JP6135764B2

JP6135764B2 - デスミア処理装置

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Inventors: 法隆竹添; 真一遠藤; 智行羽生
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Description

本発明は、デスミア処理装置に関する。更に詳しくは、本発明は、絶縁層と導電層とが積層されてなる板状の配線基板材料におけるスミアの除去（デスミア）処理に用いられるデスミア処理装置に関する。

現在、絶縁層と導電層とが積層されてなる板状の配線基板材料におけるスミアの除去処理、すなわちデスミア処理を行う方法として、紫外線を用いたドライ洗浄方法が知られている。そして、この方法によって処理を行うためのデスミア処理装置としては、エキシマランプなどの真空紫外線を放射する紫外線ランプを紫外線光源として用いたものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このデスミア処理装置は、真空紫外線により生成される活性種（具体的には、例えばオゾンおよび酸素ラジカル）を利用するものである。

このようなデスミア処理装置の或る種のものは、真空紫外線を放射する紫外線ランプからの光を、例えば酸素ガスを含む処理用ガスの雰囲気下に配置された配線基板材料の被処理面に対して、光透過性窓部材を介して照射する構成とされている。
このデスミア処理装置においては、紫外線ランプからの紫外線が光透過性窓部材を介して被処理面に向かって放射されることにより、当該被処理面に到達する紫外線、および紫外線により生成される活性種によって、当該被処理面の処理が行われる。而して、紫外線光源として多数の紫外線ランプを用い、それらの多数の紫外線ランプを一定の間隔で並列に配列し、被処理面上での紫外線分布を均一にすることによれば、配線基板材料を高い処理効率で均一に処理することができる。

しかしながら、デスミア処理装置においては、装置製造コストおよび処理コストの削減のために、紫外線光源として用いる紫外線ランプの本数を減らすことが求められている。そのため、デスミア処理装置としては、紫外線光源を構成する紫外線ランプの本数が少ない場合であっても、配線基板材料を高い処理効率で均一に処理することのできるものが求められている。

特開平８−１８０７５７号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、並列配置された複数の紫外線ランプにおける互いに隣接する紫外線ランプの離間距離が大きい場合であっても、配線基板材料を高い処理効率で均一に処理することのできるデスミア処理装置を提供することにある。

本発明のデスミア処理装置は、絶縁層と導電層とが積層されてなる板状の配線基板材料の被処理面に対して紫外線を照射する、当該被処理面に沿って並列に配置された複数の紫外線ランプと、
前記配線基板材料と前記複数の紫外線ランプとの間に、当該配線基板材料に平行に配置された、当該紫外線ランプからの紫外線を透過する板状の光透過性窓部材と、
前記配線基板材料と前記光透過性窓部材との間に形成される空間に、活性種を生成する活性種源を含む処理用ガスをガス供給口から供給し、当該空間を流動したガスをガス排出口から排出する処理用ガス供給機構と
を備えたデスミア処理装置において、
前記紫外線ランプは、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプであり、
前記配線基板材料は、前記処理用ガス供給機構のガス供給口とガス排出口との間の位置に配置され、
前記線基板材料と前記光透過性窓部材との離間距離が１ｍｍ以下であり、
前記配線基板材料と前記光透過性窓部材との間に形成される空間と、前記ガス供給口との間の位置に、圧力緩和空間が設けられており、
前記配線基板材料と前記光透過性窓部材との間に形成される空間において、処理用ガスが、ガス流速１〜５００ｍｍ／ｓｅｃによって前記複数の紫外線ランプが並ぶ方向に流動され、当該処理用ガスの層流が形成されることを特徴とする。

本発明のデスミア処理装置においては、配線基板材料の被処理面上において、処理用ガスが複数の紫外線ランプが並ぶ方向に流動されて、当該処理用ガスの層流が形成される。そのため、被処理面上においては、処理用ガスのガス流速分布に高い均一性が得られる。しかも、紫外線によって生成された活性種は、処理用ガスの流れによって処理用ガスの流動方向下流側に向かって移動される。その結果、複数の紫外線ランプにおける互いに隣接する紫外線ランプの離間距離が大きいことに起因して、被処理面において、紫外線ランプからの紫外線の照度分布にむらが生じた場合であっても、配線基板材料を高い処理効率で均一に処理することができる。

