CN105074882B - 光照射装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种光照射装置,能够将透光窗的光射出面与被处理物的表面之间的距离实质上设定为一定的大小,能够均匀地对被处理物进行处理。该光照射装置具备:紫外线射出灯,对配置在氧气氛下的被处理物射出真空紫外光;和透光窗,配置在被处理物与紫外线射出灯之间,透射来自紫外线射出灯的真空紫外光,透光窗经由被处理物按压用隔离件相对于被处理物以按压状态被配置,形成透光窗的光射出侧的表面与被处理物的表面之间的距离为一定大小的间隙。

Description

光照射装置
技术领域
本发明涉及一种光照射装置。更详细地说,本发明涉及例如半导体或液晶等制造工序中的光刻胶的光灰化处理、纳米压印装置中的模板的图案面上所附着的光刻胶的去除或液晶用的玻璃基板及硅晶片等的干洗处理、印刷基板制造工序中的污迹的去除(去污)处理中适用的光照射装置。
背景技术
现在,例如作为进行半导体或液晶等制造工序中的光刻胶的光灰化处理、纳米压印装置中的模板的图案面上所附着的光刻胶的去除或液晶用的玻璃基板及硅晶片等的干洗处理、印刷基板制造工序中的污迹的去除(去污)处理的方法,公知有使用紫外线的干洗方法。尤其是,利用通过从准分子灯放射的真空紫外线生成的臭氧等活性氧的方法能够更高效地在短时间内进行预定的处理,因此被广泛利用。作为这种光照射装置,以往提出了各种结构的装置(例如参照专利文献1~专利文献3)。
作为这种利用真空紫外线的光照射装置中的一种,例如图8所示,构成为,经由透光窗对例如配置在氧气氛下的被处理物W照射来自射出真空紫外线的紫外线射出灯55的光,通过由真空紫外线生成的臭氧及活性氧,进行被处理物W的表面处理。
图8中的符号50是光源单元,具备在一方(下方)具有开口部的箱型状的壳体51。在该壳体51的开口部,构成透光窗的平板状的透光性窗构件52被设置成气密地堵塞该开口部。在壳体51内,多根棒状的紫外线射出灯55被配置成灯中心轴在同一水平面内彼此平行地延伸的状态。此外,反射镜56被设置成包围这些紫外线射出灯55。
图8中的符号60是载置被处理物W的处理台,在该处理台60的平坦的被处理物载置面61上配置有用于在光源单元50中的透光性窗构件52的光射出面52a与处理台60的被处理物载置面61之间形成预定大小的空间的框状的隔离构件65。在隔离构件65的上表面配置有密封构件66。并且,光源单元50经由该密封构件66气密地配置在处理台60上,在光源单元50与处理台60之间形成处理室S2。
此外,在处理台60中,向处理室S2内供给具有预定的氧浓度的处理用气体的处理用气体供给用贯通孔62及处理用气体排出用贯通孔63形成在彼此在面方向(灯的排列方向)上分离的位置。并且,被处理物W配置在被处理物载置面61上的处理用气体供给用贯通孔62与处理用气体排出用贯通孔63之间的位置。
在这种结构的光照射装置中,从提高处理效率(生产率)的观点考虑,透光性窗构件52的光射出面52a与被处理物W的被处理面Wa之间的距离设定为例如1.0mm以下,优选设定为0.1~0.5mm。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第2948110号公报
专利文献2:日本特开平11-231554号公报
专利文献3:日本特开2011-181535号公报
发明内容
发明要解决的课题
为此,本发明人例如对厚度为0.1~0.3mm的多层印刷线路板,将透光性窗构件52的光射出面52a与被处理物W的被处理面Wa之间的间隙的大小例如设为0.2mm来尝试进行了表面处理,结果判明了无法均匀地对被处理物的被处理面进行处理。认为其原因如下。即,在厚度小的多层印刷线路板中,如图8所示,在层叠时的绝缘性树脂的贴合时及热处理时,整体翘曲,或成为波浪起伏的形状,例如存在最大产生2mm左右的变形的情况。因此,无法将透光性窗构件52的光射出面52a与被处理物W的被处理面Wa之间的距离在被处理面Wa的整个区域设为均匀的大小。因此推测为,即使处理室S2内的氧浓度为均匀的状态,也在从紫外线射出灯55到达的真空紫外线的强度上产生分布,无法均匀地对被处理物W进行处理。此外,实际情况是,由于被处理物W的变形的程度存在个体差,因此这一点上也难以均匀地对被处理物W进行处理。
本发明是基于以上情况而做出的,其目的在于提供一种光照射装置,能够将透光窗的光射出面与被处理物的被处理面之间的距离实质上设定为一定的大小,能够均匀地对被处理物进行处理。
用于解决课题的方案
本发明的一种光照射装置,具备:紫外线射出灯,对配置在氧气氛下的被处理物射出真空紫外光;和透光窗,配置在上述被处理物与上述紫外线射出灯之间,透射来自该紫外线射出灯的真空紫外光,上述光照射装置的特征在于,上述透光窗经由被处理物按压用隔离件相对于上述被处理物以按压状态被配置,形成该透光窗的光射出侧的表面与该被处理物的表面之间的距离为一定大小的间隙。
在本发明的光照射装置中,优选的是,具备压力调整机构,在动作时,将上述透光窗的紫外线射出灯侧的气氛的压力维持在比上述被处理物侧的气氛的压力高的状态。
