JP6123649B2 - アッシング装置および被処理物保持構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、例えば、多層配線基板材料などの、両面に被処理面を有する被処理物を、真空紫外線を利用して処理するアッシング装置および当該アッシング装置において好適に用いられる被処理物保持構造体に関する。
現在、例えば、基板製造工程におけるデスミア(スミアの除去)処理を行う方法として、紫外線を用いたドライ洗浄方法が知られている。特に、エキシマランプから放射される真空紫外線により生成されるオゾン等の活性酸素を利用した方法は、より効率良く短時間で所定の処理を行うことができることから、好適に利用されている。
例えば、特許文献1には、ドライデスミア処理において、オゾンから分解発生した活性種(活性酸素原子)を利用して有機物の分解、除去が行われることが記載されている。また、有機物の分解、除去にあっては、オゾンおよび活性種の作用を利用したオゾン処理と、紫外線照射処理とを併用することが好ましいことが記載されている。
特開平8−180757号公報
近年、基板製造工程におけるデスミア(スミアの除去)処理においては、被処理物の処理時間の短縮化が要望されている。
このような要請に対して、上記のような活性種を利用した処理方法にあっては、被処理物の処理に寄与する活性種の量を増加させれば、被処理物の処理時間の短縮化することができる。活性種は、通常、真空紫外線を所定濃度の酸素を含む処理用ガスに照射して発生させており、従って、活性種の量を増加させるためには、高濃度の酸素を含む処理用ガスを活性種源として供給することが考えられる。
しかしながら、光源からの真空紫外線は酸素に吸収されるものであることから、活性種源の酸素濃度を高くすると、活性種源(酸素)に吸収される紫外線量が大きくなる。従って、被処理面に到達する紫外線量が減少することを抑制するために、紫外線光源と被処理物との照射距離を小さくすることが必要とされる。
また、例えば多層配線基板材料などの、両面に被処理面を有する被処理物を処理する場合には、被処理物の両面を同時にアッシング処理することにより、被処理物の処理時間の短縮化することが考えられる。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、被処理物に対するアッシング処理を高い処理効率で行うことができるアッシング装置および当該アッシング装置において好適に用いられる被処理物保持構造体を提供することを目的とする。
本発明のアッシング装置は、一面および他面が被処理面とされた板状の被処理物の当該被処理面の各々にそれぞれ対向する一対の光透過窓と、前記被処理面の各々にそれぞれ前記光透過窓を介して真空紫外線を照射する紫外線光源を備えた一対の紫外線照射ユニットとを備えてなり、
前記被処理物の周囲を保持する枠状の保持部材が前記一対の紫外線照射ユニットにおける筐体によって挟持されて保持されることにより、当該被処理物の一面側および他面側において、前記被処理物の被処理面と前記光透過窓の光出射面との間に形成される所定の大きさの間隙による処理用空間と、前記紫外線光源が配置された光源配置空間とが、前記光透過窓によって気密に区画された状態で、形成され、
当該光源配置空間内が不活性ガス雰囲気とされると共に、当該処理用空間内に、前記被処理物の一面側および他面側のそれぞれに形成された処理用ガスの開口を介して、前記紫外線光源からの真空紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスが流通されることを特徴とする。
本発明のアッシング装置においては、前記一対の紫外線照射ユニットは、各々一方が開口する筐体を備えており、
前記光透過窓の各々は、前記筐体の開口端縁より内方側の位置において気密に保持された板状の光透過性窓部材により構成されており、
当該筐体の各々における当該光透過性窓部材より外方側に突出する突出縁部分には、前記処理用空間に処理用ガスを流通させるための処理用ガス流通用開口部が形成された構成とすることができる。
また、本発明のアッシング装置においては、前記光透過窓の各々は、それぞれ、被処理物を保持する保持部材によって保持された板状の光透過性窓部材により構成されており、当該保持部材には、前記処理用空間に処理用ガスを流通させるための処理用ガス流通用開口部が形成された構成とすることもできる。
本発明の被処理物保持構造体は、光照射処理用のものであって、
板状の被処理物と、当該被処理物の一面側および他面側において、それぞれ、当該一面および他面と所定の大きさの間隙を介して対向して配置された一対の板状の光透過性窓部材と、当該被処理物および当該一対の光透過性窓部材の各々の周囲を保持する共通の枠状の保持部材とにより構成されており、当該保持部材には、前記間隙の各々に処理用ガスを流通させるための処理用ガス流通用開口部が、前記被処理物の一面側および他面側のそれぞれに形成されていることを特徴とする。
