JPS60198823A - イオンビ−ムエツチング法 - Google Patents
イオンビ−ムエツチング法Info
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- JPS60198823A JPS60198823A JP5563084A JP5563084A JPS60198823A JP S60198823 A JPS60198823 A JP S60198823A JP 5563084 A JP5563084 A JP 5563084A JP 5563084 A JP5563084 A JP 5563084A JP S60198823 A JPS60198823 A JP S60198823A
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- etching
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子デバイス製造プロセスに用いるイオンビ
ームエツチング方法に関するものでおる。
ームエツチング方法に関するものでおる。
従来よｈＭ、子デバイス製造プロセスにおけるエツチン
グ工程はウェットエツチングからドライエツチングへと
移行する傾向にｓｂ、その技術としては例えばＪ、Ｌ、
ＶｏｓｓｅｎによＦ） Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ・
Ｓｏｃ 、Ｖｏ１１２６．１９７９年、Ｐ３ｊ９〜Ｐ３
２４ に、ｒ Ｇｌｏｗ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｈｅ
ｎｏｍｅｎａ ｉｎ Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｉｎｇａ
ｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｊ （プ
ラズマエツチングおよびプラズマデポジションにおける
グロー放電）と題して発表された論文によるプラズマエ
ツチング、Ｃ，Ｊ、Ｍｏｇａｂ 、 Ａ、Ｃ，Ａｏｌａ
ｍｓ ａｎｄ Ｄ、Ｌ、ＦｌａｍよりＪ、Ａｐｐｌ 、
Ｐｈｙｓ 、Ｖｏｌ ４９ 、１９７９年、 Ｐ ３７
９６〜Ｐ３８０３にｒ Ｐｌａｓｍａ ｅｌｃｈｉｎｇ
ｏｆ Ｓｔ ａｎｄ ５ｉ０２ Ｊ （Ｓｔ 。
グ工程はウェットエツチングからドライエツチングへと
移行する傾向にｓｂ、その技術としては例えばＪ、Ｌ、
ＶｏｓｓｅｎによＦ） Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ・
Ｓｏｃ 、Ｖｏ１１２６．１９７９年、Ｐ３ｊ９〜Ｐ３
２４ に、ｒ Ｇｌｏｗ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｈｅ
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ｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｊ （プ
ラズマエツチングおよびプラズマデポジションにおける
グロー放電）と題して発表された論文によるプラズマエ
ツチング、Ｃ，Ｊ、Ｍｏｇａｂ 、 Ａ、Ｃ，Ａｏｌａ
ｍｓ ａｎｄ Ｄ、Ｌ、ＦｌａｍよりＪ、Ａｐｐｌ 、
Ｐｈｙｓ 、Ｖｏｌ ４９ 、１９７９年、 Ｐ ３７
９６〜Ｐ３８０３にｒ Ｐｌａｓｍａ ｅｌｃｈｉｎｇ
ｏｆ Ｓｔ ａｎｄ ５ｉ０２ Ｊ （Ｓｔ 。
Ｓ １０２のプラズマエツチング）と題して発表された
論文による高周波放電を用いた平行平板型ドライエツチ
ング、また、ｆｉ、Ｊ、５ｈａｒｐ 、 Ｊ、に、Ｇ、
Ｐａｎ１ｔｚａｎｄ Ｄ、Ｍ、ＭａｔｔｏｘによＪ）
Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ ｖｏ１１６．１
９７９年、Ｐ１８７９〜Ｐ１８８２にｒＡｐｐｌ Ｉｃ
ａｔｉｏｎｏｆ ａ Ｋａｕｆｕｍａｎ ｔｏｎ ５ｏ
