段
49 加熱手段
W 純水
55 露点計
60 被処理物
61 樹脂絶縁層
62 導電層(配線導体)
63 樹脂絶縁層
65 ビアホール
S スミア
Claims (2)
- 絶縁層と導電層が積層されてなり、ビアホールまたはスルーホールが形成された配線基板材料におけるスミアを除去するデスミア処理装置であって、
中心波長が172nmの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプよりなる紫外線光源と、当該紫外線光源が収容された光照射室と、被処理物が配置される処理空間を有する処理室と、当該光照射室の内部空間と当該処理室の処理空間とを区画する紫外線透過性の窓部材と、処理用ガスを前記処理空間内に供給する処理用ガス供給手段とを備えており、
前記処理用ガス供給手段は、前記紫外線光源からの真空紫外線によって活性化される活性種源を含む、酸素濃度が50体積%以上の処理用ガスに水分を含ませる加湿機構を備えており、当該加湿機構によって絶対容積湿度が10〜70g/m 3 の範囲内に加湿された処理用ガスを前記処理空間内に供給することを特徴とするデスミア処理装置。 - 処理室の処理空間内に配置された、絶縁層と導電層が積層されてなり、ビアホールまたはスルーホールが形成された配線基板材料に、当該処理室の処理空間と紫外線透過性を有する窓部材によって内部空間が区画された光照射室に収容された紫外線光源から当該窓部材を介して真空紫外線を照射することにより、当該配線基板材料におけるスミアを除去するデスミア処理方法において、
前記紫外線光源として、中心波長が172nmの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプが用いられ、
真空紫外線が照射されることによって活性化される活性種源を含む、酸素濃度が50体積%以上の処理用ガスであって、水分を絶対容積湿度が10〜70g/m 3 の範囲内に含ませたものを前記処理空間内に供給することを特徴とするデスミア処理方法。
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