JP3320262B2 - 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP3320262B2 JP3320262B2 JP17206795A JP17206795A JP3320262B2 JP 3320262 B2 JP3320262 B2 JP 3320262B2 JP 17206795 A JP17206795 A JP 17206795A JP 17206795 A JP17206795 A JP 17206795A JP 3320262 B2 JP3320262 B2 JP 3320262B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- exposure
- pattern
- substrate
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査露光装置及び方
法並びにそれを用いたデバイス製造方法に関し、特には
半導体装置や液晶表示パネル等のデバイスの製造工程に
おいて、マスク上のパターンを感光基板上に走査投影露
光する走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイ
ス製造方法に関するものである。
法並びにそれを用いたデバイス製造方法に関し、特には
半導体装置や液晶表示パネル等のデバイスの製造工程に
おいて、マスク上のパターンを感光基板上に走査投影露
光する走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイ
ス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、微細なパターンを使用している半
導体装置（素子）や液晶表示パネル等のデバイスを製造
するためのフォトリソグラフィー工程では、レチクルと
呼ばれるマスクのパターンをウエハ等の半導体基板やガ
ラス基板上に塗布されている感光層（例えばフォトレジ
スト）に露光し転写する逐次移動式露光装置、所謂“ス
テッパ”が使用されている。
導体装置（素子）や液晶表示パネル等のデバイスを製造
するためのフォトリソグラフィー工程では、レチクルと
呼ばれるマスクのパターンをウエハ等の半導体基板やガ
ラス基板上に塗布されている感光層（例えばフォトレジ
スト）に露光し転写する逐次移動式露光装置、所謂“ス
テッパ”が使用されている。
【０００３】ここ数年は、ＤＲＡＭ等の集積率を高め
る、また歩留を高める等の半導体デバイスメーカーの要
求に応えるため、ステッパメーカーは、転写パターンの
微細化と大画面化の方向で投影光学系を開発してきた。
しかし、パターンの微細化と大画面化が進むにつれ、投
影光学系の設計や生産難易度が高まるという問題を生ん
でいる。
る、また歩留を高める等の半導体デバイスメーカーの要
求に応えるため、ステッパメーカーは、転写パターンの
微細化と大画面化の方向で投影光学系を開発してきた。
しかし、パターンの微細化と大画面化が進むにつれ、投
影光学系の設計や生産難易度が高まるという問題を生ん
でいる。
【０００４】現在、微細化に対する一つの解として、露
光光源の短波長化が挙げられる。今迄主流であった超高
圧水源ランプの輝線であるｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）
に代わり、２５６ＭＤＲＡＭにおいてはエキシマレーザ
ー（波長λ＝２４８ｎｍ）が導入されようとしている。
光光源の短波長化が挙げられる。今迄主流であった超高
圧水源ランプの輝線であるｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）
に代わり、２５６ＭＤＲＡＭにおいてはエキシマレーザ
ー（波長λ＝２４８ｎｍ）が導入されようとしている。
【０００５】それに対し上述の問題を解決する他の一つ
の方法として、マスクとウエハを投影光学系の倍率に応
じた速度比で互いに逆方向に走査しながら露光を行う露
光装置が提案されている。
の方法として、マスクとウエハを投影光学系の倍率に応
じた速度比で互いに逆方向に走査しながら露光を行う露
