JPH0722101B2 - 投影型露光装置用遮風装置 - Google Patents
投影型露光装置用遮風装置Info
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- JPH0722101B2 JPH0722101B2 JP60190253A JP19025385A JPH0722101B2 JP H0722101 B2 JPH0722101 B2 JP H0722101B2 JP 60190253 A JP60190253 A JP 60190253A JP 19025385 A JP19025385 A JP 19025385A JP H0722101 B2 JPH0722101 B2 JP H0722101B2
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- wafer
- projection optical
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
Description
【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は半導体ウェハを露光するためのウェハ・ステッ
パーあるいはワーキング・マスクを作るためのフォト・
リピータ等の投影型露光装置に用いる遮風装置に関す
る。
パーあるいはワーキング・マスクを作るためのフォト・
リピータ等の投影型露光装置に用いる遮風装置に関す
る。
（発明の背景） 近年、半導体素子の製造ラインには多数の縮小投影型露
光装置、所謂ステッパーが使われるようになった。この
ステッパーはレチクル（マスク）に描かれた回路パター
ンの光像を縮小投影レンズによって1/5、あるいは1/10
に縮小して、ウェハ上に露光するものである。ステッパ
ーの場合、１回の露光で転写できる領域は投影レンズの
イメージフィールドの大きさで決まり、通常はウェハ全
面の大きさよりも小さい。このため１回の露光が終るた
びに、ウェハを載置したステージをステッピングさせ
て、ウェハ上の異なる領域に新たな露光を行なうことを
繰り返す、ステップ・アンド・リピート方式が採用され
ている。このステッパーにおいては、レチクルとウェハ
との相対的な位置合わせの方法の１つに、オフ・アクシ
スアライメント法と呼ばれるものがある。この方法は投
影レンズの光軸から一定距離だけ離して別設したウェハ
・アライメント顕微鏡を用いて、ウェハ上のアライメン
トマークを検出した後、その時のウェハの位置を基準に
して、ウェハ上の任意の露光領域を投影レンズによるレ
チクルのパターン像と一致させるようにウェハ・ステー
ジを位置決めして露光を行なうものである。この位置決
めを高精度に行なうためには、レチクル上の基準点の投
影位置と、ウェハ・アライメント顕微鏡の光軸位置（マ
ーク検出中心位置）との間隔、所謂ベースライン測定値
が正確に検出されていることが前提となる。このベース
ライン測定値は、ウェハ・ステージ上に設けられた基準
マークと、ウェハステージの位置を検出するレーザ干渉
計等とを使って計測される。この計測の精度を低下させ
る原因の１つに空気のゆらぎがあることが各種実験によ
って明らかになった。特にレチクルと投影レンズとの間
で、外気が自由に出入りできる構造となっていると、そ
の空間での空気のゆらぎによって、精度を低下させる程
度の像の微小シフトが生じることが判明した。空気のゆ
らぎによる像の微小シフトはいろいろな方向、及び量で
ランダムに生じる。このためベースライン測定値の計測
時にたまたまシフト量が大きかったりすると、そのシフ
ト量がそのまま誤差として含まれてしまい、露光時に
は、パターン像とウェハ上の露光領域との重ね合わせ精
度を低下させるといった欠点を生じる。もちろん、実露
光時にも空気のゆらぎによって投影像がウェハ上で微小
量シフトすることになるので、ウェハ上でのパターンの
解像力が思いのほか得られないといった欠点も生じる。
光装置、所謂ステッパーが使われるようになった。この
ステッパーはレチクル（マスク）に描かれた回路パター
ンの光像を縮小投影レンズによって1/5、あるいは1/10
に縮小して、ウェハ上に露光するものである。ステッパ
ーの場合、１回の露光で転写できる領域は投影レンズの
イメージフィールドの大きさで決まり、通常はウェハ全
面の大きさよりも小さい。このため１回の露光が終るた
