JPH1022369A - 基板のプリアライメント装置 - Google Patents

基板のプリアライメント装置

Info

Publication number
JPH1022369A
JPH1022369A JP18872696A JP18872696A JPH1022369A JP H1022369 A JPH1022369 A JP H1022369A JP 18872696 A JP18872696 A JP 18872696A JP 18872696 A JP18872696 A JP 18872696A JP H1022369 A JPH1022369 A JP H1022369A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
stage
light receiving
axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18872696A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Takahashi
正人 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP18872696A priority Critical patent/JPH1022369A/ja
Publication of JPH1022369A publication Critical patent/JPH1022369A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の位置決め整定時間を短縮する。 【解決手段】 保持部材80により保持された基板Wの
直線部分の2個所及び外周部の一部に照射手段33,3
4,35から同時に光束がそれぞれ照射され、各光束
は、受光素子30,31,32によって同時に光電検出
される。すなわち、基板Wのエッジの3個所(その内、
2個所は直線状切り欠き部)で、基板によって遮られな
かった光の量が各受光素子によって検出される。主制御
装置60では、3つの受光素子の出力信号と、基板テー
ブル19の回転軸に対する当該各受光素子の位置関係と
に基づいて、ステージ15、14の各移動方向と基板テ
ーブル19の回転方向とを考慮した非干渉化演算を行
い、ステージ制御装置50では、演算結果に従って基板
と基板テーブル19とが所定の位置関係になるように、
モータ16、17、21をサーボ制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板のプリアライ
メント装置に係り、更に詳しくは外周部の一部に直線状
の切り欠きを有する基板を基板テーブルに搭載するに先
立って基板と基板テーブルとが所定の位置関係になるよ
うに当該両者を位置合わせする基板のプリアライメント
装置に関する。本発明は、半導体素子、液晶表示素子、
撮像素子(CCD)、薄膜磁気ヘッド、光磁気ディスク
等のデバイスを製造するための露光装置(ステッパー、
アライナー等)に好適に適用できるものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体製造用の露光装置において
は、一般に感光基板(ウエハ)を基板テーブル(XY平
面内で2次元移動するウエハステージ上に搭載され、ウ
エハを保持してウエハステージと一体的に移動するテー
ブル)上に載置する際、ウエハの外周縁の位置を非接触
で検出し、ウエハが基板テーブルの所定の位置に載置さ
れるように、且つウエハのオリエンテーションフラット
(ウエハ外周部の一部に形成された直線状の切り欠き:
以下「フラット」という)の方向がウエハステージの一
方の移動方向(例えばX方向)に平行となるように位置
決めするための位置決め装置(プリアライメント装置)
が設けられている。ここで、ウエハステージは、通常Y
方向に移動可能なYステージと、このYステージ上をX
方向に移動するXステージとから構成されている。ま
た、ウエハは、基板テーブル上ではXY平面に直交する
Z軸回りの微小回転が可能なθテーブル(θステージと
もいう)を介して基板テーブル上に載置される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プリアライメント装置にあっては、制御システムとして
上記の位置決めの際に、例えばXステージに目標位置と
の位置偏差に基づいて位置サーボをかけるとYステー
ジ、θテーブルに影響を与える、すなわち軸間干渉を生
じさせるウエハプリアライメントサーボシステムが採用
されていた。このため、目標位置への収束時間が悪く、
上記位置制御ループのゲインが高いと最悪の場合、各ス
テージが位置決め中にハンチングを起こす可能性があっ
た。また、各軸を時間的に別々に制御すれば、具体的に
はθテーブルを駆動して回転方向の位置合わせを行った
後、Xステージ、Yステージを順次駆動してX、Y2次
元方向の位置合わせをすれば、上記の軸間干渉の影響は
受けなくなるが、この場合には位置決めに時間が掛かり
過ぎ、スループットの低下を招くので、このような制御
方法を採用することは、現実的な選択ではない。
【0004】本発明は、かかる事情の下でなされたもの
