JPS6154622A - パタ−ン転写方法および装置並びにそれらに適用するプリアライナおよびマスクホルダ - Google Patents
パタ−ン転写方法および装置並びにそれらに適用するプリアライナおよびマスクホルダInfo
- Publication number
- JPS6154622A JPS6154622A JP17666584A JP17666584A JPS6154622A JP S6154622 A JPS6154622 A JP S6154622A JP 17666584 A JP17666584 A JP 17666584A JP 17666584 A JP17666584 A JP 17666584A JP S6154622 A JPS6154622 A JP S6154622A
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- Japan
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- marks
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパターン転写方法および装置ならびにこれに適
用するプリアライナおよびマスクホルダに係わり、特に
ウェハ内に位置合わせのためのウェハアライメントマー
クを必要としないで微細な位置合わせを行うことに関す
る。
用するプリアライナおよびマスクホルダに係わり、特に
ウェハ内に位置合わせのためのウェハアライメントマー
クを必要としないで微細な位置合わせを行うことに関す
る。
パターン転写装置の一種である電子線描画装置writ
ing of n−MOS devices and
analysisof overlay and li
newidth accuracies’に記載されて
いるので、それを第1図を用いて説明する。ウェハ1の
周辺部分にはウェハアライメントマーク2,3.4およ
び5が設けられ、またつj\ エナ内の各チップにはその周辺部分にチップマーク7.
8.9および10が設けられている。ウェハはウェハホ
ルダに固定され、ウェハホルダは電子線描画装置にセッ
トされるが電子線描画装置においては、まず上記のマー
クが検出され、それにもとづいて位置合わせが行われ、
その後パターンが描画される。この方法には次のような
問題がおる。第2図に示すようにウェハ1を保持したウ
ェハホルダ11は移動試料台12に装着されるが、この
装着の再現性は装置の機械的精度で決まシ、一般には数
10μmのずれがある。またウェハをウェハホルダに装
着する時のずれもあるのでずれはさらに大きくなる。そ
の大きなずれを電子線で検出し得るためにはマークの寸
法が500μm〜1日でなければならない。このような
大きなマークをチップに付すことが累子の集積度を妨げ
ることは云うまでもない。ウェハアライメントマークを
付したチップは製品にならないので収率は低下する。
ing of n−MOS devices and
analysisof overlay and li
newidth accuracies’に記載されて
いるので、それを第1図を用いて説明する。ウェハ1の
周辺部分にはウェハアライメントマーク2,3.4およ
び5が設けられ、またつj\ エナ内の各チップにはその周辺部分にチップマーク7.
8.9および10が設けられている。ウェハはウェハホ
ルダに固定され、ウェハホルダは電子線描画装置にセッ
トされるが電子線描画装置においては、まず上記のマー
クが検出され、それにもとづいて位置合わせが行われ、
その後パターンが描画される。この方法には次のような
問題がおる。第2図に示すようにウェハ1を保持したウ
ェハホルダ11は移動試料台12に装着されるが、この
装着の再現性は装置の機械的精度で決まシ、一般には数
10μmのずれがある。またウェハをウェハホルダに装
着する時のずれもあるのでずれはさらに大きくなる。そ
の大きなずれを電子線で検出し得るためにはマークの寸
法が500μm〜1日でなければならない。このような
大きなマークをチップに付すことが累子の集積度を妨げ
ることは云うまでもない。ウェハアライメントマークを
付したチップは製品にならないので収率は低下する。
また一枚のウェハにパターン転写を行う場合に2種以上
のパターン転写装置をそれぞれの特徴を活かして用いる
場合がある。たとえば電子線描画装置と光学式露光装置
を用いる場合がある。光学式露光装置として縮小投影露
光装置が用いられる場合には1つのレティクルで各チッ
プに露光するのでパターン用レティクルの他にウェハア
ライメントマークを露光するためのレティクルが必要と
な如、かつその交換のために工程が複雑となシ、位置合
わせ精度も低下する。
のパターン転写装置をそれぞれの特徴を活かして用いる
場合がある。たとえば電子線描画装置と光学式露光装置
を用いる場合がある。光学式露光装置として縮小投影露
光装置が用いられる場合には1つのレティクルで各チッ
プに露光するのでパターン用レティクルの他にウェハア
ライメントマークを露光するためのレティクルが必要と
な如、かつその交換のために工程が複雑となシ、位置合
わせ精度も低下する。
本発明の目的はウェハアライメントマークを必要としな
いパターン転写方法および装置羞びにそれらに適用する
プリアライナおよびマスクホルダを提供することにある
