JP2829642B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JP2829642B2 JP2829642B2 JP1252348A JP25234889A JP2829642B2 JP 2829642 B2 JP2829642 B2 JP 2829642B2 JP 1252348 A JP1252348 A JP 1252348A JP 25234889 A JP25234889 A JP 25234889A JP 2829642 B2 JP2829642 B2 JP 2829642B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、マスク等の原版と半導体ウエハ等の被露
光基板とを対向させて焼付を行なう露光装置に関し、特
に原版を被露光基板移動用ステージの座標系に合せるこ
とにより原版と被露光基板との位置合せ精度の向上を図
った露光装置に関する。
光基板とを対向させて焼付を行なう露光装置に関し、特
に原版を被露光基板移動用ステージの座標系に合せるこ
とにより原版と被露光基板との位置合せ精度の向上を図
った露光装置に関する。
［従来の技術］ 半導体集積回路を製造するための露光装置において
は、集積回路のパターンが形成されたマスクとこのパタ
ーンを転写しようとする半導体ウエハとを露光前に高精
度に重ね合せ（位置合せ）する必要がある。例えば、25
6メガビットDRAMクラスの集積回路の場合、パターンの
線幅は0.25ミクロン程度であり、重ね合せ精度は誤差0.
06ミクロン以下が要求される。
は、集積回路のパターンが形成されたマスクとこのパタ
ーンを転写しようとする半導体ウエハとを露光前に高精
度に重ね合せ（位置合せ）する必要がある。例えば、25
6メガビットDRAMクラスの集積回路の場合、パターンの
線幅は0.25ミクロン程度であり、重ね合せ精度は誤差0.
06ミクロン以下が要求される。
しかしながら、従来の露光装置においては、このよう
な高精度の位置合せは困難であった。
な高精度の位置合せは困難であった。
また、従来の露光装置においては、装置本体の座標系
に対してウエハステージおよびマスクステージ双方の座
標系を合せる必要があり、装置本体の座標系に対する各
ステージ座標系の組立調整に手間を要するという不都合
があった。
に対してウエハステージおよびマスクステージ双方の座
標系を合せる必要があり、装置本体の座標系に対する各
ステージ座標系の組立調整に手間を要するという不都合
があった。
［発明が解決しようとする課題］ この発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてな
されたもので、より高精度の位置合せが可能で、かつ組
立調整のより容易な露光装置を提供することを目的とす
る。
されたもので、より高精度の位置合せが可能で、かつ組
立調整のより容易な露光装置を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、ウ
エハとマスクとを少なくともX,Y,θの各方向について位
置合せしてマスクのパターンをウエハに焼付けする露光
装置において、該マスクを保持してθ方向に回転可能な
マスクステージと、該ウエハを保持して少なくともXY方
向に移動可能であって、基準マークが設けられたウエハ
ステージと、該マスク上に設けられた複数個のアライメ
ントマークと該基準マークとにより、該ウエハステージ
が有するステージ座標系における該アライメントマーク
の位置を計測する計測手段と、この計測結果に基づいて
該マスクを該ステージ座標系に位置合せすべく補正駆動
する手段とを有し、該補正駆動は、該複数個のアライメ
ントマークのうち２つのマークを使用してθ成分のみの
粗い位置合せを行なう手順と、次いで２つ以上のマーク
を使用して最終的なX,Yおよびθ成分の位置合せを行な
う手順とを含む。
エハとマスクとを少なくともX,Y,θの各方向について位
置合せしてマスクのパターンをウエハに焼付けする露光
装置において、該マスクを保持してθ方向に回転可能な
マスクステージと、該ウエハを保持して少なくともXY方
向に移動可能であって、基準マークが設けられたウエハ
ステージと、該マスク上に設けられた複数個のアライメ
ントマークと該基準マークとにより、該ウエハステージ
が有するステージ座標系における該アライメントマーク
の位置を計測する計測手段と、この計測結果に基づいて
該マスクを該ステージ座標系に位置合せすべく補正駆動
する手段とを有し、該補正駆動は、該複数個のアライメ
ントマークのうち２つのマークを使用してθ成分のみの
粗い位置合せを行なう手順と、次いで２つ以上のマーク
を使用して最終的なX,Yおよびθ成分の位置合せを行な
う手順とを含む。
本発明の一態様では、前記基準マークがウエハステー
ジ上の１箇所に設けてあり、前記計測手段は前記ウエハ
ステージを順次移動させながら前記基準マークと前記ア
ライメントマークとの位置ずれ計測を行なう。
ジ上の１箇所に設けてあり、前記計測手段は前記ウエハ
ステージを順次移動させながら前記基準マークと前記ア
ライメントマークとの位置ずれ計測を行なう。
また、前記成分の粗い位置合せは前記マスクステージ
を駆動して行なうと共に、XY成分の補正量を前記ウエハ
上の各ショット位置に前記マスクパターンを焼付ける際
の各ショットの位置座標にフィードバックするようにし
ている。
を駆動して行なうと共に、XY成分の補正量を前記ウエハ
上の各ショット位置に前記マスクパターンを焼付ける際
の各ショットの位置座標にフィードバックするようにし
ている。
本発明の別の態様では、前記計測手段はアライメント
マークに光を照射してずれ量の計測を行なうピックアッ
プを有する。
マークに光を照射してずれ量の計測を行なうピックアッ
プを有する。
［作用および効果］ 従来の露光装置においては、装置本体の座標系に対し
て原版を合せていた。このため、基板ステージの座標系
と装置本体の座標系にずれがあると、原版と被露光基板
とのずれ量から算出される補正駆動方向と基板ステージ
の移動方向との間にずれが生じ、位置合せ精度に悪影響
を及ぼしていた。
て原版を合せていた。このため、基板ステージの座標系
と装置本体の座標系にずれがあると、原版と被露光基板
とのずれ量から算出される補正駆動方向と基板ステージ
の移動方向との間にずれが生じ、位置合せ精度に悪影響
を及ぼしていた。
この発明においては、原版をステージ座標系に合せて
いるため、原版と被露光基板との相対位置精度が向上す
る。
いるため、原版と被露光基板との相対位置精度が向上す
る。
また、ステージ座標系に原版を合せるので、基板ステ
