JP2000012455A - 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法 - Google Patents
荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク上の基準マークの位置精度が悪くなっ
た場合でも、確実にマスクと感応基板との位置合わせが
可能な荷電粒子露光転写装置を提供する。 【解決手段】 マスクステージ４を移動させて、マスク
光基準マークを光学的位置センサ９で検出することによ
り、マスク２の位置誤差や回転誤差を計測し、これを基
にマスク２のラフアライメントを行う。次に、マスクス
テージ１の位置の機械的な位置を操作することにより、
マスクＥＢ基準マークを電子ビームＥＢの照射中心付近
に位置させて、電子ビームＥＢを照射する。すると、マ
スクＥＢ基準マーク通過した電子ビームは、基準マーク
７で反射され、反射電子検出器８で検出される。この状
態で、電子ビームＥＢを偏向させてスキャンし、反射電
子検出器８の出力が最大になる点を検出することによ
り、マスク２とウェハステージ４の位置誤差や回転誤差
を補正する。
た場合でも、確実にマスクと感応基板との位置合わせが
可能な荷電粒子露光転写装置を提供する。 【解決手段】 マスクステージ４を移動させて、マスク
光基準マークを光学的位置センサ９で検出することによ
り、マスク２の位置誤差や回転誤差を計測し、これを基
にマスク２のラフアライメントを行う。次に、マスクス
テージ１の位置の機械的な位置を操作することにより、
マスクＥＢ基準マークを電子ビームＥＢの照射中心付近
に位置させて、電子ビームＥＢを照射する。すると、マ
スクＥＢ基準マーク通過した電子ビームは、基準マーク
７で反射され、反射電子検出器８で検出される。この状
態で、電子ビームＥＢを偏向させてスキャンし、反射電
子検出器８の出力が最大になる点を検出することによ
り、マスク２とウェハステージ４の位置誤差や回転誤差
を補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線等の荷電粒
子線を用いてマスク（本明細書においてマスクとは、レ
チクルを含む概念である）上のパターンをウェハ等の感
応基板に転写する荷電粒子線転写露光装置に関するもの
であり、さらに詳しくは、マスクと感応基板の位置合わ
せが容易な荷電粒子線露光装置、及びこの荷電粒子線露
光装置における、マスクと感応基板の位置合わせ方法に
関するものである。
子線を用いてマスク（本明細書においてマスクとは、レ
チクルを含む概念である）上のパターンをウェハ等の感
応基板に転写する荷電粒子線転写露光装置に関するもの
であり、さらに詳しくは、マスクと感応基板の位置合わ
せが容易な荷電粒子線露光装置、及びこの荷電粒子線露
光装置における、マスクと感応基板の位置合わせ方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の高集積化が進むにつれ、集積回
路の微細化が要求され、これに伴い、露光装置には、よ
り細いパターンを描くために、より高い解像度で描画で
きることが要求されてきている。その中で、電子線に代
表される荷電粒子線による転写露光装置は、このような
要求に応えることができるものとして注目されている。
路の微細化が要求され、これに伴い、露光装置には、よ
り細いパターンを描くために、より高い解像度で描画で
きることが要求されてきている。その中で、電子線に代
表される荷電粒子線による転写露光装置は、このような
要求に応えることができるものとして注目されている。
【０００３】荷電粒子線露光では、予め集積回路の回路
パターンを描いてあるマスクを荷電粒子線で照射し、回
路パターンをウェハー上に転写する。この際、マスクと
ウェハの位置をそれぞれ合わせる必要がある。そのため
には、まず、ウェハの位置を荷電粒子露光装置に対して
所定の位置に合わせることが行われている。ウェハの位
置を合わせることは、ウェハステージの機械的な位置を
所定位置に合わせることにより行われている。
パターンを描いてあるマスクを荷電粒子線で照射し、回
路パターンをウェハー上に転写する。この際、マスクと
ウェハの位置をそれぞれ合わせる必要がある。そのため
には、まず、ウェハの位置を荷電粒子露光装置に対して
所定の位置に合わせることが行われている。ウェハの位
置を合わせることは、ウェハステージの機械的な位置を
所定位置に合わせることにより行われている。
【０００４】また、必要に応じ、ウェハステージに荷電
粒子線を反射するマークを付け、そのマークを荷電粒子
線によって照射し、その反射荷電粒子を検出することに
よって当該マークを荷電粒子線の中心に合わせ、これを
基準にしてウェハステージの位置合わせを行うことも行
なわれている。
粒子線を反射するマークを付け、そのマークを荷電粒子
線によって照射し、その反射荷電粒子を検出することに
よって当該マークを荷電粒子線の中心に合わせ、これを
基準にしてウェハステージの位置合わせを行うことも行
なわれている。
【０００５】さらに、ウェハステージに光学的に検出で
きるマークを付け、前記荷電粒子線を利用した位置わせ
に先立って、光学顕微鏡により当該マークを検出して粗
い位置合わせを行う場合もある。
きるマークを付け、前記荷電粒子線を利用した位置わせ
に先立って、光学顕微鏡により当該マークを検出して粗
い位置合わせを行う場合もある。
【０００６】このようにして、ウェハステージの位置合
わせを行った後、今度はウェハ（ウェハステージ）位置
にマスクの位置を合わせる。この様子を、図４を用いて
説明する。図４は電子線転写露光装置の該要図であり、
ＥＢは電子ビーム、１はマスクステージ、２はマスク、
３は電子レンズ、４はウェハステージ、５はウェハ、６
はマスクステージ上の基準マーク、７はウェハステージ
上の基準マーク、８は反射電子検出器である。
わせを行った後、今度はウェハ（ウェハステージ）位置
にマスクの位置を合わせる。この様子を、図４を用いて
説明する。図４は電子線転写露光装置の該要図であり、
ＥＢは電子ビーム、１はマスクステージ、２はマスク、
３は電子レンズ、４はウェハステージ、５はウェハ、６
はマスクステージ上の基準マーク、７はウェハステージ
上の基準マーク、８は反射電子検出器である。
【０００７】図示されない照明光学系により一様な照明
光とされた電子ビームＥＢは、マスクステージ１上に載
置されたマスク２を照射する。マスク２上のパターン
は、電子レンズ３により、ウェハステージ４上に載置さ
れたウェハ５上に結像し、ウェハ５上のレジストを感光
させる。マスク２とウェハ４の位置合わせのために、マ
スクステージ１上には基準マーク６が、ウェハステージ
