JPH11231554A - レジスト剥離方法とその装置 - Google Patents
レジスト剥離方法とその装置Info
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- JPH11231554A JPH11231554A JP3730298A JP3730298A JPH11231554A JP H11231554 A JPH11231554 A JP H11231554A JP 3730298 A JP3730298 A JP 3730298A JP 3730298 A JP3730298 A JP 3730298A JP H11231554 A JPH11231554 A JP H11231554A
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- far ultraviolet
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、パターン形成に用いられるレジ
ストの剥離技術に関し、特に微細パターン露光に対処し
て用いられるエキシマステッパ対応レジストの剥離方法
と、該レジストの剥離に用いる装置の構造に関し、レジ
スト残渣を短時間で完全に除去することを目的とする。 【解決手段】 基板上のレジストをレジスト剥離液を
用いて除去する工程と、次いで、酸素を含む雰囲気中で
前記基板にエキシマバリアランプ等を用いて、遠紫外線
を照射して該基板上に残留したレジスト残渣を除去する
工程とを含む。また、レジストを剥離する装置は、レジ
スト剥離液を用いて基板上のレジストを剥離するレジス
ト剥離装置と、基板上に遠紫外線を照射する遠紫外線照
射装置と、基板を出し入れするための基板搬送装置とを
有する。
ストの剥離技術に関し、特に微細パターン露光に対処し
て用いられるエキシマステッパ対応レジストの剥離方法
と、該レジストの剥離に用いる装置の構造に関し、レジ
スト残渣を短時間で完全に除去することを目的とする。 【解決手段】 基板上のレジストをレジスト剥離液を
用いて除去する工程と、次いで、酸素を含む雰囲気中で
前記基板にエキシマバリアランプ等を用いて、遠紫外線
を照射して該基板上に残留したレジスト残渣を除去する
工程とを含む。また、レジストを剥離する装置は、レジ
スト剥離液を用いて基板上のレジストを剥離するレジス
ト剥離装置と、基板上に遠紫外線を照射する遠紫外線照
射装置と、基板を出し入れするための基板搬送装置とを
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパターン形成に用い
られるレジストの剥離技術に関し、特に微細パターン露
光に対処して用いられるエキシマステッパ対応レジスト
の剥離方法と、該レジストの剥離に用いる装置の構造に
関する。
られるレジストの剥離技術に関し、特に微細パターン露
光に対処して用いられるエキシマステッパ対応レジスト
の剥離方法と、該レジストの剥離に用いる装置の構造に
関する。
【０００２】０．３μｍ以下の微細パターンの加工に用
いるエキシマステッパ対応のレジストは、化学増幅型の
レジストが主に用いられている。このレジストは従来の
レジストと異なり、露光・現像後のレジスト剥離が容易
ではなく、レジスト残渣が発生しやすい。
いるエキシマステッパ対応のレジストは、化学増幅型の
レジストが主に用いられている。このレジストは従来の
レジストと異なり、露光・現像後のレジスト剥離が容易
ではなく、レジスト残渣が発生しやすい。
【０００３】
【従来の技術】従来のレジストは有機溶剤等を主原料と
する剥離液で比較的容易に剥離をすることが出来たが、
化学増幅型レジストではレジスト残渣が発生しやすく、
完全なレジストの剥離除去がきわめて困難となってい
る。
する剥離液で比較的容易に剥離をすることが出来たが、
化学増幅型レジストではレジスト残渣が発生しやすく、
完全なレジストの剥離除去がきわめて困難となってい
る。
【０００４】また、レジスト剥離法としての前記の剥離
液を用いる方法の他に、酸素プラズマを用いる方法が考
えられるが、このような方法ではプラズマ処理中に基板
裏面にパーティクルが付着するため、さらに裏面ブラシ
スクラバを行う必要があった。
液を用いる方法の他に、酸素プラズマを用いる方法が考
えられるが、このような方法ではプラズマ処理中に基板
裏面にパーティクルが付着するため、さらに裏面ブラシ
スクラバを行う必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術では、