ージの座標系と装置本体の座標系とのずれが位置合せ精
度に及ぼす影響が小さくなり、装置本体とステージ座標
の組立調整が容易になる。
ージの座標系と装置本体の座標系とのずれが位置合せ精
度に及ぼす影響が小さくなり、装置本体とステージ座標
の組立調整が容易になる。
さらに、原版の位置合わせを、θ成分のみの粗位置合
せと、最終的なX,Yおよび成分の微細位置合せとに分け
て実効することにより、マーク模索回数を減らし、スル
ープットを向上させることができる。
せと、最終的なX,Yおよび成分の微細位置合せとに分け
て実効することにより、マーク模索回数を減らし、スル
ープットを向上させることができる。
［実施例］ 第１図は、この発明の一実施例に係るステップアンド
リピート露光装置（ステッパ）のマスクウエハアライメ
ントおよび露光ステージ部の構成を示す。同図におい
て、１は露光光、例えばSORから放射されるＸ線であ
る。２は転写すべきパターンを形成されたマスクであ
る。３はマスクのパターンを転写されるウエハ、４はマ
スク３をその面内で回転させるためのマスクθステー
ジ、５はウエハ３をその面内で回転させるためのθ粗動
ステージ、６はウエハ３をマスク２と所定のプロキシミ
テイギャップを介して対向させる際ウエハ３をＺ（露光
光へ向かう方向に移動），ωＸ（Ｘ軸回りに回転），ω
Ｙ（Ｙ軸回りに回転）駆動するためのＺチルトステー
ジ、７はウエハ３をその面内で微小回転させるためのθ
微動ステージ、８はウエハをＸ方向に微小駆動するため
のＸ微動ステージ、９はウエハをＹ方向に微小駆動する
ためのＹ微動ステージ、10はＸ粗動ステージ、11はＹ粗
動ステージである。θ粗動ステージ５、Ｚチルトステー
ジ６、θ微動ステージ７、Ｘ微動ステージ８、Ｙ微動ス
テージ９、Ｘ粗動ステージ10、およびＹ粗動ステージ11
はウエハステージ24を構成している。
リピート露光装置（ステッパ）のマスクウエハアライメ
ントおよび露光ステージ部の構成を示す。同図におい
て、１は露光光、例えばSORから放射されるＸ線であ
る。２は転写すべきパターンを形成されたマスクであ
る。３はマスクのパターンを転写されるウエハ、４はマ
スク３をその面内で回転させるためのマスクθステー
ジ、５はウエハ３をその面内で回転させるためのθ粗動
ステージ、６はウエハ３をマスク２と所定のプロキシミ
テイギャップを介して対向させる際ウエハ３をＺ（露光
光へ向かう方向に移動），ωＸ（Ｘ軸回りに回転），ω
Ｙ（Ｙ軸回りに回転）駆動するためのＺチルトステー
ジ、７はウエハ３をその面内で微小回転させるためのθ
微動ステージ、８はウエハをＸ方向に微小駆動するため
のＸ微動ステージ、９はウエハをＹ方向に微小駆動する
ためのＹ微動ステージ、10はＸ粗動ステージ、11はＹ粗
動ステージである。θ粗動ステージ５、Ｚチルトステー
ジ６、θ微動ステージ７、Ｘ微動ステージ８、Ｙ微動ス
テージ９、Ｘ粗動ステージ10、およびＹ粗動ステージ11
はウエハステージ24を構成している。
12はマスク２上およびウエハ３上に形成されているア
ライメントマークに光を照射し、これらのマークからの
散乱光を検出するピックアップである。この実施例にお
いて、アライメントマークは、第2A図に示すように、ウ
エハ３上の各ショットのスクライブライン上にそのショ
ットの各辺の端に近接してXU,XD,YL,YRの計４個が形成
されている。１個のアライメントマークは、第2B図に示
すように、そのマークが配置されている辺に並行な方向
のマスク−ウエハ重ね合せ誤差を検出するためのAAマー
ク201およびマスク２とウエハ３の間隔を検出するため
のAFマーク202となる回折格子が、先行プロセスにおい
て半導体回路パターンとともに形成されている。マスク
２上にもこれらのウエハ３上アライメントマークと対と
なる４個のアライメントマーク203,204が転写しようと
する半導体回路パターンとともに金等で形成されている
（第10A図参照）。
ライメントマークに光を照射し、これらのマークからの
散乱光を検出するピックアップである。この実施例にお
いて、アライメントマークは、第2A図に示すように、ウ
エハ３上の各ショットのスクライブライン上にそのショ
ットの各辺の端に近接してXU,XD,YL,YRの計４個が形成
されている。１個のアライメントマークは、第2B図に示
すように、そのマークが配置されている辺に並行な方向
のマスク−ウエハ重ね合せ誤差を検出するためのAAマー
ク201およびマスク２とウエハ３の間隔を検出するため
のAFマーク202となる回折格子が、先行プロセスにおい
て半導体回路パターンとともに形成されている。マスク
２上にもこれらのウエハ３上アライメントマークと対と
なる４個のアライメントマーク203,204が転写しようと
する半導体回路パターンとともに金等で形成されている
（第10A図参照）。
第2B図において、205は発光素子である半導体レー
ザ、206は半導体レーザ205から出力される光束を平行光
にするコリメータレンズ、207は半導体レーザ205から出
力されコリメータレンズ206で平行光とされた投光ビー
ム、208はウエハ上AAマーク201とマスク上AAマーク203
により構成される光学系によって位置ずれ情報（AA情
報）を与えられたAA受光ビーム、209はウエハ上AFマー
ク202とマスク上AFマーク204により構成される光学系に
よってギャップ情報（AF情報）を与えられたAF受光ビー
ム、210はAA受光ビーム208により形成されるAA受光スポ
ット211の位置をAA情報として電気信号に変換する例え
ばCCD等のラインセンサであるAAセンサ、212はAF受光ビ
ーム209により形成されるAF受光スポット213の位置をAF
情報として電気信号に変換する例えばCCD等のラインセ
ンサであるAFセンサである。
ザ、206は半導体レーザ205から出力される光束を平行光
にするコリメータレンズ、207は半導体レーザ205から出
力されコリメータレンズ206で平行光とされた投光ビー
ム、208はウエハ上AAマーク201とマスク上AAマーク203
により構成される光学系によって位置ずれ情報（AA情
報）を与えられたAA受光ビーム、209はウエハ上AFマー
ク202とマスク上AFマーク204により構成される光学系に
よってギャップ情報（AF情報）を与えられたAF受光ビー
ム、210はAA受光ビーム208により形成されるAA受光スポ
ット211の位置をAA情報として電気信号に変換する例え
ばCCD等のラインセンサであるAAセンサ、212はAF受光ビ
ーム209により形成されるAF受光スポット213の位置をAF
情報として電気信号に変換する例えばCCD等のラインセ
ンサであるAFセンサである。
