JPH0691014B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0691014B2 JPH0691014B2 JP59238570A JP23857084A JPH0691014B2 JP H0691014 B2 JPH0691014 B2 JP H0691014B2 JP 59238570 A JP59238570 A JP 59238570A JP 23857084 A JP23857084 A JP 23857084A JP H0691014 B2 JPH0691014 B2 JP H0691014B2
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に係り、特に同一反応容
器内で光励起反応を利用して複数の処理を可能とする、
新規な半導体製造装置に関する。
器内で光励起反応を利用して複数の処理を可能とする、
新規な半導体製造装置に関する。
光を用いた光励起プロセスにおいては、適切な反応ガス
と適切な波長の光源を選択することにより、反応ガス分
子の気相反応、吸着種とウェーハとの反応、ウェーハの
加熱等を誘起し、ウェーハ上への膜の堆積、加工、膜中
への不純物のドーピング、ウェーハ表面のクリーニング
等を行なうことができる。
と適切な波長の光源を選択することにより、反応ガス分
子の気相反応、吸着種とウェーハとの反応、ウェーハの
加熱等を誘起し、ウェーハ上への膜の堆積、加工、膜中
への不純物のドーピング、ウェーハ表面のクリーニング
等を行なうことができる。
McWillamsらは、種々の反応ガスとArイオンレーザとを
組み合せ、Arイオンレーザ光を基板表面に集光しながら
基板を移動させることにより、基板温度を上昇させて複
数の加工を行ない、MOSトランジスタを形成した（Bruce
M.McWilliams et al.,Appl.Phys.Lett.43（10）,946
（1983））。
組み合せ、Arイオンレーザ光を基板表面に集光しながら
基板を移動させることにより、基板温度を上昇させて複
数の加工を行ない、MOSトランジスタを形成した（Bruce
M.McWilliams et al.,Appl.Phys.Lett.43（10）,946
（1983））。
しかし、この技術においては、光源はArイオンレーザの
みを使用しており、光はウェーハの局所を加熱し、その
熱によってウェーハ近傍の反応ガスを熱分解させて膜を
形成するものである。すなわち、光は反応ガスに間接的
に作用し、気相中のガス分子や吸着種への光の直接的効
果は全く利用されておらず、光励起プロセスの特徴が充
分生かされていない。例えば、この技術では、細く絞っ
たレーザビームを使用しているため、ウェーハ全面に対
する処理は行なえない。また、前工程で使用されたガス
がウェーハおよび反応容器内壁等に付着していることに
対する対策も行なわれていない。
みを使用しており、光はウェーハの局所を加熱し、その
熱によってウェーハ近傍の反応ガスを熱分解させて膜を
形成するものである。すなわち、光は反応ガスに間接的
に作用し、気相中のガス分子や吸着種への光の直接的効
果は全く利用されておらず、光励起プロセスの特徴が充
分生かされていない。例えば、この技術では、細く絞っ
たレーザビームを使用しているため、ウェーハ全面に対
する処理は行なえない。また、前工程で使用されたガス
がウェーハおよび反応容器内壁等に付着していることに
対する対策も行なわれていない。
本発明の目的は、同一反応容器内において、ウェーハに
対して膜の堆積や加工等の複数の処理を行なうことがで
き、かつ反応容器外でのウェーハの洗浄工程を不要と
し、したがって自然酸化膜をウェーハ表面に発生するこ
となしに半導体装置を製造することができる装置を提供
することにある。
対して膜の堆積や加工等の複数の処理を行なうことがで
き、かつ反応容器外でのウェーハの洗浄工程を不要と
し、したがって自然酸化膜をウェーハ表面に発生するこ
となしに半導体装置を製造することができる装置を提供
することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置の製
造装置は、反応容器と、該反応容器内に設置されたウェ
ーハに光を照射して光励起反応により複数の処理を行な
う１個もしくは複数個の光源と、上記反応容器内に反応
ガスを導入するガス導入手段と、上記反応容器内を排気
するガス排気手段とを具備する半導体装置の製造装置に
おいて、上記ウェーハおよび上記反応容器内壁の少なく
とも一方に付着するガス成分を光照射により除去する光
源を該反応容器内に具備することを特徴とする。
造装置は、反応容器と、該反応容器内に設置されたウェ
ーハに光を照射して光励起反応により複数の処理を行な
う１個もしくは複数個の光源と、上記反応容器内に反応
ガスを導入するガス導入手段と、上記反応容器内を排気