本発明のデスミア処理装置の構成の一例における、当該デスミア処理装置を構成する紫外線ランプの管軸方向に垂直な方向の断面を示す説明用断面図である。図１のデスミア処理装置を構成する複数の紫外線ランプの配列状態を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のデスミア処理装置の構成の一例における、当該デスミア処理装置を構成する紫外線ランプの管軸方向に垂直な方向の断面を示す説明用断面図である。図２は、図１のデスミア処理装置を構成する複数の紫外線ランプの配列状態を示す説明図である。
デスミア処理装置１０は、絶縁層と導電層とが積層されてなる板状の配線基板材料１を被処理物として処理するものである。
配線基板材料１において、絶縁層は、無機物質よりなるフィラーが含有された樹脂によって構成されている。ここに、絶縁層を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。また、絶縁層を構成するフィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。
また、導電層を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
この図の例において、配線基板材料１は、略矩形平板状の形状を有するものである。

デスミア処理装置１０は、略直方体状の外観形状を有する筺体１１を備えている。この筺体１１の内部には、上方側に複数（図の例においては５本）の棒状の紫外線ランプ２１が配置され、下方側には、保持装置が配置されている。この保持装置は、配線基板材料１を配置する直方体状の被処理物支持台１８を有している。そして、複数の紫外線ランプ２１と被処理物支持台１８との間には、筺体１１の内部空間を上下に区画するように、矩形平板状の光透過性窓部材３１が配設されている。この光透過性窓部材３１は、筺体１１の上壁部１１Ａおよび下壁部１１Ｂと、被処理物支持台１８の被処理物載置面１８ａとに対して平行に配置されている。このようにして、筺体１１の内部には、光透過性窓部材３１の上方側に位置する略直方体状の密閉された空間によってランプ室Ｒが形成され、また光透過性窓部材３１の下方側に位置する略直方体状の密閉された空間によって処理室Ｓが形成されている。
この図の例において、筺体１１には、４つの側壁部によって構成される内周面の全周にわたって内方に突出する窓部材支持部１３が設けられている。そして、この窓部材支持部１３によって光透過性窓部材３１が気密に支持されることにより、光透過性窓部材３１の気密構造が形成されている。

被処理物支持台１８は、被処理物載置面１８ａが平坦面とされており、配線基板材料１よりも大きな縦横寸法を有するものである。
この被処理物支持台１８は、筺体１１の下壁部１１Ｂ上に配置されており、光透過性窓部材３１と離間して対向した状態とされている。
そして、被処理物載置面１８ａには、配線基板材料１を、紫外線ランプ２１からの紫外線および活性種（具体的には、例えばオゾンおよび酸素ラジカル）によって処理することのできる有効処理領域が形成されている。この有効処理領域に配置された配線基板材料１は、被処理面１ａが光透過性窓部材３１と離間して平行な状態とされると共に、光透過性窓部材３１を介して複数の紫外線ランプ２１と対向した状態とされる。

また、保持装置には、被処理物支持台１８を上下方向に駆動する駆動機構が設けられている。この駆動機構によって被処理物支持台１８を上下動することより、配線基板材料１と光透過性窓部材３１との離間距離ｈを調整することができる。すなわち、デスミア処理装置１０においては、配線基板材料１の厚みによらず、配線基板材料１と光透過性窓部材３１との離間距離ｈを所期の大きさにすることができる。
ここに、配線基板材料１と光透過性窓部材３１との離間距離ｈは、１ｍｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．１〜０．７ｍｍである。
離間距離ｈが１ｍｍ以下であることにより、処理室Ｓにおいて、活性種を安定して生成することができると共に、被処理面１ａに到達する紫外線ランプ２１からの紫外線を十分な大きさの強度（光量）とすることができる。

ランプ室Ｒにおいて、複数の紫外線ランプ２１は、中心軸が被処理物載置面１８ａに平行な同一水平面内において互いに平行に伸びるよう、当該被処理物載置面１８ａに沿って一定の間隔で並列している。すなわち、複数の紫外線ランプ２１は、被処理面１ａに沿って一定の間隔で並列に配置されている。

複数の紫外線ランプ２１の配置間隔は、等間隔であることが好ましい。
また、互いに隣接する紫外線ランプの離間距離（以下、「ランプ間距離」ともいう。）Ｐは５〜５０ｍｍであることが好ましい。
この図の例において、複数の紫外線ランプ２１は等間隔で並列配置されている。

紫外線ランプ２１としては、波長２２０ｎｍ以下の真空紫外線を放射するものであれば、配線基板材料１の種類に応じて、公知の種々のランプを用いることができる。具体的に、紫外線ランプ２１としては、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプなどを例示することができる。
この図の例において、紫外線ランプ２１としては、特定方向（図１における下方向）に光を照射する角型のエキシマランプが用いられている。

