JPS6037733A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6037733A JPS6037733A JP14568683A JP14568683A JPS6037733A JP S6037733 A JPS6037733 A JP S6037733A JP 14568683 A JP14568683 A JP 14568683A JP 14568683 A JP14568683 A JP 14568683A JP S6037733 A JPS6037733 A JP S6037733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- chamber
- etching
- container
- containers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J37/185—Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明はドライエツチング装置に関する。
半等体集積回路の微細化に伴い、現在微細加工の主流と
なっている反応性イオンエツチングは照射損傷等が問題
となっており餌損市のエツチング技術が切望されている
。その１つとして光バ（１射によるエツチングが報告さ
れている。（文献；岡野他第４回ドライプロセスシンポ
ジウム予稿集ｐ、６（１９８２）電気学会）これは例え
は紫外光により反応性ガスの活性種夕励起しその活性独
中に試料を置くか、または活性種に方向性を持たせ試料
に衝突させることで異方性を達成するなどの方法である
。これらの方法はイ・ｄ重粒子を用いていないため照射
損傷は大幅に低識される。しかし例えばエツチングガス
に塩素を用いた場合、チャンバ内の残留ル０，０２など
と光解離した塩素ラジカルが反応し塩化水素（ＨＣＪ）
、次亜塩素酸（ＨＣｇＯ） 、亜塩素酸（ＨＣＡ！Ｏり
、二酸化塩素（ＣＪ Ｏ！ ） 、塩素酸（ＨＣＡＯｓ
）などが形成され容器内部に付着し真空シール部や内壁
ン腐食したり、紫外光導入窓をくもらしたりする。また
エツチング中には試料表面に付着しエツチング速度の低
下、不均一性を招く原因となる。
なっている反応性イオンエツチングは照射損傷等が問題
となっており餌損市のエツチング技術が切望されている
。その１つとして光バ（１射によるエツチングが報告さ
れている。（文献；岡野他第４回ドライプロセスシンポ
ジウム予稿集ｐ、６（１９８２）電気学会）これは例え
は紫外光により反応性ガスの活性種夕励起しその活性独
中に試料を置くか、または活性種に方向性を持たせ試料
に衝突させることで異方性を達成するなどの方法である
。これらの方法はイ・ｄ重粒子を用いていないため照射
損傷は大幅に低識される。しかし例えばエツチングガス
に塩素を用いた場合、チャンバ内の残留ル０，０２など
と光解離した塩素ラジカルが反応し塩化水素（ＨＣＪ）
、次亜塩素酸（ＨＣｇＯ） 、亜塩素酸（ＨＣＡ！Ｏり
、二酸化塩素（ＣＪ Ｏ！ ） 、塩素酸（ＨＣＡＯｓ
）などが形成され容器内部に付着し真空シール部や内壁
ン腐食したり、紫外光導入窓をくもらしたりする。また
エツチング中には試料表面に付着しエツチング速度の低
下、不均一性を招く原因となる。
以上の事情は光励起された反応性ガスを差圧（二より試
料に吹き付はエツチングを行う場合にも同様である。
料に吹き付はエツチングを行う場合にも同様である。
〔発明の目的〕
本発明は上記のような従来技術の欠点を除去し試料を汚
染することなく微細エツチングを達成する装置を提供す
ることを目的とする。
染することなく微細エツチングを達成する装置を提供す
ることを目的とする。
エツチングを行う容器あるいは、反応性ガスの活性種を
生成する容器ビ試料変換のたびに大気にさらすと容器内
壁に不純物がイ」着しさらに活性種との反応によって各
種のモノマを生成し、試料表面（二付着してエツチング
の進行を著しく損ねる原因となる。そのためますゲート
パルプでエツチング室からへだてた試料尋人室へ入れた
試料は試料導入室が高真空に排気された後１：ゲートバ
ルブを通してエツチング室へ運ばれる。エツチング終了
後試料は他のゲートバルブを通して、高真空に排気した
試料取出室へ運ばれゲートパルプを閉じた後外部へ取出
す。この間エツチング室は大気（二さらされることはな
くなる。このことにより試料汚染がなく照射損傷の少い
微油１エツチングが達せら牡る。