本発明のアッシング装置によれば、両面が被処理面とされた板状の被処理物の当該被処理面の各々を同時に処理するものにおいて、被処理物の処理を行うに際して形成される、互いに光透過窓によって気密に区画された、処理用ガスが流通される処理用空間および不活性ガス雰囲気とされる光源配置空間が、実質的に密閉された空間を構成する状態とされる。このため、紫外線光源からの真空紫外線の光量の低下の程度を小さく抑制することができると共に、処理用ガスが流通されることによって処理用空間の雰囲気を略一定に保持することができる。従って、被処理物の処理に寄与する真空紫外線の光量を増加させることができると共に活性種を安定して生成することができて当該活性種を確実に被処理物の処理に寄与させることができるため、所期のアッシング処理を効率よく行うことができる。
本発明の被処理物保持構造体によれば、両面が被処理面とされた平板状の被処理物の当該被処理面の各々を同時に処理するものにおいて、光透過性窓部材の光出射面と被処理物の被処理面が近接した状態が保持されて形成された処理用空間内の雰囲気を略一定に保持することができるので、所期の光照射処理を効率よく短時間で行うことができる被処理物保持構造体が提供される。
本発明の第1の実施の形態に係るアッシング装置の一例における構成の概略を示す断面図である。 図1に示すアッシング装置の動作状態を示す断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係るアッシング装置の一例における構成の概略を示す断面図である。 図3に示すアッシング装置の動作状態を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
〔第1の実施の形態〕
本発明の第1の実施の形態に係るアッシング装置は、紫外線照射ユニットからの波長220nm以下の真空紫外線が光透過窓を介して被処理物の被処理面に照射される構成のものにおいて、光透過窓が紫外線照射ユニット側に設けられてなるものである。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るアッシング装置の一例における構成の概略を示す断面図である。
このアッシング装置は、一面および他面が被処理面とされた平板状の被処理物11の当該被処理面12,13の各々を同時に処理するものであって、被処理物11を、その周囲(四周)が例えば矩形枠状の保持部材15によって保持された状態で、搬送する搬送手段(図示せず)を備えている。この例においては、被処理物11は、垂立された状態で、被処理面12,13の面方向に沿った方向(図1において紙面に垂直な方向)に搬送される。
被処理物11の搬送路の両側には、各々一方が開口する筐体21a,21bを備えた一対の紫外線照射ユニット20a,20bが互いに対向して配置されている。
この例においては、光透過窓を構成する平板状の光透過性窓部材40a(40b)が、紫外線照射ユニット20a(20b)における筐体21a(21b)の開口端縁より内方側の位置において気密に保持されており、これにより、密閉空間を構成する光源配置空間S1が筐体21a(21b)の内部に形成されている。
各々の紫外線照射ユニット20a,20bにおける光源配置空間S1の内部には、紫外線光源を構成する一方向に長尺な紫外線放射ランプ35がランプ中心軸が鉛直方向に延びる姿勢で配置されている。紫外線ランプ35としては、例えば長手方向に垂直な断面による断面形状が扁平な矩形状のものを用いることができる。ここに、紫外線ランプ35の数は、特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜に設定することができる。例えば複数本の紫外線ランプ35が用いられる場合には、各々のランプ中心軸が、被処理物11の被処理面12,13と平行な同一の垂直面内に位置された状態で配置される。
紫外線ランプ35としては、例えば、波長185nmにピークを有する紫外線を放射する低圧水銀ランプ、波長180〜370nmの紫外線を放射する重水素ランプ、中心波長が172nmの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプを用いることができる。これらのうちでも、真空紫外線の強度が高く、活性種を効率よく生成することができることから、キセノンエキシマランプを用いることが好ましい。