４上には基準マーク７が設けられている。基準マーク６
は電子線を透過する細い穴であり、基準マーク７は電子
線を反射する微少な物体から形成されている。
光とされた電子ビームＥＢは、マスクステージ１上に載
置されたマスク２を照射する。マスク２上のパターン
は、電子レンズ３により、ウェハステージ４上に載置さ
れたウェハ５上に結像し、ウェハ５上のレジストを感光
させる。マスク２とウェハ４の位置合わせのために、マ
スクステージ１上には基準マーク６が、ウェハステージ
４上には基準マーク７が設けられている。基準マーク６
は電子線を透過する細い穴であり、基準マーク７は電子
線を反射する微少な物体から形成されている。
【０００８】マスク２とウェハ４の位置合わせを行うに
は、まず、ウェハステージ４の機械的な位置を操作する
ことにより、基準マーク７を電子ビームＥＢの照射中心
（電子光学鏡筒の中心）に合わせる。そして、マスクス
テージ１の位置の機械的な位置を操作することにより、
基準マーク６を電子ビームＥＢの照射中心付近に位置さ
せて、電子ビームＥＢを照射する。すると、基準マーク
６を通過した電子ビームは、基準マーク７で反射され、
反射電子検出器８で検出される。この状態で、電子ビー
ムＥＢを偏向させてスキャンし、反射電子検出器８の出
力が最大になった点で、マスクステージ１とウェハステ
ージ４の位置合わせが完了したとする。そして、以後の
露光転写においては、このときの電子ビームＥＢの偏向
量を基準として位置合わせのための偏向量を計算する。
なお、このようなマスクステージ１とウェハステージ４
との位置合わせは、ウェハ交換のたび毎に行う必要は必
ずしもない。
は、まず、ウェハステージ４の機械的な位置を操作する
ことにより、基準マーク７を電子ビームＥＢの照射中心
（電子光学鏡筒の中心）に合わせる。そして、マスクス
テージ１の位置の機械的な位置を操作することにより、
基準マーク６を電子ビームＥＢの照射中心付近に位置さ
せて、電子ビームＥＢを照射する。すると、基準マーク
６を通過した電子ビームは、基準マーク７で反射され、
反射電子検出器８で検出される。この状態で、電子ビー
ムＥＢを偏向させてスキャンし、反射電子検出器８の出
力が最大になった点で、マスクステージ１とウェハステ
ージ４の位置合わせが完了したとする。そして、以後の
露光転写においては、このときの電子ビームＥＢの偏向
量を基準として位置合わせのための偏向量を計算する。
なお、このようなマスクステージ１とウェハステージ４
との位置合わせは、ウェハ交換のたび毎に行う必要は必
ずしもない。
【０００９】その後、実際のマスク２とウェハ４の位置
合わせを行う。その方法は、マスク２、ウェハ５にもそ
れぞれ基準マークを設け、マスクステージ１とウェハス
テージ４の位置合わせが完了した後、同様の方法で、マ
スク２の基準マークとウェハ５の基準マークの位置を合
わせることにより、マスク２とウェハ５同士の位置合わ
せを行うものである。そして、露光転写においては、こ
のときの電子ビームＥＢの偏向量を基準として位置合わ
せのための電子線ビームの偏向量、回転量を計算する。
合わせを行う。その方法は、マスク２、ウェハ５にもそ
れぞれ基準マークを設け、マスクステージ１とウェハス
テージ４の位置合わせが完了した後、同様の方法で、マ
スク２の基準マークとウェハ５の基準マークの位置を合
わせることにより、マスク２とウェハ５同士の位置合わ
せを行うものである。そして、露光転写においては、こ
のときの電子ビームＥＢの偏向量を基準として位置合わ
せのための電子線ビームの偏向量、回転量を計算する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記のような、従来技
術におけるマスクとウェハの位置合わせ方法は、マスク
が小さい場合には問題を生じないが、マスクが大型化し
てくると、位置合わせが不可能になるという問題点を有
している。すなわち、マスクの大型化に伴い、マスクの
外形寸法が正確にならず、それに伴って、マスクの外形
に対する基準マークの位置精度が必然的に悪化してく
る。一方、電子線の照射範囲は非常に狭いため、前記の
ような方法で、マスク上の基準マークを電子ビームの中
心付近に位置させようとしても、それが電子ビームの照
射範囲を外れてしまうことが発生する。このような場合
には、マスクとウェハの位置合わせが不可能になる。
術におけるマスクとウェハの位置合わせ方法は、マスク
が小さい場合には問題を生じないが、マスクが大型化し
てくると、位置合わせが不可能になるという問題点を有
している。すなわち、マスクの大型化に伴い、マスクの
外形寸法が正確にならず、それに伴って、マスクの外形
に対する基準マークの位置精度が必然的に悪化してく
る。一方、電子線の照射範囲は非常に狭いため、前記の
ような方法で、マスク上の基準マークを電子ビームの中
心付近に位置させようとしても、それが電子ビームの照
射範囲を外れてしまうことが発生する。このような場合
には、マスクとウェハの位置合わせが不可能になる。
【００１１】また、基準マークの位置精度の悪化は、電
子線の散乱を利用した薄膜タイプのマスクを使用する場
合にも発生する。この方式のマスクにおいては、薄膜以
外の場所に電子線を照射すると、電子線の吸収によって
マスクが発熱して熱変形する恐れがある。よって、基準
マークの付近の電子線が照射される部分を広範囲に薄膜
化する必要があり、薄膜化することにより基準マークの
位置精度が悪化する。よって、このようなマスクを使用
した場合にも、前述したことと同じ理由により、マスク
とウェハの位置合わせが不可能になるという問題が発生
する。
子線の散乱を利用した薄膜タイプのマスクを使用する場
合にも発生する。この方式のマスクにおいては、薄膜以
外の場所に電子線を照射すると、電子線の吸収によって
マスクが発熱して熱変形する恐れがある。よって、基準
マークの付近の電子線が照射される部分を広範囲に薄膜
化する必要があり、薄膜化することにより基準マークの
位置精度が悪化する。よって、このようなマスクを使用
した場合にも、前述したことと同じ理由により、マスク
とウェハの位置合わせが不可能になるという問題が発生
する。
【００１２】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、マスク上の基準マークの位置精度が悪くな
った場合でも、確実にマスクと感応基板との位置合わせ
が可能な荷電粒子転写露光装置、及びこの荷電粒子線露
光装置における、マスクと感応基板の位置合わせ方法を
提供することを課題とする。
ものであり、マスク上の基準マークの位置精度が悪くな
った場合でも、確実にマスクと感応基板との位置合わせ
が可能な荷電粒子転写露光装置、及びこの荷電粒子線露
光装置における、マスクと感応基板の位置合わせ方法を