此外,在本发明的光照射装置中,优选的是,上述透光窗是在具有一定大小的厚度的基体部的光射出侧的表面上设置以按压状态与上述被处理物的表面抵接的多个突部而构成的,上述隔离件由该多个突部构成。
此外,在本发明的光照射装置中,优选的是,上述透光窗的基体部具有朝向上述被处理物侧凸起的弯曲的形态。
此外,在本发明的光照射装置中,优选的是,具备处理用气体供给机构,该处理用气体供给机构向通过上述透光窗的突部在该透光窗的基体部的光射出侧的表面与被处理物的表面之间形成的间隙,供给含有预定浓度的氧的处理用气体。
此外,在本发明的光照射装置中,优选的是,上述透光窗中的突部由透射上述真空紫外光的透光性材料构成。
此外,优选的是,上述透光窗中的突部具有该突部的通过与高度方向垂直的切面得到的截面积随着靠向前端而减小的形状。
此外,在本发明的光照射装置中,上述被处理物按压用隔离件可以由彼此不重叠地拉伸设置在上述被处理物的表面上的多个线材、或者配设在上述被处理物的表面的周缘部上的平板片构成。
此外,在本发明的光照射装置中,优选的是,具备保持上述被处理物的保持装置,在该保持装置上设置有对上述被处理物进行加热的加热机构。
发明效果
根据本发明的光照射装置,通过透光窗经由被处理物按压用隔离件按压被处理物,从而被处理物本身所具有的弯曲等变形被矫正,因此能够在形成有透光窗与被处理物之间的距离实质上被设定为一定大小的间隙的状态下进行处理。因此,能够使照射到被处理物的表面(被处理面)的真空紫外线的强度实质上均匀,并且能够使通过真空紫外线生成的臭氧的浓度实质上均匀,其结果能够均匀地对被处理物进行处理。
此外,透光窗的紫外线射出灯侧的气氛的压力通过压力调整机构维持在比被处理物侧的气氛的压力高的状态,从而除了透光窗的自重以外,还通过该压力差所作用的按压力来按压被处理物,由此被处理物的变形被矫正,因此能够更切实地得到上述效果。
此外,透光窗具有朝向被处理物侧凸起的弯曲的形态,从而该透光窗与被处理物抵接而成为呈平板状的形态的状态,由此能够以更强的力按压被处理物,因此能够切实地得到上述效果。
此外,向通过被处理物按压用隔离件确保的透光窗的光射出侧的表面与被处理物的表面之间的间隙(Gap)流通处理用气体,从而能够使被处理物的表面上的氧浓度大致一定,因此能够稳定地生成臭氧及活性氧来稳定地进行被处理物的处理。
附图说明
图1是概略地表示本发明的光照射装置的一例的结构的说明用截面图。
图2是概略地表示本发明的光照射装置的其他例的结构的说明用截面图。
图3是概略地表示透光窗的其他例的结构的说明图。
图4是概略地表示透光窗的其他例的结构的说明用截面图。
图5是概略地表示本发明的光照射装置的其他例中的保持装置的结构的截面图,(a)是用沿着处理用气体的流通方向的平面切断的铅垂方向截面图,(b)是用与处理用气体的流通方向正交的平面切断的铅垂方向截面图。
图6是概略地表示本发明的光照射装置的其他例中的保持装置的结构的截面图,(a)是用沿着处理用气体的流通方向的平面切断的铅垂方向截面图,(b)是用与处理用气体的流通方向正交的平面切断的铅垂方向截面图。
图7是概略地表示本发明的光照射装置的其他例中的保持装置的结构的截面图,(a)是省略一部分来表示的立体图,(b)是(a)中的A-A线截面图。
图8是概略地表示现有的光照射装置的一例的结构的说明用截面图。
具体实施方式
以下,详细说明本发明的实施方式。
图1是概略地表示本发明的光照射装置的一例的结构的说明用截面图。该光照射装置例如具备:保持装置,具备处理台10,该处理台10具有载置具有挠性的大致平板状的被处理物(工件)W的平坦的被处理物载置面11;和光源单元20,经由框状隔离件而配置在处理台10上。
光源单元20具备在一侧(图1中下方)具有开口部的大致长方体的箱型形状的壳体21。在该壳体21的开口部气密地设置有构成透射真空紫外线的透光窗的透光性窗构件30,由此在壳体21的内部形成密闭的灯收容室S1。在壳体21内,各棒状的紫外线射出灯25被排列设置成,中心轴在同一水平面内彼此平行地延伸。此外,在光源单元20的光照射方向上的紫外线射出灯25的背面侧的位置,设置有反射镜26。此外,壳体21中设置有例如净化氮气的惰性气体的惰性气体净化机构(未图示)。
该光源单元20的壳体21的下表面经由密封构件16与配置在处理台10的被处理物载置面11上的矩形框状的隔离构件15的上表面对接配置,由此在光源单元20与处理台10之间形成处理室S2。
作为紫外线射出灯25,只要放射真空紫外线,就可以使用公知的各种灯。具体地说,例如,作为紫外线射出灯25,可以例示放射185nm的真空紫外线的低压水银灯、放射中心波长为172nm的真空紫外线的氙准分子灯、或者在发光管内封入有氙气且在发光管的内表面涂布例如射出190nm的真空紫外线的荧光体而成的荧光准分子灯等。
如图1的光照射装置所示,例如在将来自紫外线射出灯25的真空紫外线向被处理物W一齐照射来进行处理的结构的光照射装置中,为了获得被处理物W的表面(以下,还称为“被处理面”)Wa上的紫外线强度的均一性,作为紫外线射出灯25,优选使用圆筒型的紫外线射出灯。
该光照射装置具备向处理室S2内供给含有预定浓度的氧的处理用气体的处理用气体供给机构。
