JP2610815B2

JP2610815B2 - 露光方法

Info

Publication number: JP2610815B2
Application number: JP20727685A
Authority: JP
Inventors: 敦史山口; 眞一長谷川
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1985-09-19
Filing date: 1985-09-19
Publication date: 1997-05-14
Anticipated expiration: 2012-05-14
Also published as: US4792693A; JPS6266631A

Description

【発明の詳細な説明】（発明の技術分野）本発明はステツプ・アンド・リピート方式の露光装置
に関し、特に一枚の感光基板に複数のシヨツトを露光し
ていく途中で、マスクとなるレチクルを交換するような
使い方に適した露光装置、所謂レチクルからワーキング
・マスク等を作るためのフオトリピータに関する。

（発明の背景）通常、等倍のプロキシミテイ露光やプロジエクシヨン
露光のためのワーキング・マスクは、チツプとなる回路
パターンがマトリツクス状に複数整列したものである。
ワーキング・マスクを作るには、１チツプ（又は数チツ
プ）分の回路パターンが10倍（又は５倍）に拡大された
原画パターンを有するレチクルを用意し、このレチクル
を、1/10（又は1/5）の縮小投影レンズを備えたステツ
プ・アンド・リピート露光装置、所謂フオトリピータに
装着する。フオトリピータのxyステージには、感光剤を
塗布したマスク・ブランク（ガラス基板）が載置され、
xyステージがｘ方向、ｙ方向にステツピングすることに
よつて、マスク・ブランク上の異なる領域に原画パター
ンの1/10（又は1/5）の縮小像が順次露光されていく。
フオトリピータの場合は、ウエハステツパーとは異な
り、基本的に重ね合わせ露光は行なうことがないので、
出来上がつたワーキング・マスクのチツプ配列の精度
は、xyステージのステツピング精度に大きく依存する。
このことはウエハステツパーにおける第１層露光（フア
ースト・プリント）のときと同様である。従つて極端な
場合、xyステージのステツピング精度さえよければチツ
プ配列の精度の高いワーキング・マスクを作ることがで
きる訳である。しかしながら、ワーキング・マスク内に
は回路パターンを含むチツプ以外に、マスク・アライメ
ント用のミャークのみを含むチツプや、実素子とは異な
るテスト回路用のパターンを含むチツプを同時に作り込
むことがある。このことは１枚のマスク・ブランクを露
光するのに、複数枚のレチクルを交換する作業が必要と
なることを意味する。このレチクル交換によつて、１枚
のワーキング・マスク内のチツプ配列の精度が低下する
ことがある。その原因は、交換後のレチクルの露光装置
本体に対する絶対的なアライメント精度である。すなわ
ち、交換前のレチクルと、交換後のレチクルとの絶対的
な位置ずれが、そのままチツプ配列の精度を左右する。
この様子を第６図を参照して説明する。第６図はマスク
・ブランクMB上に配列されるシヨツトの配置を示す平面
図であり、ここではＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの異なる原画パ
ターンを有する５枚のレチクルを交換して露光する場合
を模式的に示す。まずはじめに原画パターンＤを有する
レチクルを、所定のレチクル・アライメント光学系を用
いて装置にアライメントし、装置内に予め記憶されてい
る設計上のシヨツト配置データ（シヨツトアドレス）に
基づき、直交座標xyの原点０を基準にした各露光位置に
xyステージを位置決めする。その位置計測はレーザ干渉
測長器等によつて、0.02μｍの精度で行なわれる。そし
てシヨツトD₁、D₂、D₃、D₄、D₅について順次露光を行な
う。次に原画パターンＥを有するレチクルに交換して、
そのレチクルを装置にアライメントする。そして同様に
シヨツトアドレスに基づき、シヨツトE₁、E₂、E₃につい
て順次露光を行なう。この際、xyステージの移動の基準
となる原点は前のレチクルのときと変わらないので、交
換後のレチクルにアライメント誤差かなければシヨツト
E₁、E₂、E₃は実線のように打ち込まれる。しかしながら
アライメント誤差が生じると、シヨツトE₁、E₂、E₃は破
線のように設計上のシヨツト配置からずれてしまう。以
後、原画パターンＡを有するレチクル、原画パターンＢ
を有するレチクル、及び原画パターンＣを有するレチク
ルを夫々露光する場合も、それぞれのレチクルのアライ
メント誤差が生じるため、シヨツトA₁、A₂、シヨツト
B₁、B₂、シヨツトC₁、C₂、C₃は破線のように設計上のシ
ヨツト配列からずれてしまう。このようにレチクル交換
時のアライメント誤差によつて出来上がつたワーキング
・マスクのチツプ配列精度が低下するといつた問題があ
つた。