で、位置決め整定時間を短縮することができる基板のプ
リアライメント装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、外周部の一部に直線状の切り欠きを有する基板を基
板テーブルに搭載するに先立って前記基板と前記基板テ
ーブルとが所定の位置関係になるように当該両者を位置
合わせする基板のプリアライメント装置であって、所定
の基準面内で2次元移動可能な基板ステージと;前記基
板ステージ上に搭載され前記基準面に直交する軸回りに
微小角度範囲内で回動可能な前記基板テーブルと;前記
基板ステージが前記基準面内の所定位置にあるとき、前
記基板を前記ステージの上方で前記基準面とほぼ平行に
保持する保持部材と;前記保持された基板の直線部分の
少なくとも2箇所及び外周部の一部に同時にそれぞれ光
束を照射する少なくとも3つの照射手段と;前記各照射
手段からの各光束を前記基板に関して前記照射手段とそ
れぞれ反対側で同時に光電検出可能な少なくとも2つの
切り欠き検出用の受光素子及び少なくとも1つの基板外
周部検出用の受光素子を含む少なくとも3つの受光素子
と;前記基板ステージと前記基板テーブルとをそれぞれ
の駆動方向に駆動する駆動系と;前記少なくとも3つの
受光素子の出力信号と、前記基準平面に平行な面内での
前記基板テーブルの回転軸に対する当該各受光素子の位
置関係とに基づいて、前記ステージの各移動方向と前記
基板テーブルの回転方向とを考慮した非干渉化演算を行
う演算手段と;前記演算手段の演算結果に従って前記基
板と前記基板テーブルとが所定の位置関係になるよう
に、前記駆動系をサーボ制御する制御手段とを有する。
【0006】これによれば、基板ステージが移動して基
準面内の所定位置に来ると、保持部材ではこのステージ
の上方で基板を基準面とほぼ平行に保持する。この保持
された基板の直線部分の少なくとも2箇所及び外周部の
一部に少なくとも3つの照射手段から同時に光束がそれ
ぞれ照射され、各照射手段からの各光束は、少なくとも
2つの切り欠き検出用の受光素子及び少なくとも1つの
基板外周部検出用の受光素子を含む少なくとも3つの受
光素子によって基板に関して反対側で同時に光電検出さ
れる。すなわち、基板のエッジの少なくとも3箇所(そ
の内、2箇所は直線状切り欠き部)で、基板によって遮
られなかった光の量が各受光素子によって検出される。
演算手段では、少なくとも3つの受光素子の出力信号
と、基準平面に平行な面内での基板テーブルの回転軸に
対する当該各受光素子の位置関係とに基づいて、ステー
ジの各移動方向と基板テーブルの回転方向とを考慮した
非干渉化演算を行い、制御手段では、この演算手段の演
算結果に従って基板と基板テーブルとが所定の位置関係
になるように、駆動系をサーボ制御する。
【0007】これにより、基板と基板テーブルの相対位
置関係が所期の状態になるように基板のプリアライメン
トが行われるが、この際、非干渉化演算に基づいてステ
ージの移動と基板テーブルの回転が制御されるので、軸
間干渉が生じないため、位置決め整定時間(目的位置へ
の収束時間)を短縮することが可能になる。
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の基板のプリアライメント装置において、前記切り欠き
検出用の受光素子は、前記基準面に平行な面内で第1軸
方向及びこれに直交する第2軸方向に沿って少なくとも
各2つ配置され、各切り欠き検出用受光素子に前記基板
に関して反対側から光束をそれぞれ照射する少なくとも
4つの照射手段が設けられていることを特徴とする。
【0009】これによれば、例えば、基板の切り欠きを
第1軸方向に沿って配置された2つの切り欠き検出用受
光素子で検出し、これと同時に残りの受光素子のいずれ
かで基板の外周部の一部を検出することにより、基板の
エッジ3箇所を同時に光電検出することができ、また、
例えば基板の切り欠きを第2軸方向に沿って配置された
2つの切り欠き検出用受光素子で検出し、これと同時に
残りの受光素子のいずれかで基板の外周部の一部を検出
することにより、基板のエッジ3箇所を同時に光電検出
することもできる。従って、基板のプリアライメントに
際し、基板の切り欠き方向を第1軸及び第2軸方向の2
方向のいずれかを選択的に指定してその方向での位置決
めが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】
《第1の実施形態》以下、本発明の第1の実施形態を図
1ないし図4に基づいて説明する。図1には、本発明に
係る基板のプリアライメント装置が適用された第1の実
施形態に係る露光装置におけるウエハ搬送系の概略的な
構成が示されている。この図1は、所定の受け渡し位置
に配置されたウエハテーブル18の上方で、搬送アーム
80によってウエハWが保持されている状態を示す平面
図である。
【0011】図1において、供給用のウエハカセット8
2にはこれから露光しようとする基板としてのウエハW
が複数枚収納されている。ウエハWは搬送用のベルト8
4a、84bによってラフプリアライメント装置90の
ターンテーブル90S上に搬送される。このラフプリア
ライメント装置90は、例えば特開昭63−28043