提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、荷電粒子線を利用してマスク上のパタ
ーンをウェハ等の感応基板に転写する転写露光装置であ
って、光学系からなるマスク位置測定装置と、荷電粒子
線光学系からなるマスク位置測定装置とを有することを
特徴とする荷電粒子線転写露光装置（請求項１）であ
る。
の第１の手段は、荷電粒子線を利用してマスク上のパタ
ーンをウェハ等の感応基板に転写する転写露光装置であ
って、光学系からなるマスク位置測定装置と、荷電粒子
線光学系からなるマスク位置測定装置とを有することを
特徴とする荷電粒子線転写露光装置（請求項１）であ
る。
【００１４】本手段においては、光学系からなるマスク
位置測定装置（光学的マスク位置測定装置）が設けられ
ているため、マスク上の荷電粒子線用基準マークの直近
又は同一位置に光学的基準マークを設けておき、光学的
マスク位置測定装置によって光学的基準マークを検出す
ることにより、マスク位置の粗調整を行うことができ
る。マスク位置の粗調整を行った後、従来方法と同じ方
法により、荷電粒子線を利用してマスク位置と感応基板
位置の精密な調整を行う。このような方法によれば、光
学的マスク位置測定装置を利用したマスク位置の粗調整
が行われているので、荷電粒子線用基準マークが荷電粒
子線の照射範囲から外れることがない。よって、荷電粒
子線用基準マークの位置がマスク外形に対して正確でな
い場合でも、確実にマスクと感応基板の位置合わせを行
うことができる。
位置測定装置（光学的マスク位置測定装置）が設けられ
ているため、マスク上の荷電粒子線用基準マークの直近
又は同一位置に光学的基準マークを設けておき、光学的
マスク位置測定装置によって光学的基準マークを検出す
ることにより、マスク位置の粗調整を行うことができ
る。マスク位置の粗調整を行った後、従来方法と同じ方
法により、荷電粒子線を利用してマスク位置と感応基板
位置の精密な調整を行う。このような方法によれば、光
学的マスク位置測定装置を利用したマスク位置の粗調整
が行われているので、荷電粒子線用基準マークが荷電粒
子線の照射範囲から外れることがない。よって、荷電粒
子線用基準マークの位置がマスク外形に対して正確でな
い場合でも、確実にマスクと感応基板の位置合わせを行
うことができる。
【００１５】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、前記光学系からなるマスク位
置測定装置のセンサ部が、荷電粒子光学鏡筒の外側に設
置されていることを特徴とするもの（請求項２）であ
る。
前記第１の手段であって、前記光学系からなるマスク位
置測定装置のセンサ部が、荷電粒子光学鏡筒の外側に設
置されていることを特徴とするもの（請求項２）であ
る。
【００１６】光学的マスク位置測定装置のセンサ部を、
荷電粒子光学鏡筒の外側に設けることにより、センサ部
のメンテナンスが容易になる。
荷電粒子光学鏡筒の外側に設けることにより、センサ部
のメンテナンスが容易になる。
【００１７】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１又は第２の手段であって、前記光学系からなる
マスク位置測定装置のセンサ部が、２次元センサである
ことを特徴とするもの（請求項３）である。
前記第１又は第２の手段であって、前記光学系からなる
マスク位置測定装置のセンサ部が、２次元センサである
ことを特徴とするもの（請求項３）である。
【００１８】センサを２次元センサとすることにより、
視野が広くなると共に、平面で２次元方向の位置調整を
同時に行うことができるようになる。２次元センサとし
ては、２次元ＣＣＤ、２次元ＰＳＤ等が使用できる。
視野が広くなると共に、平面で２次元方向の位置調整を
同時に行うことができるようになる。２次元センサとし
ては、２次元ＣＣＤ、２次元ＰＳＤ等が使用できる。
【００１９】前記課題を解決するための第４の手段は、
前記第１の手段から第３の手段の内のいずれかであっ
て、前記光学系からなるマスク位置測定装置のセンサ部
の視野が、切り替え可能とされていることを特徴とする
もの（請求項４）である。
前記第１の手段から第３の手段の内のいずれかであっ
て、前記光学系からなるマスク位置測定装置のセンサ部
の視野が、切り替え可能とされていることを特徴とする
もの（請求項４）である。
【００２０】この手段においては、光学的マスク位置測
定装置のセンサ部の視野が段階的又は連続的に切り替え
られるので、例えば、光学的な基準マークの位置が大き
くずれ、定常的な視野に入らなくなったような場合で
も、自動又は手動により視野の範囲を広げて基準マーク
の位置を見つけて粗調整を行い、しかる後に定常的な視
野において粗調整を行うことができる。よって、このよ
うな場合でも、位置合わせが不能になることがない。
定装置のセンサ部の視野が段階的又は連続的に切り替え
られるので、例えば、光学的な基準マークの位置が大き
くずれ、定常的な視野に入らなくなったような場合で
も、自動又は手動により視野の範囲を広げて基準マーク
の位置を見つけて粗調整を行い、しかる後に定常的な視
野において粗調整を行うことができる。よって、このよ
うな場合でも、位置合わせが不能になることがない。
【００２１】前記課題を解決するための第５の手段は、
前記第１の手段から第４の手段のうちいずれかにおい
て、マスクと感応基板の位置合わせを行う方法であっ
て、まず、光学系からなるマスク位置測定装置を用いて
粗い位置合わせを行い、続いて、荷電粒子線光学系から
なるマスク位置測定装置を用いて精密な位置合わせを行
うことを特徴とする荷電粒子線転写露光装置におけるマ
スクと感応基板の位置合わせ方法（請求項５）である。
前記第１の手段から第４の手段のうちいずれかにおい
て、マスクと感応基板の位置合わせを行う方法であっ
て、まず、光学系からなるマスク位置測定装置を用いて
粗い位置合わせを行い、続いて、荷電粒子線光学系から
なるマスク位置測定装置を用いて精密な位置合わせを行
うことを特徴とする荷電粒子線転写露光装置におけるマ
スクと感応基板の位置合わせ方法（請求項５）である。
【００２２】この手段においては、光学的マスク位置測
定装置を用いて粗い位置合わせを行っているので、前記
第１の手段の説明において述べたように、荷電粒子線用
基準マークの位置がマスク外形に対して正確でない場合
でも、確実にマスクと感応基板の位置合わせを行うこと
ができる。
定装置を用いて粗い位置合わせを行っているので、前記
第１の手段の説明において述べたように、荷電粒子線用
基準マークの位置がマスク外形に対して正確でない場合
でも、確実にマスクと感応基板の位置合わせを行うこと
ができる。