。
いパターン転写方法および装置羞びにそれらに適用する
プリアライナおよびマスクホルダを提供することにある
。
アライメントとの相対位置を予め測定した後、ウェハホ
ルダをパターン転写装置に設置する方法を検討した。ま
たウェハホルダのマークとチップアライメントマークの
相対位置の測定値がある許容範囲を越えている時は、ウ
ェハを移動して、許容範囲内に入るようにする調整手段
および装置が有用であることも見出した。これをプリア
ライナと称する。許容範囲に入るように調整したあと、
再度相対位置を測定することもある。
ルダをパターン転写装置に設置する方法を検討した。ま
たウェハホルダのマークとチップアライメントマークの
相対位置の測定値がある許容範囲を越えている時は、ウ
ェハを移動して、許容範囲内に入るようにする調整手段
および装置が有用であることも見出した。これをプリア
ライナと称する。許容範囲に入るように調整したあと、
再度相対位置を測定することもある。
このようにしてウェハホルダとウェハの相対位置が知ら
れた状態でウェハホルダをパターン転写装置に設置し、
またその相対位置に関するデータをパターン転写装置の
制御系に入力する。その結果パターン転写装置は容易か
つ正確にマーク検出をすることができ、まだマークの大
きさは約50μmでも充分なことがわかった。
れた状態でウェハホルダをパターン転写装置に設置し、
またその相対位置に関するデータをパターン転写装置の
制御系に入力する。その結果パターン転写装置は容易か
つ正確にマーク検出をすることができ、まだマークの大
きさは約50μmでも充分なことがわかった。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第4図は本発明の電子線描画装置のうち、プリアライナ
の粥造を示す概略図である。位置合わせマーク14.1
5を刻まれたウェハホルダ13は移動試料台18の上に
装着される。ウェハ1は19のように回転調整可能であ
る。ウェハホルダ上のマーク14.15およびウェハ上
の特定チップ内のチップアライメントマーク7.8は双
眼の顕微鏡20とテレビカメラ21を通してモニタテレ
ビ22に左右独立に映される。まずウェハの回転調整は
モニタテレビ上の合せマークによシマーク7゜8を結ぶ
線がマーク14.15を結ぶ線と平行となるように行う
。次にマーク14を基準としてウェハ上のマーク7と8
までの距離を測定する。これにはマイクロメータヘッド
23.24によシ移動試料台18を移動して行う。試料
台18の移動量はマイクロメータヘッドに内蔵されたエ
ンコーダによシ移動量表示装置25に表示される。次に
ウェハホルダ13を第5図に示すように電子線描画装置
の移動試料台12上に装着する。この移動試料台12は
レーザ干渉測長計26.27により位置座標が監視され
ている。電子銃28よシ放出された電子は電子レンズ2
9により集束、偏向され位置合わせマーク14.15に
照射され、反射電子が検出器30によシ検出される。電
子線により検出されたウェハホルダ上のマーク14.1
5の位置座標と、第4図に示した粗位置合わせ機により
予め測定されたマーク14と特定チップ上のマーク16
.17までの距離によシ、最初に描画すべきチップ上の
チップマーク?、8,9.10の位置は直ちに計算され
得る。電子線によシチップマーク7,8,9.10の正
確な座標が測定され、第1番目のチップが正確な位置に
描画される。第2チツプ以降はチップマークのみの位置
検出で位置合わせ描画が可能である。この場合のチップ
マークは粗位置合わせ機によっておよその位置が定まっ
ているため、約50μmの大きさがあれば充分検出が可
能であった。
の粥造を示す概略図である。位置合わせマーク14.1
5を刻まれたウェハホルダ13は移動試料台18の上に
装着される。ウェハ1は19のように回転調整可能であ
る。ウェハホルダ上のマーク14.15およびウェハ上
の特定チップ内のチップアライメントマーク7.8は双
眼の顕微鏡20とテレビカメラ21を通してモニタテレ
ビ22に左右独立に映される。まずウェハの回転調整は
モニタテレビ上の合せマークによシマーク7゜8を結ぶ
線がマーク14.15を結ぶ線と平行となるように行う
。次にマーク14を基準としてウェハ上のマーク7と8
までの距離を測定する。これにはマイクロメータヘッド
23.24によシ移動試料台18を移動して行う。試料
台18の移動量はマイクロメータヘッドに内蔵されたエ
ンコーダによシ移動量表示装置25に表示される。次に
ウェハホルダ13を第5図に示すように電子線描画装置
の移動試料台12上に装着する。この移動試料台12は
レーザ干渉測長計26.27により位置座標が監視され
ている。電子銃28よシ放出された電子は電子レンズ2
9により集束、偏向され位置合わせマーク14.15に
照射され、反射電子が検出器30によシ検出される。電
子線により検出されたウェハホルダ上のマーク14.1
5の位置座標と、第4図に示した粗位置合わせ機により
予め測定されたマーク14と特定チップ上のマーク16
.17までの距離によシ、最初に描画すべきチップ上の
チップマーク?、8,9.10の位置は直ちに計算され
得る。電子線によシチップマーク7,8,9.10の正
確な座標が測定され、第1番目のチップが正確な位置に
描画される。第2チツプ以降はチップマークのみの位置