具体说明处理用气体供给机构,在处理台10上分别形成有在处理台10的厚度方向上贯通而延伸的处理用气体供给用贯通孔12及气体排出用贯通孔13,在处理用气体供给用贯通孔12上连接有未图示的处理用气体供给源。处理用气体供给用贯通孔12及气体排出用贯通孔13均由例如开口形状沿着紫外线射出灯25的灯轴方向延伸的长圆形的长孔构成。并且,处理用气体供给用贯通孔12及气体排出用贯通孔13例如形成于在紫外线射出灯25的排列方向上彼此分离的位置。在此,被处理物W在处理台10的被处理物载置面11上配置于灯的排列方向上的处理用气体供给用贯通孔12与气体排出用贯通孔13之间的位置。
向处理室S2内供给的处理用气体的氧浓度优选为例如50%以上,更优选为80%以上。由此,能够增多通过真空紫外线生成的臭氧及活性氧的量,能够切实地进行预期的处理。
这样,在该光照射装置中,透光性窗构件30经由被处理物按压用隔离件相对于被处理物W以按压状态被配置,形成有透光性窗构件30的光射出侧的表面与被处理物W的表面Wa之间的距离h为一定的大小的间隙。具体地说,透光性窗构件30由具有一定大小的厚度的平板状的基体部31、以及在该基体部31的光射出侧的表面(以下,称为“光射出面”)32上一体地设置的多个突部35构成。并且,透光性窗构件30的各突部35的前端面以按压状态与被处理物W的被处理面Wa抵接地配置,从而各突部35作为将基体部31的光射出面32与被处理物W的被处理面Wa之间的距离h设为一定的大小的被处理物按压用隔离件而发挥作用。在此,基体部31的光射出面32与被处理物W的被处理面Wa之间的距离h例如优选为1mm以下,特别优选0.5mm以下。由此,能够稳定地生成臭氧及活性氧,并且能够使到达被处理物W的被处理面Wa的真空紫外线成为足够大小的强度(光量)。
各突部35例如是具有彼此相同的高度的圆柱状,在基体部31的光射出面32上设置成以散点状存在的状态。
突部35优选设置成各突部35的前端面的面积的合计为基体部31的光射出面32的面积的20%以下的大小。此外,各突部35的前端面的面积优选为前端面的合计面积的20%以下的大小。通过设置成这样的结构,能够将突部35引起的真空紫外线的遮光及处理用气体的流通的阻碍程度抑制得小。
突部35的形成图案(pattern)没有特别限定,例如可以是多个突部35以预定大小的间距(中心间距离)配置成格子状的结构。此外,例如在被处理物W在光源单元20的光照射区域内具有不需要处理的非处理区域的情况下,也可以设置成大量的突部35位于与该非处理区域对应的区域的不均匀分布的状态。此外,为了使处理用气体在被处理物W的被处理面Wa上流通,优选的是,多个突部35被配置成,形成从处理用气体供给用贯通孔12连通到气体排出用贯通孔13的突部35之间的间隙。
如上所述考虑到同基体部31的光射出面32与被处理物W的被处理面Wa之间的距离h的大小的关系,突部35的高度优选为例如1mm以下,特别优选0.5mm以下。
以上,作为构成透光性窗构件30的基体部31的材料,只要如上所述对从紫外线射出灯25放射的真空紫外线具有透射性,且对真空紫外线及臭氧具有耐性,就例如能够使用石英玻璃。
此外,在突部35由与基体部31不同的其他构件构成的情况下,作为构成突部35的材料,只要对真空紫外线及臭氧具有耐性,就可以使用各种材料,但是从能够抑制因突部35的存在而遮挡真空紫外光的方面考虑,优选使用对真空紫外线具有透光性的例如石英玻璃。
该透光性窗构件30例如能够通过光刻法来制作。具体地说,在掩盖(Mask)平板状的透光窗形成材料的一面的状态下,例如通过氢氟酸来进行蚀刻,从而形成突部35,由此能够得到图1所示的透光性窗构件30。
此外,也可以掩盖平板状的透光窗形成材料的一面上的突部形成部位,通过喷砂处理、磨削加工来削去该一面,从而形成突部35,由此制作图1所示的透光性窗构件30。此外,可以在例如由石英玻璃构成的平板状的透光窗形成材料的一面上例如配置玻璃珠等,并例如用电炉进行加热而熔接玻璃珠来形成突部35,由此制作图1所示的透光性窗构件30。
在本发明的光照射装置中,优选具备压力调整机构,在动作时,该压力调整机构将透光性窗构件30的紫外线射出灯25侧的气氛的压力维持在比被处理物W侧的气氛的压力高的状态。
压力调整机构具有调节惰性气体净化机构的惰性气体的供给量及处理用气体供给机构的处理用气体的供给量,以使灯收容室S1内的压力维持比处理室S2内的压力高的状态的功能。通过设置成灯收容室S1内的压力比处理室S2内的压力高的状态,能够通过该压力差使透光性窗构件30的突部35切实地以按压状态与被处理物W的被处理面Wa抵接。另一方面,在以成为处理室S2内的压力比灯收容室S1内的压力高的状态的方式供给处理用气体的情况下,因该压力差,力朝向使透光性窗构件30与被处理物W分离的方向发挥作用,因此存在无法使透光性窗构件30的突部35以按压状态与被处理物W的被处理面Wa抵接的情况。
基于处理用气体的供给的处理室S2内的压力(表压)优选设置成例如300Pa以上。此外,基于惰性气体的净化的灯收容室S1内的压力(表压)优选设置成例如400Pa以上。并且,灯收容室S1内与处理室S2内的压力差优选设置成例如100Pa以上。
