JPS61138952A - レジスト膜の剥離方法 - Google Patents
レジスト膜の剥離方法Info
- Publication number
- JPS61138952A JPS61138952A JP26232284A JP26232284A JPS61138952A JP S61138952 A JPS61138952 A JP S61138952A JP 26232284 A JP26232284 A JP 26232284A JP 26232284 A JP26232284 A JP 26232284A JP S61138952 A JPS61138952 A JP S61138952A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- substrate
- oxygen
- resist
- peeled
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジス）ＩＩ＞の剥離方法であって、特にレジ
スト膜が被着された基板を加熱を行ないながら、大気中
の酸素雰囲気中で紫外線を投射することにより、レジス
ト膜の気化を促進して、基板上のレジスト膜を極めて効
率的に剥離させる方法に関するものである。
スト膜が被着された基板を加熱を行ないながら、大気中
の酸素雰囲気中で紫外線を投射することにより、レジス
ト膜の気化を促進して、基板上のレジスト膜を極めて効
率的に剥離させる方法に関するものである。
半導体装置をはじめ多くの産業の分野で基板にバターニ
ングをするためにレジスト膜が使用されているが、この
レジスト膜を効率的、且つ清浄な製造工程で行ない、更
に容易な方法で剥離を達成できることは、バターニング
の製造工程の合理化 −と品質向上面で極めて重要であ
り、多くの方法が提案されているが、本発明はレジスト
膜を大気中で酸素雰囲気で紫外線を照射してレジスト膜
の剥離を行っているが、本発明は更にレジスト膜を加熱
することにより、レジスト膜を容易に気化させて除去を
可能とする極めて効率的な製造方法を提案するものであ
る。
ングをするためにレジスト膜が使用されているが、この
レジスト膜を効率的、且つ清浄な製造工程で行ない、更
に容易な方法で剥離を達成できることは、バターニング
の製造工程の合理化 −と品質向上面で極めて重要であ
り、多くの方法が提案されているが、本発明はレジスト
膜を大気中で酸素雰囲気で紫外線を照射してレジスト膜
の剥離を行っているが、本発明は更にレジスト膜を加熱
することにより、レジスト膜を容易に気化させて除去を
可能とする極めて効率的な製造方法を提案するものであ
る。
第３図は、従来行われているレジス）１１％の被着から
剥離迄の主要製造工程のフローチャート図である。
剥離迄の主要製造工程のフローチャート図である。
通常、基板の表面には厚みが約１ｐＨ＋程度にレジスト
膜が被着され、パターニング用マスクを通して、例えば
Ｘｅ−Ｈｇランプによる照射により適正時間の露光が行
われる。
膜が被着され、パターニング用マスクを通して、例えば
Ｘｅ−Ｈｇランプによる照射により適正時間の露光が行
われる。
露光が完了したレジスト膜は現像が行われて所定のバタ
ーニングが形成された後、レジスト膜のエツチングが行
なわれるが、エンチング方法には、ウェットエツチング
、又はドライエツチングなどのエツチング処理がなされ
る。
ーニングが形成された後、レジスト膜のエツチングが行
なわれるが、エンチング方法には、ウェットエツチング
、又はドライエツチングなどのエツチング処理がなされ
る。
その後にレジスト膜の剥離が行なわれるが、通寓の製造
工程における剥離の条件は、ウェット法では、硫酸と過
酸化水素の混合液を１００℃の温度に加熱し、その溶液
の中にレジスト膜を被着した基板を浸漬することにより
レジスト膜を剥離除去する方法が採用されているが、こ
の場合は水溶液に基板が直接浸漬されるために、基板が
汚染される不利があり、又洗浄等の工程が付加されて不
便である。
工程における剥離の条件は、ウェット法では、硫酸と過
酸化水素の混合液を１００℃の温度に加熱し、その溶液
の中にレジスト膜を被着した基板を浸漬することにより
レジスト膜を剥離除去する方法が採用されているが、こ
の場合は水溶液に基板が直接浸漬されるために、基板が
汚染される不利があり、又洗浄等の工程が付加されて不
便である。
又、レジスト膜を剥離する他の方法として、真空中にレ
ジスト膜を被着した基板を配置して、その真空内に約１
０ｍｍＴｏｒｒ程度の少量の酸素ガスを導入した後、高
周波電圧を印加することにより、酸素プラズマの雰囲気
が形成され、この酸素プラズマとレジスト膜が酸化反応
してレジスト膜の剥離を行なう方法があるが、この酸素
プラズマ雰囲気中でのレジスト膜の剥離は、基板を真空
容器に格納してから一旦真空にし、しかる後酸素を導入
してプラズマ反応をさせるなどの複雑性とプラズマ装置
の取扱いの点で製造工程が不利になるという欠点がある
。
ジスト膜を被着した基板を配置して、その真空内に約１
０ｍｍＴｏｒｒ程度の少量の酸素ガスを導入した後、高
周波電圧を印加することにより、酸素プラズマの雰囲気
が形成され、この酸素プラズマとレジスト膜が酸化反応
してレジスト膜の剥離を行なう方法があるが、この酸素
プラズマ雰囲気中でのレジスト膜の剥離は、基板を真空
容器に格納してから一旦真空にし、しかる後酸素を導入
してプラズマ反応をさせるなどの複雑性とプラズマ装置
の取扱いの点で製造工程が不利になるという欠点がある
。
他の新しい剥離の方法として、酸素雰囲気中でレジスト
膜を紫外線で照射することにより、レジスト膜が気化し