検出で位置合わせ描画が可能である。この場合のチップ
マークは粗位置合わせ機によっておよその位置が定まっ
ているため、約50μmの大きさがあれば充分検出が可
能であった。
本発明によればウェハアライメントマークを必要としな
いため半導体装置の収率が向上し、生産工程も簡単にな
る効果を有する。
いため半導体装置の収率が向上し、生産工程も簡単にな
る効果を有する。
第1図は従来技術のパターン転写方法および装置におい
て位置合わせ描画を行う場合の位置合わせマークの配置
を示す図、第2図は従来技術のウェハホルダを電子線描
画装置の移動試料台に装置した状態を示す図、第3図は
本発明の電子線描画装置による位置合わせ描画を示す図
、第4図は本発明の実施例のプリアライナの構成を示す
図、第1・・・ウェハ、2,3,4.5・・・ウェハア
ライメントマーク、6・・・チップ、7,8,9.10
・・・チップアライメントマーク、11・・・ウェハホ
ルダ、12・・・移動試料台、13・・・ウェハホルダ
、14゜15・・・ウェハホルダ上のマーク、18・・
・移動試料台、19・・・ウェハの回転方向、20・・
・顕微鏡、21・・・テレビカメラ、22・・・モニタ
テレビ、23゜24・・・マイクロメータヘッドとエン
コーダ、25聞 1 図 第 2 口
て位置合わせ描画を行う場合の位置合わせマークの配置
を示す図、第2図は従来技術のウェハホルダを電子線描
画装置の移動試料台に装置した状態を示す図、第3図は
本発明の電子線描画装置による位置合わせ描画を示す図
、第4図は本発明の実施例のプリアライナの構成を示す
図、第1・・・ウェハ、2,3,4.5・・・ウェハア
ライメントマーク、6・・・チップ、7,8,9.10
・・・チップアライメントマーク、11・・・ウェハホ
ルダ、12・・・移動試料台、13・・・ウェハホルダ
、14゜15・・・ウェハホルダ上のマーク、18・・
・移動試料台、19・・・ウェハの回転方向、20・・
・顕微鏡、21・・・テレビカメラ、22・・・モニタ
テレビ、23゜24・・・マイクロメータヘッドとエン
コーダ、25聞 1 図 第 2 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、関連性がある2以上のパターンを位置合わせを行つ
てウェハに転写するパターン転写方法において、前記ウ
ェハに設けた位置合わせマークと前記ウェハを保持する
ウェハホルダに設けた位置合わせマークを読み取る行程
、前記位置合わせマーク間の相対位置を測定する行程、
前記ウェハと前記ウェハホルダの相対位置のずれがある
許容範囲を超す時は、該相対位置のずれが前記許容範囲
内になるよう前記ウェハを移動する調整行程、前記相対
位置のずれの値をもとに前記マークを検出し、前記マー
クと前記パターンに付した位置合わせマークを合わせる
行程および前記パターンを前記ウェハに転写する行程を
含むことを特徴とするパターン転写方法。 2、関連性がある2以上のパターンを位置合わせを行つ
てウェハに転写するパターン転写装置において、前記ウ
ェハに設けた位置合わせマークと前記ウェハを保持する
ウェハホルダに設けた位置合わせマークの相対位置のず
れの値をもとに前記マークを検出し、前記マークと前記
パターンに付した位置合わせマークを合わせる機能およ
び前記パターンを前記ウェハに転写する機能を有するこ
とを特徴とするパターン転写装置。 3、上記相対位置のずれの値を入力する端子および該ず
れの値をもとに上記マークの検出を容易にするための演
算回路を有することを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載のパターン転写装置。 4、上記パターンを転写する手段が電子線描画方法であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のパター
ン転写装置。 5、上記ウェハが半導体装置製造用ウェハであることを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載のパターン転写装
置。 6、関連性がある2以上のパターンを位置合わせを行つ
てウェハに転写するパターン転写方法および装置に適用
する位置合わせマークの寸法を小さくし、かつ位置合わ
せを容易に行うために、前記ウェハに設けた位置合わせ
マークと前記ウェハを保持するウェハホルダに設けた位
置合わせマークの相対位置のずれを検出、測定すること
を特徴とするプリアライナ。 7、上記相対位置のずれを検出、測定した後、その結果
をパターン転写装置に伝送するための電気的接続を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第6項記載のプリアラ
イナ。 8、関連性がある2以上のパターンを位置合わせを行つ
てウェハに転写するパターン転写方法またはパターン転
写装置にて行う位置合わせにおいて、上記ウェハに設け
られた位置合わせマークと上記ウェハを保持するウェハ
ホルダに設けた位置合わせマークを読み取ることにより
上記ウェハと上記ウェハホルダとの相対位置のずれがあ
る許容範囲になるように上記ウェハを移動して調整する
ことを特徴とするプリアライナ。 9、上記相対位置のずれに関する値をパターン転写装置
に伝送するための電気的接続を行うことを特徴とする特
許請求の範囲第8項記載のプリアライナ。 10、関連性がある2以上のパターンを位置合わせを行