【００２３】前記課題を解決するための第６の手段は、
前記第５の手段であって、マスクが複数基板から成り立
っている場合に、それぞれの基板毎に、光学系からなる
マスク位置測定装置を用いて粗い位置合わせを行い、続
いて荷電粒子線光学系からなるマスク位置測定装置を用
いて精密な位置合わせを行うことを特徴とする荷電粒子
線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ
方法（請求項６）である。
前記第５の手段であって、マスクが複数基板から成り立
っている場合に、それぞれの基板毎に、光学系からなる
マスク位置測定装置を用いて粗い位置合わせを行い、続
いて荷電粒子線光学系からなるマスク位置測定装置を用
いて精密な位置合わせを行うことを特徴とする荷電粒子
線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ
方法（請求項６）である。
【００２４】マスクが大型化した場合、１枚の基板で作
成することができず、複数基板に分けて作成し、それら
を隣り合わせてマスクステージに載置して露光転写を行
う場合がある。その際、それぞれのマスク基板毎に、光
学的マスク位置測定装置を用いて粗い位置合わせを行
い、その後、荷電粒子線光学系からなるマスク位置測定
装置を用いて精密な位置合わせを行うことにより、各基
板の位置が狂っている場合でも、全体として正確な位置
合わせを行うことができる。
成することができず、複数基板に分けて作成し、それら
を隣り合わせてマスクステージに載置して露光転写を行
う場合がある。その際、それぞれのマスク基板毎に、光
学的マスク位置測定装置を用いて粗い位置合わせを行
い、その後、荷電粒子線光学系からなるマスク位置測定
装置を用いて精密な位置合わせを行うことにより、各基
板の位置が狂っている場合でも、全体として正確な位置
合わせを行うことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１、図２を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形
態の１例である電子線転写露光装置の概略図、図２は、
本発明の実施の形態に使用されるマスクステージの構成
例を示す概略図である。図１、図２において、１はマス
クステージ、２はマスク、３は電子レンズ、４はウェハ
ステージ、５はウェハ、６はマスクステージ上の基準マ
ーク、７はウェハステージ上の基準マーク、８は反射電
子検出器、９は光学的マスク位置測定装置のセンサ（光
学的位置センサ）、１０はマスク上のパターン部、１１
はマスクステージ光基準マーク、１２はマスクステージ
ＥＢ（電子線）基準マーク、１３はマスク光基準マー
ク、１４はマスクＥＢ基準マーク、ＥＢは電子線であ
る。
１、図２を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形
態の１例である電子線転写露光装置の概略図、図２は、
本発明の実施の形態に使用されるマスクステージの構成
例を示す概略図である。図１、図２において、１はマス
クステージ、２はマスク、３は電子レンズ、４はウェハ
ステージ、５はウェハ、６はマスクステージ上の基準マ
ーク、７はウェハステージ上の基準マーク、８は反射電
子検出器、９は光学的マスク位置測定装置のセンサ（光
学的位置センサ）、１０はマスク上のパターン部、１１
はマスクステージ光基準マーク、１２はマスクステージ
ＥＢ（電子線）基準マーク、１３はマスク光基準マー
ク、１４はマスクＥＢ基準マーク、ＥＢは電子線であ
る。
【００２６】図１において、図示されない照明光学系に
より一様な照明光とされた電子ビームＥＢは、マスクス
テージ１上に載置されたマスク２を照射する。マスク２
上のパターンは、電子レンズ３により、ウェハステージ
４上に載置されたウェハ５上に結像し、ウェハ５上のレ
ジストを感光させる。マスク２とウェハ４の位置合わせ
のために、マスクステージ１上には基準マーク６が、ウ
ェハステージ４上には基準マーク７が設けられている。
基準マーク６は電子線を透過する細い穴であり、基準マ
ーク７は電子線を反射する微少な物体から形成されてい
る。ここまでの構成は、図４に示した従来例と同じであ
る。図１に示す装置においては、これらに加え、光学的
位置センサ９が設けられているところが図４に示した装
置と異なる。
より一様な照明光とされた電子ビームＥＢは、マスクス
テージ１上に載置されたマスク２を照射する。マスク２
上のパターンは、電子レンズ３により、ウェハステージ
４上に載置されたウェハ５上に結像し、ウェハ５上のレ
ジストを感光させる。マスク２とウェハ４の位置合わせ
のために、マスクステージ１上には基準マーク６が、ウ
ェハステージ４上には基準マーク７が設けられている。
基準マーク６は電子線を透過する細い穴であり、基準マ
ーク７は電子線を反射する微少な物体から形成されてい
る。ここまでの構成は、図４に示した従来例と同じであ
る。図１に示す装置においては、これらに加え、光学的
位置センサ９が設けられているところが図４に示した装
置と異なる。
【００２７】図２において、マスクステージ１上に設け
られた基準マーク６は、マスクステージ光基準マーク１
１とマスクステージＥＢ基準マーク１２とから成り立っ
ている。そして、マスクステージ１上に載置されたマス
ク２の、パターン部１０以外の場所に、マスク光基準マ
ーク１３、マスクＥＢ基準マーク１４が１組となって４
組設けられている。
られた基準マーク６は、マスクステージ光基準マーク１
１とマスクステージＥＢ基準マーク１２とから成り立っ
ている。そして、マスクステージ１上に載置されたマス
ク２の、パターン部１０以外の場所に、マスク光基準マ
ーク１３、マスクＥＢ基準マーク１４が１組となって４
組設けられている。
【００２８】この実施の形態において、マスクとウェハ
の位置合わせは以下のように行う。まず、光学的位置セ
ンサ９が、電子ビームＥＢの中心に対してどの位置にあ
るかを測定する。まず、マスクステージ光基準マーク１
１が光学的位置センサ９の視野に入るようにマスクステ
ージ４を移動し、マスクステージ光基準マーク１１の中
心位置を測定する。
の位置合わせは以下のように行う。まず、光学的位置セ
ンサ９が、電子ビームＥＢの中心に対してどの位置にあ
るかを測定する。まず、マスクステージ光基準マーク１
１が光学的位置センサ９の視野に入るようにマスクステ
ージ４を移動し、マスクステージ光基準マーク１１の中
心位置を測定する。
【００２９】次に、ウェハステージ４の機械的な位置を
操作することにより、基準マーク７を電子光学鏡筒の中
心軸に合わせる。続いて、マスクステージＥＢ基準マー
ク１２を電子光学鏡筒の中心位置付近に移動し、電子ビ
ームＥＢを照射する。すると、マスクステージＥＢ基準