するガス排気手段とを具備する半導体装置の製造装置に
おいて、上記ウェーハおよび上記反応容器内壁の少なく
とも一方に付着するガス成分を光照射により除去する光
源を該反応容器内に具備することを特徴とする。
すなわち、反応容器内にウェーハを設置し、該ウェーハ
に光を順次照射して上記同一の反応容器内において上記
ウェーハに対し複数の処理を行ない、かつ上記処理後毎
に上記ウェーハおよび上記反応容器内壁の少なくとも一
方に付着するガス成分を光照射により除去するものであ
る。
に光を順次照射して上記同一の反応容器内において上記
ウェーハに対し複数の処理を行ない、かつ上記処理後毎
に上記ウェーハおよび上記反応容器内壁の少なくとも一
方に付着するガス成分を光照射により除去するものであ
る。
従来技術においては、一つの処理が終了した後、ウェー
ハを反応容器外に出してフッ酸系のエッチング液等によ
りウェーハ表面の洗浄を行なっているが、洗浄した後、
次の処理を行なうため他の装置内へ入れるまでにウェー
ハ表面に自然酸化膜が生じてしまう。本発明において
は、一つの処理の終了後、同一の反応容器内での光照射
により次の処理を行なう前にウェーハ表面を洗浄化でき
るので、従来のようにウェーハ表面に自然酸化膜が生ず
るのを防止することができる。したがって、半導体装置
において洗浄な界面状態が実現でき、良好かつ再現性の
よいデバイス特性が期待でかきる。
ハを反応容器外に出してフッ酸系のエッチング液等によ
りウェーハ表面の洗浄を行なっているが、洗浄した後、
次の処理を行なうため他の装置内へ入れるまでにウェー
ハ表面に自然酸化膜が生じてしまう。本発明において
は、一つの処理の終了後、同一の反応容器内での光照射
により次の処理を行なう前にウェーハ表面を洗浄化でき
るので、従来のようにウェーハ表面に自然酸化膜が生ず
るのを防止することができる。したがって、半導体装置
において洗浄な界面状態が実現でき、良好かつ再現性の
よいデバイス特性が期待でかきる。
第１図は本発明の半導体装置の製造装置の一実施例を示
す概略図である。
す概略図である。
第１図において、１は反応容器、２は反応容器１内に設
置された処理すべきウェーハ、３、４、５はウェーハ２
に光を照射して光励起反応によりそれぞれ異なる処理を
行なうための光源、10はウェーハ２の表面や反応容器１
の内壁に付着する残留ガス成分を光照射により除去する
ための光源、６は反応容器１内に反応ガスを導入するガ
ス導入手段で、6a、6b、6cからそれぞれ異なる種類の反
応ガスが導入される。11は6a、6b、6cから導入される異
なる種類の反応ガスを混合するためのガス混合部であ
る。17は光透過窓、20は光透過窓17近傍の部屋、18、19
は光学系、７、８、９はそれぞれガスの排気手段で、７
は反応容器１内を、８は光透過窓17近傍の部屋20を、９
はガス混合部11をそれぞれ排気する。その他の符号につ
いては、後述の実施例において説明する。
置された処理すべきウェーハ、３、４、５はウェーハ２
に光を照射して光励起反応によりそれぞれ異なる処理を
行なうための光源、10はウェーハ２の表面や反応容器１
の内壁に付着する残留ガス成分を光照射により除去する
ための光源、６は反応容器１内に反応ガスを導入するガ
ス導入手段で、6a、6b、6cからそれぞれ異なる種類の反
応ガスが導入される。11は6a、6b、6cから導入される異
なる種類の反応ガスを混合するためのガス混合部であ
る。17は光透過窓、20は光透過窓17近傍の部屋、18、19
は光学系、７、８、９はそれぞれガスの排気手段で、７
は反応容器１内を、８は光透過窓17近傍の部屋20を、９
はガス混合部11をそれぞれ排気する。その他の符号につ
いては、後述の実施例において説明する。
上記のように構成してある装置を用いて、半導体装置を
製造する実施例を以下説明する。
製造する実施例を以下説明する。
実施例 １ 本実施例では、配線として用いる金属を光CVD法により
成長させるに先立ち、ウェーハ表面のいわゆるライト・
エッチを行ない、ウェーハ上に存在する自然酸化膜を除
去し、金属配線とその下層との良好な電気的接触を可能
にする例について示す。
成長させるに先立ち、ウェーハ表面のいわゆるライト・
エッチを行ない、ウェーハ上に存在する自然酸化膜を除
去し、金属配線とその下層との良好な電気的接触を可能
にする例について示す。
第１図に示した半導体装置の製造装置において、Siウェ
ーハ２は、層間絶縁膜12へのコンタクト穴開けが終了し
た状態で反応容器１内に設置される。
ーハ２は、層間絶縁膜12へのコンタクト穴開けが終了し
た状態で反応容器１内に設置される。
ついで、反応容器１、光透過窓17の近傍の部屋20、ガス
混合部11をそれぞれ排気手段７、８、９により10-7Torr
以下まで排気した後、該ガス混合物11を経てCl2ガスを
ガス導入手段6aから反応容器１内に導入し、Cl2の圧力
を10Torrに設定する。この時のCl2ガスの流量は、10SCC