此外,在本发明的光照射装置中,优选在处理台10中设置对被处理物W加热的加热机构(未图示)。根据该结构,随着被处理物W的被处理面Wa的温度上升,能够促进臭氧及活性氧的作用,因此能够高效地进行处理。此外,由于能够在使处理用气体升温的状态下供给到处理室S2内,因此通过使处理用气体沿着被处理物W的被处理面Wa流通,也能够使被处理物W的被处理面Wa的温度上升,能够更切实地得到上述效果。
加热机构的加热条件优选为,被处理物W的被处理面Wa的温度达到例如80℃以上且340℃以下的条件,更优选的是达到80℃以上且200℃以下的条件。
在该光照射装置中,在将被处理物W载置在处理台10的被处理物载置面11上的处理用气体供给用贯通孔12与气体排出用贯通孔13之间的位置的状态下,在处理台10上,经由隔离构件15及密封构件16配置光源单元20。由此,透光性窗构件30的突部35分别以按压状态与被处理物W的被处理面Wa抵接,被处理物W的被处理面Wa与透光性窗构件30的基体部31的光射出面32之间的距离h成为一定的大小。在该状态下,通过压力调整机构适当控制了供给量的惰性气在灯收容室S1内被净化,并且供给量被适当控制的处理用气体在处理台10的处理用气体供给用贯通孔12中流通的过程中通过加热机构升温而被供给到处理室S2内。由此,维持灯收容室S1内的压力比处理室S2内的压力高的状态。在此,透光性窗构件30对被处理物W的按压力例如为1000N/m2左右。被供给到处理室S2内的处理用气体,在通过透光性窗构件30的突部35形成在透光性窗构件30的基体部31的光射出面32与被处理物W的被处理面Wa之间的间隙中,沿着该光射出面32及被处理面Wa流通。
并且,通过点亮各紫外线射出灯25,来自该紫外线射出灯25的真空紫外线经由透光性窗构件30朝向被处理物W照射。由此,通过到达被处理物W的被处理面Wa的真空紫外线及由真空紫外线生成的臭氧及活性氧,进行被处理物W的被处理面Wa的处理。
并且,在上述的光照射装置中,透光性窗构件30的各突部35的前端面以按压状态与被处理物W的被处理面Wa抵接。因此,根据上述结构的光照射装置,被处理物W本身所具有的弯曲等变形被矫正,由此能够在透光性窗构件30的基体部31的光射出面32与被处理物W的被处理面Wa之间的距离h在被处理物W的被处理面Wa的整个区域被设置成一定大小的状态下进行处理。因此,能够使照射到被处理物W的被处理面Wa的真空紫外线的强度实质上均匀,并且能够使通过真空紫外线生成的臭氧的浓度实质上均匀,其结果能够对被处理物W均匀地进行处理。
此外,通过透光性窗构件30的突部35在透光性窗构件30的基体部31的光射出面32与被处理物W的被处理面Wa之间形成的间隙中流通处理用气体,因此能够使被处理物W的被处理面Wa上的氧浓度大致一定,因此能够稳定地生成臭氧及活性氧,能够稳定地进行被处理物W的处理。
此外,通过压力调整机构维持灯收容室S1内的压力比处理室S2内的压力高的状态,从而除了透光性窗构件30的自重的按压力以外,还通过该压力差所引起的按压力来按压被处理物W,从而矫正被处理物W的变形,因此能够更切实地得到上述效果。
以上,说明了本发明的光照射装置的实施方式,但本发明不限定于上述实施方式,能够实施各种变更。
例如,图1所示的光照射装置是所谓的一齐照射型的结构,但如图2所示也可以是扫描型的结构。
该光照射装置具备保持被处理物W的保持装置40、具备紫外线射出灯25a的光源单元20a、以及使光源单元20a及保持装置40中的一方相对于另一方在水平方向上相对移动的驱动机构(未图示)。在该例子中,例如是保持装置40通过驱动机构相对于光源单元20a在水平方向上移动的结构。用空心箭头表示保持装置40的移动方向。
在具有平坦的被处理物载置面11的处理台10上装卸自如地安装划分具有向上方开口的开口部的处理室S2的透光窗保持框41,进一步构成透光窗的透光性窗构件30被设置成气密地堵塞透光窗保持框41的开口部的状态,从而构成保持装置40。在处理台10中,向处理室S2内供给预定的氧浓度的处理用气体的处理用气体供给用贯通孔12及气体排出用贯通孔13形成于在保持装置40的移动方向(传送方向)上彼此分离的位置。在此,被处理物W配置在处理用气体供给用贯通孔12与气体排出用贯通孔13之间的位置。
透光性窗构件30例如使用具有与图1所示的光照射装置的透光性窗构件相同结构的透光性窗构件,省略具体说明。
光源单元20a具备一方(图示的例子中为下方)开口的壳体21a、以及在该壳体21a内以灯中心轴水平延伸的姿势配置的紫外线射出灯25a。在壳体21a上设置有用于向壳体21a内流通惰性气体(例如氮气N2)的气体流路管22。
在这种扫描型的光照射装置中,为了得到高输出,作为紫外线射出灯25a,优选使用例如向特定方向照射光的方形的准分子灯。
在该光照射装置中,能够通过调整保持装置40的移动速度,优化真空紫外线对被处理物W的照射曝光量。
在这种扫描型的光照射装置中,可以设置成具备多个保持装置(处理台)的结构。在这种结构中,能够在对由一个保持装置保持的被处理物进行基于光源单元的真空紫外线的照射处理之前,预先通过其他工序在其他保持装置上进行被处理物的安装及处理用气体的供给,因此能够对多个被处理物进行连续的紫外线照射处理,能够提高生产率。
此外,在本发明的光照射装置中,透光窗不限定于图1及图2所示的结构。