マーク１２を通過した電子ビームは、基準マーク７で反
射され、反射電子検出器８で検出される。この状態で、
電子ビームＥＢを偏向させてスキャンし、反射電子検出
器８の出力が最大になる点を見出すことにより、でマス
クステージ光基準マーク１２の位置を測定する。
操作することにより、基準マーク７を電子光学鏡筒の中
心軸に合わせる。続いて、マスクステージＥＢ基準マー
ク１２を電子光学鏡筒の中心位置付近に移動し、電子ビ
ームＥＢを照射する。すると、マスクステージＥＢ基準
マーク１２を通過した電子ビームは、基準マーク７で反
射され、反射電子検出器８で検出される。この状態で、
電子ビームＥＢを偏向させてスキャンし、反射電子検出
器８の出力が最大になる点を見出すことにより、でマス
クステージ光基準マーク１２の位置を測定する。
【００３０】マスクステージ光基準マーク１１とマスク
ステージＥＢ基準マーク１２の位置関係は予め分かって
いるので、以上の測定により、電子線ＥＢの中心位置
（電子光学鏡筒の中心に置かれたウェハステージの基準
マーク７を照射する位置）と光学的位置９センサの中心
位置の差を測定することができる。これにより、光学的
位置センサ９が、電子線ＥＢ中心に対してどの位置にあ
るかが分かる。よって、以下に述べるウェハ位置の粗調
整は、この相対位置関係を考慮して行う。なお、マスク
ステージ光基準マーク１１とマスクステージＥＢ基準マ
ーク１２は、互いの位置関係が分かっていれば別のもの
を用いてもよいが、同一のマークを用いることも可能で
ある。
ステージＥＢ基準マーク１２の位置関係は予め分かって
いるので、以上の測定により、電子線ＥＢの中心位置
（電子光学鏡筒の中心に置かれたウェハステージの基準
マーク７を照射する位置）と光学的位置９センサの中心
位置の差を測定することができる。これにより、光学的
位置センサ９が、電子線ＥＢ中心に対してどの位置にあ
るかが分かる。よって、以下に述べるウェハ位置の粗調
整は、この相対位置関係を考慮して行う。なお、マスク
ステージ光基準マーク１１とマスクステージＥＢ基準マ
ーク１２は、互いの位置関係が分かっていれば別のもの
を用いてもよいが、同一のマークを用いることも可能で
ある。
【００３１】なお、以上に述べた光学的位置センサ９の
位置の測定は、温度等の環境の変化により光学的位置セ
ンサ９の位置がずれた場合の誤差を補正するために行う
ものであり、ウェハの交換のたびに行う必要はない。
位置の測定は、温度等の環境の変化により光学的位置セ
ンサ９の位置がずれた場合の誤差を補正するために行う
ものであり、ウェハの交換のたびに行う必要はない。
【００３２】以下、図３に示すフローチャートに従っ
て、マスクの位置合わせのシーケンスを説明する。メイ
ンコントロールプログラムからマスクのロード命令が発
せられると、マスクローダによってマスク５のロードが
開始される（Ｓ１）。マスクローダにはプリアラメント
機構がついており、予め一定の精度までマスクの位置合
わせを行った後に（Ｓ２）、マスクステージ１上にマス
ク２が載置される（Ｓ３）。
て、マスクの位置合わせのシーケンスを説明する。メイ
ンコントロールプログラムからマスクのロード命令が発
せられると、マスクローダによってマスク５のロードが
開始される（Ｓ１）。マスクローダにはプリアラメント
機構がついており、予め一定の精度までマスクの位置合
わせを行った後に（Ｓ２）、マスクステージ１上にマス
ク２が載置される（Ｓ３）。
【００３３】マスクステージ１上に載置されたマスク２
には、光学的位置センサ９で検出するためのマスク光基
準マーク１３が複数個（図２では４個）設けられてお
り、マスクステージ４を移動させて、このマスク光基準
マーク１３を光学的位置センサ９で検出することによ
り、マスク２の位置誤差や回転誤差が計測される。そし
て、これらの誤差が無くなるようにマスクステージ１を
移動させることにより、マスク２のラフアライメントが
完了する（Ｓ４）。
には、光学的位置センサ９で検出するためのマスク光基
準マーク１３が複数個（図２では４個）設けられてお
り、マスクステージ４を移動させて、このマスク光基準
マーク１３を光学的位置センサ９で検出することによ
り、マスク２の位置誤差や回転誤差が計測される。そし
て、これらの誤差が無くなるようにマスクステージ１を
移動させることにより、マスク２のラフアライメントが
完了する（Ｓ４）。
【００３４】次に、ウェハステージ４の機械的な位置を
操作することにより、基準マーク７を電子光学鏡筒中心
軸に合わせる。そして、マスクステージ１の位置の機械
的な位置を操作することにより、マスクＥＢ基準マーク
１４を電子ビームＥＢの照射中心付近に位置させて、電
子ビームＥＢを照射する。すると、マスクＥＢ基準マー
ク１４を通過した電子ビームは、基準マーク７で反射さ
れ、反射電子検出器８で検出される。この状態で、電子
ビームＥＢを偏向させてスキャンし、反射電子検出器８
の出力が最大になる点を検出することにより、ウェハス
テージ４とマスク２との相対位置関係を知ることができ
る。この測定を、複数箇所のマスクＥＢ基準マーク１４
について行い、マスク２とウェハステージ４の位置誤差
や回転誤差が計測される。そして、計測された誤差を補
正するように、電子ビームＥＢの偏向量や回転量を設定
することによりマスク２のファインアライメントが完了
する（Ｓ５）。これにより、マスクの露光準備が完了す
る（Ｓ６）。
操作することにより、基準マーク７を電子光学鏡筒中心
軸に合わせる。そして、マスクステージ１の位置の機械
的な位置を操作することにより、マスクＥＢ基準マーク
１４を電子ビームＥＢの照射中心付近に位置させて、電
子ビームＥＢを照射する。すると、マスクＥＢ基準マー
ク１４を通過した電子ビームは、基準マーク７で反射さ
れ、反射電子検出器８で検出される。この状態で、電子
ビームＥＢを偏向させてスキャンし、反射電子検出器８
の出力が最大になる点を検出することにより、ウェハス
テージ４とマスク２との相対位置関係を知ることができ
る。この測定を、複数箇所のマスクＥＢ基準マーク１４
について行い、マスク２とウェハステージ４の位置誤差
や回転誤差が計測される。そして、計測された誤差を補
正するように、電子ビームＥＢの偏向量や回転量を設定
することによりマスク２のファインアライメントが完了
する（Ｓ５）。これにより、マスクの露光準備が完了す
る（Ｓ６）。
【００３５】以上の発明の実施の形態の説明において
は、光学的位置センサ９が、電子光学鏡筒の外部に設け
られている例について説明した。光学的位置センサ９
は、電子光学鏡筒の内部に設けてもよいが、外部に設け
た方がメンテナンスが容易であるという利点を有する。
は、光学的位置センサ９が、電子光学鏡筒の外部に設け