光透過性窓部材３１を構成する材料としては、紫外線ランプ２１から放射される紫外線に対する透過性を有し、処理用ガス、紫外線により生成される活性種および被処理面１ａが処理されることによって発生する反応生成ガスに対する耐性を有するものが用いられる。
光透過性窓部材３１を構成する材料の具体例としては、例えば石英ガラスが挙げられる。
また、光透過性窓部材３１の厚みは、２〜１０ｍｍであることが好ましい。

そして、デスミア処理装置１０には、処理室Ｓに処理用ガスを供給するガス供給機構が設けられている。ガス供給機構は、被処理面１ａと光透過性窓部材３１との間に形成される略矩形状の空間（以下、「被処理面上空間」ともいう。）に、複数の紫外線ランプ２１が並ぶ方向（図１における右方向、および図２における一点鎖線の矢印方向）に向けて処理用ガスを供給することのできるものである。すなわち、ガス供給機構は、処理用ガスが、少なくとも被処理面上空間において複数の紫外線ランプ２１が並ぶ方向に向かって略直線状に流動するようにガス供給を行うものである。そして、被処理面上空間においては、一方（図１における左方）に上流側開口が形成され、他方（図１における右方）に下流側開口が形成される。

処理用ガス供給機構は、処理用ガス供給源（図示せず）を備えており、筺体１１の下壁部１１Ｂを貫通するガス供給用貫通孔１５およびガス排出用貫通孔１６を介して処理室Ｓに処理用ガスを流動させるものである。処理用ガス供給源は、ガス流路形成部材２５を介してガス供給用貫通孔１５に接続されており、そのガス流路形成部材２５によってガス供給用ガス流路が形成されている。また、ガス排出用貫通孔１６には、ガス流路形成部材２６が接続されており、このガス流路形成部材２６によって形成されるガス排出用ガス流路には、処理室Ｓを流動したガスが自発的に放出される。
ガス供給用貫通孔１５は、下壁部１１Ｂの内面における側壁部１１Ｃと被処理物支持台１８との間に、側壁部１１Ｃの伸びる方向（図１における紙面に垂直な方向）に沿って配設された横長のガス供給口１５ａを有するものである。一方、ガス排出用貫通孔１６は、下壁部１１Ｂの内面における側壁部１１Ｅと被処理物支持台１８との間に、側壁部１１Ｅの伸びる方向（図１における紙面に垂直な方向）に沿って配設された横長のガス排出口１６ａを有するものである。そして、ガス供給口１５ａとガス排出口１６ａとは、これらの間の位置に被処理物支持台１８が配置されるよう、互いに面方向（紫外線ランプ２１の並列方向）に離間した位置に形成されている。すなわち、被処理物支持台１８に配置された配線基板材料１は、ガス供給口１５ａとガス排出口１６ａとの間に位置される。
ここに、ガス供給口１５ａおよびガス排出口１６ａは、各々、１つの横長スリットによって形成されていてもよく、また複数の穴により形成されていてもよい。
この図の例において、ガス供給口１５ａおよびガス排出口１６ａは、被処理物支持台１８に沿って伸びる横長スリットよりなるものである。

処理用ガスとしては、紫外線ランプ２１から放射される紫外線により活性種を生成する活性種源を含有するものが用いられる。ここに、活性種源としては、例えば酸素ガスおよびオゾンガスが挙げられる。
処理用ガスの具体例としては、例えば酸素ガス、および酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスなどが挙げられる。これらのうちでは、処理時間の短縮化を図る観点からは、酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスが好ましい。また、処理用ガスは、水蒸気を含むものであってもよい。

処理用ガスにおける活性種源の濃度は、５０体積％以上とされるが、好ましくは８８体積％以上である。
処理用ガスにおける活性種源の濃度が上記の範囲とされることにより、紫外線ランプ２１からの紫外線（真空紫外線）により生成される活性種の量を多くすることができて所期の処理を確実に行うことができる。特に、処理用ガスが酸素ガスとオゾンガスとの混合ガスである場合には、酸素ガスの濃度が８８体積％以上、すなわちオゾンガスの濃度が１２体積％以下であることによって高い安全性が得られる。

処理用ガス供給機構による処理用ガス供給条件は、被処理面上空間、すなわち被処理面１ａ上を流動する処理用ガスが、被処理面１ａに沿って整流された層流状態となるように定められる。すなわち、処理用ガス供給条件は、被処理面上空間において、処理用ガスの層流が形成されるように定められる。
具体的に、処理用ガス供給条件は、配線基板材料１と光透過性窓部材３１との離間距離ｈに応じ、被処理面１ａの大きさ、紫外線ランプ２１の種類、処理用ガスの種類および組成などを考慮して適宜に定められる。