例如,透光性窗构件中的突部可以是具有随着朝向前端、突部的通过与高度方向垂直的切面得到的截面积减小的形状的结构。具体地说,如图3的(a)所示,也可以是将透光性窗构件30a中的突部35a设置成球状或半球状的结构,或者如图3的(b)所示,也可以是将透光性窗构件30b中的突部35b设置成锥状(例如圆锥状)的结构。在这种结构的突部35a、35b中,突部35a、35b的前端部在被处理物W的被处理面Wa上实质上为点接触,因此能够减小突部35a、35b与被处理物W的接触面积,能够增大被处理面Wa上的通过真空紫外线及臭氧等能够处理的区域(有效处理区域)。
此外,透光窗不需要整体由平板状的透光性窗构件构成,例如如图4所示,也可以是具有整体弯曲成弧状的形态的结构。该透光性窗构件30c构成为,在弯曲成厚度t为一定大小的弧状的基体部31a的凸侧的表面(光射出面)32上,设置以按压状态与被处理物W的被处理面Wa抵接的多个突部35。该透光性窗构件30c如图4中虚线所示那样,在与被处理物W抵接的状态下成为平板状的形态。
这种透光性窗构件30c能够通过将在平面状的基体部的表面形成有突部的透光窗形成材料例如载置在向上方凸起的碳模中,并以预定的加热条件进行加热处理来得到。
根据这种结构的透光性窗构件30c,具有朝向被处理物W侧凸起的弯曲的形态,从而能够以强力按压被处理物W。即,例如若将平板状的透光性窗构件压向被处理物W,则两者虽然成为紧贴的状态,但由于向被处理物W与透光性窗构件之间供给处理用气体,因此向透光性窗构件施加有处理用气体的压力。在处理用气体的压力为与透光性窗构件的灯侧的气氛(灯收容室内)的压力相同或其以上的大小的情况下,透光性窗构件由于通常其周缘部被固定地设置,因此成为该透光性窗构件的中央部向灯侧凸起的形态。因此,通过透光性窗构件按压被处理物的效果减低或无法获得。然而,通过透光性窗构件30c具有朝向被处理物W侧凸起的弯曲的形态,透光性窗构件30c本身具有能够抵抗因处理用气体的供给而发挥作用的气压的按压力,因此能够切实地按压被处理物W。因此,根据这种结构的透光性窗构件30c,能够切实地获得上述效果。
此外,介于透光窗与被处理物之间的被处理物按压用隔离件不是必须由透光窗的一部分构成,如上所述,例如也可以由与透光窗不同的其他构件构成。
图5是概略地表示本发明的光照射装置的其他例的保持装置的结构的截面图,(a)是用沿着处理用气体的流通方向的平面切断的铅垂方向截面图,(b)是用与处理用气体的流通方向正交的平面切断的铅垂方向截面图。
在该光照射装置的保持装置40a中,在处理台10a上所配置的被处理物W的表面(被处理面)Wa上,彼此不重叠地配置有构成被处理物按压用隔离件的多根线材70,构成透光窗的平板状的透光性窗构件45经由线材70相对于被处理物W以按压状态被配置。从而,通过各线材70,透光性窗构件45的光射出面46与被处理物W的被处理面Wa之间的距离h被设为一定的大小。各线材70的两端部被透光性窗构件45和透光窗保持框41a夹持而保持,在该例子中,各线材70在彼此分离的位置被配置成沿着处理用气体的流通方向(图5的(a)中左右方向)平行延伸。在图5的(a)、(b)中,42为窗固定构件,43为基台。
各线材70例如可以由金属制的金属线(Wire)构成。
如上所述考虑到同透光性窗构件45的光射出面46与被处理物W的被处理面Wa之间的距离h的大小的关系,线材70的线径优选为例如φ1mm以下,特别优选φ0.5mm以下。
以上说明中,在由线材构成被处理物按压用隔离件的情况下,线材的保持方法没有特别限定,例如如图6的(a)、(b)所示,也可以构成通过共同的线材保持构件75保持多根线材70的构造体,并保持该构造体。该例子中的线材保持构件75在向上下方向开口的框体76中的彼此对置的一对周壁的另一个开口缘部形成向外方突出的凸缘部77而成,在框体76的一个开口部拉伸设置有多个线材70。并且,线材保持构件75的凸缘部77被基台43和透光窗保持框41a夹持而固定,由此构成透光窗的平板状的透光性窗构件45经由线材70相对于被处理物W以按压状态被配置。
此外,线材70不需要拉伸设置成直线状延伸,也可以在同一平面内例如弯曲设置以不阻碍处理用气体的流通。此外,线材70的根数也没有特别限定。
此外,如图7所示,被处理物按压用隔离件还可以由平板片构成。在该例子中,在处理台10a的四周配置有工件按压构件80a、80b。各工件按压构件80a、80b是具有与处理台10a的周侧面对接而定位的垂直板片81、以及卡止于被处理物W的表面(被处理面)Wa的周缘部的水平板片82的“L”字型的构件。
如上所述考虑到透光性窗构件45的光射出面46与被处理物W的被处理面Wa之间的距离h的大小的关系,各工件按压构件80a、80b中的水平板片82的厚度优选为例如φ1mm以下,特别优选φ0.5mm以下。
并且,位于处理用气体的流通方向上的彼此对置的一对工件按压构件80a中,在水平板片82上相互分离形成有处理用气体流通用的多个缺口部83,由此,舌片状的按压部84形成为梳的齿状。平板状的透光性窗构件45相对于被处理物W以按压状态被配置,从而各工件按压构件80a、80b的水平板片82被透光性窗构件45和处理台10a夹持而保持。从而,工件按压构件80a、80b中的水平板片82作为被处理物按压用隔离件而发挥作用,并形成有透光性窗构件45的光射出面46与被处理物W的被处理面Wa之间的距离为一定大小的间隙。