（発明の目的）そこで本発明は、レチクル（マスク）のアライメント
誤差が感光基板上のシヨツト配列の精度を左右しないよ
うにしたステツプ・アンド・リピート方式の露光装置を
得ることを目的とする。

（発明の概要）本発明は、ステツプ・アンド・リピート露光装置にお
いて、マスク（レチクル）の装置に対する合わせ誤差に
相当する量を検出し、その値だけ、感光基板移動用のxy
ステージの原点となる位置を補正した後、そのレチクル
によるステツプ・アンド・リピート方式の露光を行うこ
とを技術的要点としている。

（実施例）第１図は本発明の第１の実施例による露光装置の概略
的な構成を示す図である。所定の回路パターン以外に、
アライメント用のマークRMを有するレチクルＲは、レチ
クルステージ１の上に載置され、レチクルステージ１
は、本体の一部であるコラム２上をｘ、ｙ方向に微動可
能に設けられている。レチクルステージ１の移動はモー
タ３によつて行なわれ、このモータ３はレチクル制御回
路４によつてドライブされる。一方、レチクルＲのマー
クRMの上方には、ミラー５、対物レンズ６、及び所定の
検出中心を有する光電検出装置７とから成るレチクル・
アライメント顕微鏡が設けられている。このレチクル・
アライメント顕微鏡は本体に固定されている。光電検出
装置７は、所定の検出中心に対するマークRMの像のずれ
に応じたアライメント信号ASを出力する。レチクル制御
回路４は、アライメント信号ASを入力して、マークRMと
所定の検出中心との位置ずれが零になるようにモータ３
をサーボ駆動する。

一方、レチクルＲの回路パターンの像は、入射瞳ePと
レチクルＲと垂直な光軸AXとを有する投影レンズ８を介
して、感光基板としてのマスク・ブランクMB上に結像す
る。マスク・ブランクMBはｘ、ｙ方向に２次元移動する
ステージ９の上に載置され、ステージ９の移動はモータ
10によつて行なわれる。またステージ９は焦点合わせの
ためｚ方向（光軸方向）に微動する。このモータ10はス
テージ制御回路11によつてドライブされる。このステー
ジ９の上にはレチクルＲ上のマークRMと同様の形状をし
た基準マークFMが設けられている。この基準マークFM
は、レチクル・アライメント顕微鏡の検出中心の投影点
Prと一致するように位置決めされたとき、光電検出装置
７によつて、マークRMと全く同じに検出される。さて、
ステージ９の２次元的な位置（座標値）はレーザ干渉測
長器（以下単に干渉計と呼ぶ）12によつて検出され、そ
の位置情報PIはコンピユータを含む演算処理部13に出力
される。演算処理部13には、シヨツトデータ記憶部14が
接続され、ここにはマスク・ブランクMB上に露光すべき
全てのシヨツトの配列位置（座標値）が記憶されてい
る。演算処理部13はステツプ・アンド・リピートの露光
時に、記憶部14からシヨツト配置位置情報を読み込み、
位置情報PIが、その配置位置と一致するような、制御信
号をステージ制御回路11に出力し、ステージ９をサーボ
駆動する。また演算処理部13は、ステージ９を任意の位
置に移動させるための制御信号もステージ制御回路11に
出力する。さらに演算処理部13はレチクルＲのアライメ
ント誤差相当分を検出するために、アライメント信号AS
を入力するとともに、シヨツト打ち込みのための原点と
なる位置を補正する演算を行なう機能も備えている。

さて本実施例では、アライメント誤差の要因となるレ
チルク・アライメント顕微鏡のドリフト、すなわち装置
本体に対する検出中心のずれを検出することによつて、
間接的にレチクルＲのアライメント誤差を求めるものと
する。そこで第２図のフローチヤート図を参照して、本
実施例の動作を説明する。本実施例では、説明を簡単に
するため、２枚のレチクルを用いて露光を行なう場合に
ついて述べる。もちろん、それ以上の枚数のレチクルを
交換して使つても、まつたく同様である。