5号公報に開示されているプリアライメント装置とほぼ
同一の構成であるので、ここでは簡単に説明する。ラフ
プリアライメント装置90では、ウエハWがターンテー
ブル90S上に保持されると、ターンテーブル90Sが
回転される。そして、ウエハWの外周形状を不図示の検
出系によってウエハWに非接触で光電的に検出し、ウエ
ハWの位置及びその外周の一部に設けられた直線状の切
欠き(フラット)方向を検出する。しかる後、ウエハW
の位置及びフラットの方向を予め定められた位置及び方
向に補正する。また、このラフプリアライメント装置9
0における位置補正の精度は比較的粗くてよく、例えば
±1mm程度の誤差の許容範囲を有する。
【0012】このラフプリアライメント装置90によっ
て位置補正されたウエハWは、Y方向に平行に延びたガ
イド81によって移動する搬送アーム80に受け渡され
る。搬送アーム80は、所定の受け渡し位置に配置され
ているウエハテーブル18の上方までウエハWを移動す
る。しかる後、ウエハWは、搬送アーム80から後述す
る3本のウエハ上下ピン24、25、26(図2参照)
に受け渡されるとともに、不図示の駆動装置によってそ
の3本のウエハ上下ピン24、25、26又はウエハホ
ルダ20が上下動して、ウエハテーブル18上のウエハ
ホルダ20によって保持される。この時、ウエハWは後
述する如く、一実施形態に係る基板のプリアライメント
装置によってウエハテーブル18上のウエハホルダ20
に対して位置決めされる。ウエハWがウエハホルダ20
に保持されると、露光動作の為にウエハテーブル18は
投影レンズPLの下方に移動する。そして、ウエハテー
ブル18が搭載された後述するX軸ステージ15をステ
ッピングさせて、マスク(レチクル)上に形成された回
路パターンの投影像PAに対してウエハWを相対的に移
動し、その投影像PAでウエハW上の複数の領域の各々
を繰り返し露光する。露光が終了すると、ウエハWは図
1に示す受け渡し位置から搬送アーム80によってター
ンテーブル90Sに受け渡された後、搬送用のベルト8
5a,85bによってウエハカセット83に搬入され
る。
【0013】図2には、本第1の実施形態に係る露光装
置10の主要部の構成が概略的に示されている。この露
光装置10は、逐次移動型の一括露光方式が採用された
ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置
(いわゆるステッパー)である。
【0014】図2おいて、ベース13は図示しない防振
台上にほぼ水平に載置され、このベース13上に、Vフ
ラットガイドに沿ってY軸方向に移動可能なY軸ステー
ジ14が設けられ、更にこのY軸ステージ14上をVフ
ラットガイドに沿ってY軸に直交するX軸方向に移動可
能な基板ステージとしてのX軸ステージ15が設けられ
ている。従って、このX軸ステージはXY2次元平面内
の任意の位置に移動可能となっている。Y軸ステージ1
4は、ベース13のY方向一端に設けられたY軸駆動モ
ータ16によって送りネジを介して駆動されるようにな
っており、X軸ステージ15はY軸ステージ14のX方
向の一端に設けられたX軸駆動モータ17によって送り
ネジを介して駆動されるようになっている。
【0015】X軸ステージ15上には、ウエハテーブル
18が搭載されている。このウエハテーブル18は、図
示しない駆動機構によってXY平面に直交するZ軸方向
の移動及びX軸回りの回転角(Y方向の傾斜角)、Y軸
回りの回転角(X方向の傾斜角)が調整可能とされてい
る。このウエハテーブル18上にZ軸回りの回転方向
(θ方向)に微動可能な基板テーブルとしてのθテーブ
ル19が載置されている。このθテーブル19は、外部
に向かって半径方向に凸設された補助部材19A及び送
りネジを介してθ駆動モータ21によって所定角度範囲
(例えば、±1゜)内でθ方向に駆動されるようになっ
ている。本実施形態では、前記モータ16、17、21
によって、θテーブル19(基板テーブル)とXステー
ジ15(2次元移動する基板ステージ)との駆動系が構
成されており、これらのモータ16、17、21は制御
手段としてのステージ駆動制御装置50によって制御さ
れるようになっている。
【0016】前記θテーブル19上にウエハホルダ20
がいわゆるキネマティック構造により保持され図示しな
い吸着手段によって吸着されている。ここで、キネマテ
ィック構造とは、簡単にいうと、ウエハホルダ20を点
とV溝と面とで3点支持するもので、ウエハホルダ20
を上下方向及び傾斜方向のいずれの方向に動かしても余
分なストレスが掛からないようになっている。
【0017】ウエハホルダ20は、図1ないし図2に示
されるように、ほぼ円形をしており、外周の一部に直線
的な切欠きを有する。XY平面内におけるこの切欠きの
方向は、ウエハホルダ20の回転位置がニュートラル位
置にある時、X方向とほぼ平行となる。
【0018】ウエハテーブル18上のX軸方向の一端に
は、Y軸方向に沿ってX軸用移動鏡22Xが配置され、
また、Y軸方向の一端には、X軸方向に沿ってY軸用移
動鏡22Yが配置されている。これらの移動鏡22X、
22Yに対向してX軸レーザ干渉計23X、及びY軸レ
ーザ干渉計23Yが設置され、レーザ干渉計23X、2