这样,在被处理物按压用隔离件由线材或平板片构成的情况下,也能够矫正被处理物W本身所具有的弯曲等变形,因此能够获得上述效果。
此外,在本发明的光照射装置中,在更换被处理物时,由于需要使透光窗与被处理物分离,因此例如在图1所示的光照射装置中,可以设置成还具备能够将光源单元20及处理台10中的一方相对于另一方在铅垂方向上相对驱动的驱动机构的结构。根据这种结构,能够容易地进行被处理物W的更换,并且通过驱动机构能够使透光性窗构件30中的突部35切实地以按压状态与被处理物W的被处理面Wa抵接,从而能够切实地将透光性窗构件30的基体部31的光射出面32与被处理物W的被处理面Wa之间的距离(间隙的厚度)设为一定的大小。
以下,说明为了确认本发明的效果而进行的实验例。
<实验例1>
参照图1所示的结构,制作了具有以下规格的本发明的光照射装置。
[处理台(10)]
尺寸:650×650mm,厚度20mm
材质:铝
[加热机构]
在被处理物的被处理面的温度成为150℃的加热条件下动作的电阻加热器
[光源单元(20)]
紫外线射出灯(25):发光长度为700mm、外径为φ40的氙准分子灯
紫外线射出灯的数量:5根
输入电力:500W
[透光性窗构件(30)]
基体部的尺寸:550×550mm,厚度7mm
基体部的材质:石英玻璃
突部的尺寸:φ0.3mm,高度0.2mm(圆柱状)
突部的形成图案:正方格子状,间距50mm
突部的材质:石英玻璃
透光性窗构件的基体部的光射出面与处理台的被处理物载面之间的距离:0.4mm(计算上的透光性窗构件的基体部的光射出面与被处理物的被处理面之间的距离:0.2mm)
透光性窗构件对被处理物的按压力:约1000N/m2
[处理用气体供给机构]
处理用气体:氧浓度100%
处理用气体的供给量:10升/min
处理室内的压力(表压):300Pa
[惰性气体供给机构]
惰性气体:氮气
惰性气体的供给量:约100升/min
灯收容室内的压力(表压):400Pa
并且,作为被处理物,使用在厚度为0.1mm的铜箔上形成有厚度为0.1mm的绝缘层而成的印刷基板材料(厚度0.2mm)中形成多个通孔而得到的被处理物。该印刷基板材料的尺寸为500mm×500mm,通孔的孔径为φ0.05mm。
使用上述的光照射装置,照射30分钟的真空紫外线,从而进行印刷基板材料的去污处理,结果确认了能够将附着在通孔的上部、侧壁或底部的污迹全部去除。
<比较实验例1>
参照图8所示的结构,制作了除了使用没有突部的平板状的透光性窗构件作为透光窗以外具有与实验例1中所制作的光照射装置相同结构的比较用的光照射装置。
在该比较用的光照射装置中,将透光性窗构件的光射出面与处理台的被处理物载面之间的距离设为2.2mm(计算上,透光性窗构件的光射出面与印刷基板材料的被处理面之间的距离为0.2mm)。
使用该比较用的光照射装置,通过与实验例1同样的方法进行了印刷基板材料的去污处理,其结果确认了在一部分通孔的底部残留有污迹。认为其原因在于,实际上印刷基板材料具有起伏等,因此无法在被处理面的整个区域上将透光性窗构件的光射出面与印刷基板材料的被处理面之间的距离(间隙)设为一定,无法进行均匀的处理。实际上位于印刷基板材料的起伏的凹部分的通孔中残留有污迹,推测为由于该区域的间隙的大小比其他区域的间隙大,因此没有充分得到真空紫外线及臭氧(或活性氧)的作用。
符号说明
10、10a 处理台
11 被处理物载置面
12 处理用气体供给用贯通孔
13 气体排出用贯通孔
15 隔离构件
16 密封构件
20、20a 光源单元
21、21a 壳体
22 气体流路管
25、25a 紫外线射出灯
26 反射镜
30、30a、30b、30c 透光性窗构件
31、31a 基体部
32 光射出面
35、35a、35b 突部
40、40a 保持装置
41、41a 透光窗保持框
42 窗固定构件
43 基台
45 透光性窗构件
46 光射出面
50 光源单元
51 壳体
52 透光性窗构件
52a 光射出面
55 紫外线射出灯
56 反射镜
60 处理台
61 被处理物载置面
62 处理用气体供给用贯通孔
63 处理用气体排出用贯通孔
65 隔离构件
66 密封构件
70 线材
75 线材保持构件
76 框体
77 凸缘部
80a、80b 工件按压构件
81 垂直板片
82 水平板片
83 缺口部
84 按压部
W 被处理物(工件)
Wa 被处理面
S1 灯收容室
S2 处理室
h 光射出面与被处理面之间的距离

Claims (11)

1.一种光照射装置,具备:紫外线射出灯,对配置在氧气氛下的被处理物射出真空紫外光;和透光窗,配置在上述被处理物与上述紫外线射出灯之间,透射来自该紫外线射出灯的真空紫外光,上述光照射装置的特征在于,
在上述透光窗与上述被处理物之间,设置有以对上述被处理物按压的状态被配置的被处理物按压用隔离件,
上述被处理物按压用隔离件以该透光窗的光射出侧的表面与该被处理物的表面之间的距离在该被处理物的表面的整个区域为一定大小的方式形成间隙。
2.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