〔ステツプ100〕ここでは、レチクルステージ１に１枚目のレチクルＲ
を載置して、レチクル制御回路４、モータ３によつて、
レチルクＲを所定の位置に粗くアライメントする。この
プリ・アライメントの際は、マークRMがレチクル・アラ
イメント顕微鏡の検出視野から少しずれるような位置に
レチクルＲが位置決めされる。すなわちマークRMの周辺
の透明部を介して、レチクルアライメント顕微鏡が投影
レンズ８の結像面に位置した物体を検出できるようにす
る。

〔ステツプ101〕次に演算処理部13は、ステージ制御回路11、モータ10
を駆動して、基準マークFMがレチクル・アライメント顕
微鏡の投影点Prとアライメントされるようにステージ９
を位置決めする。投影点Prのステージ移動座標系におけ
る位置は、レチクル・アライメント顕微鏡が固定されて
いるので、予め設計情報としてわかつている。そして基
準マークFMがレチクル・アライメント顕微鏡の検出視野
内に位置したところで、演算処理部13はアライメント信
号ASを読み込み、検出中心と基準マークFMとが一致する
ように、モータ10をサーボ制御してステージ９を精密に
位置決めする。

〔ステツプ102〕演算処理部13はアライメント信号ASを読み込んでいる
間で、その信号がアライメント達成を表わす零（又は零
を含む所定範囲内のレベル）になつたことを検知したと
き、そのときステージ９の座標値（RX₁,RY₁）を干渉計1
2からの位置情報PIから読み込み、記憶する。この座標
値（RX₁,RY₁）はレチクル・アライメント顕微鏡の検出
中心のステージ移動座標系における投影位置であり、干
渉計12の分解能に相当する精度（0.02μｍ）で計測され
ることになる。尚、座標値（RX₁,RY₁）にはレチクル・
アライメント顕微鏡の検出中心の絶対的な位置に対する
ドリフト分が含まれることになる。

〔ステツプ103〕次に演算処理部13はステツプ・アンド・リピートの露
光時におけるステージ９の原点となる位置の補正を行な
う。これは機械的に原点を補正するものではなく、原点
として記憶されている座標値を計算上で修正するもので
ある。この様子を第３図を用いて説明する。第３図にお
いて座標系xyは干渉計12によつて規定されるステージ９
の移動座標系であり、その機械的な原点はＯである。１
枚目のレチクルＲによるシヨツト領域をRS₁で表わし、
その中心をN₁として、このレチクルＲをアライメントし
たときのレチクル・アライメント顕微鏡の検出中心を
A₁、B₁とする。

この第３図では検出中心が２ヶ所になつており、第１
図のように１つのレチクルアライメント顕微鏡のみでは
そのような配置は実現不可能であるが、第３図は説明を
簡単にするために検出中心を模式的に表わしたものに過
ぎない、もちろんレチクル・アライメント顕微鏡を第３
図のように２ヶ所に配置してもよい訳である。ただし、
レチクル上のマークRMや基準マークを十字状にして、光
電検出装置７がそれに十字状マークのｘ方向、及びｙ方
向の位置ずれを検出するような２方向の検出中心を有し
ているならば、第１図のように１つのレチクル・アライ
メント顕微鏡でもよい訳である。さて、第３図におい
て、検出中心A₁はマークRM、FMのｘ方向のアライメント
を行なうものであり、検出中心B₁はマークRM、FMのｙ方
向のアライメントを行なうものである。また検出中心A₁
のｘ座標値RX₁と検出中心B₁のｙ座標値RY₁とは、レチク
ルＲの投影中心、すなわちシヨツトN₁の位置と一致する
ように示されているが、これは特に必要なことではな
い。