Mである。光源３にXeFエキシマレーザを用い、光学系18
を介して反応容器１内のウェーハ２の全面にレーザ光14
を照射する。このライト・エッチにより、ウェーハ２表
面に存在する厚さ数10nmの自然酸化膜はCl2と反応して
除去され、コンタクト部のSi面が露出する。
混合部11をそれぞれ排気手段７、８、９により10-7Torr
以下まで排気した後、該ガス混合物11を経てCl2ガスを
ガス導入手段6aから反応容器１内に導入し、Cl2の圧力
を10Torrに設定する。この時のCl2ガスの流量は、10SCC
Mである。光源３にXeFエキシマレーザを用い、光学系18
を介して反応容器１内のウェーハ２の全面にレーザ光14
を照射する。このライト・エッチにより、ウェーハ２表
面に存在する厚さ数10nmの自然酸化膜はCl2と反応して
除去され、コンタクト部のSi面が露出する。
次に、再び排気手段７、８、９により各部分を10-7Torr
まで排気する。この排気時、光源10にXeランプを用いて
ウェーハ２の表面および反応容器１の内壁を加熱するこ
とにより、ウェーハ２表面および反応容器１内壁に吸着
したCl2の脱離を促進させる。
まで排気する。この排気時、光源10にXeランプを用いて
ウェーハ２の表面および反応容器１の内壁を加熱するこ
とにより、ウェーハ２表面および反応容器１内壁に吸着
したCl2の脱離を促進させる。
次に、N2をキャリアガスとしたトリメチルアルミニウム
（Al（CH3）３）をガス導入手段6bからガス混合部11を
介して反応容器１内に導入し（圧力10Torr）、KrFエキ
シマレーザ16を光源５からウェーハ２表面に照射する。
この照射によって、Al（HC3）３は光励起反応により分
解され、ウェーハ２表面にAl層13が堆積する。反応派生
物であるCnHmは排気手段７により反応容器１から排出さ
れる。
（Al（CH3）３）をガス導入手段6bからガス混合部11を
介して反応容器１内に導入し（圧力10Torr）、KrFエキ
シマレーザ16を光源５からウェーハ２表面に照射する。
この照射によって、Al（HC3）３は光励起反応により分
解され、ウェーハ２表面にAl層13が堆積する。反応派生
物であるCnHmは排気手段７により反応容器１から排出さ
れる。
このようにして、本実施例ではSiウェーハ２上にコンタ
クト穴を有する層間絶縁膜12上に、そのコンタクト部に
おいて自然酸化膜を介することなくAl層13を形成するこ
とができた。したがって、Siウェーハ２とAl層13との電
気的接触が良好な半導体装置を製造することができた。
クト穴を有する層間絶縁膜12上に、そのコンタクト部に
おいて自然酸化膜を介することなくAl層13を形成するこ
とができた。したがって、Siウェーハ２とAl層13との電
気的接触が良好な半導体装置を製造することができた。
なお、この排気手段７、８、９の先に有毒ガスを捕集す
る設備、例えばスクラバ等の洗浄装置を設け、生成され
た有毒ガスを除去してから空気中に排出する構造とする
ことが望ましい。
る設備、例えばスクラバ等の洗浄装置を設け、生成され
た有毒ガスを除去してから空気中に排出する構造とする
ことが望ましい。
実施例 ２ 本実施例では、集束光により部分的な加工を行なった後
に、ウェーハ全面に膜を堆積する例について示す。
に、ウェーハ全面に膜を堆積する例について示す。
第１図に示した半導体装置の製造装置において、表面に
リンガラス（PSG）層を形成したSiウェーハ（特に図示
せず）を反応容器１内に設置した後、排気手段７、８、
９により各部を10-8Torrまで排気した。
リンガラス（PSG）層を形成したSiウェーハ（特に図示
せず）を反応容器１内に設置した後、排気手段７、８、
９により各部を10-8Torrまで排気した。
その後、フッ化メチルガス（CH3F）をガス導入手段6aか
ら反応容器１内に導入する（圧力1Torr）。光源４にF2
エキシマレーザ光（波長157nm）を用い、光学系19によ
り直径１μｍまで絞った光をウェーハの所定の位置に照
射し、ウェーハ表面に存在するPSG層を加工し、必要な
部分のSi面を露出させる。
ら反応容器１内に導入する（圧力1Torr）。光源４にF2
エキシマレーザ光（波長157nm）を用い、光学系19によ
り直径１μｍまで絞った光をウェーハの所定の位置に照
射し、ウェーハ表面に存在するPSG層を加工し、必要な
部分のSi面を露出させる。
次に、反応容器１内を10-8Torrまで排気した後、実施例
１と同様にAl（CH3）３を導入する（圧力1Torr）。この
時、前工程で用いたCH3Fの残留ガスが存在すると、露出
されたSiの表面に、炭化水素（ハイドロカーボン）の吸
着層が形成されるため、次にウェーハ上に形成されるAl
層とSiとの電気的接触が不良となる。したがって吸着ガ
スを除去するため、Al（CH3）３を導入する前に、光源1
0によりウェーハを加熱し吸着ガスを除去した。光源10