第１図の装置において、14はマスク２とウエハステー
ジ24とを位置合せするためウエハステージ24上に設けら
れたマスク位置合せ用基準マーク、16は超平面ミラー、
17はウエハステージ24のＹ方向の移動量およびＺ軸回り
の傾きθを計測するためミラー16に照射されて反射され
るＹ計測ビームおよびθ計測ビームである。100は、マ
スクθステージ４、ウエハステージ24およびピックアッ
プ12が組み付けられる本体フレームである。
ジ24とを位置合せするためウエハステージ24上に設けら
れたマスク位置合せ用基準マーク、16は超平面ミラー、
17はウエハステージ24のＹ方向の移動量およびＺ軸回り
の傾きθを計測するためミラー16に照射されて反射され
るＹ計測ビームおよびθ計測ビームである。100は、マ
スクθステージ４、ウエハステージ24およびピックアッ
プ12が組み付けられる本体フレームである。
第３図は、第１図の露光装置の電気制御系の構成を示
す。第１図の装置は、SORから水平方向のシートビーム
状に放射されるＸ線を鉛直方向に拡張して面状ビーム化
するミラーユニット、マスクとウエハをアライメントす
るアライメントユニットとアライメントされたマスクと
ウエハに前記面状Ｘ線で露光する露光ユニットとを含む
本体ユニット、ミラーユニットおよび本体ユニットの姿
勢をそれぞれ制御する姿勢制御ユニット、ならびにミラ
ーユニットおよび本体ユニットの雰囲気を制御するため
のチャンバーおよび空調ユニット等を備えている。
す。第１図の装置は、SORから水平方向のシートビーム
状に放射されるＸ線を鉛直方向に拡張して面状ビーム化
するミラーユニット、マスクとウエハをアライメントす
るアライメントユニットとアライメントされたマスクと
ウエハに前記面状Ｘ線で露光する露光ユニットとを含む
本体ユニット、ミラーユニットおよび本体ユニットの姿
勢をそれぞれ制御する姿勢制御ユニット、ならびにミラ
ーユニットおよび本体ユニットの雰囲気を制御するため
のチャンバーおよび空調ユニット等を備えている。
第３図において、301はこの装置全体の動作を制御す
るためのメインプロセッサユニット、302はメインプロ
セッサユニット301と本体ユニットとを接続する通信回
線、303は本体側通信インターフェイス、304は本体コン
トロールユニット、305はピックアップステージ制御
部、307および306,308は本体ユニット内で本体コントロ
ールユニット304とマスクアライメントおよびマスク・
ウエハアライメントのマーク位置ズレ計測をするための
ファインAA/AF制御部309a,309b,309c,309dとを接続する
通信回線および通信インターフェイス、311および310,3
12は本体ユニット内で本体コントロールユニット304と
アライメント時の補正駆動およびステップ移動を制御す
るためのステージ制御部313とを接続する通信回線およ
び通信インターフェイスである。
るためのメインプロセッサユニット、302はメインプロ
セッサユニット301と本体ユニットとを接続する通信回
線、303は本体側通信インターフェイス、304は本体コン
トロールユニット、305はピックアップステージ制御
部、307および306,308は本体ユニット内で本体コントロ
ールユニット304とマスクアライメントおよびマスク・
ウエハアライメントのマーク位置ズレ計測をするための
ファインAA/AF制御部309a,309b,309c,309dとを接続する
通信回線および通信インターフェイス、311および310,3
12は本体ユニット内で本体コントロールユニット304と
アライメント時の補正駆動およびステップ移動を制御す
るためのステージ制御部313とを接続する通信回線およ
び通信インターフェイスである。
第４図は、ステップアンドリピートの露光方式を示し
た図である。説明を簡潔にするために、第１図に対し、
マスク２の駆動手段であるマスクθステージ４、ウエハ
３の駆動手段であるウエハステージ24、ピックアップ12
の駆動手段であるピックアップステージ13は省略してい
る。
た図である。説明を簡潔にするために、第１図に対し、
マスク２の駆動手段であるマスクθステージ４、ウエハ
３の駆動手段であるウエハステージ24、ピックアップ12
の駆動手段であるピックアップステージ13は省略してい
る。
同図において、12（12a〜12d）はマスク２とウエハ３
のアライメント用のピックアップ、418はマスク上に描
かれている転写パターン、419は先行プロセスによって
ウエハ上に形成されている転写済パターン、420はマス
クをウエハステージ24上のマスク位置合せ用基準マーク
14に対して合せるためのマスク位置合せ用マーク、421
は転写パターン418と転写済パターン419を合せるための
マスク上アライメントマーク、422は同目的のウエハ上
アライメントマーク、423は同目的でピックアップ12か
ら投射される投光ビーム、401はショット間のスクライ
ブラインであり、このスクライブライン上にマスク上ア
ライメントマーク421およびウエハ上アライメントマー
ク422が描かれている。また、マスク上位置合せ用マー
ク420はウエハ上ショット間スクライブライン401に対応
するマスク２上転写パターン418の各辺の外側の略中央
部に各１個ずつ計４個が設けられている。なお、マスク
上位置合せ専用のマーク420は設けずにマスクウエハア
ライメント用のマスク上アライメントマーク421をマス
ク上位置合せに兼用することも可能である。
のアライメント用のピックアップ、418はマスク上に描
かれている転写パターン、419は先行プロセスによって
ウエハ上に形成されている転写済パターン、420はマス
クをウエハステージ24上のマスク位置合せ用基準マーク
14に対して合せるためのマスク位置合せ用マーク、421
は転写パターン418と転写済パターン419を合せるための
マスク上アライメントマーク、422は同目的のウエハ上
アライメントマーク、423は同目的でピックアップ12か
ら投射される投光ビーム、401はショット間のスクライ
ブラインであり、このスクライブライン上にマスク上ア
ライメントマーク421およびウエハ上アライメントマー
ク422が描かれている。また、マスク上位置合せ用マー
ク420はウエハ上ショット間スクライブライン401に対応
するマスク２上転写パターン418の各辺の外側の略中央
部に各１個ずつ計４個が設けられている。なお、マスク
上位置合せ専用のマーク420は設けずにマスクウエハア
ライメント用のマスク上アライメントマーク421をマス
ク上位置合せに兼用することも可能である。
第１図の装置において、マスク２をウエハステージ24
の座標系（ステージ座標系）に合せるには、ウエハステ