ｕｒｃｅ ｔｏ ＩＯＷ ｅｎｅｒｇｙ ｔｏｎｅｒｏ
ｓｉｏｎ ５ｔｕｄｉｅｓ Ｊ （低イオンエネルギー
カフマン型イオン源のイオンエツチング）」と題して発
表された論文によるイオンビームエツチングなどがあげ
られる。これらのドライエツチングにおいては、フッ素
、塩素等のノ・ログンを含むガス分子。
論文による高周波放電を用いた平行平板型ドライエツチ
ング、また、ｆｉ、Ｊ、５ｈａｒｐ 、 Ｊ、に、Ｇ、
Ｐａｎ１ｔｚａｎｄ Ｄ、Ｍ、ＭａｔｔｏｘによＪ）
Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ ｖｏ１１６．１
９７９年、Ｐ１８７９〜Ｐ１８８２にｒＡｐｐｌ Ｉｃ
ａｔｉｏｎｏｆ ａ Ｋａｕｆｕｍａｎ ｔｏｎ ５ｏ
ｕｒｃｅ ｔｏ ＩＯＷ ｅｎｅｒｇｙ ｔｏｎｅｒｏ
ｓｉｏｎ ５ｔｕｄｉｅｓ Ｊ （低イオンエネルギー
カフマン型イオン源のイオンエツチング）」と題して発
表された論文によるイオンビームエツチングなどがあげ
られる。これらのドライエツチングにおいては、フッ素
、塩素等のノ・ログンを含むガス分子。
ガス原子及び放電によって生成されるそれらのラジカル
あるいはイオンのＳｔ衣表面の吸着や照射によってＳｔ
のエツチングを進行させるものである。
あるいはイオンのＳｔ衣表面の吸着や照射によってＳｔ
のエツチングを進行させるものである。
しかしながら、電子デバイスの製造に際してはこれらの
分子、原子、ラジカル、イオンはＳＩＯ□上にも吸着、
照射される。さらに、これに物理的な衝撃が加わってエ
ツチングが進行するため、従来のエツチング方法におい
てはＳｉ 、 ５ｉ０２のエツチングレイトの選択比は
原子２分子、ラジカル、イオンの８１及び５１０２との
化学反応性の差のみによってもたらされることになる。
分子、原子、ラジカル、イオンはＳＩＯ□上にも吸着、
照射される。さらに、これに物理的な衝撃が加わってエ
ツチングが進行するため、従来のエツチング方法におい
てはＳｉ 、 ５ｉ０２のエツチングレイトの選択比は
原子２分子、ラジカル、イオンの８１及び５１０２との
化学反応性の差のみによってもたらされることになる。
このために従来の方法では高い選択比が得られないとい
う欠点があった。平行平板型装置、プラズマエツチング
装置の場合、垂直なエツチング断面が得られるエツチン
グ条件ではＳｉｒ ５ｉ０２のエツチングレイト選択比
はたかだかＳｔがＳ ｓ Ｏ２の１０〜１５倍程度であ
った。平行平板型装置では、ガスを選べば６０倍適度の
選択比も出るが、その場合にはマスク下のサイドエッチ
が大きくなシ、垂直なエツチング断面が得られなかった
。イオンビームエツチングではマスク下のサイドエッチ
は生じ難いが物理的スパッタリング効果が強まシ、選択
比が低下する。また一般的にイオンビームエツチングで
はイオン加速エネルギーが５００ ｅＶ〜１ ｋｅＶと
高くなるため、試料に対しイオン衝撃による多くの損傷
が作られた。
う欠点があった。平行平板型装置、プラズマエツチング
装置の場合、垂直なエツチング断面が得られるエツチン
グ条件ではＳｉｒ ５ｉ０２のエツチングレイト選択比
はたかだかＳｔがＳ ｓ Ｏ２の１０〜１５倍程度であ
った。平行平板型装置では、ガスを選べば６０倍適度の
選択比も出るが、その場合にはマスク下のサイドエッチ
が大きくなシ、垂直なエツチング断面が得られなかった
。イオンビームエツチングではマスク下のサイドエッチ
は生じ難いが物理的スパッタリング効果が強まシ、選択
比が低下する。また一般的にイオンビームエツチングで
はイオン加速エネルギーが５００ ｅＶ〜１ ｋｅＶと
高くなるため、試料に対しイオン衝撃による多くの損傷
が作られた。
本発明はＳｌのドライエツチングにおいて、エツチング
レイト選択比が高く、かつエツチング断面が垂直でエツ
チングによる損傷の少ないエツチング方法を提供するこ
とを目的とする。
レイト選択比が高く、かつエツチング断面が垂直でエツ