生成する容器ビ試料変換のたびに大気にさらすと容器内
壁に不純物がイ」着しさらに活性種との反応によって各
種のモノマを生成し、試料表面（二付着してエツチング
の進行を著しく損ねる原因となる。そのためますゲート
パルプでエツチング室からへだてた試料尋人室へ入れた
試料は試料導入室が高真空に排気された後１：ゲートバ
ルブを通してエツチング室へ運ばれる。エツチング終了
後試料は他のゲートバルブを通して、高真空に排気した
試料取出室へ運ばれゲートパルプを閉じた後外部へ取出
す。この間エツチング室は大気（二さらされることはな
くなる。このことにより試料汚染がなく照射損傷の少い
微油１エツチングが達せら牡る。
本発明によれば、試料を汚染することなく、微細エツチ
ングすることができる。
ングすることができる。
以下不発明奢図面を参照しながら説明する。第１図はロ
ードロック方式による光を用いたエツチング装置の一実
施例である。Ａ窒チャンバーは３つの容器に分かれてお
り、試料導入室（１）に入れられた試料（２（はＩ Ｘ
ＩＱ ”Ｉ’ｏｒｒ まで排気された後ゲートパルプ
（３）を通してエツチング室（４）へ移動される。この
時エツチング室はすでにｔｘｔｏ’Ｔｏｒｒ の真空で
あり、試料がサセプタ（５）に取（＝ｊけられると、ゲ
ートバルブ（３）は閉じられ、ガス＆ｄ人系（６）より
反応性ガスが尋人され紫外光透過窓（７）より例えばＨ
ｇ −Ｘｅ ランプからの紫外光（８）が照射されエツ
チングが行なわれる。エツチング終了後エツチング室は
再び晶Ａ菫に排気さ２ｔその後ゲートバルブ（９）を辿
して試料ａ印は試料取出し室（２々へ移動される。試料
取出し室はこの時すでに高真空に排気されておりエツチ
ング室が大気にさらされることはない。ゲートパルプ（
９）ヲ閉じた後試料取出し室は窒素（Ｎ２）パージされ
試料Ｕを取出し、エツチング室ではすでに試料導入室へ
入れておいた試料をゲートバルブ（３）乞通して移動し
次のエツチングを開始する。この過程が順次くり返され
てエツチングが行なわれるためエツチング室は決して大
気にはさらされず常にｌ Ｘ ｌ Ｏ’ Ｔｏｒｒ の
高真空か、反応性ガスのみを導入した状態に保たれるわ
けである。そのためエツチングチャンバー内はｌ＾浄に
保たれ、大気が侵入することによってもたらされる水蒸
気や酸系と紫外光で解離した反応性ガスの活性種との反
応生成物であった塩化水素、次亜塩素酸などの発生がな
くなった。そして試料表面あるいはチャンバー内の汚染
、腐食は見られずまた紫外光導入窓のくもりもないため
紫外光の損失もなくなり再現性のよい均一なエツチング
が達せられた。またこの方式では人気からの排気、エツ
チング、Ｎ！パージがそれぞれのチャンバーで同時に行
なえることからスループットが改善サレタ。
ードロック方式による光を用いたエツチング装置の一実
施例である。Ａ窒チャンバーは３つの容器に分かれてお
り、試料導入室（１）に入れられた試料（２（はＩ Ｘ
ＩＱ ”Ｉ’ｏｒｒ まで排気された後ゲートパルプ
（３）を通してエツチング室（４）へ移動される。この
時エツチング室はすでにｔｘｔｏ’Ｔｏｒｒ の真空で
あり、試料がサセプタ（５）に取（＝ｊけられると、ゲ
ートバルブ（３）は閉じられ、ガス＆ｄ人系（６）より
反応性ガスが尋人され紫外光透過窓（７）より例えばＨ
ｇ −Ｘｅ ランプからの紫外光（８）が照射されエツ
チングが行なわれる。エツチング終了後エツチング室は
再び晶Ａ菫に排気さ２ｔその後ゲートバルブ（９）を辿
して試料ａ印は試料取出し室（２々へ移動される。試料
取出し室はこの時すでに高真空に排気されておりエツチ
ング室が大気にさらされることはない。ゲートパルプ（
９）ヲ閉じた後試料取出し室は窒素（Ｎ２）パージされ
試料Ｕを取出し、エツチング室ではすでに試料導入室へ
入れておいた試料をゲートバルブ（３）乞通して移動し
次のエツチングを開始する。この過程が順次くり返され
てエツチングが行なわれるためエツチング室は決して大
気にはさらされず常にｌ Ｘ ｌ Ｏ’ Ｔｏｒｒ の
高真空か、反応性ガスのみを導入した状態に保たれるわ
けである。そのためエツチングチャンバー内はｌ＾浄に
保たれ、大気が侵入することによってもたらされる水蒸
気や酸系と紫外光で解離した反応性ガスの活性種との反
応生成物であった塩化水素、次亜塩素酸などの発生がな
くなった。そして試料表面あるいはチャンバー内の汚染
、腐食は見られずまた紫外光導入窓のくもりもないため
紫外光の損失もなくなり再現性のよい均一なエツチング