びに、ウェハを載置したステージをステッピングさせ
て、ウェハ上の異なる領域に新たな露光を行なうことを
繰り返す、ステップ・アンド・リピート方式が採用され
ている。このステッパーにおいては、レチクルとウェハ
との相対的な位置合わせの方法の１つに、オフ・アクシ
スアライメント法と呼ばれるものがある。この方法は投
影レンズの光軸から一定距離だけ離して別設したウェハ
・アライメント顕微鏡を用いて、ウェハ上のアライメン
トマークを検出した後、その時のウェハの位置を基準に
して、ウェハ上の任意の露光領域を投影レンズによるレ
チクルのパターン像と一致させるようにウェハ・ステー
ジを位置決めして露光を行なうものである。この位置決
めを高精度に行なうためには、レチクル上の基準点の投
影位置と、ウェハ・アライメント顕微鏡の光軸位置（マ
ーク検出中心位置）との間隔、所謂ベースライン測定値
が正確に検出されていることが前提となる。このベース
ライン測定値は、ウェハ・ステージ上に設けられた基準
マークと、ウェハステージの位置を検出するレーザ干渉
計等とを使って計測される。この計測の精度を低下させ
る原因の１つに空気のゆらぎがあることが各種実験によ
って明らかになった。特にレチクルと投影レンズとの間
で、外気が自由に出入りできる構造となっていると、そ
の空間での空気のゆらぎによって、精度を低下させる程
度の像の微小シフトが生じることが判明した。空気のゆ
らぎによる像の微小シフトはいろいろな方向、及び量で
ランダムに生じる。このためベースライン測定値の計測
時にたまたまシフト量が大きかったりすると、そのシフ
ト量がそのまま誤差として含まれてしまい、露光時に
は、パターン像とウェハ上の露光領域との重ね合わせ精
度を低下させるといった欠点を生じる。もちろん、実露
光時にも空気のゆらぎによって投影像がウェハ上で微小
量シフトすることになるので、ウェハ上でのパターンの
解像力が思いのほか得られないといった欠点も生じる。
（発明の目的） 本発明は、投影型露光装置によるベースライン測定時の
計測誤差を低減させ、重ね合わせ露光等の時のアライメ
ント精度を向上させるための投影型露光装置用遮風装置
を得ることを目的とする。
計測誤差を低減させ、重ね合わせ露光等の時のアライメ
ント精度を向上させるための投影型露光装置用遮風装置
を得ることを目的とする。
（発明の概要） 本発明は、レチクル（マスクと同義）と投影光学系（縮
小投影レンズ）との間の空間を外気流から隔離するよう
に、レチクル（Ｒ）を保持するステージ（２）の支持台
（３）と投影光学系（１）の鏡筒端面との間の距離より
短く投影光学系の光軸（AX1）方向に縮められた状態と
ステージの支持台と投影光学系の鏡筒端面との間の距離
より長く投影光学系の光軸方向に引き伸ばされた状態と
の間で伸縮可能に設けられた投影光学系の鏡筒と略同径
の筒状体によって形成された遮風装置（遮風部材）を設
け、 この遮風装置を縮めた状態でレチクルと投影光学系との
間に挿入した後、一方の端面を投影光学系の鏡筒端面に
水平に形成された輪帯状の係合部（段部1a）に係合し他
方の端面をステージの支持台に投影光学系の光路を形成
するために設けられた開口部内（3a）に貫入するように
引き伸ばして、マスクと投影光学系との間の光路の周囲
を取り囲むようにしたことを技術的要素としている。
小投影レンズ）との間の空間を外気流から隔離するよう
に、レチクル（Ｒ）を保持するステージ（２）の支持台
（３）と投影光学系（１）の鏡筒端面との間の距離より
短く投影光学系の光軸（AX1）方向に縮められた状態と
ステージの支持台と投影光学系の鏡筒端面との間の距離
より長く投影光学系の光軸方向に引き伸ばされた状態と
の間で伸縮可能に設けられた投影光学系の鏡筒と略同径
の筒状体によって形成された遮風装置（遮風部材）を設
け、 この遮風装置を縮めた状態でレチクルと投影光学系との
間に挿入した後、一方の端面を投影光学系の鏡筒端面に
水平に形成された輪帯状の係合部（段部1a）に係合し他
方の端面をステージの支持台に投影光学系の光路を形成
するために設けられた開口部内（3a）に貫入するように
引き伸ばして、マスクと投影光学系との間の光路の周囲
を取り囲むようにしたことを技術的要素としている。
そして、遮風装置の一方の端面は鏡筒端面に水平に形成
された係合部と係合し、他方の端面はステージの支持台
に設けられた開口部に貫入してレチクル下面の近傍まで