3YからのレーザビームLBX、LBYが移動鏡22
X、22Yにより反射され、これによりX軸レーザ干渉
計23X及びY軸レーザ干渉計23Yによりウエハテー
ブル18のX座標、Y座標が計測されるようになってい
る。これらのレーザ干渉計23X、23Yの計測値は、
主制御装置60に供給されるようになっている。
【0019】主制御装置60では、ステージ駆動制御装
置50を介してモータ16、17、21を駆動し、ウエ
ハテーブル18の位置及びθテーブル19の回転(ウエ
ハホルダ20の回転)を制御する。
【0020】X軸ステージ15上には、ウエハ上下ピン
24、25、26が設けられている。これらのウエハ上
下ピン24、25、26は、ウエハホルダ20に形成さ
れた円形開口27、28、29及びこれらに対応してウ
エハテーブル18に形成された3つの円形開口(図示省
略)を介してウエハテーブル18の下方からウエハホル
ダ20の上方に延びている。これらのウエハ上下ピン2
4、25、26はXステージ最上面に固定された不図示
の駆動機構により、Z軸方向に駆動される。なお、上述
した円形開口27、28、29及びこれらに対応してウ
エハテーブル18に形成された3つの円形開口(図示省
略)は、それぞれウエハテーブル18が傾斜駆動されて
も、あるいはウエハホルダ20が上述の角度範囲内で回
転してもウエハ上下ピン24、25、26に接触しない
大きさになっている。
【0021】また、ウエハホルダ20上には3つの受光
素子としての光電検出器30、31、32が設けられて
いる。この内の2つの光電検出器30、31は上述のウ
エハホルダ20の切欠きの方向に直交する方向を長手方
向とし、当該切欠きの方向に所定の間隔Lをもって配置
されている。残りの光電検出器32は、ウエハホルダ2
0の切欠きの方向を長手方向とし、その長手方向のほぼ
延長線上にウエハホルダ20の中心点がくるように、ホ
ルダの周縁部に配置されている。なお、θテーブル19
の回転中心とウエハホルダ20の中心とは一致しない
が、以下の説明ではθテーブル19の回転中心のXY座
標値はわかっているものとする。
【0022】また、ウエハテーブル18が受け渡し位置
にあるときに、光電検出器30、31、32に対して平
行光束を照射する照射手段としての平行光照明系33、
34、35が露光装置10内に設けられている。これら
の平行光照明系33、34、35は、例えばレーザダイ
オードを光源として、ウエハWを感光させない波長のレ
ーザ光束を平行光束としてそれぞれ対向する光電検出器
30、31、32に向けて照射する。また、光電検出器
30、31、32は、例えばフォトダイオード等から成
り、平行光照明系33、34、35からの平行光束をそ
れぞれ受光すると、受光したレーザ光束の光強度に対応
した光電信号を主制御装置60に出力する。ここで、光
電検出器30、31、32から出力される光電信号のレ
ベル(電圧値)を各々S1、S2、S3とする。
【0023】また、主制御装置60は、ウエハステージ
(X軸ステージ15、Y軸ステージ14)の移動、θテ
ーブル19の回転、ウエハテーブル18の上下動・傾
斜、及び搬送アーム80の駆動を制御する他、装置全体
を統括制御する。
【0024】ウエハWの上方には、投影レンズPLがそ
の光軸をZ方向に向けて配置されている。この投影レン
ズPLとしては、いわゆる両側テレセントリックで、所
定の縮小倍率(例えば、1/5)のものが使用されてい
る。
【0025】次に、上記のようにして構成された本実施
形態の装置におけるウエハ位置決め(プリアライメン
ト)動作について、図2、図3及び図4に基づいて説明
する。
【0026】図3(A)から(D)は、ウエハW、ウエ
ハテーブル18、ウエハホルダ20、及びウエハホルダ
20上に設けられている光電検出器30、31、32の
それぞれの相対位置関係を示した平面図であり、ウエハ
Wをウエハホルダ20(θテーブル19)上に位置決め
する手順を示す図である。
【0027】まず、図3(A)に示されるように、ウエ
ハW及びウエハテーブル18は各々受け渡し位置に配置
される。この時、ウエハホルダ20の回転位置はニュー
トラル位置にあるので、ウエハホルダ20上の切欠きの
方向は、X方向と平行になっている。このとき、ウエハ
Wはラフプリアライメント装置90による位置補正の精
度やラフプリアライメント装置90から搬送アーム80
へのウエハWの受け渡し等により、受け渡し位置からず
れているとともに、フラットの方向とX方向との平行度
も狂っている。ここで、主制御装置60は、不図示の光
源駆動回路を介して平行光照明系33、34、35から
レーザー光束を照射させ、図2に示されるように、光電
検出器30、31、32の受光面上にウエハWの3箇所
の周縁部分をそれぞれ投影する。これら3つの光電検出
器30、31、32の内、切り欠き検出用の受光素子と
しての光電検出器30、31上には、ウエハWのフラッ
トの部分が投影され、基板外周部検出用の光電検出器3
2上にはウエハWの円周外縁が投影される。光電検出器
30、31、32はウエハWの周縁部分によって遮光さ
れない光束を受光するため、ウエハWの周縁部の位置に
応じてこれらの光電検出器30、31、32から出力さ
れる光電信号のレベルが変化する。