ここに、配線基板材料１と光透過性窓部材３１との離間距離ｈが１ｍｍ以下である場合には、被処理面上空間を流動する処理用ガスのガス流速が１〜５００ｍｍ／ｓｅｃであることが好ましい。
このように、被処理面上空間においてガス流速を１〜５００ｍｍ／ｓｅｃとすることによれば、被処理面上空間を流動する処理用ガスを確実に層流状態とすることができる。
しかも、被処理面上空間において、紫外線ランプ２１の直下に位置する領域（以下、「ランプ直下空間」ともいう。）にて生成された活性種の一部を、処理用ガスの流れによって当該ランプ直下空間の近傍に移動させ、当該近傍において被処理面１ａの処理に有効に利用することができる。具体的に説明すると、ランプ直下空間において生成された一部の活性種は、当該ランプ直下空間に隣接する、互いに隣接する紫外線ランプ２１の間の間隙の直下に位置する領域（以下、「ランプ間直下空間」ともいう。）に移動される。そして、そのランプ間直下空間において、被処理面１ａにおける当該ランプ間直下空間を臨む領域の処理に供される。

また、デスミア処理装置１０においては、被処理面上空間とガス供給口１５ａとの間の位置、具体的には、被処理面上空間の上流側開口とガス供給口１５ａとの間の位置に、圧力緩和空間Ａが設けられていることが好ましい。
ここに、圧力緩和空間Ａとは、ガス供給口１５ａから処理室Ｓに導入される処理用ガスのガス圧を緩和し、被処理面上空間に対して一定の圧力で処理用ガスを供給するためのリザーバー機能を有するものである。そして、この圧力緩和空間Ａは、被処理面上空間に比して処理用ガスが流動しやすい大きさを有している。
圧力緩和空間Ａが設けられていることにより、被処理面上空間が厚み（図１における上下方向の寸法）が小さいものであっても、当該被処理面上空間に対して一定の圧力で処理用ガスを供給することができる。そのため、被処理面上空間における処理用ガスのガス流速を所期の範囲とすることができる。

また、デスミア処理装置１０には、被処理物支持台１８に、配線基板材料１を加熱する加熱手段（図示せず）が設けられていることが好ましい。
この加熱手段が設けられていることにより、被処理面１ａの温度が上昇されることに伴って活性種による作用を促進させることができるので、効率よく処理を行うことができる。
また、被処理物支持台１８においては、被処理物載置面１８ａの縦横寸法が配線基板材料１の縦横寸法より大きいため、被処理面１ａを均一に加熱することができる。
加熱手段による加熱条件は、被処理物載置面１８ａの温度が、例えば１００〜１５０℃となる条件である。

また、デスミア処理装置１０には、ランプ室Ｒに、例えば窒素ガスなどの不活性ガスをパージする不活性ガスパージ手段（図示省略）が設けられていることが好ましい。
この不活性ガスパージ手段が設けられていることにより、紫外線ランプ２１からの紫外線（真空紫外線）を高い効率で光透過性窓部材３１から出射させることができる。すなわち、ランプ室Ｒにおいて、紫外線ランプ２１からの紫外線がランプ室Ｒの雰囲気を構成するガスによって吸収されることを防止することができる。

このような構成のデスミア処理装置１０においては、紫外線ランプ２１からの紫外線を、処理用ガスの雰囲気下に配置された配線基板材料１の被処理面１ａに対して、光透過性窓部材３１を介して照射することにより、配線基板材料１の表面処理が行われる。
具体的に説明すると、配線基板材料１が配置された処理室Ｓに、処理用ガス（具体的には、酸素ガス）が、ガス供給口１５ａから所期のガス供給条件で供給される。このようにして、処理室Ｓには処理用ガスが絶え間なく供給され、これにより、処理室Ｓは処理用ガス雰囲気とされる。そして、ランプ室Ｒに並列配置された複数の紫外線ランプ２１が一斉に点灯されることにより、当該複数の紫外線ランプ２１からの紫外線が光透過性窓部材３１を介して被処理面１ａに向かって放射される。これにより、被処理面１ａに到達する紫外線、および紫外線により生成される活性種（具体的には、オゾンおよび酸素ラジカル）によって、被処理面１ａの処理が行われる。また、処理室Ｓにおいては、ガス供給口１５ａから供給された処理用ガスに、当該処理用ガスが処理室Ｓを流動する過程において、被処理面１ａが処理されることによって発生する反応生成ガス（具体的には、例えば二酸化炭素ガス）が混入される。そして、この反応生成ガスが混入されたガスは、ガス排出口１６ａから処理室Ｓの外部に排出される。
図１においては、デスミア処理装置１０内におけるガスの流動方向が矢印で示されている。