光装置が提案されている。
【０００６】この方法だと、例えばステッパは２２×２
２ｍｍの露光領域に対し、走査露光装置では露光領域が
２６×３３ｍｍとなり、１４×２５ｍｍ位の大きさであ
る初期の２５６ＭＤＲＡＭなら１ショットで１チップ取
り、１１×２０ｍｍ位の大きさである２５６ＭＤＲＡＭ
のシュリンク版なら３チップ取りが可能となる。また６
４ＭＤＲＡＭを４個つなげ２５６ＭＤＲＡＭにするマル
チチップなる手法も提案されており、１ショットに数チ
ップを作成するという手法は今後も半導体素子製造に多
用される。
２ｍｍの露光領域に対し、走査露光装置では露光領域が
２６×３３ｍｍとなり、１４×２５ｍｍ位の大きさであ
る初期の２５６ＭＤＲＡＭなら１ショットで１チップ取
り、１１×２０ｍｍ位の大きさである２５６ＭＤＲＡＭ
のシュリンク版なら３チップ取りが可能となる。また６
４ＭＤＲＡＭを４個つなげ２５６ＭＤＲＡＭにするマル
チチップなる手法も提案されており、１ショットに数チ
ップを作成するという手法は今後も半導体素子製造に多
用される。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】ところで、ウエハ
を無駄なく利用するためには、ウエハ全面にパターンの
露光を行うことが有効である。この場合には、例えば２
５６ＭＤＲＡＭシュリンク版だと全面露光しない場合と
比較し、数チップ多く生産できることになる。ウエハ全
面にパターンの露光を行う場合、図１１に示すウエハ４
の斜線部Ｓは、ウエハ４の縁がかかっているため、例え
ここにパターン転写を行ったとしても素子として利用す
ることができない。
を無駄なく利用するためには、ウエハ全面にパターンの
露光を行うことが有効である。この場合には、例えば２
５６ＭＤＲＡＭシュリンク版だと全面露光しない場合と
比較し、数チップ多く生産できることになる。ウエハ全
面にパターンの露光を行う場合、図１１に示すウエハ４
の斜線部Ｓは、ウエハ４の縁がかかっているため、例え
ここにパターン転写を行ったとしても素子として利用す
ることができない。
【０００８】それにもかかわらず、上述の走査露光装置
でウエハ全面にパターンの露光を行う場合には、走査時
間が無駄となり、スループットを落とす原因となる。更
に、半導体素子として利用できないウエハ領域を余分に
露光することにより、光源の寿命が意味無く減ってしま
うという問題もある。特にエキシマレーザーのような高
価な光源を露光用光源として利用する場合には、そのパ
ルス寿命が減少してしまうということは特に大きな問題
となる。
でウエハ全面にパターンの露光を行う場合には、走査時
間が無駄となり、スループットを落とす原因となる。更
に、半導体素子として利用できないウエハ領域を余分に
露光することにより、光源の寿命が意味無く減ってしま
うという問題もある。特にエキシマレーザーのような高
価な光源を露光用光源として利用する場合には、そのパ
ルス寿命が減少してしまうということは特に大きな問題
となる。
【０００９】また、１ショット単位で露光をする場合に
は、フォーカスの測定も１ショット単位で行わなければ
ならず、ウエハ周辺の基板のなくなる部分の取扱が複雑
化してしまう。
は、フォーカスの測定も１ショット単位で行わなければ
ならず、ウエハ周辺の基板のなくなる部分の取扱が複雑
化してしまう。
【００１０】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
ので、その目的は感光基板上に高いスループットで無駄
なくパターンを転写できる走査露光装置及び方法並びに
デバイス製造方法を提供することにある。
ので、その目的は感光基板上に高いスループットで無駄
なくパターンを転写できる走査露光装置及び方法並びに
デバイス製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の走査露光装置は、原画パターンが形成され
たマスクを保持して走査方向に沿って往復移動可能なマ
スクステージと、前記原画パターンを所定の倍率で感光
基板上に投影する投影光学系と、前記感光基板を保持し
て前記走査方向に沿って往復移動可能な基板ステージと
を備え、前記マスクステージと前記基板ステージを前記