て同様に剥離が成されることが報告されている。
膜を紫外線で照射することにより、レジスト膜が気化し
て同様に剥離が成されることが報告されている。
第４図はこの方法を説明するための模式斜視図である。
レジスト膜１が被着された基板２があり、その周囲から
、基板表面を酸素ガスの気流が覆うように、矢印のよう
に酸素ガス３を噴射する＃を素ガス噴射配管４が基板の
周囲に配置されている。
、基板表面を酸素ガスの気流が覆うように、矢印のよう
に酸素ガス３を噴射する＃を素ガス噴射配管４が基板の
周囲に配置されている。
又、基板の上部には紫外線の照射装置５があり、例えば
水銀灯等が使用されるが、これによって基板表面は約２
０００人の波長の紫外Ｉｊ！ ６を１０ｍＷ／ ｃＡの
割合で矢印のように照射される。
水銀灯等が使用されるが、これによって基板表面は約２
０００人の波長の紫外Ｉｊ！ ６を１０ｍＷ／ ｃＡの
割合で矢印のように照射される。
このようにすると、レジスト膜を取り巻く大気の酸素が
オゾンになり、このオゾンがレジスト膜の主、成分であ
る炭水化物成分と強力に反応することにより、レジスト
膜が炭酸ガスと水分に分解してしまい、これらが容易に
気化することにより、レジスト膜が除去されるが、この
レジスト膜の除去方法では、比較的剥離に長時間を要し
経済的でない。
オゾンになり、このオゾンがレジスト膜の主、成分であ
る炭水化物成分と強力に反応することにより、レジスト
膜が炭酸ガスと水分に分解してしまい、これらが容易に
気化することにより、レジスト膜が除去されるが、この
レジスト膜の除去方法では、比較的剥離に長時間を要し
経済的でない。
上記の構成のレジスト膜の剥離方法においては、基板を
液体に浸漬するか、真空中で酸素プラズマ中で処理をす
るか、又は大気中の酸素雰囲気で紫外線を照射するため
に、基板の清浄性や製造工程の複雑性、又時間が掛りす
ぎる等が問題点であり、そのためにレジスト膜を被着し
た基板の品質の低下の懸念や、又剥離装置や製造工程が
複雑になり経済性の点で不具合を生ずる。
液体に浸漬するか、真空中で酸素プラズマ中で処理をす
るか、又は大気中の酸素雰囲気で紫外線を照射するため
に、基板の清浄性や製造工程の複雑性、又時間が掛りす
ぎる等が問題点であり、そのためにレジスト膜を被着し
た基板の品質の低下の懸念や、又剥離装置や製造工程が
複雑になり経済性の点で不具合を生ずる。
本発明は上記問題点を解消したレジスト膜の剥離方法を
提供するもので、その手段は、レジスト膜を被着した基
板を大気中で酸素雰囲気中に配置し、該基板に紫外線を
投射することにより該レジス［％を剥離する方法におい
て、上記基板を加熱台に配置して加熱しながら該レジス
ト膜を剥離するようにしたことを特徴とするレジスト膜
の剥離方法によって達成できる。
提供するもので、その手段は、レジスト膜を被着した基
板を大気中で酸素雰囲気中に配置し、該基板に紫外線を
投射することにより該レジス［％を剥離する方法におい
て、上記基板を加熱台に配置して加熱しながら該レジス
ト膜を剥離するようにしたことを特徴とするレジスト膜
の剥離方法によって達成できる。
本発明は、基板に被着されたレジスト膜を除去する方法
として、レジスト膜を被着した基板を大気中で酸素雰囲
気中におき、その基板のレジスト膜の表面に紫外線を投
射することにより行われて射るが、特にレジスト膜を加
熱することにより、極めて短時間でレジス）１％が気化
して除去されることが判り、レジスト膜の温度を高温に
してｒ！！１１棄雰囲気中で紫外線を照射するようにし
てレジスト膜の除去時間を大幅に短縮できるように考慮
したものである。
として、レジスト膜を被着した基板を大気中で酸素雰囲
気中におき、その基板のレジスト膜の表面に紫外線を投
射することにより行われて射るが、特にレジスト膜を加
熱することにより、極めて短時間でレジス）１％が気化
して除去されることが判り、レジスト膜の温度を高温に
してｒ！！１１棄雰囲気中で紫外線を照射するようにし
てレジスト膜の除去時間を大幅に短縮できるように考慮
したものである。
第１図は本発明の詳細な説明するためのレジストＭ＊除
去装置の模式断面図である。
去装置の模式断面図である。
表面にレジスト膜１１が被着された基板１２が加熱台１
３上にあり、その周囲から基板表面を酸素ガスの気流が
覆うように、矢印のように酸素ガス１４を噴射する酸素
ガス噴射配管１５が基板の周囲に配置されている。
３上にあり、その周囲から基板表面を酸素ガスの気流が
覆うように、矢印のように酸素ガス１４を噴射する酸素
ガス噴射配管１５が基板の周囲に配置されている。
基板の上部には紫外線の照射装置１６があり、例えば水
銀灯等が使用されるが、これによって基板表面は約２０
００人の波長の紫外線１７を１０ｍＷ／ ｃＩＡの割合
で矢印のように照射される。
銀灯等が使用されるが、これによって基板表面は約２０
００人の波長の紫外線１７を１０ｍＷ／ ｃＩＡの割合
で矢印のように照射される。
又、基板が配置される加熱台１３の内部には、ヒータ】
８があり、それにより基板の温度を上昇させることが可
能である。
８があり、それにより基板の温度を上昇させることが可
能である。
このような装置によって、レジスト膜のエツチング剥離
を行うことができるが、この場合には下記のような化学
反応が基板上のレジスト膜面で行われる。 ′ ０２→０３ （酸素が紫外線によりオゾンに変化する。
を行うことができるが、この場合には下記のような化学
反応が基板上のレジスト膜面で行われる。 ′ ０２→０３ （酸素が紫外線によりオゾンに変化する。
）
このオゾンガスがレジスト膜の主成分である炭化水素と
反応すると、炭酸ガスと水蒸気となって気化することに