而して、デスミア処理装置１０においては、被処理面上空間において、処理用ガスが複数の紫外線ランプ２１が並ぶ方向に流動され、当該処理用ガスの層流が形成される。そのため、被処理面上空間においては、処理用ガスのガス流速分布に高い均一性が得られる。しかも、紫外線によって生成された活性種は、処理用ガスの流れによって処理用ガスの流動方向下流側、すなわち紫外線ランプ２１の管軸に垂直な一方向に向かって移動される。その結果、ランプ間距離Ｐが大きいことに起因して、被処理面１ａにおいて、紫外線ランプ２１からの紫外線の照度分布にむらが生じた場合であっても、紫外線照度の大きいランプ直下空間を臨む領域における処理効率と、紫外線照度の小さいランプ間直下空間を臨む領域における処理効率とに差が生じることが抑制される。すなわち、被処理面１ａを効率よく短時間で処理することができる。
具体的に説明すると、デスミア処理装置１０において、ランプ間距離Ｐが大きいことに起因して被処理面１ａに紫外線の照度分布にむらが生じた場合には、勿論、被処理面１ａにおいて、ランプ間直下空間を臨む領域に到達する紫外線の照射量は、ランプ直下空間を臨む領域に到達する紫外線の照射量に比して小さくなる。また、被処理面上空間においては、ランプ間直下空間で生成される活性種の生成量が、ランプ直下空間で生成される活性種の生成量に比して小さくなる。然るに、被処理面上空間においては、高いガス流速分布均一性を有する処理用ガスの流れによって、ランプ直下空間で生成された活性種の一部を、当該ランプ直下空間の処理用ガスの流動方向下流側に位置するランプ間直下空間に移動することができる。そのため、ランプ直下空間とランプ間直下空間とに活性種の濃度の差が生じることが抑制され、よって被処理面上空間における活性種の濃度の均一化を図ることができる。その結果、被処理面１ａにおいて、ランプ間直下空間を臨む領域の処理に供される活性種の量が、ランプ直下空間を臨む領域の処理に供される活性種の量に比して少なくなることが抑制されることから、ランプ間直下空間を臨む領域の処理に長い時間を要することが抑制される。
従って、デスミア処理装置１０によれば、複数の紫外線ランプ２１におけるランプ間距離Ｐが大きい場合には、被処理面１ａにおけるランプ間直下領域を臨む領域に到達する紫外線の照射量が小さくなるものの、ランプ間距離Ｐが大きいことに起因して、当該領域に供される活性種の量が少なくなることが抑制される。その結果、配線基板材料１を高い処理効率で均一に処理することができる。

また、デスミア処理装置１０においては、配線基板材料１と光透過性窓部材３１との離間距離ｈを１ｍｍ以下とすると共に、被処理面上空間におけるガス流速を１〜５００ｍｍ／ｓｅｃとすることによって、当該被処理面上空間に処理用ガスの層流が形成されている。そのため、配線基板材料１をより一層高い処理効率で均一に処理することができる。
具体的に説明すると、配線基板材料１と光透過性窓部材３１との離間距離ｈが１ｍｍ以下と比較的小さいことから、被処理面１ａに到達する紫外線が十分な大きさの強度（光量）となると共に、被処理面上空間において、活性種が安定して生成される。
また、被処理面上空間におけるガス流速が１〜５００ｍｍ／ｓｅｃと比較的小さいことから、当該被処理面上空間において、処理用ガスの流動方向上流側（図１における左側）において生成された活性種が、下流側（図１における右側）に大きく移動することがない。そのため、被処理面１ａにおいては、処理用ガスの流動方向上流側に位置されていた部分が、下流側に位置されていた部分に比して処理が不十分となることが十分に抑制される。しかも、ランプ直下空間において生成された活性種の一部を、当該ランプ直下空間に隣接するランプ間直下空間に移動させて、被処理面１ａにおける当該ランプ間直下空間を臨む領域の処理に有効に利用することができる。