にはXeランプを用い、反応容器１を排気手段７により減
圧した後、点灯することによりSi基板表面の温度を約20
0℃まで加熱し、吸着ガスを完全に除去可能である。
１と同様にAl（CH3）３を導入する（圧力1Torr）。この
時、前工程で用いたCH3Fの残留ガスが存在すると、露出
されたSiの表面に、炭化水素（ハイドロカーボン）の吸
着層が形成されるため、次にウェーハ上に形成されるAl
層とSiとの電気的接触が不良となる。したがって吸着ガ
スを除去するため、Al（CH3）３を導入する前に、光源1
0によりウェーハを加熱し吸着ガスを除去した。光源10
にはXeランプを用い、反応容器１を排気手段７により減
圧した後、点灯することによりSi基板表面の温度を約20
0℃まで加熱し、吸着ガスを完全に除去可能である。
次に、光源３により光学系18を介してウェーハ全面にKr
Fエキシマレーザ14を照射し、ウェーハ表面にAl層を堆
積する。
Fエキシマレーザ14を照射し、ウェーハ表面にAl層を堆
積する。
本実施例ではコンタクト穴開け時に、PSG層を完全に除
去でき、コンタクト穴部分のSi表面の汚染が起らないた
め、良好なコンタクト特性を実現できた。
去でき、コンタクト穴部分のSi表面の汚染が起らないた
め、良好なコンタクト特性を実現できた。
実施例 ３ 本実施例では、ウェーハ全面に膜堆積後、該膜の所定の
部分の加工を行なった例を示す。
部分の加工を行なった例を示す。
第１図に示した半導体装置の製造装置において、ガス混
合物11でガス導入手段6aからのモノシラン（SiH4）と、
ガス導入手段6bからの酸化窒素（N2O）とを混合し（SiH
4:N2O＝1:4（体積比））、10-8Torrまで高真空にした反
応容器１内に導入した（圧力0.1Torr）。
合物11でガス導入手段6aからのモノシラン（SiH4）と、
ガス導入手段6bからの酸化窒素（N2O）とを混合し（SiH
4:N2O＝1:4（体積比））、10-8Torrまで高真空にした反
応容器１内に導入した（圧力0.1Torr）。
次に、光源３にArFエキシマレーザを用い、レーザ光14
を反応容器１内に設置したSiウェーハ全面に照射してSi
O2膜を形成した。
を反応容器１内に設置したSiウェーハ全面に照射してSi
O2膜を形成した。
次に、排気手段７、８、９により各部を10-8Torrまで排
気した後、エッチング用ガスとしてガス導入手段6cから
Cl2を導入し（圧力10Torr）、XeFエキシマレーザを光源
４に用い、光学系19により直径１μｍに絞って上記SiO2
膜に照射することにより、直径１μｍの穴を開けSi表面
を露出させた。
気した後、エッチング用ガスとしてガス導入手段6cから
Cl2を導入し（圧力10Torr）、XeFエキシマレーザを光源
４に用い、光学系19により直径１μｍに絞って上記SiO2
膜に照射することにより、直径１μｍの穴を開けSi表面
を露出させた。
本実施例では、同一反応容器内で所望の膜の堆積と加工
を行なうので、外気の影響を受けず、反応容器外での洗
浄という余分なプロセスが不要なため、良好な特性を有
する半導体装置を製造することができた。
を行なうので、外気の影響を受けず、反応容器外での洗
浄という余分なプロセスが不要なため、良好な特性を有
する半導体装置を製造することができた。
実施例 ４ 本実施例では、レジストをマスクとして加工を行なった
後、該レジスト層を除去し、ウェーハ表面をライト・エ
ッチして清浄化し、さらに膜を堆積する例について示
す。
後、該レジスト層を除去し、ウェーハ表面をライト・エ
ッチして清浄化し、さらに膜を堆積する例について示
す。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本実施例において半導体装置の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
第２図（ａ）は、Si酸化膜からなる素子分離領域26を形
成したｐ形（100）面10Ω・cmのシリコン基板21上にド
ライ酸化によって形成した厚さ20nmのゲート酸化膜22お
よび該ゲート酸化膜22上に形成されたAlからなるゲート
導電体層23、さらに該ゲート導電体層23上に形成された
レジストパターン24を有する構造を示す。
成したｐ形（100）面10Ω・cmのシリコン基板21上にド
ライ酸化によって形成した厚さ20nmのゲート酸化膜22お
よび該ゲート酸化膜22上に形成されたAlからなるゲート
導電体層23、さらに該ゲート導電体層23上に形成された
レジストパターン24を有する構造を示す。
第２図（ｂ）は、第１図に示した半導体装置の製造装置
を用い、当該ウェーハを反応容器１内に設置し、レジス
トパターン24をマスクとしてゲート導電体23を光励起反
応によりエッチした状態を示す。反応ガスとしては、Xe
F2を用い、圧力は約0.1Torrとし、光源としてはCO2レー
ザを光源４に用いた。