なり、レジスト膜は完全に剥離して気化除去される。
反応すると、炭酸ガスと水蒸気となって気化することに
なり、レジスト膜は完全に剥離して気化除去される。
更にこのレジスト膜の除去方法として、基板の温度を成
る程度に加熱することにより除去の速度を一層迅速に行
うことが可能である。
る程度に加熱することにより除去の速度を一層迅速に行
うことが可能である。
第２図は、レジスト膜が酸素雰囲気中で紫外線照射によ
って気化される状態をレジスト膜の温度の関係として表
したものである。
って気化される状態をレジスト膜の温度の関係として表
したものである。
レジスト膜は環化ゴム系のレジストであり、温度を約１
２０℃になるまで加熱を行ったものであるが、時間を１
０分の場合で比較しているが、例えば常温で行う場合と
、基板を１００℃に加熱した場合とでは反応速度が１０
倍程度に加速されて、エノチグ除去が迅速に行われたこ
とになる。
２０℃になるまで加熱を行ったものであるが、時間を１
０分の場合で比較しているが、例えば常温で行う場合と
、基板を１００℃に加熱した場合とでは反応速度が１０
倍程度に加速されて、エノチグ除去が迅速に行われたこ
とになる。
以上詳細に説明したように本発明のレジス）ＩＩの剥離
装置により、半導体素子にダメージを与えることなく且
つウェット法により除去する際の異物の汚染もなく、良
質の半導体装置を供し得るという効果大なるものがある
。
装置により、半導体素子にダメージを与えることなく且
つウェット法により除去する際の異物の汚染もなく、良
質の半導体装置を供し得るという効果大なるものがある
。
第１図は本発明のレジスト膜の剥離装置の模式第２図は
本発明のレジスト膜の減少量と加熱温度との関係図、 第３図は従来のレジスト膜の剥離装置を説明するための
模式斜視図、 第４図はレジストの製造工程を示すフローチャート図、 図において、１１はレジスト膜、１２は基板、１３は加
熱台、１４は酸素ガス、１５は酸素ガス噴射配管、１６
は紫外線の照射装置、１７は紫外線、１８はヒータをそ
れぞれ示している。 第１図 第２図 しシスト１ｊｎメジ、月（ （Ｃｏ） 第３図
本発明のレジスト膜の減少量と加熱温度との関係図、 第３図は従来のレジスト膜の剥離装置を説明するための
模式斜視図、 第４図はレジストの製造工程を示すフローチャート図、 図において、１１はレジスト膜、１２は基板、１３は加
熱台、１４は酸素ガス、１５は酸素ガス噴射配管、１６
は紫外線の照射装置、１７は紫外線、１８はヒータをそ
れぞれ示している。 第１図 第２図 しシスト１ｊｎメジ、月（ （Ｃｏ） 第３図
Claims (1)
- レジスト膜を被着した基板を大気中で酸素雰囲気中に配
置し、該基板に紫外線を投射することにより該レジスト
膜を剥離する方法において、上記基板を加熱台に配置し
て加熱しながら該レジスト膜を剥離するようにしたこと
を特徴とするレジスト膜の剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26232284A JPS61138952A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | レジスト膜の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26232284A JPS61138952A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | レジスト膜の剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138952A true JPS61138952A (ja) | 1986-06-26 |
Family
ID=17374158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26232284A Pending JPS61138952A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | レジスト膜の剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61138952A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410248A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Fuji Xerox Co Ltd | Method for removing resist in chrome photolithoetching |
| JPH01189653A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP26232284A patent/JPS61138952A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410248A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Fuji Xerox Co Ltd | Method for removing resist in chrome photolithoetching |
| JPH01189653A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
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