また第３図において、検出中心A₀、B₀はレチクル・ア
ライメント顕微鏡にドリフトが生じていない場合の理想
的な絶対位置を表わし、その時にアライメントされたレ
チクルによるシヨツト領域をRS₀、そのシヨツト中心をN
₀としてある。ドリフトのない場合の検出中心A₀、B₀の
絶対的な座標値は（RX₀,RY₀）であるものとする。この
座標値（RX₀,RY₀）は説明上は定義できるものである
が、実際の装置においては、レチクル・アライメント顕
微鏡がドリフトしたか否かは直接知ることができず、計
測できるのは専ら座標値（RX₁,RY₁）のみである。今、
仮にドリフトによる検出中心のずれが（−Δx,Δｙ）で
あるものとすると、従来のフオトリピータではステツプ
・アンド・リピート露光の際の原点が座標系xy上で固定
された座標値に定められていたため、あるシヨツトの原
点に対する配置データＸ（V_n,Y_n）が与えられると、ド
リフト分（−Δｘ、Δｙ）とは無関係に、ステージ９は
位置N₀に位置決めされていた。このため、マスク・ブラ
ンクMB上に打たれるシヨツトはドリフト分（−Δx,Δ
ｙ）だけ絶対的な位置からずれて配置されることにな
る。そこで本実施例では、以下の式（１）、（２）のよ
うに、検出A₁、B₁の座標値（RX₁,RY₁）と不変の一定値
（定数）CONT_x、CONT_yとの差によつて原点P₁の座標値
（CT_x1,CT_y1）を規定するものとする。

CT_x1＝RX₁−CONT_x ……（１） CT_y1＝RY₁−CONT_y ……（２）尚、CONT_x、CONT_yは任意の値でかまわないが、例えば
ドリフト相当分程度の値に定められる。

上記（１）、（２）式のように原点を規定するものと
すると、ドリフトがなかつた場合の原点P₀の座標値（CT
_x0,CT_y0）は以下の式（３）、（４）のように定められ
る。

CT_x0＝RX₀−CONT_x ……（３） CT_y0＝RY₀−CONT_y ……（４）ここで（RX₁,RY₁）と（RX₀,RY₀）とはドリフト（−Δ
x,Δｙ）によつて、RX₁＝RX₀−Δｘ、RY₁＝RY₀＋Δｙな
る関係にあるから、結局原点P₁はドリフトのない時の原
点P₀に対して、ドリフト分（−Δx,Δｙ）だけ補正され
ることになる。よつて、ドリフトがどのように生じて
も、マスク・ブランクMB上に打たれるシヨツトは、補正
された原点P₁に対して（X_n,Y_n）の位置に配列されるか
ら、マスク・ブランクMB上では絶対的な位置ずれは皆無
となる。

〔ステツプ104〕さて、原点の規定が終了すると、アライメント信号AS
に基づいて、マークRMがレチクル・アライメント顕微鏡
の検出中心と一致するようにレチクルステージ１がサー
ボ制御される。このとき基準マークFMは検出視野から退
避している。そして精密にアライメントされたら、レチ
クルステージ１をコラム２に真空吸着し、装置本体に固
定する。

〔ステツプ105〕次に演算処理部13は、シヨツト配置データＶ（X_n,
Y_n）を読み込む。これはステツプ・アンド・リピート露
光時のステージ９の原点（ステツプ103で規定された原
点P₁）を基準にした距離として記憶されているものであ
る。

〔ステツプ106〕次に演算処理部13はシヨツト配置データＶと原点P₁と
の加算を行ない、シヨツト位置（露光位置）を算出す
る。求めるべきシヨツト位置をC_nとして座標値（C_xn,C
_yn）で表わすと、以下の式（５）、（６）によつて算出
される。

C_xn＝CT_x1＋X_n ……（５） C_yn＝CT_y1＋Y_n ……（６）尚、サフィックスのｎはシヨツトの番地を表わすもの
とする。

〔ステツプ107〕次に演算処理部13は、干渉計12からの位置情報PIがシ
ヨツト位置C_nと一致するように、ステージ制御回路11を
介してモータ10をサーボ制御してステージ９を位置決め
する。

〔ステツプ108〕次に不図示の照明光をレチクルＲに照射して、シヨツ
ト位置C_nにおいて回路パターン像をマスク・ブランクMB
に露光（プリント）する。

〔ステツプ109〕そして、露光すべき次のシヨツトがあるか否かを判断
して、１枚目のレチクルによるシヨツトが全て露光され
たときはステツプ110に進み、残りのシヨツトがあると
きは、先のステツプ105に戻り同様のシーケンスによつ
て露光が繰り返される。上記ステツプ105から109まで
が、所謂ステツプ・アンド・リピート露光の基本的な制
御部分である。