ージ24上の位置合せ用基準マーク14が各マスク上マーク
420（または421）と重なる位置（計測位置）にウエハス
テージ24を順次移動し、対応するマスク上マーク上に移
動させてあるピックアップ12（12a〜12d）から投光ビー
ム423を投射してマスク上マークと基準マーク14とのXY
方向のずれ量を計測する。各計測位置における４個のマ
スク上マークの位置ずれ情報とウエハステージ24の各計
測位置への移動量をもとに、マスク上マークのステージ
座標系に対するX,Y,θ方向の誤差ΔX,ΔY,Δθを算出
し、θ成分Δθについてはそれが所定のトレランス内と
なるようにマスク側θステージ４を駆動する。また、X,
Y成分ΔX,ΔＹについてはそれらを各ショットの位置座
標（ウエハ３を各ショット位置へ移動する際のウエハス
テージ24の移動量）にフィードバックする。
の座標系（ステージ座標系）に合せるには、ウエハステ
ージ24上の位置合せ用基準マーク14が各マスク上マーク
420（または421）と重なる位置（計測位置）にウエハス
テージ24を順次移動し、対応するマスク上マーク上に移
動させてあるピックアップ12（12a〜12d）から投光ビー
ム423を投射してマスク上マークと基準マーク14とのXY
方向のずれ量を計測する。各計測位置における４個のマ
スク上マークの位置ずれ情報とウエハステージ24の各計
測位置への移動量をもとに、マスク上マークのステージ
座標系に対するX,Y,θ方向の誤差ΔX,ΔY,Δθを算出
し、θ成分Δθについてはそれが所定のトレランス内と
なるようにマスク側θステージ４を駆動する。また、X,
Y成分ΔX,ΔＹについてはそれらを各ショットの位置座
標（ウエハ３を各ショット位置へ移動する際のウエハス
テージ24の移動量）にフィードバックする。
マスク２とウエハ３とを位置合せするには、先ず、マ
スク２とウエハ３が対向して支持された状態で、ピック
アップ12a〜12dから投光ビーム423を投射して各々対応
するマスク上アライメントマーク421とウエハ上アライ
メントマーク422を通してマスクとウエハ間のギャップ
を測定する。４つのピックアップから得られた情報をも
とに、ギャップ補正駆動量を計算し、ウエハステージ24
（不図示）を駆動することによってマスクとウエハ間の
ギャップを露光ギャップに設定する。
スク２とウエハ３が対向して支持された状態で、ピック
アップ12a〜12dから投光ビーム423を投射して各々対応
するマスク上アライメントマーク421とウエハ上アライ
メントマーク422を通してマスクとウエハ間のギャップ
を測定する。４つのピックアップから得られた情報をも
とに、ギャップ補正駆動量を計算し、ウエハステージ24
（不図示）を駆動することによってマスクとウエハ間の
ギャップを露光ギャップに設定する。
次に、ピックアップ12a〜12dから投光ビーム423を投
射して、各々対応するマスク上アライメントマーク421
とウエハ上アライメントマーク422とのマスクおよびウ
エハの平面方向のずれ量を計測する。４つのピックアッ
プから得られた情報をもとに、ショット全体の補正駆動
量を計算し、マスクθステージ４およびウエハステージ
24を駆動することによってマスク上に描かれている転写
パターン18とウエハ上の転写済パターン19とのアライメ
ントをとる。アライメントがとられたら、露光して転写
パターン18をウエハ３の上に転写する。そしてウエハス
テージ24を駆動して次の露光ショットがマスクの下に来
るようにする。同様にしてアライメントおよび露光を繰
り返して、全てのショットを露光する。
射して、各々対応するマスク上アライメントマーク421
とウエハ上アライメントマーク422とのマスクおよびウ
エハの平面方向のずれ量を計測する。４つのピックアッ
プから得られた情報をもとに、ショット全体の補正駆動
量を計算し、マスクθステージ４およびウエハステージ
24を駆動することによってマスク上に描かれている転写
パターン18とウエハ上の転写済パターン19とのアライメ
ントをとる。アライメントがとられたら、露光して転写
パターン18をウエハ３の上に転写する。そしてウエハス
テージ24を駆動して次の露光ショットがマスクの下に来
るようにする。同様にしてアライメントおよび露光を繰
り返して、全てのショットを露光する。
第５図は、ステップアンドリピート露光シーケンスの
フローチャートである。
フローチャートである。
まず、ステップ501ではウエハステージ24にウエハを
供給し、ウエハステージ24にチャッキングする。ステッ
プ502ではウエハステージ24を駆動してウエハ２上の２
つのアライメントマークをプリアライメント光学系（図
示せず）で計測し、ウエハ２のプリアライメントを行な
い、このときのプリアライメント補正量ΔPXおよびΔPY
を記憶する。ステップ503では、マスクの交換の要否を
判断する。現在チャッキングされているマスクで露光す
る場合はステップ510に、マスクを交換して露光する場
合はステップ504に進む。
供給し、ウエハステージ24にチャッキングする。ステッ
プ502ではウエハステージ24を駆動してウエハ２上の２
つのアライメントマークをプリアライメント光学系（図
示せず）で計測し、ウエハ２のプリアライメントを行な
い、このときのプリアライメント補正量ΔPXおよびΔPY
を記憶する。ステップ503では、マスクの交換の要否を
判断する。現在チャッキングされているマスクで露光す
る場合はステップ510に、マスクを交換して露光する場
合はステップ504に進む。
ステップ504では、現在チャッキングされているマス
クをマスクトラバーサ（不図示）を用いてマスクステー
ジ４からはずしてマスクカセット（不図示）に収納し、
露光に用いるマスクをマスクトラバーサを用いてマスク
カセットから取りだしてマスクステージ４にチャッキン
グする。そして、ステップ505ではメモリ内のマスクア
ライメント補正量ΔMXおよびΔMYをクリアし、ステップ
506でマスク２に描かれている４個のマスク上アライメ
ントマーク421のうちYRおよびYLの２個を使用してマス
ク粗アライメントを行なう。
クをマスクトラバーサ（不図示）を用いてマスクステー
ジ４からはずしてマスクカセット（不図示）に収納し、
露光に用いるマスクをマスクトラバーサを用いてマスク
カセットから取りだしてマスクステージ４にチャッキン
グする。そして、ステップ505ではメモリ内のマスクア
ライメント補正量ΔMXおよびΔMYをクリアし、ステップ
506でマスク２に描かれている４個のマスク上アライメ
ントマーク421のうちYRおよびYLの２個を使用してマス
ク粗アライメントを行なう。
第６図は、マスク粗アライメント処理の詳細を示す。