本発明の光源装置およびデスミア処理装置は、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。
例えば、デスミア処理装置は、図１に示されているように被処理物支持台が上下方向に動くものでなくてもよい。
また、デスミア処理装置は、図１に示されているように配線基板材料を水平（横）にして搬送する構成のものに限定されず、配線基板材料を垂直（縦）にして搬送する構成のものであってもよい。
また、デスミア処理装置は、図１に示されているように配線基板材料の一面に紫外線が照射される構成のものに限定されず、配線基板材料の両面に紫外線が照射される構成のものであってもよい。
また、処理用ガス供給機構は、被処理面上空間において、処理用ガスが複数の紫外線ランプが並ぶ方向に流動し、当該処理用ガスの層流を形成するように処理用ガスを供給することのできるものであればよい。具体的には、例えば図１に係るデスミア処理装置において、ガス供給口およびガス排出口が、互いに対向する側壁部に設けられたものであってもよい。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〔実施例１〕
図１の構成に従って、５本の紫外線ランプ（２１）を備えたデスミア処理装置（以下、「デスミア処理装置（Ａ１）」ともいう。）を作製した。このデスミア処理装置（Ａ１）において、処理用ガスは、複数の紫外線ランプ（２１）が並ぶ方向、すなわち紫外線ランプ（２１）の管軸方向に垂直な方向（以下、「ランプ垂直方向」ともいう。）に流動する。
また、デスミア処理装置（Ａ１）において、紫外線ランプ（２１）としては、ランプ幅が７０ｍｍであって、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプを用いた。そして、５本の紫外線ランプ（２１）を、ランプ間距離（Ｐ）が１４ｍｍとなるように等間隔で配置した。また、処理用ガスとしては、酸素ガスを用いた。そして、処理用ガスは、光透過性窓部材（３１）と配線基板材料（１）との間の空間のガス流速が５ｍｍ／ｓｅｃとなるように供給した。

先ず、作製したデスミア処理装置（Ａ１）の処理室（Ｓ）に、光透過性窓部材（３１）との離間距離（ｈ）が０．５ｍｍとなるように、縦横寸法が６００ｍｍ×５００ｍｍであって絶縁層と導電層とが積層されてなる矩形板状の配線基板材料（１）を配置した。その後、処理室（Ｓ）に対してガス供給口（１５ａ）から酸素ガスを供給した。そして、配線基板材料（１）と光透過性窓部材（３１）との間の空間においては処理用ガスの層流が形成された。
次いで、処理室（Ｓ）が酸素ガス雰囲気とされた後、ガス供給口（１５ａ）からの酸素ガスの供給を継続しつつ、５本の紫外線ランプ（２１）を一斉に点灯することにより、配線基板材料（１）に対してデスミア処理を行った。
このデスミア処理中において、光透過性窓部材（３１）の光出射面（図１における下面）における、紫外線ランプ（２１）の直下に位置する領域の照度（以下、「ランプ直下照度」ともいう。）、および互いに隣接する紫外線ランプ（２１）の間の間隙（以下、「ランプ間隙」ともいう。）の直下に位置する領域の照度（以下、「ランプ間直下照度」ともいう。）を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表１に示す。

〔比較例１〕
処理用ガスが、複数の紫外線ランプ（２１）が並ぶ方向に垂直な方向、すなわち紫外線ランプ（２１）の管軸方向（以下、「ランプ平行方向」ともいう。）に流動すること以外はデスミア処理装置（Ａ１）と同様の構成の比較用のデスミア処理装置（以下、「比較用デスミア処理装置（Ｂ１）」ともいう。）を作製した。
作製した比較用デスミア処理装置（Ｂ１）により、実施例１と同様の条件によってデスミア処理を行った。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表１に示す。

〔実施例２〕
ランプ間距離（Ｐ）を表１に従って変更したこと以外はデスミア処理装置（Ａ１）と同様の構成のデスミア処理装置（以下、「デスミア処理装置（Ａ２）」ともいう。）を作製した。
作製したデスミア処理装置（Ａ２）により、実施例１と同様の条件によってデスミア処理を行った。このデスミア処理中において、配線基板材料（１）と光透過性窓部材（３１）との間の空間には、処理用ガスの層流が形成された。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表１に示す。

〔比較例２〕
処理用ガスが、ランプ平行方向に流動すること以外はデスミア処理装置（Ａ２）と同様の構成の比較用のデスミア処理装置（以下、「比較用デスミア処理装置（Ｂ２）」ともいう。）を作製した。
作製した比較用デスミア処理装置（Ｂ２）により、実施例２と同様の条件によってデスミア処理を行った。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表１に示す。