〔ステツプ110〕さて、１枚目のレチクルによるシヨツトが全て露光さ
れると、次のレチクルに変換するか否かを判断する。こ
こでは２枚目のレチクルを使うので、ステツプ111に進
む。

〔ステツプ111〕ここで、１枚目のレチクルを取り出し、２枚目のレチ
クルをレチクルステージ１上に載置する。

そして、その後、先のステツプ100から全く同様のシ
ーケンスが実行される。尚、レチクル交換の後も干渉計
12によつて規定される座標系xyは、１枚目のレチクルの
露光時のときの状態のまま保存されている。２枚目のレ
チクルによる露光は、１枚目のレチクルによる露光シヨ
ツト以外の領域、あるいは同一のシヨツト領域に対して
行なわれるが、レチクル・アライメント顕微鏡のドリフ
トの影響によるシヨツト配列の誤差は、実用上無視し得
る程度までに小さくなる。

以上本発明の第１実施例においては、原点の規定を、
レチクル・アライメント顕微鏡の検出中心（RX₁,RX₂）
と一定値（CONT_x,CONT_y）との差として求めることによ
り、検出中心のドリフトの影響を補正したが、検出中心
（RX₁,RX₂）と一定値（CONT_x,CONT_y）との和として求め
ても同様の効果が得られる。

次に本発明の第２の実施例による露光装置の概略的な
構成を第４図を参照して説明する。本実施例が先の第１
実施例の装置と異なる点は、ステージ９の上に、投影レ
ンズ８の結像面と一致するような表面を備えたスリツト
板30を設け、このスリツト板30の下に光電素子31を配置
したことである。このスリツト板30は第５図に示すよう
に、ｘ方向とｙ方向との夫々に伸びたスリツトSL_y、SL_x
を有し、このスリツトSL_y、SL_xを透過した光が光電素子
31に受光される。またスリツト板30には、レチクル・ア
ライメント顕微鏡の検出中心位置を計測する際に使われ
る基準マークFM_x、FM_yも形成されている。

一方、レチクルＲにはスリツトSL_y、SL_xによつて検出
され得るスリツト状のマークＳが、回路パターンの周辺
部に形成される。このようなスリツト板30、光電素子31
によつて、レチクルＲに形成されたマークＳ（又はマー
クRM）の投影像をステージ９の移動により走査し、マー
クＳ（又はRM）の投影位置P_s（又はP_r）を検出するもの
であり、その具体的な検出方法については特開昭59−74
625号公報に詳しく開示されているので、ここでは説明
を省略する。

さて、このようにステージ９に光電スリツトが設けら
れていると、レチクルＲのアライメント誤差が直接検出
できる。そこで以下にその手順を簡単に説明する。

第２図に示した第１実施例のフローチヤートとのちが
いは、ステツプ104の「レチクル・アライメント」の際
に、光電スリツトSL_x、SL_yを用いてレチクルＲのマーク
Ｓの投影位置の計測を行ない、さらに精密な原点補正を
行なうことだけである。通常、アライメント信号ASに基
づいて、そのレベルが零になるようにモータ３を駆動し
てレチクルＲを位置決めしてサーボ・ロツクした状態に
おいては、レチクル・アライメント顕微鏡の検出中心と
マークRMとの合わせ誤差は、投影像面上では実用上無視
できる程度に小さくすることができる。ところがその
後、レチクルステージ１をコラム２に真空吸着する際、
ｘ方向、又はｙ方向に微小量だけレチクルステージ１が
ずれてしまうことがある。

そこでまず、レチクルＲをアライメント信号ASに基づ
いてサーボロツクした状態で、ステージ９を移動させて
光電スリツトSL_y、SL_xによりマークＳの投影像を検出
し、その位置P_S1干渉計12によつて0.02μｍの精度で検
出する。そしてレチクルステージ１をコラム２に真空吸
着した後、再びマークＳの投影像の位置P_S2を光電スリ
ツトSL_y、SL_xを用いて検出する。位置P_S1とP_S2に変化が
なければ、真空吸着時のずれはなかつたことになる。も
し、ずれが生じた場合、演算処理部13は位置P_S1とP_S2と
の差分ΔP_Sを求める。この差分ΔP_SがレチクルＲそのも
ののアライメント誤差分であり、ステツプ103で規定さ
れた原点位置（CT_x,CT_y）に対して、さらにΔP_S（Δ
P_Sx,ΔP_Sy）だけ補正した位置を原点として規定すれば
よい。