を用い、当該ウェーハを反応容器１内に設置し、レジス
トパターン24をマスクとしてゲート導電体23を光励起反
応によりエッチした状態を示す。反応ガスとしては、Xe
F2を用い、圧力は約0.1Torrとし、光源としてはCO2レー
ザを光源４に用いた。
第２図（ｃ）は、レジストパターン24を再び同一反応容
器１内で酸素（O2）を反応ガスとして用い（圧力1Tor
r）、ArFエキシマレーザの光源３を用いた光励起反応に
より除去した後、Cl2雰囲気中（圧力10Torr）で表面層
をXeランプの光源10によりライトエッチし、これらの反
応ガスを高真空中（10-8Torr）で除去し、さらにSiH4、
PH3とN2O1:4:4（体積比）との混合ガスを導入して（圧
力5Torr）光源５によりArFエキシマ・レーザ光を照射し
て、パッシベーション膜としてPSG膜25を堆積した状態
を示す。
器１内で酸素（O2）を反応ガスとして用い（圧力1Tor
r）、ArFエキシマレーザの光源３を用いた光励起反応に
より除去した後、Cl2雰囲気中（圧力10Torr）で表面層
をXeランプの光源10によりライトエッチし、これらの反
応ガスを高真空中（10-8Torr）で除去し、さらにSiH4、
PH3とN2O1:4:4（体積比）との混合ガスを導入して（圧
力5Torr）光源５によりArFエキシマ・レーザ光を照射し
て、パッシベーション膜としてPSG膜25を堆積した状態
を示す。
本実施例では、レジスト除去のような、本来半導体装置
の構造材料ではなく、プロセスの途中で用いる材料も同
様に除去し、しかる後、光源10によりウェーハ表面およ
び反応容器内壁の清浄化を行なって、良好なデバイス特
性を有する半導体装置を製造できた。
の構造材料ではなく、プロセスの途中で用いる材料も同
様に除去し、しかる後、光源10によりウェーハ表面およ
び反応容器内壁の清浄化を行なって、良好なデバイス特
性を有する半導体装置を製造できた。
以上説明したように、本発明によれば、光励起技術によ
る膜の堆積あるいはエッチング等の複数の処理を、同一
反応容器内で行なう事が可能になり、１つの処理を行な
った後、ウェーハを外気にさらすことなくウェーハ表面
を清浄化して次の処理を行なうことができるため、いわ
ゆる自然酸化膜の影響を除き、完全な界面状態を作り出
す事ができる。また、処理毎に反応容器内壁に付着する
残留ガス成分を除去するので、その悪影響をなくすこと
ができる。したがって、良好かつ再現性の良いデバイス
特性が実現できる。さらに、従来のように反応容器外で
のウェーハの洗浄を行なわなくてよいので、製造時間を
短縮することができる。このように本発明の効果は極め
て顕著である。
る膜の堆積あるいはエッチング等の複数の処理を、同一
反応容器内で行なう事が可能になり、１つの処理を行な
った後、ウェーハを外気にさらすことなくウェーハ表面
を清浄化して次の処理を行なうことができるため、いわ
ゆる自然酸化膜の影響を除き、完全な界面状態を作り出
す事ができる。また、処理毎に反応容器内壁に付着する
残留ガス成分を除去するので、その悪影響をなくすこと
ができる。したがって、良好かつ再現性の良いデバイス
特性が実現できる。さらに、従来のように反応容器外で
のウェーハの洗浄を行なわなくてよいので、製造時間を
短縮することができる。このように本発明の効果は極め
て顕著である。
第１図は本発明の半導体装置の製造装置の一実施例の構
成を示す概略図、第２図は本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例の工程を示す図である。 １……反応容器、２……ウェーハ ３、４、５……光励起反応を行なう光源 ６……ガス導入手段、７、８、９……排気手段 10……残留ガス成分を除去する光源 12……層間絶縁膜、13……Al層 21……Si基板、22……ゲート酸化膜 23……ゲート導電体層、24……レジスト 25……PSG膜、26……素子分離領域層
成を示す概略図、第２図は本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例の工程を示す図である。 １……反応容器、２……ウェーハ ３、４、５……光励起反応を行なう光源 ６……ガス導入手段、７、８、９……排気手段 10……残留ガス成分を除去する光源 12……層間絶縁膜、13……Al層 21……Si基板、22……ゲート酸化膜 23……ゲート導電体層、24……レジスト 25……PSG膜、26……素子分離領域層
Claims (1)
- 【請求項１】反応容器と、該反応容器内に設置されたウ
ェーハに光を照射して光励起反応により複数の処理を行
なう１個もしくは複数個の光源と、上記反応容器内に反
応ガスを導入するガス導入手段と、上記反応容器内を排
気するガス排気手段とを具備する半導体装置の製造装置
において、上記ウェーハおよび上記反応容器内壁の少な
くとも一方に付着するガス成分を光照射により除去する