が達せられた。またこの方式では人気からの排気、エツ
チング、Ｎ！パージがそれぞれのチャンバーで同時に行
なえることからスループットが改善サレタ。
第２図は紫外光で生成された反応性ガスの活性種をオリ
フィスより差圧によって高真空中の試料へ吹き付けるこ
とで異方性エラチングラ行うエツチング装置の実施例で
ある。
フィスより差圧によって高真空中の試料へ吹き付けるこ
とで異方性エラチングラ行うエツチング装置の実施例で
ある。
光導入室（１６）にガス導入系ａ！１より反応性ガスが
尋入され水釧−キヤノンランプ（２０）からの紫外光が
オリフィス賭付近に集光され反応性ガスのラジカルが生
成される。試料室（４）は排気装置により４１Ｇ 窄に
保たれその差圧によりオリフィスよりラジカルが試料０
０）に照射さ扛エツチングが行７ｒわれる１、このとき
サセプタ（５）Ｃユより試料を走査することにより試料
全面がエツチングされる。
尋入され水釧−キヤノンランプ（２０）からの紫外光が
オリフィス賭付近に集光され反応性ガスのラジカルが生
成される。試料室（４）は排気装置により４１Ｇ 窄に
保たれその差圧によりオリフィスよりラジカルが試料０
０）に照射さ扛エツチングが行７ｒわれる１、このとき
サセプタ（５）Ｃユより試料を走査することにより試料
全面がエツチングされる。
試料導入室（１）、試料室（４）、試料取出し室（２２
）の１＝」での試料の移動は上述の第１図で示した実施
例と同様である。この装置Ｃ二おいても本発明を採用す
ることにより反応性ガスの活性種を生成１゛る紫外光尋
人室と試料の配置されるエツチング室内が大気にさらさ
れることがなくなる。そのためエツチング室や試料が汚
染、腐食゛ｆることばなく均一で微細なエツチングが達
成された。
）の１＝」での試料の移動は上述の第１図で示した実施
例と同様である。この装置Ｃ二おいても本発明を採用す
ることにより反応性ガスの活性種を生成１゛る紫外光尋
人室と試料の配置されるエツチング室内が大気にさらさ
れることがなくなる。そのためエツチング室や試料が汚
染、腐食゛ｆることばなく均一で微細なエツチングが達
成された。
第１図及び第２図は本発明の各実施例乞説明するための
４１に略図である。 ｌ・・・試料導入室 ２・・・試料 ３・・・ゲートパルプ ４・・エツチング室５・・・サ
セプタ、 ６・・ガス導入系、７・・・紫外光透過窓、
８・・・紫外光、９・・・ゲートバルブ、 ＩＯ・・
・試料、１１・・・試料、 １２・・試料移動歳梠、１
３・・・ゲートバルブ、 １４・・ｖｌ−気装置、１５
・紫外光透過窓Ａ草シール０９ンク１６・・・光導入室
、 １７・・試料室、１８・オリフィス、 １９・・・
ガスｊｊ％ 大系、２０・−Ｈｇ−Ｘｅ ラｙ ７゛、
２１・ｙｙズ、２２・・・試料取出室、 ２３・・・先
生（、入室排気系。 （７３１７）代理人 弁理士 則 ユｋ 恵 ＩＧ（ほ
か１名）
４１に略図である。 ｌ・・・試料導入室 ２・・・試料 ３・・・ゲートパルプ ４・・エツチング室５・・・サ
セプタ、 ６・・ガス導入系、７・・・紫外光透過窓、
８・・・紫外光、９・・・ゲートバルブ、 ＩＯ・・
・試料、１１・・・試料、 １２・・試料移動歳梠、１
３・・・ゲートバルブ、 １４・・ｖｌ−気装置、１５
・紫外光透過窓Ａ草シール０９ンク１６・・・光導入室
、 １７・・試料室、１８・オリフィス、 １９・・・
ガスｊｊ％ 大系、２０・−Ｈｇ−Ｘｅ ラｙ ７゛、
２１・ｙｙズ、２２・・・試料取出室、 ２３・・・先
生（、入室排気系。 （７３１７）代理人 弁理士 則 ユｋ 恵 ＩＧ（ほ
か１名）
Claims (2)
- （１） 内部（−試料力咄装置される第１の容器と、こ
の容器（二反応性ガスを導入する手段と、前記試料に紫
外光を照射する手段と、第１の容器と真窒〕（ルブを介
して接続さ肚る第２の容器とこの２つの容器をそれぞれ
高真空に排気する手段と、この２つの容器間で前記試料
を移動する手段を具備してなり、前記第２の容器を介し
て前記第ｌの容器へ試料な導入、取出しすることを特徴
とするドライエツチング装置。 - （２） 前記第２の容器と同等の機能ｌ有１−る１３の
容器を前記第ｌの容器Ｃニノ（ルプを介して１チ続し、
前記第２及び第３の容器をそれぞれ試料導入、試料取出
し専用とすることを特徴とする特Ｗｆｉ内求σ〕範＠３
第１項記載のドライエツチング装置０（３） オリフィ
スを介して接続さオｔた第ｌ及び第＾ ＋ ｒｍｘ Ｌ
’ ＝ｔ 百−ｉａ ９ ｒｎ７；Ｈ！Ｊ４１：３二