このようにすれば、レチクル・アライメント顕微鏡の
ドリフトと、レチクルステージ１の固定時のずれとの両
方を要因とするレチクル・アライメント誤差を補正した
ことになり、マスク・ブランクMB上でのシヨツト配列の
精度をさらに向上する。

（発明の効果）以上本発明によれば、感光基板上に配列すべきシヨツ
トが、ステージのステツピング精度のみに依存した精度
で配置され、レチクル（マスク）の装置に対する合わせ
誤差によつて、シヨツト配列精度を悪化させないといつ
た効果が得られる。特に１枚の感光基板に対して複数枚
のレチクルを交換して露光を行なうフオトリピータ等に
おいては、出来上がつたワーキング・マスクの精度を著
しく向上させることができ、複数枚のワーキング・マス
ク同志を重ね合わせ露光に使う場合でも、ウエハ上に形
成されたチツプ毎の重ね合わせ精度が向上し、製造され
たチツプの良品率が高まるといつた効果が得られる。

〔主要部分の符号の説明〕

Ｒ……レチクル MB……マスク・ブランク５……ミラー６……対物レンズ７……光電検出装置８……投影レンズ９……ステージ 12……レーザ干渉測長器 13……演算処理部 30……スリツト板 31……光電素子 FM……基準マーク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭60−173550（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−160613（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−80724（ＪＰ，Ａ) 特開昭56−114320（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−18950（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−161815（ＪＰ，Ａ) 特公昭50−21232（ＪＰ，Ｂ１)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】２次元方向に移動可能な基板ステージ上に
載置された感光基板を該基板ステージの移動座標系の原
点を基準として移動させて、第１のマスクに形成された
第１の原画パターンの像を感光基板上のショット領域毎
に形成するとともに第２のマスクに形成された第２の原
画パターンの像を該ショット領域に重ねて形成する露光
方法において、前記第１のマスクと第２のマスクの交換毎に、前記基板
ステージ上の所定位置に設けられた基準マークと前記基
板ステージの移動座標系における前記基板ステージの位
置を検出する位置検出系とを使って、前記マスクを介し
て前記基準マークを検出可能なアライメント系の検出中
心に前記基準マークがアライメントされた時の前記基板
ステージ位置を検出する工程と；前記アライメント系の検出中心に対して前記マスク上の
アライメントマークを位置合わせするために前記マスク
を載置するマスクステージを微動する工程と；前記検出された検出中心の位置と予め定められた一定値
との和もしくは差に基づいて、前記検出中心の位置と前
記原点の位置との関係が一定となるように、前記原点の
位置を算出する工程と；予め定められた前記ショット領域の配置データに基づい
て、前記算出された原点位置を基準に前記基板ステージ
を移動する工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】２次元方向に移動可能な基板ステージ上に
載置された感光基板を該基板ステージの移動座標系の原
点を基準として移動させて、第１のマスクに形成された
第１の原画パターンの像を感光基板上のショット領域毎
に形成するとともに第２のマスクに形成された第２の原
画パターンの像を該ショット領域に重ねて形成する露光
方法において、前記第１のマスクと第２のマスクの交換毎に、前記基板
ステージ上の所定位置に設けられた基準マークと前記基
板ステージの移動座標系における前記基板ステージの位
置を検出する位置検出系とを使って、前記マスクを介し
て前記基準マークを検出可能なアライメント系の検出中
心に前記基準マークがアライメントされた時の前記基板
ステージ位置を検出する工程と；前記アライメント系の検出中心に対して前記マスク上の
アライメントマークを位置合わせするために前記マスク
を載置するマスクステージを微動する工程と；前記検出された検出中心の位置と予め定められた一定値
との和もしくは差に基づいて、前記検出中心の位置と前
記原点の位置との関係が一定となるように、前記原点の
位置を算出する工程と；前記マスクが前記マスクステージに固定される前後で生
じる前記マスクの位置ずれ量を計測する工程と；前記位置ずれ量に基づいて、前記算出された原点位置を
補正する工程と；予め定められた前記ショット領域の配置データに基づい
て、前記補正された原点位置を基準に前記基板ステージ
を移動する工程とを有することを特徴とする露光方法。