られている例について説明した。光学的位置センサ９
は、電子光学鏡筒の内部に設けてもよいが、外部に設け
た方がメンテナンスが容易であるという利点を有する。
【００３６】また、光学的位置センサとしては、例えば
ビーム状の光線を走査光として放射し、その反射光を検
出して、その時点の走査方向より基準マークの位置を検
出するような方式のものでもよいが、２次元センサを用
いることにより、可動部も無く、広い視野を一度に検出
することができ、２次元方向の調整を同時に行うことが
できて効果的である。なお、２次元センサとしては、Ｃ
ＣＤや２次元ＰＳＤ等を使用することができる。
ビーム状の光線を走査光として放射し、その反射光を検
出して、その時点の走査方向より基準マークの位置を検
出するような方式のものでもよいが、２次元センサを用
いることにより、可動部も無く、広い視野を一度に検出
することができ、２次元方向の調整を同時に行うことが
できて効果的である。なお、２次元センサとしては、Ｃ
ＣＤや２次元ＰＳＤ等を使用することができる。
【００３７】さらに、光学的光センサの視野を、切り替
え可能とすることにより、例えば、光学的な基準マーク
の位置が大きくずれ、定常的な視野に入らなくなったよ
うな場合でも、自動又は手動により視野の範囲を広げて
基準マークの位置を見つけて粗調整を行い、しかる後に
定常的な視野において粗調整を行うことができる。視野
の切換方法としては、異なったレンズ系を切り替えて使
用してもよいし、ズームレンズを使用してもよい。
え可能とすることにより、例えば、光学的な基準マーク
の位置が大きくずれ、定常的な視野に入らなくなったよ
うな場合でも、自動又は手動により視野の範囲を広げて
基準マークの位置を見つけて粗調整を行い、しかる後に
定常的な視野において粗調整を行うことができる。視野
の切換方法としては、異なったレンズ系を切り替えて使
用してもよいし、ズームレンズを使用してもよい。
【００３８】また、以上の実施の形態の説明において
は、マスクが１枚の基板から成り立っている場合につい
て説明したが、マスクを複数基板に分けて作成し、それ
らを隣り合わせてマスクステージに載置して露光転写を
行う場合には、それぞれのマスク基板毎に光学的マスク
位置測定装置を用いて粗い位置合わせを行い、その後、
荷電粒子線光学系からなるマスク位置測定装置を用いて
精密な位置合わせを行うことにより、各基板の位置が狂
っている場合でも、全体として正確な位置合わせを行う
ことができる
は、マスクが１枚の基板から成り立っている場合につい
て説明したが、マスクを複数基板に分けて作成し、それ
らを隣り合わせてマスクステージに載置して露光転写を
行う場合には、それぞれのマスク基板毎に光学的マスク
位置測定装置を用いて粗い位置合わせを行い、その後、
荷電粒子線光学系からなるマスク位置測定装置を用いて
精密な位置合わせを行うことにより、各基板の位置が狂
っている場合でも、全体として正確な位置合わせを行う
ことができる
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち請求
項１に係る発明においては、（光学的マスク位置測定装
置が設けられているため、マスク上の荷電粒子線用基準
マークの直近又は同一位置に光学的基準マークを設けて
おき、光学的マスク位置測定装置によって光学的基準マ
ークを検出することにより、マスク位置の粗調整を行う
ことができる。よって、荷電粒子線用基準マークが、荷
電粒子線の照射範囲から外れることがない。
項１に係る発明においては、（光学的マスク位置測定装
置が設けられているため、マスク上の荷電粒子線用基準
マークの直近又は同一位置に光学的基準マークを設けて
おき、光学的マスク位置測定装置によって光学的基準マ
ークを検出することにより、マスク位置の粗調整を行う
ことができる。よって、荷電粒子線用基準マークが、荷
電粒子線の照射範囲から外れることがない。
【００４０】請求項２に係る発明においては、光学的マ
スク位置測定装置のセンサ部を、荷電粒子光学鏡筒の外
側に設けることにより、センサ部のメンテナンスが容易
になる。
スク位置測定装置のセンサ部を、荷電粒子光学鏡筒の外
側に設けることにより、センサ部のメンテナンスが容易
になる。
【００４１】請求項３に係る発明においては、光学系か
らなるマスク位置測定装置のセンサ部が、２次元センサ
であるので、視野が広くなると共に、平面で２次元方向
の位置調整を同時に行うことができるようになる。
らなるマスク位置測定装置のセンサ部が、２次元センサ
であるので、視野が広くなると共に、平面で２次元方向
の位置調整を同時に行うことができるようになる。
【００４２】請求項４に係る発明においては、光学系か
らなるマスク位置測定装置のセンサ部の視野が、切り替
え可能とされているので、例えば、光学的な基準マーク
の位置が大きくずれ、定常的な視野に入らなくなったよ
うな場合でも、自動又は手動により視野の範囲を広げて
基準マークの位置を見つけて粗調整を行い、しかる後に
定常的な視野に置いて粗調整を行うことができる。
らなるマスク位置測定装置のセンサ部の視野が、切り替
え可能とされているので、例えば、光学的な基準マーク
の位置が大きくずれ、定常的な視野に入らなくなったよ
うな場合でも、自動又は手動により視野の範囲を広げて
基準マークの位置を見つけて粗調整を行い、しかる後に
定常的な視野に置いて粗調整を行うことができる。
【００４３】請求項５に係る発明においては、まず、光
学系からなるマスク位置測定装置を用いて粗い位置合わ
せを行い、続いて、荷電粒子線光学系からなるマスク位
置測定装置を用いて精密な位置合わせを行うので、荷電
粒子線用基準マークが、荷電粒子線の照射範囲から外れ
ることがない。
学系からなるマスク位置測定装置を用いて粗い位置合わ
せを行い、続いて、荷電粒子線光学系からなるマスク位
置測定装置を用いて精密な位置合わせを行うので、荷電
粒子線用基準マークが、荷電粒子線の照射範囲から外れ
ることがない。
【００４４】請求項６に係る発明においては、マスクが
複数基板から成り立っている場合に、それぞれの基板毎
に光学系からなるマスク位置測定装置を用いて粗い位置
合わせを行い、続いて、それぞれの基板毎に荷電粒子線
光学系からなるマスク位置測定装置を用いて精密な位置
合わせを行うので、各基板の位置が狂っている場合で
も、全体として正確な位置合わせを行うことができる。
複数基板から成り立っている場合に、それぞれの基板毎
に光学系からなるマスク位置測定装置を用いて粗い位置
合わせを行い、続いて、それぞれの基板毎に荷電粒子線
光学系からなるマスク位置測定装置を用いて精密な位置
合わせを行うので、各基板の位置が狂っている場合で
も、全体として正確な位置合わせを行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態の１例である電子線転写露