光源を該反応容器内に具備することを特徴とする半導体
装置の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238570A JPH0691014B2 (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 半導体装置の製造装置 |
| US06/798,113 US4693779A (en) | 1984-11-14 | 1985-11-14 | Manufacturing apparatus for semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59238570A JPH0691014B2 (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117822A JPS61117822A (ja) | 1986-06-05 |
| JPH0691014B2 true JPH0691014B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17032183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59238570A Expired - Lifetime JPH0691014B2 (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4693779A (ja) |
| JP (1) | JPH0691014B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4987008A (en) * | 1985-07-02 | 1991-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film formation method |
| US4751779A (en) * | 1986-04-02 | 1988-06-21 | Ds Scanner Co., Ltd. | Method of producing a core for magnetic head |
| US5221423A (en) * | 1986-05-20 | 1993-06-22 | Fujitsu Limited | Process for cleaning surface of semiconductor substrate |
| JPH0740563B2 (ja) * | 1986-07-30 | 1995-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 光導入窓の曇防止装置 |
| JPS63170938U (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-07 | ||
| US4816294A (en) * | 1987-05-04 | 1989-03-28 | Midwest Research Institute | Method and apparatus for removing and preventing window deposition during photochemical vapor deposition (photo-CVD) processes |
| JPH01134932A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板清浄化方法及び基板清浄化装置 |
| DE4203804C2 (de) * | 1991-03-22 | 1994-02-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Kontakten auf einer mit einer UV-transparenten Isolationsschicht bedeckten leitenden Struktur in höchstintegrierten Schaltkreisen |
| FR2675309A1 (fr) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Siemens Ag | Procede pour eliminer localement des couches isolantes transparentes aux ultraviolets, situees sur un substrat semiconducteur. |
| JP3184988B2 (ja) * | 1991-12-10 | 2001-07-09 | 科学技術振興事業団 | 結晶面異方性ドライエッチング方法 |