伸ばされて自由端を構成し、鏡筒とは機械的に締結しな
いようにしたことを技術的要点としている。
された係合部と係合し、他方の端面はステージの支持台
に設けられた開口部に貫入してレチクル下面の近傍まで
伸ばされて自由端を構成し、鏡筒とは機械的に締結しな
いようにしたことを技術的要点としている。
（実施例） 第１図は本発明の実施例による縮小投影型露光装置（以
下ステッパーと呼ぶ）の概略的な構成を示す図である。
投影レンズ１はレチクルＲ上の回路パターンやアライメ
ント用のマークM1,M2の像を感光基板としてのウェハＷ
上に縮小投影する。レチクルステージ２はレチクルＲの
周辺を真空吸着にて載置するとともに、設置本体のコラ
ム３上を２次元的に移動可能に設けられている。このレ
チクルステージ２はレチクルＲの初期設定時の位置決め
の際に移動し、位置決め完了後はコラム３に真空吸着に
よって固定される。一方、ウェハＷは２次元移動可能な
ウェハステージ４上に真空吸着される。ウェハステージ
４上にはベースライン測定値の計測時等に使われる基準
マークFMが固設されている。そしてウェハステージ４の
２次元的な位置はレーザ干渉計５によって検出される。
さて投影レンズ１の光軸AX1から一定距離だけ離れた位
置には、光軸AX1と平行な光軸AX2を有するオフ・アクシ
スアライメント用のウェハ・アライメント顕微鏡６が設
けられている。このウェハ・アライメント顕微鏡６はウ
ェハＷ上に形成されたアライメント用のマーク、あるい
は基準マークFMを検出可能である。
下ステッパーと呼ぶ）の概略的な構成を示す図である。
投影レンズ１はレチクルＲ上の回路パターンやアライメ
ント用のマークM1,M2の像を感光基板としてのウェハＷ
上に縮小投影する。レチクルステージ２はレチクルＲの
周辺を真空吸着にて載置するとともに、設置本体のコラ
ム３上を２次元的に移動可能に設けられている。このレ
チクルステージ２はレチクルＲの初期設定時の位置決め
の際に移動し、位置決め完了後はコラム３に真空吸着に
よって固定される。一方、ウェハＷは２次元移動可能な
ウェハステージ４上に真空吸着される。ウェハステージ
４上にはベースライン測定値の計測時等に使われる基準
マークFMが固設されている。そしてウェハステージ４の
２次元的な位置はレーザ干渉計５によって検出される。
さて投影レンズ１の光軸AX1から一定距離だけ離れた位
置には、光軸AX1と平行な光軸AX2を有するオフ・アクシ
スアライメント用のウェハ・アライメント顕微鏡６が設
けられている。このウェハ・アライメント顕微鏡６はウ
ェハＷ上に形成されたアライメント用のマーク、あるい
は基準マークFMを検出可能である。
ところでレチクルＲの位置決め（アライメント）は、レ
チクルＲの回路パターン領域の周辺に設けられたマーク
M1を検出するレチクルアライメント顕微鏡７を使って行
なわれる。レチクルアライメント顕微鏡７は、ミラー7
a、対物レンズ7b及び光電検出部7cを有し、所定の検出
中心に対するマークM1の位置ずれを検出する。このレチ
クルアライメント顕微鏡７の主光線l1は投影レンズ１の
入射瞳EPの中心を通るように定められている。またレチ
クルＲとウェハＷを投影レンズ１を介して直接位置合わ
せするために、レチクルＲ上のマークM2とウェハＷ上の
マークとを同時に観察可能なステップアライメント顕微
鏡８が設けられている。ステップアライメント顕微鏡８
は、レチクルアライメント顕微鏡７と同様にミラー8a、
対物レンズ8b及び光電検出部8cを有し、ウェハＷ上のマ
ークとレチクルＲ上のマークM2との位置ずれを検出す
る。このステップアライメント顕微鏡８の主光線l2は投
影レンズ１の入射瞳EPの中心を通るように定められてい
る。
チクルＲの回路パターン領域の周辺に設けられたマーク
M1を検出するレチクルアライメント顕微鏡７を使って行
なわれる。レチクルアライメント顕微鏡７は、ミラー7
a、対物レンズ7b及び光電検出部7cを有し、所定の検出
中心に対するマークM1の位置ずれを検出する。このレチ
クルアライメント顕微鏡７の主光線l1は投影レンズ１の
入射瞳EPの中心を通るように定められている。またレチ
クルＲとウェハＷを投影レンズ１を介して直接位置合わ
せするために、レチクルＲ上のマークM2とウェハＷ上の
マークとを同時に観察可能なステップアライメント顕微
鏡８が設けられている。ステップアライメント顕微鏡８
は、レチクルアライメント顕微鏡７と同様にミラー8a、