第６図において、ステップ601ではウエハステージ24
上のアライメントマーク（基準マーク14）を使用してマ
スク上アライメントマーク421のうちYRマークの位置ず
れ量ΔXyrおよびΔYyrの計測を行なう。
上のアライメントマーク（基準マーク14）を使用してマ
スク上アライメントマーク421のうちYRマークの位置ず
れ量ΔXyrおよびΔYyrの計測を行なう。
第７図は、第６図のステップ601で行なうマスク粗ア
ライメントマーク計測処理の詳細を示す。
ライメントマーク計測処理の詳細を示す。
第７図において、ステップ701ではメモリ内に記憶さ
れている模索移動量ΔXmおよびΔYmを０クリアする。次
に、ステップ702でYR計測用のピックアップ12（以下、Y
Rピックアップという）をマスク上YRマーク421のステー
ジ座標（Xyr,Yyr）にマスクアライメント補正量ΔMX,Δ
MYと模索移動量ΔXm,ΔYmを加えた位置へ移動する。こ
こで、ステージ座標とは、YRマーク421等のステージ座
標系における設計上またはサンプル実測上の位置座標を
言い、各マークや各ショットのステージ座標は、露光工
程に先立ってセットされるものとする。
れている模索移動量ΔXmおよびΔYmを０クリアする。次
に、ステップ702でYR計測用のピックアップ12（以下、Y
Rピックアップという）をマスク上YRマーク421のステー
ジ座標（Xyr,Yyr）にマスクアライメント補正量ΔMX,Δ
MYと模索移動量ΔXm,ΔYmを加えた位置へ移動する。こ
こで、ステージ座標とは、YRマーク421等のステージ座
標系における設計上またはサンプル実測上の位置座標を
言い、各マークや各ショットのステージ座標は、露光工
程に先立ってセットされるものとする。
ステップ703ではウエハステージ24上のアライメント
マークをマスク上YRマーク421のステージ座標（Xyr,Yy
r）にマスクアライメント補正量ΔMX,ΔMYと模索移動量
ΔXm,ΔYmを加えた位置へ移動する。続いて、ステップ7
04でYRピックアップ12によるYRマーク421とステージ上
アライメントマーク14のずれ量Δｙを計測した後、ステ
ップ705へ進む。
マークをマスク上YRマーク421のステージ座標（Xyr,Yy
r）にマスクアライメント補正量ΔMX,ΔMYと模索移動量
ΔXm,ΔYmを加えた位置へ移動する。続いて、ステップ7
04でYRピックアップ12によるYRマーク421とステージ上
アライメントマーク14のずれ量Δｙを計測した後、ステ
ップ705へ進む。
ステップ705ではずれ量Δｙの計測ができたか否かを
判定する。ずれ量Δｙの計測ができていなければステッ
プ706に進み、模索位置の全点での計測を終了したか否
かを判定する。模索位置の全点での計測を未だ終了して
いなければステップ707に進み、模索移動量ΔXmおよび
ΔYmの次の模索移動量を設定した後、ステップ702に戻
り、上述したステップ702以下の処理を繰り返す。ま
た、ステップ706の測定において模索位置の全点での計
測を終了していれば、YRマークが計測できないのである
から、露光処理を終了したり、警報またはエラー表示を
行なう等のエラー処理を行なう。また、ステップ705の
判定においてずれ量Δｙの計測ができていればステップ
708に進み、YRマーク421の位置ずれ量ΔXyrおよびΔYyr
としてそれぞれΔXmおよびΔｙ＋ΔYmを記憶した後、こ
のマスク粗アライメントマーク計測処理を終了して第６
図のステップ602に進む。
判定する。ずれ量Δｙの計測ができていなければステッ
プ706に進み、模索位置の全点での計測を終了したか否
かを判定する。模索位置の全点での計測を未だ終了して
いなければステップ707に進み、模索移動量ΔXmおよび
ΔYmの次の模索移動量を設定した後、ステップ702に戻
り、上述したステップ702以下の処理を繰り返す。ま
た、ステップ706の測定において模索位置の全点での計
測を終了していれば、YRマークが計測できないのである
から、露光処理を終了したり、警報またはエラー表示を
行なう等のエラー処理を行なう。また、ステップ705の
判定においてずれ量Δｙの計測ができていればステップ
708に進み、YRマーク421の位置ずれ量ΔXyrおよびΔYyr
としてそれぞれΔXmおよびΔｙ＋ΔYmを記憶した後、こ
のマスク粗アライメントマーク計測処理を終了して第６
図のステップ602に進む。
第６図のステップ602ではマスク上アライメントマー
ク421としてマスク上YLマークを、かつピックアップ12
としてYLピックアップ12を使用する以外は、ステップ60
1と同様にしてマスク上YLマークの位置ずれ量ΔXylおよ
びΔYylの計測を行なう。
ク421としてマスク上YLマークを、かつピックアップ12
としてYLピックアップ12を使用する以外は、ステップ60
1と同様にしてマスク上YLマークの位置ずれ量ΔXylおよ
びΔYylの計測を行なう。
次に、ステップ603に進み、YRマークの位置ずれ量ΔX
yr,ΔYyrとYLマークの位置ずれ量ΔXyl,ΔYylとに基づ
いてマスク２の位置ずれ量ΔX,ΔＹ、Δθを算出する。
そして、ステップ604で位置ずれ量Δθ分だけマスクθ
ステージ４を駆動し、マスクアライメント補正量ΔMX,
ΔMYに位置ずれ量ΔX,ΔＹを加算した後、ステップ605
に進む。ステップ605ではマスク位置ずれ量Δθが粗ア
ライメントの許容値内か否かを判定する。許容値を外れ
ていれば、ステップ606に進み、マスク粗アライメント
の回数カウンタを歩進し、この回数が予め設定されてい
るリトライ回数を超えたか否かを判定する。超えていれ
ば、所定回数リトライしたにもかかわらずマスクのθ粗
アライメントができなかったのであるから、露光処理を
終了したり、警報またはエラー表示を行なう等のエラー
処理を行なう。リトライ回数を超えていなければ、ステ
ップ601に戻ってステップ601以下のθ粗アライメントを
リトライする。
yr,ΔYyrとYLマークの位置ずれ量ΔXyl,ΔYylとに基づ
いてマスク２の位置ずれ量ΔX,ΔＹ、Δθを算出する。
そして、ステップ604で位置ずれ量Δθ分だけマスクθ
ステージ４を駆動し、マスクアライメント補正量ΔMX,
ΔMYに位置ずれ量ΔX,ΔＹを加算した後、ステップ605
に進む。ステップ605ではマスク位置ずれ量Δθが粗ア
ライメントの許容値内か否かを判定する。許容値を外れ
ていれば、ステップ606に進み、マスク粗アライメント
の回数カウンタを歩進し、この回数が予め設定されてい
るリトライ回数を超えたか否かを判定する。超えていれ
ば、所定回数リトライしたにもかかわらずマスクのθ粗
アライメントができなかったのであるから、露光処理を