【0028】ここで、主制御装置60は、光電検出器3
0、31、32からの光電信号のレベルS1、S2、S
3がそれぞれ所定の目標値Sa、Sb、Scとなるよう
に、ウエハテーブル18の位置とウエハホルダ20の回
転とをサーボ制御する。本実施形態では、目標値Sa、
Sb、Scとしては、各光電検出器の全体に平行光束が
照射されているときの光電信号のレベルを予め計測し、
その値の半分(50%)の値に設定している。従って、
上述の如くウエハテーブル18の位置とウエハホルダ2
0の回転とを制御することにより、各光電検出器の長手
方向における中心位置と3箇所のウエハエッジの位置と
を一致させることになる。
【0029】これを更に詳述すると、まず主制御装置6
0は、各光電検出器からの光電信号に基づいて、各光電
検出器の光電信号のレベルの目標値とのずれ量ΔS1、
ΔS2、ΔS3を次式に基づいて求める。
【0030】ΔS1=S1−Sa ΔS2=S2−Sb ΔS3=S3−Sc 次に、主制御装置60では、この求めたずれ量ΔS1、
ΔS2、ΔS3を次式に代入して、ウエハテーブル18
の移動量(ウエハWとウエハホルダ20との位置ずれ
量)ΔX、ΔY及びウエハホルダの回転量(ウエハWの
フラット方向とX方向との回転誤差量)Δθを非干渉化
演算により求める。即ち、本実施形態では主制御装置6
0によって演算手段が構成される。
【0031】
【数1】
【0032】上式において、a1 、a2 は、θテーブル
19の回転中心からセンサ30、31、までのX方向距
離である(図4参照)。
【0033】ここで、上記(数1)の非干渉化演算の式
の求め方について、図4を参照して説明する。
【0034】図4には、ウエハホルダ20上の光電検出
器30、31、32とθテーブル19の回転中心Oとの
位置関係が示されている。この場合、光電検出器30、
31はY方向にのみ反応し、光電検出器32はX方向に
のみ反応するものとする。なお、図4において、各光電
検出器の回転中心Oを原点とする(X、Y)座標を当該
各光電検出器の符号の隣りに付している。また、これら
の光電検出器30、31、32の出力の増減と、X、
Y、θの増減の方向は同じ方向とする。この図4より、
θ≪1のとき、 ΔS1=ΔY+a1×sin(Δθ)+b1×{1- cos(Δθ)}≒ΔY+a1×Δθ ΔS2=ΔY+a2×sin(Δθ)+b2×{1- cos(Δθ)}≒ΔY+a2×Δθ ΔS3=ΔX+a3×{1- cos(Δθ)} ≒ΔX 上式を行列を用いて表すと、
【0035】
【数2】
【0036】上式を変形することにより、(数1)の非
干渉化演算式が得られる。
【0037】主制御装置60は、上記非干渉化演算によ
り求めた移動量及び回転量(ΔX、ΔY、Δθ)を随時
制御偏差信号としてステージ駆動制御装置50に与え、
ステージ駆動制御装置50ではウエハテーブル18のX
Y方向の位置とウエハホルダ20の回転をサーボ制御す
る。
【0038】そして、ウエハテーブル18の移動とウエ
ハホルダ20の回転が終了したときの状態が図3(B)
に示されている。このとき、ウエハWのエッジは光電検
出器30、31、32の長手方向の中心位置に投影され
る。
【0039】上述のようにウエハテーブル18の移動と
ウエハホルダ20の回転が終了すると、主制御装置60
は、不図示の駆動装置を介してウエハ上下ピン24、2
5、26を上昇駆動してウエハWを下方から支持させ
る。これにより、ウエハWは搬送アーム上からウエハ上
下ピン24、25、26上に移る。次に主制御装置60
では、搬送アーム20をウエハテーブル18の上方から
退避させる。この搬送アームの退避後、主制御装置60
ではウエハ上下ピン24、25、26を所定量下降駆動
する。これにより、ウエハWはウエハホルダ20上に載
置される。その後、不図示のバキュームチャック等の吸
着手段により負圧又は真空等によってウエハWがウエハ
ホルダ20上に吸着保持される。この時の状態が、図3
(C)に示されている。そして、主制御装置60ではモ
ータ21を介してウエハホルダ20の回転位置をウエハ
Wを載置する前の回転位置(ニュートラル位置)に戻す
ことにより、ウエハWのフラット方向とX方向とを平行
とする。この時の状態が図3(D)に示されている。
【0040】このようにしてウエハの位置決め動作が終
了すると、次に主制御装置60は、ウエハテーブル18
を投影光学系PLの下方に配置して、露光動作やファイ
ンアライメント動作等を行う。
【0041】以上説明したように、本実施形態に係る露
光装置10によると、上述のようなプリアライメント動
作(位置決め動作)によって、ウエハWの回転位置がニ
ュートラル位置にあるとき、ウエハWをウエハテーブル
18に関して、ウエハのフラットの方向と基準方向(X
方向)とが平行となるように、速やかにかつ高精度に位
置決めすることが可能となる。この場合において、プリ
アライメントの際に、上記(数1)で示されるような非
干渉化演算に基づいて各駆動モータ16、17、21が
同時にサーボ制御されるので、従来のプリアライメント
装置のように、軸間干渉が生じることが無く、目標位置
への収束時間(位置決め整定時間)を短縮することがで
き、位置制御ループのゲインを高くしてもハンチングの
可能性も殆どない。