チングによる損傷の少ないエツチング方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明は、フッ素ガス雰囲気中または真空状態にあるＳ
ｌに対して紫外線とともに低エネルギー加速のイオンビ
ームを照射してエツチングを行なうことを特徴とするイ
オンビームエツチング方法である。
ｌに対して紫外線とともに低エネルギー加速のイオンビ
ームを照射してエツチングを行なうことを特徴とするイ
オンビームエツチング方法である。
本発明では、上述の構成を取ることによ”シ、従来技術
のエツチングレイトの選択比が低いという問題点及び被
エツチング物に損傷が残るという問題点、エツチング断
面が垂直にならないという問題点を同時に解決した。
のエツチングレイトの選択比が低いという問題点及び被
エツチング物に損傷が残るという問題点、エツチング断
面が垂直にならないという問題点を同時に解決した。
まず、波長領域２００ ｎｍ〜４２０ ｎｍの紫外線を
エツチング装置中のＳｔ及びＳ ｉＯ２に照射する。こ
の波長領域でのＳｔ及びＳｉＯ□の光吸収及び透過を表
わすグラフを第１図及び第２図に示す。第１図はＳｉの
吸収係数を示したもので、横軸は波長（ｎｍ ）、縦軸
は吸媛係数（ａｎ−’ ）である。Ｓｉの吸収係数１１
がこの波長領域でピークを持ち全体的にも大きい仙を示
すのに対し、この波長領域ではＳ ｉ Ｏ２の吸収係数
はほぼＯ（＜１＋＋−１）である。また、第２図はＳ
ｔ ０２の透過率を示したもので、横軸は波長（ｎｍ）
、縦軸は透過率（チ）である。２１はＳ １ｏ２の透過
率であるが、これに対してこの波長領域ではＳｔの透過
率はほぼ０（係）である。第１図、第２図に明らかなと
おシ、波長領域２００ ｎｍ〜４２０ ｎｍではＳＬに
は大きい吸収があるが５ｉＯ７ではほとんど透過するた
め、この領域の紫外線照射によってＳｉの電子状態のみ
を励起さぜ、これによってガス′の原子２分子。
エツチング装置中のＳｔ及びＳ ｉＯ２に照射する。こ
の波長領域でのＳｔ及びＳｉＯ□の光吸収及び透過を表
わすグラフを第１図及び第２図に示す。第１図はＳｉの
吸収係数を示したもので、横軸は波長（ｎｍ ）、縦軸
は吸媛係数（ａｎ−’ ）である。Ｓｉの吸収係数１１
がこの波長領域でピークを持ち全体的にも大きい仙を示
すのに対し、この波長領域ではＳ ｉ Ｏ２の吸収係数
はほぼＯ（＜１＋＋−１）である。また、第２図はＳ
ｔ ０２の透過率を示したもので、横軸は波長（ｎｍ）
、縦軸は透過率（チ）である。２１はＳ １ｏ２の透過
率であるが、これに対してこの波長領域ではＳｔの透過
率はほぼ０（係）である。第１図、第２図に明らかなと
おシ、波長領域２００ ｎｍ〜４２０ ｎｍではＳＬに
は大きい吸収があるが５ｉＯ７ではほとんど透過するた
め、この領域の紫外線照射によってＳｉの電子状態のみ
を励起さぜ、これによってガス′の原子２分子。
ラジカル、イオンとの反応をＳｔに対してのみ援助する
ことができる。
ことができる。
次に、紫外８１８射中のＳｔ 、 ５１０２に対して通
常よりも低い５ Ｑ ｅＶ〜２００ ｅＶの加速エネル
ギーでイオンビームを照射し、エツチングを行々う。Ｓ
ｔに対しては紫外線照射による援助が存在するためにイ
オンビームの加速エネルギーが５０ ｅＶ〜２００ ｅ
Ｖと小さくても十分なエツチングレイトが得られ、また
Ｓ １０２に対しては紫外線の吸収が無くかつイオンビ
ームの加速エネルギーが低いためにエツチングレイトが
小さい。また、イオンビームの加速エネルギーがこの程
度に低くても１ ｋｅＶ加速の場合と同様にエツチング
断面はほぼ垂直で、マスク下のサイドエッチはほとんど
観測されない。さらに、加速エネルギーが低いためにイ
オンビーム照射面に生じるイオン衝撃による損傷は極め
て少なくなる。
常よりも低い５ Ｑ ｅＶ〜２００ ｅＶの加速エネル
ギーでイオンビームを照射し、エツチングを行々う。Ｓ
ｔに対しては紫外線照射による援助が存在するためにイ
オンビームの加速エネルギーが５０ ｅＶ〜２００ ｅ
Ｖと小さくても十分なエツチングレイトが得られ、また
Ｓ １０２に対しては紫外線の吸収が無くかつイオンビ