終了したり、警報またはエラー表示を行なう等のエラー
処理を行なう。リトライ回数を超えていなければ、ステ
ップ601に戻ってステップ601以下のθ粗アライメントを
リトライする。
ステップ605の判定においてマスク２の位置ずれ量Δ
θが粗ラアイメントの許容値内であればこのマスク粗ア
ライメント処理を終了して第５図のステップ507に進
む。
θが粗ラアイメントの許容値内であればこのマスク粗ア
ライメント処理を終了して第５図のステップ507に進
む。
第５図のステップ507ではウエハステージ24上の基準
マーク14とマスク２上の４個のアライメントマーク421
（XU,XD,YL,YR）とを使用してマスク微アライメントを
行なう。
マーク14とマスク２上の４個のアライメントマーク421
（XU,XD,YL,YR）とを使用してマスク微アライメントを
行なう。
第８図は、マスク微アライメント処理の詳細を示す。
第８図において、ステップ801ではピックアップ移動
指示フラグをオンし、ピックアップずれ量ΔXpおよいΔ
Ypを０クリアする。続くステップ802ではウエハステー
ジ24上のアライメントマーク14を使用してマスク上アラ
イメントマーク421のうちYRマークの位置ずれ量ΔYyrを
計測する。
指示フラグをオンし、ピックアップずれ量ΔXpおよいΔ
Ypを０クリアする。続くステップ802ではウエハステー
ジ24上のアライメントマーク14を使用してマスク上アラ
イメントマーク421のうちYRマークの位置ずれ量ΔYyrを
計測する。
第９図は、第８図のステップ802で行なうマスク微ア
ライメントマーク計測処理の詳細を示す。
ライメントマーク計測処理の詳細を示す。
第９図において、ステップ901ではピックアップ移動
指示フラグを検査する。フラグがオンしていればステッ
プ902でYRピックアップ12をマスク上YRマーク421のステ
ージ座標（Xyr,Yyr）にマスクアライメント補正量ΔMX,
ΔMYを加えた位置へ移動した後、ステップ903へ進む。
一方、ピックアップ移動指示フラグがオフしていればス
テップ902の処理をスキップしてステップ901から直接ス
テップ903へ進む。
指示フラグを検査する。フラグがオンしていればステッ
プ902でYRピックアップ12をマスク上YRマーク421のステ
ージ座標（Xyr,Yyr）にマスクアライメント補正量ΔMX,
ΔMYを加えた位置へ移動した後、ステップ903へ進む。
一方、ピックアップ移動指示フラグがオフしていればス
テップ902の処理をスキップしてステップ901から直接ス
テップ903へ進む。
ステップ903ではウエハステージ上アライメントマー
ク14をマスク上YRマーク421のステージ座標（Xyr,Yyr）
にマスクアライメント補正量ΔMX,ΔMYを加えた位置へ
移動する。そして、ステップ904にてYRピックアップ12
でYRマーク421とステージ上アライメントマーク14のず
れ量Δｙの計測を行なう。次に、ステップ905でずれ量
Δｙの計測ができたか否かを判定する。ずれ量Δｙの計
測ができていなければYRマークの粗アライメント処理
（第５図ステップ506）が正常に実行されない等のエラ
ーが生じた場合であるから、露光処理を終了したり、警
報またはエラー表示を行なう等のエラー処理を行なう。
ステップ905の判定においてずれ量Δｙの計測ができて
いればステップ906に進み、YRマーク421の位置ずれ量Δ
YyrとしてΔｙを設定した後、このマスク微アライメン
トマーク計測処理を終了して第８図のステップ803に進
む。
ク14をマスク上YRマーク421のステージ座標（Xyr,Yyr）
にマスクアライメント補正量ΔMX,ΔMYを加えた位置へ
移動する。そして、ステップ904にてYRピックアップ12
でYRマーク421とステージ上アライメントマーク14のず
れ量Δｙの計測を行なう。次に、ステップ905でずれ量
Δｙの計測ができたか否かを判定する。ずれ量Δｙの計
測ができていなければYRマークの粗アライメント処理
（第５図ステップ506）が正常に実行されない等のエラ
ーが生じた場合であるから、露光処理を終了したり、警
報またはエラー表示を行なう等のエラー処理を行なう。
ステップ905の判定においてずれ量Δｙの計測ができて
いればステップ906に進み、YRマーク421の位置ずれ量Δ
YyrとしてΔｙを設定した後、このマスク微アライメン
トマーク計測処理を終了して第８図のステップ803に進
む。
第８図のステップ803ではマスク上アライメントマー
ク421としてマスク上YLマークを、かつピックアップ12
としてYLピックアップを使用する以外は、ステップ802
と同様にしてマスク上YLマークの位置ずれ量ΔYylの計
測を行なう。さらに、ステップ804およびステップ805で
はステップ802およびステップ803と同様にしてそれぞれ
マスク上XUマークの位置ずれ量ΔXxuおよびマスク上XD
マークの位置ずれ量ΔXxdを計測する。
ク421としてマスク上YLマークを、かつピックアップ12
としてYLピックアップを使用する以外は、ステップ802
と同様にしてマスク上YLマークの位置ずれ量ΔYylの計
測を行なう。さらに、ステップ804およびステップ805で
はステップ802およびステップ803と同様にしてそれぞれ
マスク上XUマークの位置ずれ量ΔXxuおよびマスク上XD
マークの位置ずれ量ΔXxdを計測する。
次のステップ806では各マークの位置ずれ量ΔYyr、Δ
Yyl、ΔXxuおよびΔXxdに基づいてマスク２の位置ずれ
量ΔX,ΔY,Δθを算出する。そして、ステップ807で位
置ずれ量Δθ分だけマスクθステージ４を駆動し、かつ
マスクアライメント補正量ΔMX,ΔMYにΔX,ΔＹを加算
した後、ステップ808に進む。ステップ808ではマスク位
置ずれ量ΔX,ΔY,Δθがマスクアライメントの許容値内
か否かを判定する。許容値を外れていれば、ステップ80
9に進み、マスク微アライメントの回数が予め設定され
ているリトライ回数を超えたか否かを判定する。超えて
いれば、所定回数リトライしたにもかかわらずマスクの
微アライメントができなかったのであるから、露光処理
が終了したり、警報またはエラー表示を行なう等のエラ
ー処理を行なう。リトライ回数を超えていなければ、ス
テップ810に進んでピックアップずれ量ΔXp,ΔYpに位置
ずれ量ΔX,ΔＹを加え、ピックアップ移動指示フラグを
オフした後、ステップ811に進む。ステップ811ではピッ
クアップずれ量ΔXp,ΔYpが許容値内か否かを判定す
る。許容値を超えていれば、ステップ812に進み、ピッ
クアップ移動指示フラグをオンし、ピックアップずれ量
ΔXpおよびΔYpを０クリアした後、ステップ802に戻