レジストの剥離にアッシングとブラシスクラバの二工程
を必要とし、剥離に時間がかかり、例えば従来のｉ線露
光の有機溶剤剥離と比較しても５倍の時間がかかる他、
設備費用もｉ線露光の３倍の費用が掛かっている。
レジストの剥離にアッシングとブラシスクラバの二工程
を必要とし、剥離に時間がかかり、例えば従来のｉ線露
光の有機溶剤剥離と比較しても５倍の時間がかかる他、
設備費用もｉ線露光の３倍の費用が掛かっている。
【０００６】この剥離に時間がかかるということは、ウ
ェーハロット毎にエキシマステッパの露光・現像条件を
設定するエキシマステッパの位置合わせパイロットにお
いても時間がかかり、エキシマステッパの稼働率に大き
な影響を及ぼす。
ェーハロット毎にエキシマステッパの露光・現像条件を
設定するエキシマステッパの位置合わせパイロットにお
いても時間がかかり、エキシマステッパの稼働率に大き
な影響を及ぼす。
【０００７】本発明は、エキシマステッパ露光・現像工
程において、位置合わせパイロットウエーハ等のレジス
ト剥離を、短時間で且つ低コストで行うことを可能とす
る方法ならびに装置を得ることを目的として提供される
ものである。
程において、位置合わせパイロットウエーハ等のレジス
ト剥離を、短時間で且つ低コストで行うことを可能とす
る方法ならびに装置を得ることを目的として提供される
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明においては、ウェーハ上の露光・現像済の
エキシマステッパ対応レジストを先ず、従来のｉ線露光
でも用いられていた有機溶剤からなるレジスト剥離液を
用い、パドル処理等でウェーハ上に剥離液を塗布する。
めに、本発明においては、ウェーハ上の露光・現像済の
エキシマステッパ対応レジストを先ず、従来のｉ線露光
でも用いられていた有機溶剤からなるレジスト剥離液を
用い、パドル処理等でウェーハ上に剥離液を塗布する。
【０００９】しばらくして、レジストの約９９％と、レ
ジストの大部分が除去された後、ウェーハ界面に生じた
残り約１％の薄いレジスト残渣を、遠紫外線を放射する
エキシマバリアランプで照射して、完全に除去する。
ジストの大部分が除去された後、ウェーハ界面に生じた
残り約１％の薄いレジスト残渣を、遠紫外線を放射する
エキシマバリアランプで照射して、完全に除去する。
【００１０】エキシマバリアランプは、波長１７２ｍｍ
の遠紫外線を出し、この遠紫外線によって空気中の酸素
が励起して、オゾンが発生する。このオゾンとレジスト
残渣とが反応して、残渣が除去されることとなる。
の遠紫外線を出し、この遠紫外線によって空気中の酸素
が励起して、オゾンが発生する。このオゾンとレジスト
残渣とが反応して、残渣が除去されることとなる。
【００１１】すなわち、レジスト剥離除去に際して、レ
ジスト残渣が残らず、短時間でのレジスト再生処理が可
能となる。
ジスト残渣が残らず、短時間でのレジスト再生処理が可
能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明に用いたエキシマス
テッパ対応レジスト剥離装置の模式平面図、図２は本発
明の一実施例の工程順模式断面図である。
テッパ対応レジスト剥離装置の模式平面図、図２は本発
明の一実施例の工程順模式断面図である。
【００１３】図において、１はウェーハ、２はウェーハ
チャック、３はノズル、４はレジスト剥離液、５は回転
軸、６はホットプレート、７はエキシマバリアランプ、
８は金属電極、９は金属網電極、10は石英管、11はプラ
ズマ放電、12はエキシマステッパ対応レジスト剥離装
置、13はウェーハキャリア、14は搬送レール、15はスピ
ンコータ、16は制御盤である。
チャック、３はノズル、４はレジスト剥離液、５は回転
軸、６はホットプレート、７はエキシマバリアランプ、
８は金属電極、９は金属網電極、10は石英管、11はプラ
ズマ放電、12はエキシマステッパ対応レジスト剥離装
置、13はウェーハキャリア、14は搬送レール、15はスピ
ンコータ、16は制御盤である。
【００１４】先ず、レジスト剥離装置の一例として本発
明に用いた装置の概要を図１により説明する。図１はボ
ックス型のエキシマステッパ対応レジスト剥離装置12の
平面図である。
明に用いた装置の概要を図１により説明する。図１はボ
ックス型のエキシマステッパ対応レジスト剥離装置12の
平面図である。
【００１５】前面は各条件項目の数値を設定する制御シ
ステムの制御盤16であり、左方にウェーハをロット毎に