表１の結果から、実施例１および実施例２に係るデスミア処理装置によれば、被処理面におけるランプ間直下空間を臨む領域の処理に要する時間を短くできることが明らかである。また、実施例２に係るデスミア処理装置は、実施例１に係るデスミア処理装置に比してランプ間距離（Ｐ）が大きいものであるが、ランプ間直下空間を臨む領域の処理に要する時間は、実施例１に係るデスミア処理装置と略同じであることが明らかである。
一方、比較例１および比較例２に係るデスミア処理装置においては、被処理面におけるランプ間直下空間を臨む領域を処理するために長い時間を要している。また、比較例２に係るデスミア処理装置は、比較例１に係るデスミア処理装置に比してランプ間距離（Ｐ）が大きいものであることから、ランプ間直下空間を臨む領域の処理に要する時間が、比較例１に係るデスミア処理装置よりもかなり長くなっている。
従って、本発明のデスミア処理装置によれば、配線基板材料を高い処理効率で均一に処理することができることが確認された。

〔実施例３〕
光透過性窓部材（３１）と配線基板材料（１）との間の空間の処理用ガスのガス流速が表２に示すガス流速となるようにしたこと以外はデスミア処理装置（Ａ１）と同様の構成のデスミア処理装置（以下、「デスミア処理装置（Ａ３）」ともいう。）を作製した。

先ず、作製したデスミア処理装置（Ａ３）の処理室（Ｓ）に、光透過性窓部材（３１）との離間距離（ｈ）が０．５ｍｍとなるように、縦横寸法が６００ｍｍ×５００ｍｍであって絶縁層と導電層とが積層されてなる板状の配線基板材料（１）を配置した。その後、処理室（Ｓ）に対してガス供給口（１５ａ）から酸素ガスを供給した。そして、配線基板材料（１）と光透過性窓部材（３１）との間の空間においては処理用ガスの層流が形成された。
次いで、処理室（Ｓ）が酸素ガス雰囲気とされた後、ガス供給口（１５ａ）からの酸素ガスの供給を継続しつつ、５本の紫外線ランプ（２１）を一斉に点灯することにより、配線基板材料（１）に対してデスミア処理を行った。
このデスミア処理中において、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

〔比較例３〕
処理用ガスが、ランプ平行方向に流動すること以外はデスミア処理装置（Ａ３）と同様の構成の比較用のデスミア処理装置（以下、「比較用デスミア処理装置（Ｂ３）」ともいう。）を作製した。
作製した比較用デスミア処理装置（Ｂ３）により、実施例３と同様の条件によってデスミア処理を行った。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

〔実施例４〕
光透過性窓部材（３１）と配線基板材料（１）との間の空間のガス流速が表２に示すガス流速となるようにしたこと以外はデスミア処理装置（Ａ３）と同様の構成のデスミア処理装置（以下、「デスミア処理装置（Ａ４）」ともいう。）を作製した。
作製したデスミア処理装置（Ａ４）により、実施例３と同様の条件によってデスミア処理を行った。このデスミア処理中において、配線基板材料（１）と光透過性窓部材（３１）との間の空間には、処理用ガスの層流が形成された。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

〔比較例４〕
処理用ガスが、ランプ平行方向に流動すること以外はデスミア処理装置（Ａ４）と同様の構成の比較用のデスミア処理装置（以下、「比較用デスミア処理装置（Ｂ４）」ともいう。）を作製した。
作製した比較用デスミア処理装置（Ｂ４）により、実施例４と同様の条件によってデスミア処理を行った。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

〔実施例５〕
光透過性窓部材（３１）と配線基板材料（１）との間の空間のガス流速が表２に示すガス流速となるようにしたこと以外はデスミア処理装置（Ａ３）と同様の構成のデスミア処理装置（以下、「デスミア処理装置（Ａ５）」ともいう。）を作製した。
作製したデスミア処理装置（Ａ５）により、実施例３と同様の条件によってデスミア処理を行った。このデスミア処理中において、配線基板材料（１）と光透過性窓部材（３１）との間の空間には、処理用ガスの層流が形成された。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

〔比較例５〕
処理用ガスが、ランプ平行方向に流動すること以外はデスミア処理装置（Ａ５）と同様の構成の比較用のデスミア処理装置（以下、「比較用デスミア処理装置（Ｂ５）」ともいう。）を作製した。
作製した比較用デスミア処理装置（Ｂ５）により、実施例５と同様の条件によってデスミア処理を行った。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

〔参考例１〕
光透過性窓部材（３１）と配線基板材料（１）との間の空間のガス流速が表２に示すガス流速となるようにしたこと以外はデスミア処理装置（Ａ３）と同様の構成の参考用のデスミア処理装置（以下、「参考用デスミア処理装置（Ａ６）」ともいう。）を作製した。
作製した参考用デスミア処理装置（Ａ６）により、実施例３と同様の条件によってデスミア処理を行った。このデスミア処理中において、配線基板材料（１）と光透過性窓部材（３１）との間の空間には、処理用ガスの乱流が形成された。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