紫外線照射ユニット20a(20b)における筐体21a(21b)は、一方が開口する筐体本体22a(22b)と、この筐体本体22a(22b)の開口側に端面同士が対接された状態で一体に設けられた枠状の窓保持体25a(25b)とにより構成されている。そして、筐体21a(21b)の開口端面には、例えばO−リングよりなる無端状のシール部材30が当該開口端面の全周にわたって設けられている。
筐体本体22a(22b)には、ランプ中心軸方向に位置される互いに対向する一対の周壁の各々に、不活性ガス供給用貫通孔23aおよび不活性ガス排出用貫通孔23bが、ランプ中心軸方向に沿って延びるよう形成されている。
窓保持体25a(25b)には、段部による窓部材保持部26が形成されており、光透過性窓部材40a(40b)は、光出射面42a(42b)が被処理物11の被処理面12(13)と平行に延びる姿勢で、光入射面41a(41b)における周縁部が窓部材保持部26によって支持されて気密に固定されている。
また、窓保持体25a(25b)における光透過性窓部材40a(40b)の光出射面42a(42b)より外方側に突出する突出縁部分27には、ランプ中心軸方向に位置される互いに対向する一対の周壁の各々に、処理用ガス供給用貫通孔28aおよび処理用ガス排出用貫通孔28bが、ランプ中心軸方向に沿って延びるよう形成されており、これにより、処理用ガス流通用開口部が形成されている。
光透過性窓部材40a,40bを構成する材料としては、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線を透過し得るものであればよく、例えば石英ガラスを用いることができる。
光透過性窓部材40a,40bの厚みは、例えば3〜7mmである。
このアッシング装置は、後述する処理用空間内に、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスを処理用ガス供給用貫通孔28aを介して供給する活性種源供給手段(図示せず)を備えている。
活性種源供給手段により供給される処理用ガスとしては、例えば、酸素ガスまたは酸素ガスにオゾンが混合された混合ガス、水蒸気などを用いることができる。ここに、処理用ガスとして水蒸気を用いた場合には、活性種として、酸素ラジカルに加えて、水酸化ラジカル(OHラジカル)が生成される。
処理用ガスにおける酸素濃度は、例えば50体積%以上であることが好ましい。酸素濃度が50体積%以上である処理用ガスが用いられることにより、真空紫外線によって生成されるオゾンおよび活性種(酸素ラジカル)の量を多くすることができて所期の処理を確実に行うことができる。
また、このアッシング装置は、紫外線照射ユニット20a,20bの各々を被処理物11の搬送路に対して離間する方向および接近する方向(図1において白抜きの矢印で示す。)に移動させる駆動手段(図示せず)を備えている。
以上において、被処理物11としては、例えば、複数の絶縁層と複数の配線層が交互に積層されてなり、配線層間の電気的接続のためのビアホールやスルーホールが1つの若しくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して延びるよう形成された多層配線基板材料などを例示することができる。このような多層配線基板材料は、通常、ビアホールやスルーホールの形成に際して不可避的に生じる絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア(残渣)を有しているものである。
而して、上記のアッシング装置においては、保持部材15によって保持された被処理物11が搬送手段によって搬送路に沿って搬送されて所定の位置に配置される。そして、一対の紫外線照射ユニット20a,20bの各々が駆動手段によって被処理物11に接近する方向に順次に移動され、図2に示すように、保持部材15と各々の紫外線照射ユニット20a,20bにおける筐体21a,21bの端面同士がシール部材30,30を介して対接された状態で、保持部材15が各々の紫外線照射ユニット20a,20bの筐体21a,21bによって挟持されて保持される。これにより、被処理物11の一面側および他面側において、紫外線放射ランプ35が配置された光源配置空間S1と光透過性窓部材40a,40bによって気密に区画された、密閉空間を構成する処理用空間S2が形成されると共に、被処理物11の被処理面12(13)と光透過性窓部材40a(40b)の光出射面42a(42b)とが近接して配置された状態とされる。ここに、被処理物11の被処理面12(13)と光透過性窓部材40a(40b)の光出射面42a(42b)との離間距離の大きさdは、例えば3mm以下、好ましくは1mm以下とされる。