収納したウェーハキャリア13が４基設けられている。装
置12の中央にはウェーハをスピンコータ15やホットプレ
ート６等の各ステーションに搬送する搬送アームが移動
するための搬送レール14がＴ字型に敷かれている。
ステムの制御盤16であり、左方にウェーハをロット毎に
収納したウェーハキャリア13が４基設けられている。装
置12の中央にはウェーハをスピンコータ15やホットプレ
ート６等の各ステーションに搬送する搬送アームが移動
するための搬送レール14がＴ字型に敷かれている。
【００１６】装置12の右方の前側には、搬送アームによ
り運ばれたウェーハをウェーハ毎にレジスト剥離液のパ
ドル塗布、及びレジスト剥離液のスピン除去を行うため
のスピンコータ15を二基備えている。
り運ばれたウェーハをウェーハ毎にレジスト剥離液のパ
ドル塗布、及びレジスト剥離液のスピン除去を行うため
のスピンコータ15を二基備えている。
【００１７】また、対面に当たる右方の後側にはホット
プレート６が三段に三列、計９基備えられ、ホットプレ
ート６上に近接してその上には平行にエキシマバリアラ
ンプ７が設けられている。
プレート６が三段に三列、計９基備えられ、ホットプレ
ート６上に近接してその上には平行にエキシマバリアラ
ンプ７が設けられている。
【００１８】次に、本発明の一実施例について、図２の
工程順模式断面図ならびに前述の図１の装置平面図によ
り説明する。０．１μｍの解像力を有する化学増幅型ボ
ジレジストが厚さ１μｍの厚さに塗布された後、位置合
わせ、露光、現像の各工程を終了した状態で前述のレジ
スト剥離装置12内のウェーハキャリア13に各ロット毎に
収納されている。
工程順模式断面図ならびに前述の図１の装置平面図によ
り説明する。０．１μｍの解像力を有する化学増幅型ボ
ジレジストが厚さ１μｍの厚さに塗布された後、位置合
わせ、露光、現像の各工程を終了した状態で前述のレジ
スト剥離装置12内のウェーハキャリア13に各ロット毎に
収納されている。
【００１９】先ず、この中から１枚のパイロットウェー
ハを搬送アーム上に載せて、スピンコータ15に搬送す
る。図２（ａ）に示すように、ウェーハチャック２上に
ウェーハ１を吸着固定した後、ウエーハ１の上方からノ
ズル３を用いて有機溶剤からなるレジスト剥離液４を滴
下し、図２（ｂ）に示すように、表面張力でウェーハ１
上を覆う。３０秒放置すると、レジストの大部分はレジ
スト剥離液４に溶解する。レジストが溶解したレジスト
剥離液４は、図２（ｃ）に示すように、ウェーハチャッ
ク２を回転させて、ウェーハ１上よりスピン除去する。
ハを搬送アーム上に載せて、スピンコータ15に搬送す
る。図２（ａ）に示すように、ウェーハチャック２上に
ウェーハ１を吸着固定した後、ウエーハ１の上方からノ
ズル３を用いて有機溶剤からなるレジスト剥離液４を滴
下し、図２（ｂ）に示すように、表面張力でウェーハ１
上を覆う。３０秒放置すると、レジストの大部分はレジ
スト剥離液４に溶解する。レジストが溶解したレジスト
剥離液４は、図２（ｃ）に示すように、ウェーハチャッ
ク２を回転させて、ウェーハ１上よりスピン除去する。
【００２０】レジスト剥離液４に用いる有機溶剤の例と
しては酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸
エチル、ＰＥＧＭＥＡ、ＰＥＧＭＥ、メトキシメチルプ
ロピオネート等が用いられる。また、レジストのレジス
ト剥離液４に浸す時間はレジストの種類や厚みにもよる
が１０秒から１０分の間である。
しては酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸
エチル、ＰＥＧＭＥＡ、ＰＥＧＭＥ、メトキシメチルプ
ロピオネート等が用いられる。また、レジストのレジス
ト剥離液４に浸す時間はレジストの種類や厚みにもよる
が１０秒から１０分の間である。
【００２１】実施例ではパドル方式としたが、レジスト
面へのレジスト剥離液４の塗布やウェーハ１のレジスト
剥離液４への浸漬の方法でも構わない。しかし、有機溶
剤の塗布や浸漬だけではウェーハ１上には極く薄い数拾
〜数百Åの厚さにレジスト残渣が残ってしまう。
面へのレジスト剥離液４の塗布やウェーハ１のレジスト
剥離液４への浸漬の方法でも構わない。しかし、有機溶
剤の塗布や浸漬だけではウェーハ１上には極く薄い数拾
〜数百Åの厚さにレジスト残渣が残ってしまう。
【００２２】そこで、本発明では、図１に示すように、
ウェーハ１をスピンコータ15から再び搬送アームで対面
のホットプレート６上に搬送し、ホットプレート６上に