ームの加速エネルギーが低いためにエツチングレイトが
小さい。また、イオンビームの加速エネルギーがこの程
度に低くても１ ｋｅＶ加速の場合と同様にエツチング
断面はほぼ垂直で、マスク下のサイドエッチはほとんど
観測されない。さらに、加速エネルギーが低いためにイ
オンビーム照射面に生じるイオン衝撃による損傷は極め
て少なくなる。
この紫外線アシストイオンビームエツチングにおいては
、エツチング装置中にフッ素ガスを導入して活性なフッ
素ガス雰囲気中でアルゴン等のイオンビームによるエツ
チングを行う場合と、エツチング装置中にガスを導入せ
ずにイオンビームのみによってエツチングを行う場合と
の２通シの方法が可能である。前者の場合は後者よシも
エツチングレイトは大きいがフッ累分子によるＳｉ、Ｓ
ｉ０２の汚染が多少生じ、また後者の場合はその反対に
汚染は少ないがエツチングレイトは小さくなるという特
徴を持つ。
、エツチング装置中にフッ素ガスを導入して活性なフッ
素ガス雰囲気中でアルゴン等のイオンビームによるエツ
チングを行う場合と、エツチング装置中にガスを導入せ
ずにイオンビームのみによってエツチングを行う場合と
の２通シの方法が可能である。前者の場合は後者よシも
エツチングレイトは大きいがフッ累分子によるＳｉ、Ｓ
ｉ０２の汚染が多少生じ、また後者の場合はその反対に
汚染は少ないがエツチングレイトは小さくなるという特
徴を持つ。
このように、本発明による紫外線アシストのイオンビー
ムエツチングにより、Ｓｔ 、 ５ｉ０２のエツチング
レイト選択比が高く、かつエツチング断面が垂直でマス
ク下のサイドエッチが少なく、またイオン衝撃による損
傷の少ないエツチングが可能となる。
ムエツチングにより、Ｓｔ 、 ５ｉ０２のエツチング
レイト選択比が高く、かつエツチング断面が垂直でマス
ク下のサイドエッチが少なく、またイオン衝撃による損
傷の少ないエツチングが可能となる。
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に述べ
る。
る。
第３図に本発明の第１の実施例を示す。Ｓｔ 。
５ＩＯ２の試料３１はガス導入管３２から真空装置３０
中に導入したフッ素ガス３３の雰囲気中に置かれている
。この試料３１に対し、紫外線源３４から出た紫外線３
５を窓３６を通して照射する。
中に導入したフッ素ガス３３の雰囲気中に置かれている
。この試料３１に対し、紫外線源３４から出た紫外線３
５を窓３６を通して照射する。
紫外線３５の照射によってＳｔの電子状態が励起されて
いる試料３１に対し、イオン源３７からイオンビーム３
８を低加速エネルギーで照射すると、励起状態にあるＳ
ｔは容易にエツチングされる。こ。
いる試料３１に対し、イオン源３７からイオンビーム３
８を低加速エネルギーで照射すると、励起状態にあるＳ
ｔは容易にエツチングされる。こ。
れに対し、Ｓ １０２は紫外線を吸収しないために電子
が基底状態にあシ、エツチングされ離い。また、このエ
ツチングは試料面に垂直な方向からイオン衝撃を与える
イオンビームエツチングであるために、試料３１のエツ
チング断面は垂直で、マスク下のサイドエッチはほとん
ど観測されない。さらに、イオンビーム３８の加速エネ
ルギーが低いためにエツチング中に試料３１のイオンビ
ーム照射面に作られるイオン衝撃による欠陥が少なくな
る。
が基底状態にあシ、エツチングされ離い。また、このエ
ツチングは試料面に垂直な方向からイオン衝撃を与える
イオンビームエツチングであるために、試料３１のエツ
チング断面は垂直で、マスク下のサイドエッチはほとん
ど観測されない。さらに、イオンビーム３８の加速エネ
ルギーが低いためにエツチング中に試料３１のイオンビ
ーム照射面に作られるイオン衝撃による欠陥が少なくな
る。
また、フッ素ガス分子３３の試料３１表面への吸着はエ
ツチングレイトを高める作用を持つ。
ツチングレイトを高める作用を持つ。
第４図に本発明の第２の実施例を示す。ｓｉ 。
５ＩＯ２の試料４１はガス導入管４２から真空装置４０
中に導入されたフッ素ガス４３の雰囲気中に置かれてい