ｎ、Ｅ れ！〔空 ）（ルブン介して接続される試料
等入室及び試料取出し室と、前記第ｌの容器に紫外光乞
纒人し前記オリフィス付近（−集光する手段と、前記第
ｌの容器に反応性ガス乞導入する手段と、前記第１及び
第２の容器、試料台入室及び試料取出し室の４つの容器
”ａｌｌｙ真窄（二排気する手段と、前記第２の容器内
で試料ケ走査する手段〉具備してなることを特徴とする
ドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14568683A JPS6037733A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14568683A JPS6037733A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037733A true JPS6037733A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15390742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14568683A Pending JPS6037733A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037733A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0220481A2 (en) * | 1985-10-28 | 1987-05-06 | International Business Machines Corporation | Photoelectric enhanced plasma glow discharge system |
| US4693779A (en) * | 1984-11-14 | 1987-09-15 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing apparatus for semiconductor devices |
| JPH0252428A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2003021402A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 壁貫通型燃焼器具 |
| EP1731806A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-13 | Applied Films Corporation | Dual gate isolating valve |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP14568683A patent/JPS6037733A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4693779A (en) * | 1984-11-14 | 1987-09-15 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing apparatus for semiconductor devices |
| EP0220481A2 (en) * | 1985-10-28 | 1987-05-06 | International Business Machines Corporation | Photoelectric enhanced plasma glow discharge system |
| JPH0252428A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2003021402A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 壁貫通型燃焼器具 |
| EP1731806A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-13 | Applied Films Corporation | Dual gate isolating valve |
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