り、上述したステップ802以下の処理を繰り返す。これ
により、次にステップ802、803、804、および805のマス
ク微アライメントマーク計測処理（詳細は第９図）を実
行する際、第９図のステップ902においてピックアップ1
2がマスク上マーク421を中心で捉えるようにピックアッ
プ12が移動され、マスク微アライメント処理の高精度化
が図られる。一方、ステップ811の判定においてピック
アップずれ量ΔXp,ΔYpが許容値内であれば、ステップ8
12の処理をスキップしてステップ811から直接ステップ8
02へ戻る。
Yyl、ΔXxuおよびΔXxdに基づいてマスク２の位置ずれ
量ΔX,ΔY,Δθを算出する。そして、ステップ807で位
置ずれ量Δθ分だけマスクθステージ４を駆動し、かつ
マスクアライメント補正量ΔMX,ΔMYにΔX,ΔＹを加算
した後、ステップ808に進む。ステップ808ではマスク位
置ずれ量ΔX,ΔY,Δθがマスクアライメントの許容値内
か否かを判定する。許容値を外れていれば、ステップ80
9に進み、マスク微アライメントの回数が予め設定され
ているリトライ回数を超えたか否かを判定する。超えて
いれば、所定回数リトライしたにもかかわらずマスクの
微アライメントができなかったのであるから、露光処理
が終了したり、警報またはエラー表示を行なう等のエラ
ー処理を行なう。リトライ回数を超えていなければ、ス
テップ810に進んでピックアップずれ量ΔXp,ΔYpに位置
ずれ量ΔX,ΔＹを加え、ピックアップ移動指示フラグを
オフした後、ステップ811に進む。ステップ811ではピッ
クアップずれ量ΔXp,ΔYpが許容値内か否かを判定す
る。許容値を超えていれば、ステップ812に進み、ピッ
クアップ移動指示フラグをオンし、ピックアップずれ量
ΔXpおよびΔYpを０クリアした後、ステップ802に戻
り、上述したステップ802以下の処理を繰り返す。これ
により、次にステップ802、803、804、および805のマス
ク微アライメントマーク計測処理（詳細は第９図）を実
行する際、第９図のステップ902においてピックアップ1
2がマスク上マーク421を中心で捉えるようにピックアッ
プ12が移動され、マスク微アライメント処理の高精度化
が図られる。一方、ステップ811の判定においてピック
アップずれ量ΔXp,ΔYpが許容値内であれば、ステップ8
12の処理をスキップしてステップ811から直接ステップ8
02へ戻る。
ステップ808の判定においてマスク位置ずれ量ΔX,Δ
Y,Δθがマスクアライメントの許容値内であれば、この
マスク微アライメント処理をを終了して第５図のステッ
プ508に進む。
Y,Δθがマスクアライメントの許容値内であれば、この
マスク微アライメント処理をを終了して第５図のステッ
プ508に進む。
第５図のステップ508ではマスクアライメント補正量
ΔMXおよびΔMYをマスク中心ずれΔCXおよびΔCYとして
セットし、マスクウエハアライメント補正量ΔWXおよび
ΔWYをクリアした後ステップ510に進む。以上のマスク
アライメント処理により、第10A図に示すようにステー
ジ座標系1001に対しずれてセットされたマスク２が第10
B図に示すようにステージ座標系に合される。
ΔMXおよびΔMYをマスク中心ずれΔCXおよびΔCYとして
セットし、マスクウエハアライメント補正量ΔWXおよび
ΔWYをクリアした後ステップ510に進む。以上のマスク
アライメント処理により、第10A図に示すようにステー
ジ座標系1001に対しずれてセットされたマスク２が第10
B図に示すようにステージ座標系に合される。
ステップ510では、プリセットされたショットの座標
値（Xsn,Ysn）にプリアライメント補正量ΔPX,ΔPYとマ
スクアライメント補正量ΔMX,ΔMYとマスクウエハアラ
イメント補正量ΔWX,ΔWYに応じた補正を施した位置に
ウエハステージ24をステップ移動する。次に、ステップ
511でウエハ上のアライメントマーク422（YR,YL,XU,X
D）とマスク上のアライメントマーク421（YR,YL,XU,X
D）を使用してマスクウエハアライメントを行なう。そ
してステップ512でショット露光を行なった後、ステッ
プ513に進む。
値（Xsn,Ysn）にプリアライメント補正量ΔPX,ΔPYとマ
スクアライメント補正量ΔMX,ΔMYとマスクウエハアラ
イメント補正量ΔWX,ΔWYに応じた補正を施した位置に
ウエハステージ24をステップ移動する。次に、ステップ
511でウエハ上のアライメントマーク422（YR,YL,XU,X
D）とマスク上のアライメントマーク421（YR,YL,XU,X
D）を使用してマスクウエハアライメントを行なう。そ
してステップ512でショット露光を行なった後、ステッ
プ513に進む。
ステップ513では同一ウエハ上に次に露光すべきショ
ットがあるか否かを判定する。露光すべきショットがあ
ればステップ503に戻って上述したステップ503以下の処
理を繰り返し、次のショットが無ければステップ501に
戻ってウエハ交換後、上述したステップ502以下の処理
を繰り返す。
ットがあるか否かを判定する。露光すべきショットがあ
ればステップ503に戻って上述したステップ503以下の処
理を繰り返し、次のショットが無ければステップ501に
戻ってウエハ交換後、上述したステップ502以下の処理
を繰り返す。
第１図は、この発明の一実施例に係るステップアンドリ
ピート露光装置の要部構成図、 第2A図および第2B図は、ウエハ上アライメントマークお
よびマスク上アライメントマークの説明図、 第３図は、第１図の露光装置の制御系のハードウエア構
成図、 第４図は、ステップアンドリピート露光方式の説明図、 第５図は、ステップアンドリピート露光シーケンスの１
パッチ分のフローチャート、 第６図は、第５図ステップ506のマスク粗アライメント
処理の内容を記したフローチャート、 第７図は、第６図ステップ601のマスク粗アライメント
マーク計測処理の内容を記したフローチャート、 第８図は、第５図ステップ507のマスク微アライメント
処理の内容を記したフローチャート、 第９図は、第８図ステップ802のマスク微アライメント
マーク計測処理の内容を記したフローチャート、そし
て、 第10A図および第10B図は、マスクアライメントの説明図
である。 1:X線（露光光） 2:マスク（原版） 3:ウエハ（被露光基板） 4:マスクθステージ 12（12a〜12d）：ピックアップ 13:ピックアップステージ 14:マスク位置合せ用基準マーク 24:ウエハステージ 304:本体コントロールユニット 305:ピックアップステージ制御部 420:マスク上マスクアライメントマーク 421（XU,XD,YR,YL）：ウエハ上アライメントマーク 422（XU,XD,YR,YL）：マスク上アライメントマーク 423:投光ビーム 1001:ステージ座標系