る。この試料４１に対し、紫外線源から出た紫外線４５
を窓４６を通して照射するのに際し、紫外線源の構造上
の理由によシ本発明の第１の実施例である第３図の紫外
線源３４の位置にセットできない場合は、反射鏡４９を
真空装置４０中に置いて紫外線源４４から出た紫外線４
５を反射させた後に試料４１に照射する。このようにし
てＳｔの電子状態を励起した試料４１に対し、第３図の
実施例１の場合と同様にイオン源４７からイオンビーム
４８を照射し、エツチングを行う。
中に導入されたフッ素ガス４３の雰囲気中に置かれてい
る。この試料４１に対し、紫外線源から出た紫外線４５
を窓４６を通して照射するのに際し、紫外線源の構造上
の理由によシ本発明の第１の実施例である第３図の紫外
線源３４の位置にセットできない場合は、反射鏡４９を
真空装置４０中に置いて紫外線源４４から出た紫外線４
５を反射させた後に試料４１に照射する。このようにし
てＳｔの電子状態を励起した試料４１に対し、第３図の
実施例１の場合と同様にイオン源４７からイオンビーム
４８を照射し、エツチングを行う。
この場合も、励起状態にあるＳｔが５１０２に対して高
いエツチングレイトで選択比良くエツチングされ、また
エツチング断面は垂直でかつイオン衝撃による損傷は少
々い。
いエツチングレイトで選択比良くエツチングされ、また
エツチング断面は垂直でかつイオン衝撃による損傷は少
々い。
本発明のエツチング方法によるＳｉ 、 ５１０２のエ
ツチングレイト選択比と紫外線照射を行わない従来のイ
オンビームエツチング方法によるエツチングレイト選択
比を第５図に示す。第５図の横軸はＪ【空装置中のフッ
素分圧〜縦軸はＳｔのエツチングレイトと３１０２のエ
ツチングレイトの比Ｒ（Ｓｔ）／Ｒ（Ｓ ｉ ０２ ）
である。５１，５２．５３とも、真空中にあるイオン源
の内部にアルゴンガスを流入して真空状態の圧力を８．
ＯＸ １０ Ｔｏｒｒとしている。５１は、六登ＢＢ箇
士辻Ｆ ？ ｈ、との了ルコゝン宴開矧か持つ真空装置
にさらにガス導入管からフッ素ガスを導入し、フッ素ガ
ス雰囲気中で試料に紫外線を照射しつつ１００ｅＶ加速
でイオンビームエツチングを行った場合のエツチングレ
イト選択比である。
ツチングレイト選択比と紫外線照射を行わない従来のイ
オンビームエツチング方法によるエツチングレイト選択
比を第５図に示す。第５図の横軸はＪ【空装置中のフッ
素分圧〜縦軸はＳｔのエツチングレイトと３１０２のエ
ツチングレイトの比Ｒ（Ｓｔ）／Ｒ（Ｓ ｉ ０２ ）
である。５１，５２．５３とも、真空中にあるイオン源
の内部にアルゴンガスを流入して真空状態の圧力を８．
ＯＸ １０ Ｔｏｒｒとしている。５１は、六登ＢＢ箇
士辻Ｆ ？ ｈ、との了ルコゝン宴開矧か持つ真空装置
にさらにガス導入管からフッ素ガスを導入し、フッ素ガ
ス雰囲気中で試料に紫外線を照射しつつ１００ｅＶ加速
でイオンビームエツチングを行った場合のエツチングレ
イト選択比である。
５２は、従来の方法により、アルゴン雰囲気を持つ真空
装置にさらにガス導入管からフッ素ガスを導入し、フッ
素ガス雰囲気中で１ ｋｅＶ加速でイオンビームエツチ
ングを行った場合のエツチングレイト選択比で、紫外線
の照射は行っていない。５３は、本発明の方法によシア
ルボン雰囲気を持つ真空装置中で紫外線照射を行いつつ
２００ｅＶ加速でイオンビームエツチングを行った場合
のエツチングレイト選択比で、フッ素ガスは導入してい
ない場合のものでちる０すなわち、５３ではフッ素分圧
はゼロである。５１．５２の比較から、５１に示した本
発明によるフッ素雰囲気中での紫外線アシストイオンビ
ームエツチングでは、５２に示した従来の方法によるフ
ッ素雰囲気中でのイオンビームエツチングよシもエツチ
ングレイトが遥かに大きく、本発明による紫外線照射の
効果が極めて大きいことがわかる。また、５３に示した
、本発明による紫外線アシストイオンビームエツチング
でフッ素を用い力い場合のエツチングレイト選択比も＼
フッ素を用いた５１の場合には劣るが、従来の方法と比
較すると選択比が高く、紫外線照射の効果が絶大である