光装置の概略図である。
光装置の概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に使用されるマスクステー
ジの構成例を示す概略図である。
ジの構成例を示す概略図である。
【図３】マスクの位置合わせのシーケンスを示す図であ
る。
る。
【図４】従来の電線線転写露光装置の該要図である。
１…マスクステージ、２…マスク、３…電子レンズ、４
…ウェハステージ、５…ウェハ、６…マスクステージ上
の基準マーク、７…ウェハステージ上の基準マーク、８
…反射電子検出器、９…光学的マスク位置測定装置のセ
ンサ（光学的位置センサ）、１０…マスク上のパターン
部、１１…マスクステージ光基準マーク、１２…マスク
ステージＥＢ（電子線）基準マーク、１３…マスク光基
準マーク、１４…マスクＥＢ基準マーク、ＥＢ…電子線
…ウェハステージ、５…ウェハ、６…マスクステージ上
の基準マーク、７…ウェハステージ上の基準マーク、８
…反射電子検出器、９…光学的マスク位置測定装置のセ
ンサ（光学的位置センサ）、１０…マスク上のパターン
部、１１…マスクステージ光基準マーク、１２…マスク
ステージＥＢ（電子線）基準マーク、１３…マスク光基
準マーク、１４…マスクＥＢ基準マーク、ＥＢ…電子線
Claims (6)
- 【請求項１】 荷電粒子線を利用してマスク上のパター
ンをウェハ等の感応基板に転写する転写露光装置であっ
て、光学系からなるマスク位置測定装置と、荷電粒子線
光学系からなるマスク位置測定装置とを有することを特
徴とする荷電粒子線転写露光装置。 - 【請求項２】 前記光学系からなるマスク位置測定装置
のセンサ部が、荷電粒子光学鏡筒の外側に設置されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線転写露
光装置。 - 【請求項３】 前記光学系からなるマスク位置測定装置
のセンサ部が、２次元センサであることを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の荷電粒子線転写露光装置。 - 【請求項４】 前記光学系からなるマスク位置測定装置
のセンサ部の視野が、切り替え可能とされていることを
特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に
記載の荷電粒子線転写露光装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちいずれか１
項に記載の荷電粒子線転写露光装置において、マスクと
感応基板の位置合わせを行う方法であって、まず、光学
系からなるマスク位置測定装置を用いて粗い位置合わせ
を行い、続いて、荷電粒子線光学系からなるマスク位置
測定装置を用いて精密な位置合わせを行うことを特徴と
する荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板
の位置合わせ方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の荷電粒子線転写露光装
置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法であっ
て、マスクが複数基板から成り立っている場合に、それ
ぞれの基板毎に、光学系からなるマスク位置測定装置を
用いて粗い位置合わせを行い、続いて荷電粒子線光学系
からなるマスク位置測定装置を用いて精密な位置合わせ
を行うことを特徴とする荷電粒子線転写露光装置におけ
るマスクと感応基板の位置合わせ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10193582A JP2000012455A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法 |
| US10/227,190 US6965114B2 (en) | 1998-06-25 | 2002-08-22 | Apparatus and methods for mask/substrate alignment in charged-particle-beam pattern-transfer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10193582A JP2000012455A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012455A true JP2000012455A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16310398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10193582A Pending JP2000012455A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6965114B2 (ja) |
| JP (1) | JP2000012455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100372060B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2003-02-14 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 전자빔 노광 방법 |
| WO2004044966A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | 近接露光における位置合わせ方法と位置合わせ装置 |
| JP2007334362A (ja) * | 2007-08-06 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4112472B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2012092394A1 (en) | 2010-12-29 | 2012-07-05 | Cardinal Health 414, Llc | Closed vial fill system for aseptic dispensing |
| US9417332B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-16 | Cardinal Health 414, Llc | Radiopharmaceutical CZT sensor and apparatus |