【0042】また、本実形態におけるラフプリアライメ
ント装置90は従来より用いていたプリアライメント装
置のように高精度(誤差の許容範囲が±15μm程度)
な装置である必要がないため、コストを抑制することが
できる。
【0043】《第2の実施形態》次に、本発明の第2の
実施形態について、図5ないし図6に基づいて説明す
る。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同
等の構成部分については同一の符号を用いるとともにそ
の説明を省略するものとする。
【0044】図5には、本第2の実施形態に係る基板の
プリアライメント装置が適用された露光装置100の主
要部の構成が概略的に示されている。
【0045】この露光装置は、第1の実施形態における
ウエハホルダ20に代えてウエハホルダ120が設けら
れ、このウエハホルダ120上に4つの受光素子として
の光電検出器30、31、32A、32Bが設けられて
いる点及びこれに対応して4つの照射手段としての平行
光照明系33、34、35、36が設けられている点に
特徴を有する。
【0046】ウエハホルダ120には、図5におけるX
軸方向に平行な切り欠きK1と、Y軸方向に平行な切り
欠きK2とが設けられている。このウエハホルダ120
上には前述の如く4つの光電検出器30、31、32
A、32Bが設けられているが、この内光電検出器3
0、31は、一方の切り欠きK1の方向に直交する方向
を長手方向として当該切り欠きの方向に所定間隔で配置
され、光電検出器32A、32Bは他方の切り欠きK2
の方向に直交する方向を長手方向として配置されてい
る。
【0047】また、ウエハテーブル18が受け渡し位置
にあるときに、光電検出器30、31、32A、32B
に対して平行光束を照射する前記平行光照明系33、3
4、35、36が露光装置100内に設けられている。
その他の部分の構成等は前述した第1の実施形態に係る
装置と同様になっている。
【0048】このようにして構成された露光装置100
によれば、前述した第1の実施形態と同様に、主制御装
置60によって前述と同様の非干渉化演算に基づくサー
ボ制御により軸間干渉のない速やかなプリアライメント
が行われ、位置決め整定時間の短縮が可能となる。この
他、本実施形態では、上記プリアライメントに際し、フ
ラットの方向を0°方向及び90°方向の2方向(すな
わち、X軸ステージ15とY軸ステージ14の移動方
向)のいずれかを選択的に指定できるようになってい
る。このため、ウエハの結晶構造に合わせて半導体チッ
プの特性を変えるととともに回路パターンの設計上から
くる正方形及び長方形の露光フィールド等に対応が可能
となっている。
【0049】図6(A)には、本第2の実施形態にかか
る装置によりウエハWがフラットの方向を0°方向とし
て位置決めされた状態が示されており、また、同図
(B)にはウエハWがフラットの方向を90°方向とし
て位置決めされた状態が示されている。
【0050】ここで、図6(A)に示される0°方向の
位置決めの際には、光電検出器30、31が切り欠き検
出用の受光素子として、光電検出器32Aが基板外周部
検出用の受光素子としてそれぞれ用いられ、これら3つ
の光電検出器30、31、32Aの出力に基づいて上記
(数1)の非干渉化演算が行われる。また、図6(B)
に示される90°方向の位置決めの際には、光電検出器
32A、32Bが切り欠き検出用の受光素子として、光
電検出器31が基板外周部検出用の受光素子としてそれ
ぞれ用いられ、これら3つの光電検出器32A、32
B、31の出力に基づいて上記(数1)と同様の非干渉
化演算が行われる。このように、本実施形態では、切り
欠き検出用の受光素子としての光電検出器32A、31
が、基板外周部検出用の光電素子としても機能している
が、基板外周部検出専用の光電素子を別に設けても良
い。
【0051】なお、上記第1、第2の実施形態では、ウ
エハエッジの検出系を、平行光照明系33、34、35
(又は33、34、35、36)及びウエハホルダ20
上の光電検出器30、31、32(又は30、31、3
2A、32B)により構成したが、これに限らず、例え
ばウエハホルダ20上に光源を設けてウエハWの下側か
らレーザー光束を照射し、ウエハの上側に配置された光
電検出器によってその光束を受光するような構成であっ
ても良い。あるいは照明系をウエハテーブル18側に設
ける場合には、照明光を射出する光源をウエハテーブル
18の外部に配置し、その照明光を光ファイバー等でウ
エハテーブル18の内部に導いてウエハWの周縁端を照
明するように構成しても良い。このとき、光ファイバー
の射出端を細長い矩形状としてウエハホルダ20に設け
ても良いし、あるいはウエハホルダ20に細長い矩形開
口を有するスリット板を設け、光ファイバーから射出さ
れる照明光でスリット板をその裏面から照明するように
しても良い。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板のプリアライメントに際し、軸間干渉を伴なわなく
なり、位置決め整定時間(収束時間)の短縮化を図るこ
とができるという従来にない優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の一実施形態に係る露光装置におけるウエ