| US5452052A (en) * | 1992-03-25 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for exposing chemically amplified resist |
| JP2793472B2 (ja) * | 1993-06-24 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | 銅微細加工方法および銅微細加工装置 |
| TW350095B (en) * | 1995-11-21 | 1999-01-11 | Daido Hoxan Inc | Cutting method and apparatus for semiconductor materials |
| US6465374B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-10-15 | Fsi International, Inc. | Method of surface preparation |
| US6325861B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-12-04 | Applied Materials, Inc. | Method for etching and cleaning a substrate |
| US6573141B1 (en) * | 1999-03-12 | 2003-06-03 | Zilog, Inc. | In-situ etch and pre-clean for high quality thin oxides |
| US6692903B2 (en) | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
| US7727912B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-06-01 | Tokyo Electron Limited | Method of light enhanced atomic layer deposition |
| US8709269B2 (en) * | 2007-08-22 | 2014-04-29 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and system for imaging a cross section of a specimen |
| US9972565B1 (en) * | 2016-06-07 | 2018-05-15 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Lateral vias for connections to buried microconductors |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4427723A (en) * | 1982-02-10 | 1984-01-24 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for laser-stimulated vacuum deposition and annealing technique |
| JPS58165330A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6037733A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-27 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| US4490210A (en) * | 1984-01-24 | 1984-12-25 | International Business Machines Corporation | Laser induced dry chemical etching of metals |
| JPS60216549A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP59238570A patent/JPH0691014B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-11-14 US US06/798,113 patent/US4693779A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117822A (ja) | 1986-06-05 |
| US4693779A (en) | 1987-09-15 |
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