具备压力调整机构,在动作时,将上述透光窗的紫外线射出灯侧的气氛的压力维持在比上述被处理物侧的气氛的压力高的状态。
3.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
上述透光窗是在具有一定大小的厚度的基体部的光射出侧的表面上设置以按压状态与上述被处理物的表面抵接的多个突部而构成的,
上述被处理物按压用隔离件由该多个突部构成。
4.根据权利要求3所述的光照射装置,其特征在于,
上述被处理物按压用隔离件由玻璃或金属制的金属线构成。
5.根据权利要求3或4所述的光照射装置,其特征在于,
上述透光窗的基体部具有朝向上述被处理物侧凸起的弯曲的形态。
6.根据权利要求3或4所述的光照射装置,其特征在于,
具备处理用气体供给机构,该处理用气体供给机构向通过上述透光窗的突部在该透光窗的基体部的光射出侧的表面与被处理物的表面之间形成的间隙,供给含有预定浓度的氧的处理用气体。
7.根据权利要求3或4所述的光照射装置,其特征在于,
上述透光窗中的突部由透射上述真空紫外光的透光性材料构成。
8.根据权利要求3或4所述的光照射装置,其特征在于,
上述透光窗中的突部具有该突部的通过与高度方向垂直的切面得到的截面积随着朝向前端而减小的形状。
9.根据权利要求1或2所述的光照射装置,其特征在于,
上述被处理物按压用隔离件由彼此不重叠地拉伸设置在上述被处理物的表面的多个线材构成。
10.根据权利要求1或2所述的光照射装置,其特征在于,
上述被处理物按压用隔离件由配设在上述被处理物的表面的周缘部上的平板片构成。
11.根据权利要求1或2所述的光照射装置,其特征在于,
具备保持上述被处理物的保持装置,在该保持装置上设置有对上述被处理物进行加热的加热机构。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160330846A1 (en) * 2014-01-20 2016-11-10 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Desmear treatment device
JP6450333B2 (ja) * 2015-04-30 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム
JP6597323B2 (ja) * 2016-01-08 2019-10-30 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置および紫外線処理方法
JP2017163066A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 ウシオ電機株式会社 光処理装置、および被処理物体の表面と窓部材との間隔調整方法
JP2017187596A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 ウシオ電機株式会社 表面処理方法およびマスク並びに表面処理装置
JP6728911B2 (ja) * 2016-04-08 2020-07-22 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置
JP7003431B2 (ja) * 2017-04-06 2022-01-20 ウシオ電機株式会社 光照射装置
WO2019131144A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 東京エレクトロン株式会社 光照射装置
JP7091121B2 (ja) 2018-04-18 2022-06-27 信越石英株式会社 石英ガラス板
JP7071200B2 (ja) * 2018-04-24 2022-05-18 キヤノン株式会社 成形装置及び物品の製造方法
DE102018210064A1 (de) * 2018-06-21 2019-12-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum lokalen Entfernen und/oder Modifizieren eines Polymermaterials auf einer Oberfläche
JP6702490B2 (ja) * 2019-08-21 2020-06-03 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置
DE102019214074A1 (de) * 2019-09-16 2021-03-18 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum lokalen Entfernen und/oder Modifizieren eines Polymermaterials auf einer Oberfläche