ハ搬送系の概略的な構成を示す平面図である。
【図2】第1の実施形態に係る投影露光装置の主要部の
構成を概略的に示す斜視図である。
【図3】ウエハをウエハホルダ上に位置決めする手順を
説明するための図である。
【図4】ウエハホルダ上の光電検出器とθテーブルの回
転中心との位置関係を示す図である。
【図5】第2の実施形態に係る露光装置の主要部の構成
を概略的に示す斜視図である。
【図6】図5の装置の作用を説明するための図である。
【符号の説明】
15 Xステージ(基板ステージ) 18 ウエハテーブル(基板テーブル) 16 Y軸駆動モータ(駆動系) 17 X軸駆動モータ(駆動系) 19 θテーブル(基板テーブル) 21 θ駆動モータ (駆動系) 30、31 光電検出器(切り欠き検出用の受光素子) 32、32A、32B 光電検出器(基板外周部検出用
の受光素子) 33、34、35、36 平行光照明系(照射手段) 50 ステージ駆動制御装置(制御手段) 60 主制御装置(演算手段) 80 搬送アーム(保持部材) W ウエハ(基板)
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 520C

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外周部の一部に直線状の切り欠きを有す
    る基板を基板テーブルに搭載するに先立って前記基板と
    前記基板テーブルとが所定の位置関係になるように当該
    両者を位置合わせする基板のプリアライメント装置であ
    って、 所定の基準面内で2次元移動可能な基板ステージと;前
    記基板ステージ上に搭載され前記基準面に直交する軸回
    りに微小角度範囲内で回動可能な前記基板テーブルと;
    前記基板ステージが前記基準面内の所定位置にあると
    き、前記基板を前記ステージの上方で前記基準面とほぼ
    平行に保持する保持部材と;前記保持された基板の直線
    部分の少なくとも2箇所及び外周部の一部に同時にそれ
    ぞれ光束を照射する少なくとも3つの照射手段と;前記
    各照射手段からの各光束を前記基板に関して前記照射手
    段とそれぞれ反対側で同時に光電検出可能な少なくとも
    2つの切り欠き検出用の受光素子及び少なくとも1つの
    基板外周部検出用の受光素子を含む少なくとも3つの受
    光素子と;前記基板ステージと前記基板テーブルとをそ
    れぞれの駆動方向に駆動する駆動系と;前記少なくとも
    3つの受光素子の出力信号と、前記基準平面に平行な面
    内での前記基板テーブルの回転軸に対する当該各受光素
    子の位置関係とに基づいて、前記ステージの各移動方向
    と前記基板テーブルの回転方向とを考慮した非干渉化演
    算を行う演算手段と;前記演算手段の演算結果に従って
    前記基板と前記基板テーブルとが所定の位置関係になる
    ように、前記駆動系をサーボ制御する制御手段とを有す
    る基板のプリアライメント装置。
  2. 【請求項2】 前記切り欠き検出用の受光素子は、前記
    基準面に平行な面内で第1軸方向及びこれに直交する第
    2軸方向に沿って少なくとも各2つ配置され、各切り欠
    き検出用受光素子に前記基板に関して反対側から光束を
    それぞれ照射する少なくとも4つの照射手段が設けられ
    ていることを特徴とする請求項1に記載の基板のプリア
    ライメント装置。
JP18872696A 1996-06-28 1996-06-28 基板のプリアライメント装置 Pending JPH1022369A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18872696A JPH1022369A (ja) 1996-06-28 1996-06-28 基板のプリアライメント装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18872696A JPH1022369A (ja) 1996-06-28 1996-06-28 基板のプリアライメント装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1022369A true JPH1022369A (ja) 1998-01-23

Family

ID=16228711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18872696A Pending JPH1022369A (ja) 1996-06-28 1996-06-28 基板のプリアライメント装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1022369A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100459095C (zh) * 2006-12-28 2009-02-04 上海交通大学 基于多传感器数据融合的硅片预定位系统