次いで、紫外線照射ユニット20a(20b)における光源配置空間S1内に、不活性ガス供給手段(図示せず)によって、例えば窒素ガスなどの不活性ガス(図2において破線の矢印で示す。)が不活性ガス供給用貫通孔23aを介して供給され、当該不活性ガスが光源配置空間S1内に流通されることにより光源配置空間S1内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換される。一方、被処理物11の被処理面12(13)と光透過性窓部材40a(40b)の光出射面42a(42b)との間の間隙による処理用空間S2に、活性種源供給手段によって、例えば酸素濃度が50体積%以上である処理用ガス(図2において実線の矢印で示す。)が処理用ガス供給用貫通孔28aを介して供給される。処理用ガスは、被処理物11の被処理面12(13)および光透過性窓部材40a(40b)の光出射面42a(42b)に沿って処理用空間S2内を流通されて処理用ガス排出用貫通孔28bから排出される。
そして、各々の紫外線照射ユニット20a(20b)における紫外線放射ランプ35が点灯されることにより、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線(図2において白抜きの矢印で示す。)が光透過性窓部材40a(40b)を介して被処理物11の被処理面12(13)に向かって照射される。これにより、被処理物11の被処理面12(13)に到達する真空紫外線、並びに、真空紫外線が処理用ガスに照射されることにより生成されるオゾンおよび活性種(酸素ラジカル)によって、被処理物11の被処理面12,13に形成されたスミア(有機物樹脂)が分解、除去される。
以上において、被処理物11に照射される紫外線の照度は、例えば10〜200mW/cm2 である。また、被処理物11に対する紫外線照射時間は、紫外線の照度やスミアの残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば50〜300秒間である。なお、アッシング処理は、不活性ガスおよび処理用ガスが継続して供給されながら、行われる。
而して、上記構成のアッシング装置によれば、被処理物11の被処理面12,13の各々を同時に処理するものにおいて、被処理物11のアッシング処理を行うに際して形成される、互いに光透過性窓部材40a(40b)によって気密に区画された、不活性ガス雰囲気とされる光源配置空間S1および処理用ガスが流通される処理用空間S2が、実質的に密閉された空間を構成する状態とされる。これにより、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線の光量の低下の程度を小さく抑制することができると共に、処理用ガスが流通されることによって処理用空間S2の雰囲気を略一定に保持することができる。その結果、被処理物11のアッシング処理に寄与する真空紫外線の光量を増加させることができると共に、活性種(酸素ラジカル)を安定して生成することができて当該活性種を被処理物11のアッシング処理に確実に寄与させることができるため、所期のアッシング処理を効率よく短時間で行うことができる。
また、被処理物11が垂立した姿勢で処理されるので、被処理物11の自重によるたわみが生ずることを防止することができて均一な処理を行うことができる。
〔第2の実施の形態〕
本発明の第2の実施の形態に係るアッシング装置は、紫外線照射ユニットからの波長220nm以下の真空紫外線が光透過窓を介して被処理物の被処理面に照射される構成のものにおいて、光透過窓が被処理物側に設けられてなるものである。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係るアッシング装置の一例における構成の概略を示す断面図である。
このアッシング装置は、一面および他面が被処理面とされた平板状の被処理物11の当該被処理面12,13の各々を同時に処理するものであって、当該被処理物11を備えた被処理物保持構造体10を搬送する搬送手段(図示せず)を備えている。この例においては、被処理物保持構造体10は、垂立された状態で、被処理物11の被処理面12,13の面方向に沿った方向(図3においては紙面に垂直な方向)に搬送される。
被処理物保持構造体10は、平板状の被処理物11と、被処理物11の一面側および他面側において、それぞれ、被処理物11の被処理面12,13の各々と所定の大きさdの間隙を介して互いに平行に対向して配置された一対の平板状の光透過性窓部材40a,40bと、被処理物11および一対の光透過性窓部材40a,40bの各々を保持する共通の枠状の保持部材15aとにより構成されている。そして、被処理物11の一面側および他面側において、密閉空間を構成する、被処理物11の被処理面12(13)と光透過性窓部材40a(40b)との間の間隙による処理用空間S2が形成されている。