ことがわかる。
装置にさらにガス導入管からフッ素ガスを導入し、フッ
素ガス雰囲気中で１ ｋｅＶ加速でイオンビームエツチ
ングを行った場合のエツチングレイト選択比で、紫外線
の照射は行っていない。５３は、本発明の方法によシア
ルボン雰囲気を持つ真空装置中で紫外線照射を行いつつ
２００ｅＶ加速でイオンビームエツチングを行った場合
のエツチングレイト選択比で、フッ素ガスは導入してい
ない場合のものでちる０すなわち、５３ではフッ素分圧
はゼロである。５１．５２の比較から、５１に示した本
発明によるフッ素雰囲気中での紫外線アシストイオンビ
ームエツチングでは、５２に示した従来の方法によるフ
ッ素雰囲気中でのイオンビームエツチングよシもエツチ
ングレイトが遥かに大きく、本発明による紫外線照射の
効果が極めて大きいことがわかる。また、５３に示した
、本発明による紫外線アシストイオンビームエツチング
でフッ素を用い力い場合のエツチングレイト選択比も＼
フッ素を用いた５１の場合には劣るが、従来の方法と比
較すると選択比が高く、紫外線照射の効果が絶大である
ことがわかる。
さらに、本発明による５１．５３の紫外線アシストイオ
ンビームエツチングでは、イオンの加速エネルギーは低
いが、従来の方法による５２の高い加速エネルギーでの
イオンビームエツチングの場合と同様にエツチング断面
は垂直で、アンダーエッチは少なかった。また、本発明
による５１゜５３の場合では、従来の方法による５２の
場合よりもイオンの加速エネルギーが低いためにイオン
照射面のイオンｇｒ１撃によ・る損傷が極めて少なく、
本発明の効果は明らかであった〇 以上詳細に述べた通シ、本発明によればＳｔの５Ｉ０２
に対するエツチングレイト選択比を高めることができ、
さらにエツチング断面が垂直でかつイオン衝撃による損
傷の少ないエツチングが可能となる。このより々本発明
を電子デバイス製造プロセスのドライグロセス化におい
て用いた場合、その有効性は多大なものとなろう。
ンビームエツチングでは、イオンの加速エネルギーは低
いが、従来の方法による５２の高い加速エネルギーでの
イオンビームエツチングの場合と同様にエツチング断面
は垂直で、アンダーエッチは少なかった。また、本発明
による５１゜５３の場合では、従来の方法による５２の
場合よりもイオンの加速エネルギーが低いためにイオン
照射面のイオンｇｒ１撃によ・る損傷が極めて少なく、
本発明の効果は明らかであった〇 以上詳細に述べた通シ、本発明によればＳｔの５Ｉ０２
に対するエツチングレイト選択比を高めることができ、
さらにエツチング断面が垂直でかつイオン衝撃による損
傷の少ないエツチングが可能となる。このより々本発明
を電子デバイス製造プロセスのドライグロセス化におい
て用いた場合、その有効性は多大なものとなろう。
第１図は、ｓｉの吸収係数の波長分布を示す図、第２図
は、Ｓ１０□の透過率の波長分布を示す図、第３図は、
本発明のエツチング方法を用いた第１の実施例を示す真
空装置の断面図、第４図は、本発明のエツチング方法を
用いた第２の実施例を示す真空装置の断面図、第５図は
、本発明によるＳｔ。 ５ｉｎ２のエツチングレイト選択比を従来の方法による
エツチングレイト選択比と比較した図である。 ３０ 、４０・・・真空装置、３１．４１・・・試料、
３２．４２・・・ガス導入管、３３．４３・・・フッ素
ガス分子、３４．４４・・・紫外線源、３５．４５・・
・紫外線、３６．４６・・・窓、３７．４７・・・イオ
ン源、３８．４８・・・イオンビーム、４９・・・反ｉ
鏡。 第１図 洩 長 （代亀） 第２図 洩 長 （問い
は、Ｓ１０□の透過率の波長分布を示す図、第３図は、
本発明のエツチング方法を用いた第１の実施例を示す真
空装置の断面図、第４図は、本発明のエツチング方法を
用いた第２の実施例を示す真空装置の断面図、第５図は
、本発明によるＳｔ。 ５ｉｎ２のエツチングレイト選択比を従来の方法による
エツチングレイト選択比と比較した図である。 ３０ 、４０・・・真空装置、３１．４１・・・試料、
３２．４２・・・ガス導入管、３３．４３・・・フッ素
ガス分子、３４．４４・・・紫外線源、３５．４５・・
・紫外線、３６．４６・・・窓、３７．４７・・・イオ
ン源、３８．４８・・・イオンビーム、４９・・・反ｉ
鏡。 第１図 洩 長 （代亀） 第２図 洩 長 （問い
Claims (1)
- （１） フッ素ガス雰囲気中あるいは真空状態にあるＳ
ｉに紫外線とともにイオンビームを照射することによっ
てエツチングを行うことを特徴とするイオンビームエツ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5563084A JPS60198823A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | イオンビ−ムエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5563084A JPS60198823A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | イオンビ−ムエツチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198823A true JPS60198823A (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=13004100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5563084A Pending JPS60198823A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | イオンビ−ムエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198823A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140742A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工方法 |
| US20090195605A1 (en) * | 2006-08-31 | 2009-08-06 | Atsuro Yanata | Manufacturing method of nozzle plate for liquid ejection head, nozzle plate for liquid ejection head, and liquid ejection head |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP5563084A patent/JPS60198823A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140742A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工方法 |
| US20090195605A1 (en) * | 2006-08-31 | 2009-08-06 | Atsuro Yanata | Manufacturing method of nozzle plate for liquid ejection head, nozzle plate for liquid ejection head, and liquid ejection head |
| US8881399B2 (en) * | 2006-08-31 | 2014-11-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method of manufacturing a nozzle plate for a liquid ejection head |
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