CN103496590A (zh) * 2013-10-14 2014-01-08 吴江市博众精工科技有限公司 一种吸料机构
US9766105B2 (en) 2014-07-02 2017-09-19 Cnh Industrial America Llc Device and method for detecting blockages in an agricultural sprayer
CN107830783A (zh) * 2017-09-29 2018-03-23 山东大学 面向微纳操控的三自由度位移测量装置和方法
CN109870885A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 山东华光光电子股份有限公司 一种手动光刻机的预对准方法及预对准装置
WO2023232132A1 (zh) * 2022-06-02 2023-12-07 华为技术有限公司 晶圆处理装置和晶圆处理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100459095C (zh) * 2006-12-28 2009-02-04 上海交通大学 基于多传感器数据融合的硅片预定位系统
CN103496590A (zh) * 2013-10-14 2014-01-08 吴江市博众精工科技有限公司 一种吸料机构
US9766105B2 (en) 2014-07-02 2017-09-19 Cnh Industrial America Llc Device and method for detecting blockages in an agricultural sprayer
CN107830783A (zh) * 2017-09-29 2018-03-23 山东大学 面向微纳操控的三自由度位移测量装置和方法
CN107830783B (zh) * 2017-09-29 2019-12-03 山东大学 面向微纳操控的三自由度位移测量装置和方法
CN109870885A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 山东华光光电子股份有限公司 一种手动光刻机的预对准方法及预对准装置
WO2023232132A1 (zh) * 2022-06-02 2023-12-07 华为技术有限公司 晶圆处理装置和晶圆处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6624433B2 (en) Method and apparatus for positioning substrate and the like
JP2829642B2 (ja) 露光装置
JP3757430B2 (ja) 基板の位置決め装置及び露光装置
US6577382B2 (en) Substrate transport apparatus and method
US5194743A (en) Device for positioning circular semiconductor wafers
JP3203719B2 (ja) 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JP2560371B2 (ja) 基板処理システム
JPH10214783A (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
JP2646412B2 (ja) 露光装置
US5812271A (en) Reticle pre-alignment apparatus and method thereof
JP3335126B2 (ja) 面位置検出装置及びそれを用いた走査型投影露光装置
KR19990045161A (ko) 위치맞춤장치 및 투영노광장치
JPH1022369A (ja) 基板のプリアライメント装置
JPH11284052A (ja) 基板搬送方法、基板搬送装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JPH0311539B2 (ja)
JP3180357B2 (ja) 円形基板の位置決め装置および方法
JP2000228347A (ja) 位置決め方法及び露光装置
JP2003156322A (ja) 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JPH08236419A (ja) 位置決め方法
JP2015023233A (ja) マーク検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP3290233B2 (ja) 位置合わせ方法
JPH0774084A (ja) 基板処理装置
JPH10247681A (ja) 位置ずれ検出方法及び装置、位置決め装置並びに露光装置
JP2003060000A (ja) 基板搬送装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3204253B2 (ja) 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いてデバイスを製造する方法