ピート露光装置の要部構成図、 第2A図および第2B図は、ウエハ上アライメントマークお
よびマスク上アライメントマークの説明図、 第３図は、第１図の露光装置の制御系のハードウエア構
成図、 第４図は、ステップアンドリピート露光方式の説明図、 第５図は、ステップアンドリピート露光シーケンスの１
パッチ分のフローチャート、 第６図は、第５図ステップ506のマスク粗アライメント
処理の内容を記したフローチャート、 第７図は、第６図ステップ601のマスク粗アライメント
マーク計測処理の内容を記したフローチャート、 第８図は、第５図ステップ507のマスク微アライメント
処理の内容を記したフローチャート、 第９図は、第８図ステップ802のマスク微アライメント
マーク計測処理の内容を記したフローチャート、そし
て、 第10A図および第10B図は、マスクアライメントの説明図
である。 1:X線（露光光） 2:マスク（原版） 3:ウエハ（被露光基板） 4:マスクθステージ 12（12a〜12d）：ピックアップ 13:ピックアップステージ 14:マスク位置合せ用基準マーク 24:ウエハステージ 304:本体コントロールユニット 305:ピックアップステージ制御部 420:マスク上マスクアライメントマーク 421（XU,XD,YR,YL）：ウエハ上アライメントマーク 422（XU,XD,YR,YL）：マスク上アライメントマーク 423:投光ビーム 1001:ステージ座標系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 真起子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 野瀬 哲志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−144626（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】ウエハとマスクとを少なくともX,Y,θの各
方向について位置合せしてマスクのパターンをウエハに
焼付けする露光装置において、 該マスクを保持してθ方向に回転可能なマスクステージ
と、 該ウエハを保持して少なくともXY方向に移動可能であっ
て、基準マークが設けられたウエハステージと、 該マスク上に設けられた複数個のアライメントマークと
該基準マークとにより、該ウエハステージが有するステ
ージ座標系における該アライメントマークの位置を計測
する計測手段と、 この計測結果に基づいて該マスクを該ステージ座標系に
位置合せすべく補正駆動する手段とを有し、該補正駆動
は、該複数個のアライメントマークのうち２つのマーク
を使用してθ成分のみの粗い位置合せを行なう手順と、
次いで２つ以上のマークを使用して最終的なX,Yおよび
θ成分の位置合せを行なう手順とを含むことを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項２】前記基準マークがウエハステージ上の１箇
所に設けてあり、前記計測手段は前記ウエハステージを
順次移動させながら前記基準マークと前記アライメント
マークとの位置ずれ計測を行なうことを特徴とする請求
項１記載の露光装置。 - 【請求項３】前記成分の粗い位置合せは前記マスクステ
ージを駆動して行なうと共に、XY成分の補正量を前記ウ
エハ上の各ショット位置に前記マスクパターンを焼付け
る際の各ショットの位置座標にフィードバックすること
を特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項４】前記計測手段はアライメントマークに光を
照射してずれ量の計測を行なうピックアップを有するこ
とを特徴とする請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252348A JP2829642B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 露光装置 |
| US07/588,947 US5142156A (en) | 1989-09-29 | 1990-09-27 | Alignment method for printing a pattern of an original onto different surface areas of a substrate |
| EP90310709A EP0420700B8 (en) | 1989-09-29 | 1990-09-28 | Exposure apparatus |
| DE69033499T DE69033499T2 (de) | 1989-09-29 | 1990-09-28 | Belichtungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252348A JP2829642B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116816A JPH03116816A (ja) | 1991-05-17 |
| JP2829642B2 true JP2829642B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17236035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1252348A Expired - Fee Related JP2829642B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5142156A (ja) |
| EP (1) | EP0420700B8 (ja) |
| JP (1) | JP2829642B2 (ja) |
| DE (1) | DE69033499T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7027127B2 (en) | 2003-06-19 | 2006-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, device manufacturing method, stage apparatus, and alignment method |
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