〔比較例６〕
処理用ガスが、ランプ平行方向に流動すること以外は参考用デスミア処理装置（Ａ６）と同様の構成の比較用のデスミア処理装置（以下、「比較用デスミア処理装置（Ｂ６）」ともいう。）を作製した。
作製した比較用デスミア処理装置（Ｂ６）により、参考例１と同様の条件によってデスミア処理を行った。そして、光透過性窓部材（３１）の光出射面におけるランプ直下照度およびランプ間直下照度を測定した。また、配線基板材料（１）の被処理面（１ａ）におけるランプ間隙の直下に位置する領域を処理するために要する時間を測定した。結果を表２に示す。

表２の結果から、実施例３〜実施例５に係るデスミア処理装置によれば、被処理面におけるランプ間直下空間を臨む領域の処理に要する時間を短くできることが明らかである。
一方、比較例３〜比較例５に係るデスミア処理装置においては、被処理面におけるランプ間直下空間を臨む領域を処理するために長い時間を要している。
また、参考例１に係るデスミア処理装置は、被処理面におけるランプ間直下空間を臨む領域の処理に要する時間が、比較例６に係るデスミア処理装置と殆ど差がないものであり、また処理用ガスのガス流速が１／２倍である実施例５に係るデスミア処理装置と同等である。ここに、参考例１に係るデスミア処理装置において、処理に要する時間が比較例６に係るデスミア処理装置と殆ど差がない理由は、処理用ガスの乱流によって活性種が分散されることにより、被処理面において照度分布むらが生じることに起因する処理効率の差が緩和されるためである。すなわち、参考例１に係るデスミア処理装置においては、処理用ガスの流動方向によって活性種の挙動（移動）を制御することができないためである。
従って、本発明のデスミア処理装置によれば、配線基板材料を高い処理効率で均一に処理することができることが確認された。

〔比較例７〜１１〕
実施例１〜実施例５において作製したデスミア処理装置（Ａ１）〜デスミア処理装置（Ａ５）の各々を用い、デスミア処理中において、光透過性窓部材（３１）と配線基板材料（１）との間の空間の処理用ガスのガス流速が０ｍｍ／ｓｅｃとなるようにしたこと（具体的には、ガス供給口（１５ａ）から酸素ガスの供給をしなかったこと）以外は各実施例と同様の条件によってデスミア処理を行った。その結果、いずれのデスミア処理装置においても、デスミア処理を完了することができなかった。その理由は、デスミア処理を完了するために必要とされる酸素が供給されなかったためである。

１配線基板材料
１ａ被処理面
１０デスミア処理装置
１１筺体
１１Ａ上壁部
１１Ｂ下壁部
１１Ｃ，１１Ｅ側壁部
１３窓部材支持部
１５ガス供給用貫通孔
１５ａガス供給口
１６ガス排出用貫通孔
１６ａガス排出口
１８被処理物支持台
１８ａ被処理物載置面
２１紫外線ランプ
２５，２６ガス流路形成部材
３１光透過性窓部材
Ａ圧力緩和空間
Ｒランプ室
Ｓ処理室

Claims

絶縁層と導電層とが積層されてなる板状の配線基板材料の被処理面に対して紫外線を照射する、当該被処理面に沿って並列に配置された複数の紫外線ランプと、
前記配線基板材料と前記複数の紫外線ランプとの間に、当該配線基板材料に平行に配置された、当該紫外線ランプからの紫外線を透過する板状の光透過性窓部材と、
前記配線基板材料と前記光透過性窓部材との間に形成される空間に、活性種を生成する活性種源を含む処理用ガスをガス供給口から供給し、当該空間を流動したガスをガス排出口から排出する処理用ガス供給機構と
を備えたデスミア処理装置において、
前記紫外線ランプは、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプであり、
前記配線基板材料は、前記処理用ガス供給機構のガス供給口とガス排出口との間の位置に配置され、
前記配線基板材料と前記光透過性窓部材との離間距離が１ｍｍ以下であり、
前記配線基板材料と前記光透過性窓部材との間に形成される空間と、前記ガス供給口との間の位置に、圧力緩和空間が設けられており、
前記配線基板材料と前記光透過性窓部材との間に形成される空間において、処理用ガスが、ガス流速１〜５００ｍｍ／ｓｅｃによって前記複数の紫外線ランプが並ぶ方向に流動され、当該処理用ガスの層流が形成されることを特徴とするデスミア処理装置。