載置する。このホットプレート６は予め１１０℃に加熱
されている。
ウェーハ１をスピンコータ15から再び搬送アームで対面
のホットプレート６上に搬送し、ホットプレート６上に
載置する。このホットプレート６は予め１１０℃に加熱
されている。
【００２３】ウェーハ１の加熱時間もレジストの種類や
厚さ等で異なるが、一般的には８０〜２００℃の範囲で
ある。図２（ｄ）に示すように、ウェーハ１がホットプ
レート６に載せられると同時にウェーハ１の面から僅か
０．５ｍｍの距離にあるエキシマバリアランプ７が点灯
され、１００ｍＷで放電させると、金属電極８と金属網
電極９に挟まれた石英管10内のキセノンガスがプラズマ
となり、１７２ｎｍの波長の遠紫外線を発生する。
厚さ等で異なるが、一般的には８０〜２００℃の範囲で
ある。図２（ｄ）に示すように、ウェーハ１がホットプ
レート６に載せられると同時にウェーハ１の面から僅か
０．５ｍｍの距離にあるエキシマバリアランプ７が点灯
され、１００ｍＷで放電させると、金属電極８と金属網
電極９に挟まれた石英管10内のキセノンガスがプラズマ
となり、１７２ｎｍの波長の遠紫外線を発生する。
【００２４】するとウェーハ１上に存在する空気中の酸
素がオゾンに活性化され、わずかに残っていたレジスト
残渣がオゾンで分解され、除去されることとなる。エキ
シマバリアランプ７をウェーハ１の面に近づける距離も
レジストの種類等によるが、０．１〜２ｍｍまで近づけ
て、パワー加熱も１ｍｗ〜１０００ｍＷ／ｃｍ2 の範囲
で行うと、波長１７２ｎｍの遠紫外線が照射されて、ウ
ェーハ１上に残ってレジストがオゾンと反応して分解除
去される。
素がオゾンに活性化され、わずかに残っていたレジスト
残渣がオゾンで分解され、除去されることとなる。エキ
シマバリアランプ７をウェーハ１の面に近づける距離も
レジストの種類等によるが、０．１〜２ｍｍまで近づけ
て、パワー加熱も１ｍｗ〜１０００ｍＷ／ｃｍ2 の範囲
で行うと、波長１７２ｎｍの遠紫外線が照射されて、ウ
ェーハ１上に残ってレジストがオゾンと反応して分解除
去される。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機溶剤でエキシマステッパ対応レジストを除去した後
で、残留したレジスト残渣をエキシマバリアランプで照
射すれば、ウェーハの背面スクラブを必要とせず、短時
間で簡単にレジスト剥離が出来、遠紫外線露光のパイロ
ット条件設定等に必要なレジスト除去の工程を少ない装
置、短い工程で効率良く行うことが出来る。
有機溶剤でエキシマステッパ対応レジストを除去した後
で、残留したレジスト残渣をエキシマバリアランプで照
射すれば、ウェーハの背面スクラブを必要とせず、短時
間で簡単にレジスト剥離が出来、遠紫外線露光のパイロ
ット条件設定等に必要なレジスト除去の工程を少ない装
置、短い工程で効率良く行うことが出来る。
【図１】 本発明に用いた装置の模式平面図
【図２】 本発明の一実施例の工程順模式断面図
図において、 １ ウェーハ ２ ウェーハチャック ３ ノズル ４ レジスト剥離液 ５ 回転軸 ６ ホットプレート ７ エキシマバリアランプ ８ 金属電極 ９ 金属網電極 10 石英管 11 プラズマ放電 12 エキシマステッパ対応レジスト剥離装置 13 ウェーハキャリア 14 搬送レール 15 スピンコータ 16 制御盤
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上のレジストをレジスト剥離液を
用いて除去する工程と、 次いで、酸素を含む雰囲気中で前記基板に遠紫外線を照
射して該基板上に残留したレジスト残渣を除去する工程
とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項２】 エキシマバリアランプを用いて前記遠
紫外線を照射することを特徴とする請求項１記載のレジ
スト剥離方法。 - 【請求項３】 前記酸素を含む雰囲気として大気を用
いることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離方
法。 - 【請求項４】 前記レジストとしてエキシマステッパ
用レジストを用いることを特徴とする請求項１〜３記載
のレジスト剥離方法。 - 【請求項５】 レジスト剥離液を用いて基板上のレジ
ストを剥離するレジスト剥離装置と、 基板上に遠紫外線を照射する遠紫外線照射装置と、 前記レジスト剥離装置と前記遠紫外線照射装置に基板を
出し入れするための基板搬送装置とを有することを特徴