保持部材15aには、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスを処理用空間S2に流通させるための処理用ガス流通用開口部が形成されている。
この例における保持部材15aは、矩形状の枠体よりなる基体16と、この基体16の内面側において当該基体16に埋設された状態で一体に設けられたコの字状の枠体よりなる被処理物保持体17とにより構成されている。そして、被処理物11の面方向に沿った断面において、被処理物保持体17の開放方向(この例では上方向)に位置される基体16の周壁には、処理用ガスを導入および排出する開口18が当該周壁の長手方向(図3において紙面に垂直な方向)に延びるよう形成されており、これにより、処理用ガス流通用開口部が構成されている。
そして、被処理物11はその周囲の三辺が被処理物保持体17によって保持されて固定されており、光透過性窓部材40a,40bの各々は、その周囲(四周)が基体16によって保持されて固定されている。
保持部材15aにおける基体16を構成する材料としては、例えばアルミニウム、ステンレス鋼、銅などの金属材料を用いることができる。
また、保持部材15aにおける被処理物保持体17を構成する材料としては、例えばテフロン(登録商標)などのフッ素樹脂、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂などの樹脂材料を用いることができる。被処理物保持体17が樹脂材料よりなることにより、当該被処理物保持体17を被処理物11の傷発生防止材または緩衝材として機能させることができる。
被処理物保持構造体10の搬送路の両側には、一対の紫外線照射ユニット20a,20bが互いに対向して配置されている。各々の紫外線照射ユニット20a(20b)は、一方(搬送路方向)が開口する筐体21a(21b)と、この筐体21a(21b)の内部に配置された紫外線光源とにより構成されている。ここで、紫外線光源は、第1の実施の形態に係るアッシング装置における紫外線光源と同一の構成を有するものであって、一または複数の棒状の紫外線放射ランプ35により構成されている。
筐体21a(21b)には、ランプ中心軸方向に位置される互いに対向する一対の周壁の各々に、不活性ガス供給用貫通孔23aおよび不活性ガス排出用貫通孔23bが、ランプ中心軸方向に沿って延びるよう形成されている。
また、筐体21a(21b)の開口端面には、例えばO−リングよりなる無端状のシール部材30が当該開口端面の全周にわたって設けられている。
このアッシング装置は、処理用ガスを被処理物保持構造体10における処理用空間S2内に供給する活性種源供給手段(図示せず)を備えている。ここで、活性種源供給手段は、第1の実施の形態に係るアッシング装置における活性種源供給手段と同一の構成である。
また、このアッシング装置は、紫外線照射ユニット20a,20bの各々を被処理物保持構造体10の搬送路に対して離間する方向および接近する方向(図3において白抜きの矢印で示す。)に移動させる駆動手段(図示せず)を備えている。
而して、上記のアッシング装置においては、被処理物保持構造体10が搬送手段によって搬送路に沿って搬送されて所定の位置に配置される。そして、一対の紫外線照射ユニット20a,20bの各々が駆動手段によって被処理物保持構造体10に接近する方向に順次に移動され、図4に示すように、被処理物保持構造体10における保持部材15aと各々の紫外線照射ユニット20a,20bにおける筐体21a,21bの端面同士がシール部材30,30を介して対接された状態で、被処理物保持構造体10が各々の紫外線照射ユニット20a,20bの筐体21a,21bによって挟持されて保持される。これにより、被処理物保持構造体10における処理用空間S2と光透過性窓部材40a,40bによって気密に区画された、密閉空間を構成する光源配置空間S1が紫外線照射ユニット20a,20bにおける筐体21a,21bの内部に形成される。
次いで、紫外線照射ユニット20a(20b)における光源配置空間S1内に、不活性ガス供給手段(図示せず)によって、例えば窒素ガスなどの不活性ガス(図4において破線の矢印で示す。)が不活性ガス供給用貫通孔23aを介して供給され、当該不活性ガスが光源配置空間S1内に流通されることにより光源配置空間S1内の雰囲気が不活性ガス雰囲気に置換される。一方、被処理物保持構造体10における処理用空間S2に、活性種源供給手段によって、例えば酸素濃度が50体積%以上である処理用ガスが開口18を介して供給される。
そして、各々の紫外線照射ユニット20a(20b)における紫外線放射ランプ35が点灯されることにより、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線が光透過性窓部材40a(40b)を介して被処理物11の被処理面12(13)に向かって照射される。これにより、被処理物11の被処理面12(13)に到達する真空紫外線、並びに、真空紫外線が処理用ガスに照射されることにより生成されるオゾンおよび活性種(酸素ラジカル)によって、被処理物11の被処理面12,13に形成されたスミア(有機物樹脂)が分解、除去される。
而して、上記構成の被処理物保持構造体10によれば、光透過性窓部材40a(40b)の光出射面42a(42b)と被処理物11の被処理面12(13)が近接した状態が保持されて形成された処理用空間S2に処理用ガスが流通されることによって処理用空間S2内の雰囲気を略一定に保持することができる。このため、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線が処理用ガスに照射されることによって活性種(酸素ラジカル)を安定に生成することができ、被処理物保持構造体10それ自体を、所期のアッシング処理を効率よく短時間で行うことができるものとして構成することができる。
従って、このような被処理物保持構造体10における被処理物に対してアッシング処理を行う上記構成のアッシング装置によれば、被処理物11のアッシング処理を行うに際して形成される、互いに光透過性窓部材40a(40b)によって気密に区画された、不活性ガス雰囲気とされる光源配置空間S1および処理用ガスが流通される処理用空間S2が、実質的に密閉された空間を構成する状態とされる。これにより、紫外線放射ランプ35からの真空紫外線の光量の低下の程度を小さく抑制することができると共に、処理用ガスが流通されることによって処理用空間S2の雰囲気を略一定に保持することができる。その結果、被処理物11のアッシング処理に寄与する真空紫外線の光量を増加させることができると共に、生成される活性種を被処理物11のアッシング処理に確実に寄与させることができるため、所期のアッシング処理を効率よく短時間で行うことができる。
また、被処理物11の被処理面12,13が光透過性窓部材40a,40bによってカバーされているので、例えば被処理物保持構造体10の搬送時などにおいて、被処理物11が傷つくことを防止することができる。
また、被処理物11が垂立した姿勢で処理されるので、被処理物11の自重によるたわみが生ずることを防止することができて均一な処理を行うことができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
例えば、第1の実施の形態に係るアッシング装置においては、光透過性窓部材を保持する窓保持体は筐体本体と一体に形成された構成とされていてもよい。
また、本発明のアッシング装置においては、アッシング処理が被処理物における被処理面の温度を上昇させた状態で行われる構成とされていることが好ましい。具体的には例えば、被処理物の被処理面を加熱する加熱手段が、被処理物または被処理物保持構造体の搬送路における、紫外線照射ユニットによる光照射処理領域の上流側の位置に配置された構成とすることができる。このような構成によれば、被処理物の被処理面の温度が上昇されることに伴ってオゾンおよび活性種による作用を促進させることができるので、アッシング処理を一層高い効率で行うことができる。また、第3の実施の形態に係るアッシング装置においては、被処理物保持構造体に加熱手段を設けて被処理物の被処理面の温度を上昇させる構成とすることもできる。
さらにまた、処理用ガスを加熱して昇温させた状態で処理用空間を流通させることにより、被処理物の被処理面の温度を上昇させるようにしても、同様の効果を得ることができる。
加熱条件としては、被処理物の被処理面の温度が、例えば80℃以上、340℃以下となる条件であることが好ましく、より好ましくは、80℃以上、200℃以下となる条件である。
さらにまた、本発明のアッシング装置においては、光照射処理時において、被処理物に物理的振動を与える物理的振動処理手段が設けられた構成とすることができる。このような構成によれば、処理用空間内において生成された活性種が、例えば配線基板材料におけるビアホールまたはスルーホール内に供給されやすくなるので、アッシング処理を一層確実に行うことができる。
本発明のアッシング装置は、多層配線基板などのスミアの除去処理だけでなく、例えば、ナノインプリント装置におけるテンプレートの表面のドライ洗浄処理や、半導体基板あるいは液晶パネル用基板などの製造過程における基板の表面からのレジストの除去処理、および、レジスト除去処理が行われた基板に付着したレジスト残渣の除去処理などの各種のアッシング処理に用いることができる。
10 被処理物保持構造体
11 被処理物
12,13 被処理面
15,15a 保持部材
16 基体
17 被処理物保持体
18 開口
20a,20b 紫外線照射ユニット
21a,21b 筐体
22a,22b 筐体本体
23a 不活性ガス供給用貫通孔
23b 不活性ガス排出用貫通孔
25a,25b 窓保持体
26 窓部材保持部
27 突出縁部分
28a 処理用ガス供給用貫通孔
28b 処理用ガス排出用貫通孔
30 シール部材
35 紫外線放射ランプ
40a,40b 光透過性窓部材
41a,41b 光入射面
42a,42b 光出射面
S1 光源配置空間
S2 処理用空間

Claims (4)

  1. 一面および他面が被処理面とされた板状の被処理物の当該被処理面の各々にそれぞれ対向する一対の光透過窓と、前記被処理面の各々にそれぞれ前記光透過窓を介して真空紫外線を照射する紫外線光源を備えた一対の紫外線照射ユニットとを備えてなり、
    前記被処理物の周囲を保持する枠状の保持部材が前記一対の紫外線照射ユニットにおける筐体によって挟持されて保持されることにより、当該被処理物の一面側および他面側において、前記被処理物の被処理面と前記光透過窓の光出射面との間に形成される所定の大きさの間隙による処理用空間と、前記紫外線光源が配置された光源配置空間とが、前記光透過窓によって気密に区画された状態で、形成され、
    当該光源配置空間内が不活性ガス雰囲気とされると共に、当該処理用空間内に、前記被処理物の一面側および他面側のそれぞれに形成された処理用ガスの開口を介して、前記紫外線光源からの真空紫外線によって活性化される活性種源を含む処理用ガスが流通されることを特徴とするアッシング装置。
  2. 前記一対の紫外線照射ユニットは、各々一方が開口する筐体を備えており、
    前記光透過窓の各々は、前記筐体の開口端縁より内方側の位置において気密に保持された板状の光透過性窓部材により構成されており、
    当該筐体の各々における当該光透過性窓部材より外方側に突出する突出縁部分には、前記処理用空間に処理用ガスを流通させるための処理用ガス流通用開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアッシング装置。
  3. 前記光透過窓の各々は、それぞれ、被処理物を保持する保持部材によって保持された板状の光透過性窓部材により構成されており、当該保持部材には、前記処理用空間に処理用ガスを流通させるための処理用ガス流通用開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアッシング装置。
  4. 光照射処理用の被処理物保持構造体であって、
    板状の被処理物と、当該被処理物の一面側および他面側において、それぞれ、当該一面および他面と所定の大きさの間隙を介して対向して配置された一対の板状の光透過性窓部材と、当該被処理物および当該一対の光透過性窓部材の各々の周囲を保持する共通の枠状の保持部材とにより構成されており、当該保持部材には、前記間隙の各々に処理用ガスを流通させるための処理用ガス流通用開口部が、前記被処理物の一面側および他面側のそれぞれに形成されていることを特徴とする被処理物保持構造体。
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JPH0612766B2 (ja) * 1983-03-04 1994-02-16 株式会社精密エンタプライズ 光照射装置
JPH01111331A (ja) * 1987-10-26 1989-04-28 Hitachi Ltd 除去装置
JP3468215B2 (ja) * 2000-08-08 2003-11-17 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプを使った処理装置
JP2002148396A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Techno Plex:Kk 紫外線照射装置
JP2005129733A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 表面改質方法及び表面改質装置
JP4937679B2 (ja) * 2006-08-30 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板の帯電防止装置及び帯電防止方法
JP2011091386A (ja) * 2009-09-24 2011-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の作製方法

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