| WO2013012813A1 (en) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Cardinal Health 414, Llc | Modular cassette synthesis unit |
| US20130102772A1 (en) | 2011-07-15 | 2013-04-25 | Cardinal Health 414, Llc | Systems, methods and devices for producing, manufacturing and control of radiopharmaceuticals-full |
| DE102015112518B3 (de) * | 2015-07-30 | 2016-12-01 | Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg | Bestückmaschine und Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit ungehäusten Chips |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2939044A1 (de) * | 1979-09-27 | 1981-04-09 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Einrichtung fuer elektronenstrahllithographie |
| US4644172A (en) | 1984-02-22 | 1987-02-17 | Kla Instruments Corporation | Electronic control of an automatic wafer inspection system |
| US4814829A (en) * | 1986-06-12 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| AT393925B (de) * | 1987-06-02 | 1992-01-10 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind |
| JP2704001B2 (ja) * | 1989-07-18 | 1998-01-26 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置 |
| JP3074579B2 (ja) | 1992-01-31 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ補正方法 |
| US5674413A (en) * | 1993-12-23 | 1997-10-07 | International Business Machines Corporation | Scattering reticle for electron beam systems |
| US5770863A (en) * | 1995-10-24 | 1998-06-23 | Nikon Corporation | Charged particle beam projection apparatus |
| JPH1140486A (ja) | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置用マスク，アライメント方法および荷電粒子線露光装置 |
| US6180289B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-01-30 | Nikon Corporation | Projection-microlithography mask with separate mask substrates |
| JP2000124116A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置 |
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-
1998
- 1998-06-25 JP JP10193582A patent/JP2000012455A/ja active Pending
-
2002
- 2002-08-22 US US10/227,190 patent/US6965114B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100372060B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2003-02-14 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 전자빔 노광 방법 |
| WO2004044966A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | 近接露光における位置合わせ方法と位置合わせ装置 |
| JPWO2004044966A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2006-03-16 | 住友重機械工業株式会社 | 近接露光における位置合わせ方法と位置合わせ装置 |
| JP4497364B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2010-07-07 | 住友重機械工業株式会社 | 近接露光における位置合わせ方法と位置合わせ装置 |
| JP2007334362A (ja) * | 2007-08-06 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030057381A1 (en) | 2003-03-27 |
| US6965114B2 (en) | 2005-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050524 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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| A02 | Decision of refusal |
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