とするレジスト剥離装置。 - 【請求項６】 前記遠紫外線照射装置には基板を昇温
するヒータがついていることを特徴とする請求項５記載
のレジスト剥離装置。 - 【請求項７】 前記遠紫外線照射装置はエキシマバリ
アランプであることを特徴とする請求項５または６記載
のレジスト剥離装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3730298A JPH11231554A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | レジスト剥離方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3730298A JPH11231554A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | レジスト剥離方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11231554A true JPH11231554A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12493919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3730298A Withdrawn JPH11231554A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | レジスト剥離方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11231554A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353196A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Shibaura Mechatronics Corp | レジスト剥離方法及び剥離装置 |
| KR20150122723A (ko) | 2013-03-28 | 2015-11-02 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
| KR20160022943A (ko) | 2013-09-13 | 2016-03-02 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP3730298A patent/JPH11231554A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353196A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Shibaura Mechatronics Corp | レジスト剥離方法及び剥離装置 |
| JP4700224B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2011-06-15 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | レジスト剥離装置 |
| KR20150122723A (ko) | 2013-03-28 | 2015-11-02 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
| US9678428B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-06-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Light irradiating appatarus |
| KR20160022943A (ko) | 2013-09-13 | 2016-03-02 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
| US9616469B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-04-11 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Light projection device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |