JPH10144588A - 縮小投影露光装置及び露光方法 - Google Patents
縮小投影露光装置及び露光方法Info
- Publication number
- JPH10144588A JPH10144588A JP8299175A JP29917596A JPH10144588A JP H10144588 A JPH10144588 A JP H10144588A JP 8299175 A JP8299175 A JP 8299175A JP 29917596 A JP29917596 A JP 29917596A JP H10144588 A JPH10144588 A JP H10144588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- projection exposure
- exposure apparatus
- reduction projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光源１からの光が光化学反応を起こして生成
された反応生成物が、構成部材に付着してくもりが発生
する事を防止し、照度、及び照度均一性の悪化を防ぐ事
によって、生産効率の高い縮小投影露光装置及び縮小投
影露光方法を提供する。 【解決手段】 光源１、レチクル２、縮小投影レンズ４
及びウェハ支持手段６とから構成される縮小投影露光装
置２０に於いて、当該光源１及び、当該光源１から放射
される光が当たる当該縮小投影露光装置２０の構成部材
の少なくとも一部の構成部材を真空領域２１内に配置せ
しめた縮小投影露光装置２０。
された反応生成物が、構成部材に付着してくもりが発生
する事を防止し、照度、及び照度均一性の悪化を防ぐ事
によって、生産効率の高い縮小投影露光装置及び縮小投
影露光方法を提供する。 【解決手段】 光源１、レチクル２、縮小投影レンズ４
及びウェハ支持手段６とから構成される縮小投影露光装
置２０に於いて、当該光源１及び、当該光源１から放射
される光が当たる当該縮小投影露光装置２０の構成部材
の少なくとも一部の構成部材を真空領域２１内に配置せ
しめた縮小投影露光装置２０。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縮小投影露光装置
及び縮小投影露光方法に関するものであり、更に詳しく
は、半導体製造装置の縮小投影露光装置及び縮小投影露
光方法に関するものである。
及び縮小投影露光方法に関するものであり、更に詳しく
は、半導体製造装置の縮小投影露光装置及び縮小投影露
光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、この種の縮小投影露光方法
は、例えば特開昭６２−８６７２４号公報等に示されて
いる様に、縮小投影露光方法内部でのレチクルへの異物
の付着を減少させることを目的として、真空処理手段を
併用する技術が使用されている事を開示している。
は、例えば特開昭６２−８６７２４号公報等に示されて
いる様に、縮小投影露光方法内部でのレチクルへの異物
の付着を減少させることを目的として、真空処理手段を
併用する技術が使用されている事を開示している。
【０００３】図２は、係る従来の縮小投影露光装置の一
具体例の構成を示す図であり、図中、当該縮小投影露光
装置は、光源１としてレチクル用Ｘ−Ｙステージ３、縮
小投影レンズ縮小投影レンズ４、ウェハ用Ｘ−Ｙステー
ジ６、レチクル用ローダ７、異物検査手段８、真空チャ
ンバー９、当該真空チャンバー９内の空気を排気する為
の真空ポンプ１０及び当該真空チャンバー９の設けられ
た石英ガラス等からなる露光窓１１、１２等から構成さ
れている。
具体例の構成を示す図であり、図中、当該縮小投影露光
装置は、光源１としてレチクル用Ｘ−Ｙステージ３、縮
小投影レンズ縮小投影レンズ４、ウェハ用Ｘ−Ｙステー
ジ６、レチクル用ローダ７、異物検査手段８、真空チャ
ンバー９、当該真空チャンバー９内の空気を排気する為
の真空ポンプ１０及び当該真空チャンバー９の設けられ
た石英ガラス等からなる露光窓１１、１２等から構成さ
れている。
【０００４】当該光源１は、例えば紫外線を発生する様
な超高圧水銀ランプが用いられている。又、該レチクル
用Ｘ−Ｙステージ３は、当該レチクル（つまりマスク）
２を支持すると共に、当該レチクル２の位置合わせを行
うものである。当該レチクル２は、拡大されたパターン
が予め形成されている。
な超高圧水銀ランプが用いられている。又、該レチクル
用Ｘ−Ｙステージ３は、当該レチクル（つまりマスク）
２を支持すると共に、当該レチクル２の位置合わせを行
うものである。当該レチクル２は、拡大されたパターン
が予め形成されている。
【０００５】一方、当該縮小投影レンズ４は、該レチク
ル２のパターンを縮小してウェハ５上に投影するもので
ある。該ウェハ用Ｘ−Ｙステージ６は、ウェハ５を支持
すると共に、露光毎に該ウェハ５を一定距離だけ移動さ
せるものである。該レチクル用ローダー７は、該レチク
ル２を該レチクル用Ｘ−Ｙステージ３に設置するための
ものである。
ル２のパターンを縮小してウェハ５上に投影するもので
ある。該ウェハ用Ｘ−Ｙステージ６は、ウェハ５を支持
すると共に、露光毎に該ウェハ５を一定距離だけ移動さ
せるものである。該レチクル用ローダー７は、該レチク
ル２を該レチクル用Ｘ−Ｙステージ３に設置するための
ものである。
【０００６】又、該異物検査機８は、該レチクル２に異
物が付着しているか否かを検査するものである。更に、
該露光窓１１、１２は光を透過する窓である。次に、従
来に於ける上記縮小投影露光装置の動作に付いて説明す
るならば、該レチクル２は図示していないレチクル受口
にセットされると先ず異物検査機８によって、異物が付
着していないかどうかが検査される。
物が付着しているか否かを検査するものである。更に、
該露光窓１１、１２は光を透過する窓である。次に、従
来に於ける上記縮小投影露光装置の動作に付いて説明す
るならば、該レチクル２は図示していないレチクル受口
にセットされると先ず異物検査機８によって、異物が付
着していないかどうかが検査される。
【０００７】異物の付着の有無が検査された後、該レチ
クル２はレチクル用ローダー７によって、レチクル用Ｘ
−Ｙステージ３上にセットされる。次いで、レチクル用
Ｘ−Ｙステージ３を移動させて、該レチクル２と該ウェ
ハ１との位置合わせを行う。その後、超高圧水銀ランプ
１により真空チャンバー９に設けられた露光窓１１を介
して、該レチクル用Ｘ−Ｙステージ３上のレチクル２に
光が照射される。
クル２はレチクル用ローダー７によって、レチクル用Ｘ
−Ｙステージ３上にセットされる。次いで、レチクル用
Ｘ−Ｙステージ３を移動させて、該レチクル２と該ウェ
ハ１との位置合わせを行う。その後、超高圧水銀ランプ
１により真空チャンバー９に設けられた露光窓１１を介
して、該レチクル用Ｘ−Ｙステージ３上のレチクル２に
光が照射される。
【０００８】該レチクル２を通過した光は縮小投影レン
ズ４の一端に導かれ、縮小投影レンズ４によりパターン
が一定の縮小率で縮小される。当該縮小投影レンズ４の
他端からの光は、真空チャンバー９に設けられた露光窓
１２を介してウェハ用Ｘ−Ｙステージ６上にセットされ
たウェハ５に到達する。
ズ４の一端に導かれ、縮小投影レンズ４によりパターン
が一定の縮小率で縮小される。当該縮小投影レンズ４の
他端からの光は、真空チャンバー９に設けられた露光窓
１２を介してウェハ用Ｘ−Ｙステージ６上にセットされ
たウェハ５に到達する。
【０００９】このようにしてウェハ５上には縮小された
パターンが投影され転写される。同一のレチクル２を用
いて、該ウェハ５を移動させながら、露光を繰り返すこ
とによって、該ウェハ５上には多数の同一のパターンが
形成される。上述の様に構成された半導体製造装置にお
いて、真空チャンバー９内の空気を真空ポンプで排気す
る事によって、該真空チャンバー９内の異物は気体と共
に外部に排気される。
パターンが投影され転写される。同一のレチクル２を用
いて、該ウェハ５を移動させながら、露光を繰り返すこ
とによって、該ウェハ５上には多数の同一のパターンが
形成される。上述の様に構成された半導体製造装置にお
いて、真空チャンバー９内の空気を真空ポンプで排気す
る事によって、該真空チャンバー９内の異物は気体と共
に外部に排気される。
【００１０】尚、上記半導体製造装置において、該レチ
クル２を水平方向にセットしてもよいが、該レチクル用
Ｘ−Ｙステージ３を縦型にして、該レチクル２を垂直に
立てたままセット出来る様にしても良い。このようにし
た場合には、該レチクル２への異物の付着がさらに減少
する。
クル２を水平方向にセットしてもよいが、該レチクル用
Ｘ−Ｙステージ３を縦型にして、該レチクル２を垂直に
立てたままセット出来る様にしても良い。このようにし
た場合には、該レチクル２への異物の付着がさらに減少
する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】処で、上記した縮小投
影露光装置に於いては、特に該露光窓１１や露光窓１２
の様な空気に触れている面で光の当たる部分に曇りが発
生してウェハ５上での照度及び照度均一性を悪化させ、
処理数を低下させると言う問題が発生している。かかる
原因としては、当該光源１の一具体例として、超高圧水
銀ランプ１を使用した場合、当該超高圧水銀ランプ１か
ら発生する光は単一の波長ではなく、いくつかの波長の
光が含まれている。
影露光装置に於いては、特に該露光窓１１や露光窓１２
の様な空気に触れている面で光の当たる部分に曇りが発
生してウェハ５上での照度及び照度均一性を悪化させ、
処理数を低下させると言う問題が発生している。かかる
原因としては、当該光源１の一具体例として、超高圧水
銀ランプ１を使用した場合、当該超高圧水銀ランプ１か
ら発生する光は単一の波長ではなく、いくつかの波長の
光が含まれている。
【００１２】これらの光成分の内、該ウェハ５の露光に
使用されない短波長の光が、空気中のガス分子と光化学
反応を起こして、反応生成物を生成し、それが、空気に
触れている部品等の当該光が当たる部分に付着する事が
原因と考えられている。当該光源１に超高圧水銀ランプ
以外のランプを使用した場合でも、該ウェハ５の露光に
使用されない短波長の光が含まれている場合には、上記
した問題が発生する。
使用されない短波長の光が、空気中のガス分子と光化学
反応を起こして、反応生成物を生成し、それが、空気に
触れている部品等の当該光が当たる部分に付着する事が
原因と考えられている。当該光源１に超高圧水銀ランプ
以外のランプを使用した場合でも、該ウェハ５の露光に
使用されない短波長の光が含まれている場合には、上記
した問題が発生する。
【００１３】その為、本発明の目的は、上記した従来技
術の欠点を改良し、光源１から発生した光と空気中のガ
ス分子とが光化学反応を起こし、反応生成物が、空気に
触れている部品等の光の当たる部分に付着する事を防止
し、照度、及び照度均一性の悪化を防ぐ事によって、長
期間安定した露光処理操作を行うことの出来る生産効率
の高い縮小投影露光装置及び縮小投影露光方法を提供す
るものである。
術の欠点を改良し、光源１から発生した光と空気中のガ
ス分子とが光化学反応を起こし、反応生成物が、空気に
触れている部品等の光の当たる部分に付着する事を防止
し、照度、及び照度均一性の悪化を防ぐ事によって、長
期間安定した露光処理操作を行うことの出来る生産効率
の高い縮小投影露光装置及び縮小投影露光方法を提供す
るものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明の第１の態
様としては、少なくとも光源、レチクル、縮小投影レン
ズ及びウェハ支持手段とから構成される縮小投影露光装
置に於いて、当該光源及び、当該光源から放射される光
が当たる当該縮小投影露光装置の構成部材の少なくとも
一部の構成部材を真空領域内に配置せしめた縮小投影露
光装置であり、又第２の態様としては、少なくとも光
源、レチクル、縮小投影レンズ及びウェハ支持手段とか
ら構成される縮小投影露光装置を使用して、当該光源か
ら放射された光をレチクルに設けられた適宜のパターン
を介して得られた、パターン光をウェハ上に縮小投影さ
せて露光を行う縮小投影露光方法に於いて、当該光源及
び、当該光源から放射される光が当たる当該縮小投影露
光装置の構成部材の少なくとも一部の構成部材を真空領
域内に配置せしめた状態で、上記した縮小投影操作を行
う縮小投影露光方法である。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明の第１の態
様としては、少なくとも光源、レチクル、縮小投影レン
ズ及びウェハ支持手段とから構成される縮小投影露光装
置に於いて、当該光源及び、当該光源から放射される光
が当たる当該縮小投影露光装置の構成部材の少なくとも
一部の構成部材を真空領域内に配置せしめた縮小投影露
光装置であり、又第２の態様としては、少なくとも光
源、レチクル、縮小投影レンズ及びウェハ支持手段とか
ら構成される縮小投影露光装置を使用して、当該光源か
ら放射された光をレチクルに設けられた適宜のパターン
を介して得られた、パターン光をウェハ上に縮小投影さ
せて露光を行う縮小投影露光方法に於いて、当該光源及
び、当該光源から放射される光が当たる当該縮小投影露
光装置の構成部材の少なくとも一部の構成部材を真空領
域内に配置せしめた状態で、上記した縮小投影操作を行
う縮小投影露光方法である。
【００１５】
【実施の形態】本発明に係る縮小投影露光装置及び縮小
投影露光方法は、上記した様な技術構成を採用している
事から、くもりが発生する原因である、光源と当該光源
からの光が当たる構成部材を真空状態の容器内に収納し
たものであり、それによって、当該容器内には空気の気
体分子が殆ど存在しなくなるので、当該光源から放射さ
れた光で、露光に使用される波長以外の短波長の光と気
体分子との光化学反応が起こらない様に制御したもので
あるから、当該くもりが付着が発生することがない。
投影露光方法は、上記した様な技術構成を採用している
事から、くもりが発生する原因である、光源と当該光源
からの光が当たる構成部材を真空状態の容器内に収納し
たものであり、それによって、当該容器内には空気の気
体分子が殆ど存在しなくなるので、当該光源から放射さ
れた光で、露光に使用される波長以外の短波長の光と気
体分子との光化学反応が起こらない様に制御したもので
あるから、当該くもりが付着が発生することがない。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明に係る縮小投影露光装置及び
縮小投影露光方法の具体例を図１を参照しながら詳細に
説明する。図１は、本発明に係る縮小投影露光装置の１
具体例の構成を示す側面図であり、図中、少なくとも光
源１、レチクル２、縮小投影レンズ４及びウェハ支持手
段６とから構成される縮小投影露光装置２０に於いて、
当該光源１及び、当該光源１から放射される光が当たる
当該縮小投影露光装置２０の構成部材の少なくとも一部
の構成部材を真空領域２１内に配置せしめた縮小投影露
光装置２０が示されている。
縮小投影露光方法の具体例を図１を参照しながら詳細に
説明する。図１は、本発明に係る縮小投影露光装置の１
具体例の構成を示す側面図であり、図中、少なくとも光
源１、レチクル２、縮小投影レンズ４及びウェハ支持手
段６とから構成される縮小投影露光装置２０に於いて、
当該光源１及び、当該光源１から放射される光が当たる
当該縮小投影露光装置２０の構成部材の少なくとも一部
の構成部材を真空領域２１内に配置せしめた縮小投影露
光装置２０が示されている。
【００１７】つまり、上記した様に、本発明に於いて
は、曇り発生の原因となる、光源１と該光源１から放射
される短波長の光が当たる部分の部材を、真空チャンバ
ー９で形成される真空領域２１内に配置したものである
から、係る光源１と従来問題となっていた、該光源１か
ら放射される短波長の光が当たる部分の部材とを空気ガ
スの内領域に配置する様にしたものである。
は、曇り発生の原因となる、光源１と該光源１から放射
される短波長の光が当たる部分の部材を、真空チャンバ
ー９で形成される真空領域２１内に配置したものである
から、係る光源１と従来問題となっていた、該光源１か
ら放射される短波長の光が当たる部分の部材とを空気ガ
スの内領域に配置する様にしたものである。
【００１８】本発明に於ける当該構成部材とは、当該縮
小投影露光装置２０に使用される構成部材の内、特に該
光源１に近接して配置されている部品、例えば、反射鏡
１３、干渉フィルター１４及び光学レンズ１５等であっ
て、係る構成部材から適宜選択された少なくとも一つで
ある。図１に於ける本発明の一具体例に於いては、光源
１、反射鏡１３、及び干渉フィルター１４を該真空チャ
ンバー９内に配置させたものであって、これによって、
従来、干渉フィルター１４の該光源１側の表面に曇りが
多発していたのが、完全に改善されたものである。
小投影露光装置２０に使用される構成部材の内、特に該
光源１に近接して配置されている部品、例えば、反射鏡
１３、干渉フィルター１４及び光学レンズ１５等であっ
て、係る構成部材から適宜選択された少なくとも一つで
ある。図１に於ける本発明の一具体例に於いては、光源
１、反射鏡１３、及び干渉フィルター１４を該真空チャ
ンバー９内に配置させたものであって、これによって、
従来、干渉フィルター１４の該光源１側の表面に曇りが
多発していたのが、完全に改善されたものである。
【００１９】本発明に於いては、当該真空チャンバー９
は当該真空領域を構成する真空容器であって、当該真空
チャンバー９に使用される真空源１０としては、例え
ば、ドライポンプ或いはクリーンポンプ等から選択され
た一つのが接続されているものである。又、本発明に於
ける当該真空容器９と該真空源１０との間に、適宜のパ
ルブ１６が設けられており、係るバルブ１６を調節する
ことによって、当該真空チャンバー９内の真空度を調節
する事が可能となり、又、当該バルブ１を閉鎖する事に
よって、該真空源を停止しても該真空チャンバー９内の
真空度を一定の状態に維持させる事が可能である。
は当該真空領域を構成する真空容器であって、当該真空
チャンバー９に使用される真空源１０としては、例え
ば、ドライポンプ或いはクリーンポンプ等から選択され
た一つのが接続されているものである。又、本発明に於
ける当該真空容器９と該真空源１０との間に、適宜のパ
ルブ１６が設けられており、係るバルブ１６を調節する
ことによって、当該真空チャンバー９内の真空度を調節
する事が可能となり、又、当該バルブ１を閉鎖する事に
よって、該真空源を停止しても該真空チャンバー９内の
真空度を一定の状態に維持させる事が可能である。
【００２０】一方、本発明に於ける縮小投影露光方法と
しては、例えば、少なくとも光源１、レチクル２、縮小
投影レンズ４及びウェハ支持手段６とから構成される縮
小投影露光装置２０を使用して、当該光源１から放射さ
れた光をレチクル２に設けられた適宜のパターンを介し
て得られた、パターン光をウェハ支持手段６に搭載され
ているウェハ５上に縮小投影させて露光を行う縮小投影
露光方法に於いて、当該光源１及び、当該光源１から放
射される光が当たる当該縮小投影露光装置２０の構成部
材の少なくとも一部の構成部材を真空領域９内に配置せ
しめた状態で、上記した縮小投影操作を行うものであ
る。
しては、例えば、少なくとも光源１、レチクル２、縮小
投影レンズ４及びウェハ支持手段６とから構成される縮
小投影露光装置２０を使用して、当該光源１から放射さ
れた光をレチクル２に設けられた適宜のパターンを介し
て得られた、パターン光をウェハ支持手段６に搭載され
ているウェハ５上に縮小投影させて露光を行う縮小投影
露光方法に於いて、当該光源１及び、当該光源１から放
射される光が当たる当該縮小投影露光装置２０の構成部
材の少なくとも一部の構成部材を真空領域９内に配置せ
しめた状態で、上記した縮小投影操作を行うものであ
る。
【００２１】以下に、本発明に係る縮小投影露光装置２
０の具体例についてより詳細に説明する。図１に示す様
に、該光源１は、例えば、紫外線を発生するものであ
り、一例として超高圧水銀ランプが、使用される。一
方、楕円鏡１３は、該超高圧水銀ランプ１から発生した
光を集光して、一定の方向に反射する。
０の具体例についてより詳細に説明する。図１に示す様
に、該光源１は、例えば、紫外線を発生するものであ
り、一例として超高圧水銀ランプが、使用される。一
方、楕円鏡１３は、該超高圧水銀ランプ１から発生した
光を集光して、一定の方向に反射する。
【００２２】コンデンサレンズ１５は、レチクル２に予
め形成されたパターンを縮小投影レンズ４の入口側に結
像する。該縮小投影レンズ４は、入口側に結像されたレ
チクル２のパターンを一定の縮小率で縮小する。該真空
チャンバー９は、当該チャンバー９内の気体を排気する
ことで、真空状態を作れる容器である。
め形成されたパターンを縮小投影レンズ４の入口側に結
像する。該縮小投影レンズ４は、入口側に結像されたレ
チクル２のパターンを一定の縮小率で縮小する。該真空
チャンバー９は、当該チャンバー９内の気体を排気する
ことで、真空状態を作れる容器である。
【００２３】該真空ポンプ１０は、該真空チャンバー９
内の気体を排気するポンプである。該パルブ１６は、真
空チャンバー９から真空ポンプ１０への気体の流れを遮
断する弁であり、干渉フィルター１４は、入射された光
の内で、単一波長の光のみを通過させると共に、該真空
チャンバー９が真空状態となった時の真空チャンバー９
の外部からの気体の進入を防ぐ構造となっている。
内の気体を排気するポンプである。該パルブ１６は、真
空チャンバー９から真空ポンプ１０への気体の流れを遮
断する弁であり、干渉フィルター１４は、入射された光
の内で、単一波長の光のみを通過させると共に、該真空
チャンバー９が真空状態となった時の真空チャンバー９
の外部からの気体の進入を防ぐ構造となっている。
【００２４】次に、上記した本発明に係る縮小投影露光
装置２０の具体例に於ける動作の例を説明する。即ち、
該バルブ１６を開ける事により、真空ポンプ１０で、該
真空チャンバー９内の気体分子を排気し、該真空チャン
バー９内を真空状態にする。一方該超高圧水銀ランプ１
から発生した光は、楕円鏡１３により、一定の方向に集
光され、干渉フィルター１４に到達する。
装置２０の具体例に於ける動作の例を説明する。即ち、
該バルブ１６を開ける事により、真空ポンプ１０で、該
真空チャンバー９内の気体分子を排気し、該真空チャン
バー９内を真空状態にする。一方該超高圧水銀ランプ１
から発生した光は、楕円鏡１３により、一定の方向に集
光され、干渉フィルター１４に到達する。
【００２５】係る超高圧水銀ランプ１から発生した光
は、ウェハ５の露光に使用される波長以外の短波長の光
を含んでいる。該干渉フィルタ１４に到達した光は、該
干渉フィルター１４により、ウェハ５の露光に使用され
る単一波長の光のみ該干渉フィルター１４の他端から放
出され、コンデンサレンズ１５に到達する。
は、ウェハ５の露光に使用される波長以外の短波長の光
を含んでいる。該干渉フィルタ１４に到達した光は、該
干渉フィルター１４により、ウェハ５の露光に使用され
る単一波長の光のみ該干渉フィルター１４の他端から放
出され、コンデンサレンズ１５に到達する。
【００２６】該コンデンサレンズ１５の他端から出た光
は、レチクル２のパターンを縮小投影レンズ４の入口側
に結像する。該縮小投影レンズ４により一定の縮小率に
縮小されたレチクル２のパターン像が、該縮小投影レン
ズ４の他端から出てきた光によりウェハ５上に投影され
露光される。
は、レチクル２のパターンを縮小投影レンズ４の入口側
に結像する。該縮小投影レンズ４により一定の縮小率に
縮小されたレチクル２のパターン像が、該縮小投影レン
ズ４の他端から出てきた光によりウェハ５上に投影され
露光される。
【００２７】係る、本発明の具体例に於いては、該超高
圧水銀ランプ１と楕円鏡１３と該干渉フィルターの光の
入口側を真空状態になっている真空チャンバー９内に設
置しているので、該超高圧水銀ランプ１から出た光が、
ウェハ５の露光に使用される波長以外の短波長を含んだ
光が、該干渉フィルター１４に到達するまでの間に気体
分子が殆ど存在しなくなる。
圧水銀ランプ１と楕円鏡１３と該干渉フィルターの光の
入口側を真空状態になっている真空チャンバー９内に設
置しているので、該超高圧水銀ランプ１から出た光が、
ウェハ５の露光に使用される波長以外の短波長を含んだ
光が、該干渉フィルター１４に到達するまでの間に気体
分子が殆ど存在しなくなる。
【００２８】この為、露光に使用される波長以外の短波
長の光と気体分子による、光化学反応の発生がなく、反
応生成物の発生もなくなり、超高圧水銀ランプ１からの
干渉フィルター１４を含めた構成部品の、特に光の当た
る部分へのくもりの発生がなくなる。従って、本発明に
於いては、従来の縮小投影露光装置で問題となってい
た、くもりの付着による照度の低下、照度均一性の悪化
が防止できる。
長の光と気体分子による、光化学反応の発生がなく、反
応生成物の発生もなくなり、超高圧水銀ランプ１からの
干渉フィルター１４を含めた構成部品の、特に光の当た
る部分へのくもりの発生がなくなる。従って、本発明に
於いては、従来の縮小投影露光装置で問題となってい
た、くもりの付着による照度の低下、照度均一性の悪化
が防止できる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明に係る縮小投
影露光装置に於いては、くもりの付着の対象となる構成
部品と光源とを真空状態の容器内に設置しているので、
光と空気ガス分子との光化学反応が発生しないので、該
縮小投影露光装置２０の構成部品に対するくもりの付着
がなくなり、照度の低下、照度均一性の悪化が防止でき
る様になるので、長期間安定した露光処理操作を行うこ
との出来る生産効率の高い縮小投影露光装置を得る事が
可能となり及び係る効果を有する縮小投影露光方法が提
供される。
影露光装置に於いては、くもりの付着の対象となる構成
部品と光源とを真空状態の容器内に設置しているので、
光と空気ガス分子との光化学反応が発生しないので、該
縮小投影露光装置２０の構成部品に対するくもりの付着
がなくなり、照度の低下、照度均一性の悪化が防止でき
る様になるので、長期間安定した露光処理操作を行うこ
との出来る生産効率の高い縮小投影露光装置を得る事が
可能となり及び係る効果を有する縮小投影露光方法が提
供される。
【図１】図１は、本発明に係る縮小投影露光装置の１具
体例の構成を示す断面図である。
体例の構成を示す断面図である。
【図２】図２は、従来の縮小投影露光装置の一例に於け
る構成を示す断面図である。
る構成を示す断面図である。
１…光源、超高圧水銀ランプ ２…レチクル ４…縮小投影レンズ ５…ウェハ ６…ウェハ支持手段 ７…レチクルローダ ８…異物検査機 ９…真空チャンバー １０…真空源、真空ポンプ １１、１２…露光窓 １３…反射鏡 １４…干渉フィルター １５…コンデンサレンズ １６…バルブ １６…コンタクトホールの端部
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも光源、レチクル、縮小投影レ
ンズ及びウェハ支持手段とから構成される縮小投影露光
装置に於いて、当該光源及び、当該光源から放射される
光が当たる当該縮小投影露光装置の構成部材の少なくと
も一部の構成部材を真空領域内に配置せしめた事を特徴
とする縮小投影露光装置。 - 【請求項２】 当該構成部材とは、当該縮小投影露光装
置に使用される反射鏡、干渉フィルター及び光学レンズ
等から選択された少なくとも一つである事を特徴とする
請求項１記載の縮小投影露光装置。 - 【請求項３】 当該真空領域を構成する真空容器には、
ドライポンプ或いはクリーンポンプ等から選択された一
つの真空源が接続されているものである事を特徴とする
請求項１又は２記載の縮小投影露光装置。 - 【請求項４】 当該真空容器と該真空源との間に、適宜
のバルブが設けられている事を特徴とする請求項１乃至
３の何れかに記載の縮小投影露光装置。 - 【請求項５】 少なくとも光源、レチクル、縮小投影レ
ンズ及びウェハ支持手段とから構成される縮小投影露光
装置を使用して、当該光源から放射された光をレチクル
に設けられた適宜のパターンを介して得られた、パター
ン光をウェハ上に縮小投影させて露光を行う縮小投影露
光方法に於いて、当該光源及び、当該光源から放射され
る光が当たる当該縮小投影露光装置の構成部材の少なく
とも一部の構成部材を真空領域内に配置せしめた状態
で、上記した縮小投影操作を行う事を特徴とする縮小投
影露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8299175A JP2907159B2 (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
| US08/967,046 US6222609B1 (en) | 1996-11-12 | 1997-11-10 | Reduction projection aligner free from reaction product tarnishing photo-mask and method for transferring pattern image through the photo-mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8299175A JP2907159B2 (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144588A true JPH10144588A (ja) | 1998-05-29 |
| JP2907159B2 JP2907159B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17869114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8299175A Expired - Lifetime JP2907159B2 (ja) | 1996-11-12 | 1996-11-12 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6222609B1 (ja) |
| JP (1) | JP2907159B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11143391A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Canon Inc | 画像表示装置 |
| US6630984B2 (en) * | 2000-08-03 | 2003-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| KR20020014098A (ko) * | 2000-08-16 | 2002-02-25 | 박종섭 | 포토레지스트의 하드 베이크 장치 |
| US20020089656A1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-11 | Cheng Guo | Containers for lithography mask and method of use |
| EP1491954A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Sealing assembly, lithographic projection apparatus, and device manufacturing method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390129A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-21 | ゼネラル シグナル コ−ポレ−ション | 換気システムを有するランプハウジング |
| JPH0298918A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH02153518A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
| JPH03127814A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2516194B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| US4937618A (en) * | 1984-10-18 | 1990-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus and method for manufacture of integrated circuits |
| JPS61160934A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Canon Inc | 投影光学装置 |
| JPH0722101B2 (ja) * | 1985-08-29 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置用遮風装置 |
| JPS6286724A (ja) | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| US5337097A (en) * | 1985-12-26 | 1994-08-09 | Nippon Kogaku K.K. | Projection optical apparatus |
| JP2766935B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| JPH0456210A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光装置 |
| US5432831A (en) * | 1992-09-10 | 1995-07-11 | Olympus Optical Co., Ltd. | Vacuum optical system |
| US5388909A (en) * | 1993-09-16 | 1995-02-14 | Johnson; Shane R. | Optical apparatus and method for measuring temperature of a substrate material with a temperature dependent band gap |
| CN1078358C (zh) * | 1995-03-08 | 2002-01-23 | 松下电器产业株式会社 | 照明装置、包含它的曝光装置及曝光方法 |
| JP2725659B2 (ja) * | 1995-11-15 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 荷電ビーム描画装置 |
-
1996
- 1996-11-12 JP JP8299175A patent/JP2907159B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-10 US US08/967,046 patent/US6222609B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390129A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-21 | ゼネラル シグナル コ−ポレ−ション | 換気システムを有するランプハウジング |
| JPH02153518A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
| JPH0298918A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH03127814A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2907159B2 (ja) | 1999-06-21 |
| US6222609B1 (en) | 2001-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5055310B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
| US7719660B2 (en) | Exposure apparatus | |
| TW522460B (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP4030452B2 (ja) | マスクまたは基板の移送方法、そのような方法での使用に適合した保管ボックス、デバイスまたは装置、およびそのような方法を含むデバイス製造方法 | |
| US7518132B2 (en) | Light source apparatus, exposure apparatus and device fabrication method | |
| TWI465857B (zh) | Lighting optics, exposure devices and parts manufacturing methods | |
| US20050121144A1 (en) | Processing system and exposure apparatus using the same | |
| JPH1114876A (ja) | 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置 | |
| JP2004103731A (ja) | 差動排気システム及び露光装置 | |
| US7649184B2 (en) | Processing method and system | |
| JPH11145053A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2004247733A (ja) | ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置 | |
| JP2005057154A (ja) | 露光装置 | |
| JP2002270501A (ja) | リソグラフィー装置、デバイス製造方法、および、それによって製造されたデバイス | |
| JP2907159B2 (ja) | 縮小投影露光装置及び露光方法 | |
| JP4006226B2 (ja) | 光学素子の製造方法、光学素子、露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス | |
| US5701169A (en) | Illumination system and exposure apparatus with demountable transparent protective member | |
| WO2003105203A1 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2001068400A (ja) | 吸光物質検出方法、並びに露光方法及び装置 | |
| JP2002252162A (ja) | Ｘ線反射マスク、その保護方法、ｘ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US7251014B2 (en) | Exposing method, exposing apparatus and device manufacturing method utilizing them | |
| JP2001345264A (ja) | 露光装置及び露光方法並びにデバイスの製造方法 | |
| US20020145710A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| JPS6286724A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH11354409A (ja) | 照明装置、これを備えた投影露光装置、及び半導体装置の製造方法 |