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456603A (zh) * 2010-10-21 2012-05-16 富士电机株式会社 半导体器件制造方法和制造装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2948110B2 (ja) 1994-09-19 1999-09-13 ウシオ電機株式会社 被処理物体表面または当該表面上の物質を減圧下で酸化する方法
JPH10199854A (ja) * 1997-01-08 1998-07-31 Sony Corp ウエハ乾燥機構
JPH11231554A (ja) 1998-02-19 1999-08-27 Fujitsu Ltd レジスト剥離方法とその装置
JP2000180598A (ja) * 1998-12-15 2000-06-30 Ushio Inc 紫外線照射装置
JP3624116B2 (ja) * 1999-04-15 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP2002324821A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の圧着装置及び圧着方法
JP4003540B2 (ja) * 2001-05-30 2007-11-07 ヤマハ株式会社 基板処理方法と装置
US6597003B2 (en) * 2001-07-12 2003-07-22 Axcelis Technologies, Inc. Tunable radiation source providing a VUV wavelength planar illumination pattern for processing semiconductor wafers
JP2003047842A (ja) * 2001-08-09 2003-02-18 Saito Toshiyuki 紫外線照射装置と照射方法
JP2005286162A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Sprout Co Ltd 基板処理装置およびその処理方法
US7894055B2 (en) * 2004-08-26 2011-02-22 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Flow-through, inlet-gas-temperature-controlled, solvent-resistant, thermal-expansion compensated cell for light spectroscopy
JP2006339485A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
KR101458251B1 (ko) * 2007-08-30 2014-11-05 텔 솔라 아게 박막 태양전지의 제조방법, 제조장치 및 박막 태양전지 시스템
JP2010034423A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Fujitsu Ltd 加圧加熱装置及び方法
WO2011062162A1 (ja) 2009-11-17 2011-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料処理装置、試料処理システム及び試料の処理方法
JP2011181535A (ja) 2010-02-26 2011-09-15 Ushio Inc 光処理装置および光処理方法
JP5646190B2 (ja) * 2010-03-12 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及び処理装置
JP2011192764A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Fujitsu Semiconductor Ltd 膜の除去方法及び膜除去用装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456603A (zh) * 2010-10-21 2012-05-16 富士电机株式会社 半导体器件制造方法和制造装置

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Publication number Publication date
KR20150122723A (ko) 2015-11-02
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CN105074882A (zh) 2015-11-18
WO2014156628A1 (ja) 2014-10-02
US9678428B2 (en) 2017-06-13
KR101689987B1 (ko) 2016-12-26
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