つてウェハに転写するパターン転写方法またはパターン
転写装置にて用いる上記ウェハを保持するウェハホルダ
において、該マスクホルダと上記ウェハとの相対位置を
検出するためのマークを有することを特徴とするマスク
ホルダ。 11、関連性がある2以上のパターンを位置合わせを行
つてウェハに転写するパターン転写装置において、前記
ウェハに設けた位置合わせマークと前記ウェハを保持す
るウェハホルダに設けた位置合わせを読みとることによ
り前記ウェハと前記ウェハホルダの相対位置がある許容
範囲内になるように前記ウェハを移動する調整機能、前
記マークを検出して位置合わせを行う機能およびパター
ン転写を行う機能を有することを特徴とするパターン転
写装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17666584A JPS6154622A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | パタ−ン転写方法および装置並びにそれらに適用するプリアライナおよびマスクホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17666584A JPS6154622A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | パタ−ン転写方法および装置並びにそれらに適用するプリアライナおよびマスクホルダ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6154622A true JPS6154622A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16017561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17666584A Pending JPS6154622A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | パタ−ン転写方法および装置並びにそれらに適用するプリアライナおよびマスクホルダ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6154622A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009054964A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Nikon Corp | ウェハ移載装置と、これを有する半導体製造装置 |
JP2013021362A (ja) * | 2012-10-02 | 2013-01-31 | Nikon Corp | ウェハ貼り合わせ方法、位置決め方法と、これを有する半導体製造装置 |
JP2013191890A (ja) * | 2013-06-21 | 2013-09-26 | Nikon Corp | 位置決め装置と、位置決め方法と、これらを有する半導体製造装置 |
KR20160097053A (ko) * | 2015-02-06 | 2016-08-17 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 공정에서 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치 및 방법과, 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 장치 및 방법 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17666584A patent/JPS6154622A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009054964A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Nikon Corp | ウェハ移載装置と、これを有する半導体製造装置 |
JP2013021362A (ja) * | 2012-10-02 | 2013-01-31 | Nikon Corp | ウェハ貼り合わせ方法、位置決め方法と、これを有する半導体製造装置 |
JP2013191890A (ja) * | 2013-06-21 | 2013-09-26 | Nikon Corp | 位置決め装置と、位置決め方法と、これらを有する半導体製造装置 |
KR20160097053A (ko) * | 2015-02-06 | 2016-08-17 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 공정에서 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치 및 방법과, 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 장치 및 방법 |
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