対物レンズ8b及び光電検出部8cを有し、ウェハＷ上のマ
ークとレチクルＲ上のマークM2との位置ずれを検出す
る。このステップアライメント顕微鏡８の主光線l2は投
影レンズ１の入射瞳EPの中心を通るように定められてい
る。
さて、投影レンズ１の鏡筒のレチクルＲ側の端面部には
遮風部材としての遮風筒10が投影光路の周囲をかこむよ
うに載置されている。遮風筒10の下端面は投影レンズ１
の鏡筒の内側の段部1aに入り込むような径に定められ、
遮風筒10の上端面はコラム３に設けられた開口部3a内を
貫通してレチクルＲの下面近傍までのびている。この遮
風筒10の上端はコラム３等と接触しないように自由端に
されており、下端は投影レンズ１の鏡筒の上端に、遮風
筒10の自重のみで接触している。遮風筒10はネジ止め、
バネ押え等の機械的な締結を行なうことなく、単に投影
レンズ１の上に載置しただけの方が望ましい。これは遮
風筒10を投影レンズ１の鏡筒に機械的に締結すると、鏡
筒に歪みが発生して投影レンズ１の初期の光学特性が損
なわれる可能性があるからである。通常この種の装置は
エンバイロメント・チャンバー内に設置されるため、装
置は常時温度コントロールされた空気の流れを受けてい
る。この流れは装置内にも入り込み、装置内の各部の温
度を安定させるように働く。遮風筒10はレチクルＲから
投影レンズ１までの投影光路内で空気のゆらぎ（風）が
生じないように、外気流を遮断するものである。
遮風部材としての遮風筒10が投影光路の周囲をかこむよ
うに載置されている。遮風筒10の下端面は投影レンズ１
の鏡筒の内側の段部1aに入り込むような径に定められ、
遮風筒10の上端面はコラム３に設けられた開口部3a内を
貫通してレチクルＲの下面近傍までのびている。この遮
風筒10の上端はコラム３等と接触しないように自由端に
されており、下端は投影レンズ１の鏡筒の上端に、遮風
筒10の自重のみで接触している。遮風筒10はネジ止め、
バネ押え等の機械的な締結を行なうことなく、単に投影
レンズ１の上に載置しただけの方が望ましい。これは遮
風筒10を投影レンズ１の鏡筒に機械的に締結すると、鏡
筒に歪みが発生して投影レンズ１の初期の光学特性が損
なわれる可能性があるからである。通常この種の装置は
エンバイロメント・チャンバー内に設置されるため、装
置は常時温度コントロールされた空気の流れを受けてい
る。この流れは装置内にも入り込み、装置内の各部の温
度を安定させるように働く。遮風筒10はレチクルＲから
投影レンズ１までの投影光路内で空気のゆらぎ（風）が
生じないように、外気流を遮断するものである。
ここでベースライン測定値の計測のシーケンスについて
簡単に述べる。
簡単に述べる。
まずレチクルＲをレチクルステージ２上に吸着し、レチ
クルアライメント用のマークM1がレチクルアライメント
顕微鏡７の検出視野から故意にずれるようにレチクルス
テージ２を位置決めする。次に基準マークFMがレチクル
アライメント顕微鏡７によって検出されるように、例え
ば主光線l1の投影点P1と一致するように、ウェハステー
ジ４を位置決めする。そしてレチクルアライメント顕微
鏡７によって投影レンズ１とレチクルＲのガラス面を介
して得られた基準マークFMの像がアライメントされたき
のウェハステージ４の座標位置（Xo,Yo）をレーザ干渉
計５によって読み取る。この位置（Xo,Yo）がベースラ
イン測定値の原点になる。この位置（Xo,Yo）を求める
際、遮風筒10がないと空気のゆらぎによって、基準マー
クFMの投影レンズ１からレチクルＲ（厳密にはレチクル
アライメント顕微鏡７）までの像光束が微小にシフトし
てしまい、原点となるべき位置（Xo,Yo）そのものに誤
差が含まれることになる。しかしながら本実施例のよう
に遮風筒10を設けることによって、空気のゆらぎは皆無
となるので、マーク検出時の光電信号が安定し、計測さ
れた位置（Xo,Yo）は極めて信頼性が高い。
クルアライメント用のマークM1がレチクルアライメント
顕微鏡７の検出視野から故意にずれるようにレチクルス
テージ２を位置決めする。次に基準マークFMがレチクル
アライメント顕微鏡７によって検出されるように、例え
ば主光線l1の投影点P1と一致するように、ウェハステー
ジ４を位置決めする。そしてレチクルアライメント顕微
鏡７によって投影レンズ１とレチクルＲのガラス面を介
して得られた基準マークFMの像がアライメントされたき
のウェハステージ４の座標位置（Xo,Yo）をレーザ干渉
計５によって読み取る。この位置（Xo,Yo）がベースラ
イン測定値の原点になる。この位置（Xo,Yo）を求める
際、遮風筒10がないと空気のゆらぎによって、基準マー
クFMの投影レンズ１からレチクルＲ（厳密にはレチクル
アライメント顕微鏡７）までの像光束が微小にシフトし
てしまい、原点となるべき位置（Xo,Yo）そのものに誤
差が含まれることになる。しかしながら本実施例のよう
に遮風筒10を設けることによって、空気のゆらぎは皆無
となるので、マーク検出時の光電信号が安定し、計測さ
れた位置（Xo,Yo）は極めて信頼性が高い。
次に投影点P1から基準マークFMをにがして、マークM1が
レチクルアライメント顕微鏡７によってアライメントさ
れるように、レチクルステージ２を微動させる。その後
レチクルステージ２をコラム３に真空吸着することによ
ってレチクルＲのアライメントが完了する。
レチクルアライメント顕微鏡７によってアライメントさ
れるように、レチクルステージ２を微動させる。その後
レチクルステージ２をコラム３に真空吸着することによ
ってレチクルＲのアライメントが完了する。
次にマークM2の投影点P2と基準マークFMとが一致するよ
うにウェハステージ４を位置決めする。マークM2と基準
マークFMとの位置合わせ状態はステップ・アライメント
顕微鏡８によって検出され、アライメントが達成した時
点で、ウェハステージ４の座標位置（Xs,Ys）をレーザ
干渉計５から読み取る。これによってステップ・アライ
メント顕微鏡８の位置、厳密にはマークM2の投影点P2の
ベースライン測定値（Xs−Xo,Ys−Yo）が求められる。
座標位置（Xs,Ys）を求める際も、空気のゆらぎが皆無
であるため、その計測値は極めて正確である。
うにウェハステージ４を位置決めする。マークM2と基準
マークFMとの位置合わせ状態はステップ・アライメント
顕微鏡８によって検出され、アライメントが達成した時
点で、ウェハステージ４の座標位置（Xs,Ys）をレーザ
干渉計５から読み取る。これによってステップ・アライ
メント顕微鏡８の位置、厳密にはマークM2の投影点P2の
ベースライン測定値（Xs−Xo,Ys−Yo）が求められる。
座標位置（Xs,Ys）を求める際も、空気のゆらぎが皆無
であるため、その計測値は極めて正確である。
そして最後に、基準マークFMがウェハアライメント顕微
鏡６によってアライメントれうようにウェハステージ４
を位置決めし、そのときの位置（Xw,Yw）をレーザ干渉
計５から読み取る。これによってウェハアライメント顕
微鏡８の位置、厳密にはその検出中心位置のベースライ
ン測定値（Xw−Xo,Yw−Yo）が求められる。
鏡６によってアライメントれうようにウェハステージ４
を位置決めし、そのときの位置（Xw,Yw）をレーザ干渉
計５から読み取る。これによってウェハアライメント顕
微鏡８の位置、厳密にはその検出中心位置のベースライ
ン測定値（Xw−Xo,Yw−Yo）が求められる。
以上のようにして求められた各種ベースライン測定値に
基づいて、ウェハＷへのステップ・アンド・リピート方
式による露光位置、すなわちウェハステージ４のステッ
ピング位置の決定が行なわれる。このように遮風筒10を
設けると、実際の露光のときにもレチクルのパターンの
投影像がゆらぐことが防止され、ウェハに露光されたパ
ターンの解像が向上するといった利点がある。
基づいて、ウェハＷへのステップ・アンド・リピート方
式による露光位置、すなわちウェハステージ４のステッ
ピング位置の決定が行なわれる。このように遮風筒10を
設けると、実際の露光のときにもレチクルのパターンの
投影像がゆらぐことが防止され、ウェハに露光されたパ
ターンの解像が向上するといった利点がある。
第２図は本発明の第２の実施例による遮風筒の構成を示
す図である。第１図においては遮風筒を単一の部材で構
成したが、本実施例では第２図に示すように外筒10aと
内筒10bとに分離して、伸縮可能な構造とする。外筒10a
と内筒10bは摺動可能に嵌合しており、その両者はネジ1
1a,11bによって固定される。このように遮風筒10を伸縮
可能にすることによって、すでに半導体素子の製造ライ
ンで稼動しているステッパーに対しても遮風筒10を取り
付けることができる。まず遮風筒10を縮めた状態で、投
影レンズ１の段部1aの上に載置する。その後、外筒10a
の上端部がコラム３の開口部3aを貫通するように外筒10
aを上方に引き出し、所定位置でネジ11a,11bを締結す
る。このような遮風筒であっても先の実施例と全く同じ
効果が得られる。尚第２図でＧは投影レンズ１のレチク
ルＲ側に対向する第１面のレンズである。
す図である。第１図においては遮風筒を単一の部材で構
成したが、本実施例では第２図に示すように外筒10aと
内筒10bとに分離して、伸縮可能な構造とする。外筒10a
と内筒10bは摺動可能に嵌合しており、その両者はネジ1
1a,11bによって固定される。このように遮風筒10を伸縮
可能にすることによって、すでに半導体素子の製造ライ
ンで稼動しているステッパーに対しても遮風筒10を取り
付けることができる。まず遮風筒10を縮めた状態で、投
影レンズ１の段部1aの上に載置する。その後、外筒10a
の上端部がコラム３の開口部3aを貫通するように外筒10
aを上方に引き出し、所定位置でネジ11a,11bを締結す
る。このような遮風筒であっても先の実施例と全く同じ
効果が得られる。尚第２図でＧは投影レンズ１のレチク
ルＲ側に対向する第１面のレンズである。
以上、本発明の第１の実施例や第２の実施例において
は、遮風筒10のレチクルＲ側にわずかにすき間がある
が、例えば遮風筒10の上端部とコラム３の開口部3aとの
間に軟質のシール部材（ゴム膜、ビニール膜等）を貼り
付ければ、レチクルＲから投影レンズ１までの投影光路
はほぼ密閉状態に保たれる。
は、遮風筒10のレチクルＲ側にわずかにすき間がある
が、例えば遮風筒10の上端部とコラム３の開口部3aとの
間に軟質のシール部材（ゴム膜、ビニール膜等）を貼り
付ければ、レチクルＲから投影レンズ１までの投影光路
はほぼ密閉状態に保たれる。
尚、第１図には示していないが、例えば特開昭60−1307
42号公報に開示されているように、投影レンズ１を介し
てウェハＷ上にレーザスポット光を形成し、そのスポッ
ト光を使ってウェハＷ上のマークを検出するレーザ・ス
テップ・アライメント光学系が設けられている場合も、
そのスポット光のベースライン測定値の計測精度は同様
に向上する。
42号公報に開示されているように、投影レンズ１を介し
てウェハＷ上にレーザスポット光を形成し、そのスポッ
ト光を使ってウェハＷ上のマークを検出するレーザ・ス
テップ・アライメント光学系が設けられている場合も、
そのスポット光のベースライン測定値の計測精度は同様
に向上する。
（発明の効果） 以上本発明によれば、投影型露光装置によるベースライ
ン測定値の計測誤差が低減され、より正確な重ね合わせ
露光が可能となる。また実際の露光動作のときに、１シ
ョットの露光時間（通常１秒以下）が短くなっても空気
のゆらぎが皆無になったので、回路パターン等の露光像
の投影位置が乱されず、ウェハ上でのショット毎の解像
力が安定するといった効果も得られる。さらに遮風装置
は投影光学系に入射する迷光を防止するといった利点も
有する。また、遮風装置はステージの支持台と鏡筒端面
との間の距離より短く光軸方向に縮めた状態とその距離
よりも長く引き伸ばされた状態との間で伸縮可能に設け
られた鏡筒と略同径の筒状態によって形成されているの
で、縮めた状態の遮風装置をレチクルと投影光学系との
間に差し込み、後に引き伸ばすことによって、すでに製
造ラインで稼働している投影型露光装置に対しても容易
に取り付けることが可能である。
ン測定値の計測誤差が低減され、より正確な重ね合わせ
露光が可能となる。また実際の露光動作のときに、１シ
ョットの露光時間（通常１秒以下）が短くなっても空気
のゆらぎが皆無になったので、回路パターン等の露光像
の投影位置が乱されず、ウェハ上でのショット毎の解像
力が安定するといった効果も得られる。さらに遮風装置
は投影光学系に入射する迷光を防止するといった利点も
有する。また、遮風装置はステージの支持台と鏡筒端面
との間の距離より短く光軸方向に縮めた状態とその距離
よりも長く引き伸ばされた状態との間で伸縮可能に設け
られた鏡筒と略同径の筒状態によって形成されているの
で、縮めた状態の遮風装置をレチクルと投影光学系との
間に差し込み、後に引き伸ばすことによって、すでに製
造ラインで稼働している投影型露光装置に対しても容易
に取り付けることが可能である。
そして、遮風装置の一方の端面は鏡筒端面に水平に形成
された係合部と係合し、他方の端面はステージの支持台
に設けられた開口部に貫入してレチクル下面の近傍まで
伸ばされて自由端を構成する。よって、遮風装置は投影
光学系の鏡筒と機械的に締結されていないので、投影光
学系の初期性能を狂わすことがないといった利点もあ
る。
された係合部と係合し、他方の端面はステージの支持台
に設けられた開口部に貫入してレチクル下面の近傍まで
伸ばされて自由端を構成する。よって、遮風装置は投影
光学系の鏡筒と機械的に締結されていないので、投影光
学系の初期性能を狂わすことがないといった利点もあ
る。
第１図は本発明の第１の実施例による投影型露光装置の
構成を示す図、第２図は本発明の第２の実施例による遮
風筒の構成を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １……投影レンズ、２……レチクルステージ、３……コ
ラム、４……ウェハステージ、５……レーザ干渉計、６
……ウェハアライメント顕微鏡、７……レチクルアライ
メント顕微鏡、８……ステップアライメント顕微鏡、10
……遮風筒。
構成を示す図、第２図は本発明の第２の実施例による遮
風筒の構成を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １……投影レンズ、２……レチクルステージ、３……コ
ラム、４……ウェハステージ、５……レーザ干渉計、６
……ウェハアライメント顕微鏡、７……レチクルアライ
メント顕微鏡、８……ステップアライメント顕微鏡、10
……遮風筒。
Claims (1)
- 【請求項１】マスク上の原画パターンを被露光基板上に
投影する投影光学系の鏡筒端面に水平に形成された輪帯
状の係合部と係合する一方の端面と前記マスクを保持す
るステージの支持台に前記投影光学系の光路を形成する
ために設けられた開口部内に貫入して前記マスク下面の
近傍まで伸ばされて自由端を構成する他方の端面とを有
すると共に前記投影光学系の鏡筒と略同径の筒状体によ
って形成され、 前記筒状体は、前記ステージの支持台と前記鏡筒端面と
の間の距離より短く前記光軸方向に縮められた状態と前
記ステージの支持台と前記鏡筒端面との間の距離より長
く前記光軸方向に引き伸ばされた状態との間で伸縮可能
に設けられ、 前記縮められた状態で前記マスクと前記投影光学系との
間に挿入された後、前記一方の端面が前記係合部に係合
し前記他方の端面が前記開口部に貫入するように引き伸
ばされて、前記マスクと前記投影光学系との間の光路の
周囲を取り囲むように設けられることを特徴とする投影
型露光装置用遮風装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190253A JPH0722101B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 投影型露光装置用遮風装置 |
| US06/899,863 US4766309A (en) | 1985-08-29 | 1986-08-25 | Air flow shielding attachment for use in projection type exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190253A JPH0722101B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 投影型露光装置用遮風装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6249624A JPS6249624A (ja) | 1987-03-04 |
| JPH0722101B2 true JPH0722101B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=16255058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60190253A Expired - Lifetime JPH0722101B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 投影型露光装置用遮風装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4766309A (ja) |
| JP (1) | JPH0722101B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2550974B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1996-11-06 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| JP2829642B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US5552888A (en) * | 1994-12-02 | 1996-09-03 | Nikon Precision, Inc. | Apparatus for measuring position of an X-Y stage |
| JP2907159B2 (ja) * | 1996-11-12 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
| JPH10340850A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2002151400A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 |
| US6825977B2 (en) * | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Soluris Inc. | Fixture for microscope component alignment |
| JP4565916B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 光反応装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532025U (ja) * | 1978-08-21 | 1980-03-01 | ||
| JPS5854648A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
| JPS58179834A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-21 | Canon Inc | 投影露光装置及び方法 |
| JPS5990929A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置のピント合わせ方法 |
| JPS59101830U (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-09 | 日本ビクター株式会社 | キヤビネツト |
| JPS59150424A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置および方法 |
| JPS6079358A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS60103700A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | 株式会社日立製作所 | 部品の位置決め装置 |
| JPS60123028A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS60133728A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | Seiko Epson Corp | 遠紫外線投影露光装置 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60190253A patent/JPH0722101B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-08-25 US US06/899,863 patent/US4766309A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6249624A (ja) | 1987-03-04 |
| US4766309A (en) | 1988-08-23 |
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