所定の倍率に応じた速度比で同時に移動させることによ
って前記原画パターンを前記感光基板上に露光する走査
露光装置において、前記感光基板上のチップレイアウト
を前記原画パターンのチップ構成、チップサイズの情報
から決定し、その決定されたチップレイアウトに応じて
一括走査を行う回数（ショット回数）が最小になるよう
に前記一括走査領域（ショット領域）を決める機能を有
することを特徴としている。また、前記決定されたチッ
プレイアウトと前記一括走査領域は走査露光に先立って
予め記録され、その記録に従ってステップアンドスキャ
ン露光を実行すると好ましい。また、前記マスク近傍あ
るいは前記マスクの共役面に前記走査方向に沿って往復
移動可能な遮光板を設け、前記遮光板は前記原画パター
ンを前記感光基板上に走査露光する時、前記マスク上の
露光領域境界と共に前記マスクとの倍率に応じた速度比
で同時に移動すると好ましい。
に、本発明の走査露光装置は、原画パターンが形成され
たマスクを保持して走査方向に沿って往復移動可能なマ
スクステージと、前記原画パターンを所定の倍率で感光
基板上に投影する投影光学系と、前記感光基板を保持し
て前記走査方向に沿って往復移動可能な基板ステージと
を備え、前記マスクステージと前記基板ステージを前記
所定の倍率に応じた速度比で同時に移動させることによ
って前記原画パターンを前記感光基板上に露光する走査
露光装置において、前記感光基板上のチップレイアウト
を前記原画パターンのチップ構成、チップサイズの情報
から決定し、その決定されたチップレイアウトに応じて
一括走査を行う回数（ショット回数）が最小になるよう
に前記一括走査領域（ショット領域）を決める機能を有
することを特徴としている。また、前記決定されたチッ
プレイアウトと前記一括走査領域は走査露光に先立って
予め記録され、その記録に従ってステップアンドスキャ
ン露光を実行すると好ましい。また、前記マスク近傍あ
るいは前記マスクの共役面に前記走査方向に沿って往復
移動可能な遮光板を設け、前記遮光板は前記原画パター
ンを前記感光基板上に走査露光する時、前記マスク上の
露光領域境界と共に前記マスクとの倍率に応じた速度比
で同時に移動すると好ましい。
【００１２】また、操作露光方法であって、原画パター
ンが形成されたマスクを保持して走査方向に沿って往復
移動可能なマスクステージと、前記原画パターンを所定
の倍率で感光基板上に投影する投影光学系と、前記感光
基板を保持して前記走査方向に沿って往復移動可能な基
板ステージとを備え、前記マスクステージと前記基板ス
テージを前記所定の倍率に応じた速度比で同時に移動さ
せることによって前記原画パターンを前記感光基板上に
露光する走査露光方法において、前記感光基板上のチッ
プレイアウトを前記原画パターンのチップ構成、チップ
サイズの情報から決定し、その決定されたチップレイア
ウトに応じて一括走査を行う回数（ショット回数）が最
小になるように前記一括走査領域（ショット領域）を決
め走査露光を行う工程を有することを特徴としている。
また、前記決定されたチップレイアウトと前記一括走査
領域は走査露光に先立って予め記録され、その記録に従
ってステップアンドスキャン露光を実行すると好まし
い。
ンが形成されたマスクを保持して走査方向に沿って往復
移動可能なマスクステージと、前記原画パターンを所定
の倍率で感光基板上に投影する投影光学系と、前記感光
基板を保持して前記走査方向に沿って往復移動可能な基
板ステージとを備え、前記マスクステージと前記基板ス
テージを前記所定の倍率に応じた速度比で同時に移動さ
せることによって前記原画パターンを前記感光基板上に
露光する走査露光方法において、前記感光基板上のチッ
プレイアウトを前記原画パターンのチップ構成、チップ
サイズの情報から決定し、その決定されたチップレイア
ウトに応じて一括走査を行う回数（ショット回数）が最
小になるように前記一括走査領域（ショット領域）を決
め走査露光を行う工程を有することを特徴としている。
また、前記決定されたチップレイアウトと前記一括走査
領域は走査露光に先立って予め記録され、その記録に従
ってステップアンドスキャン露光を実行すると好まし
い。
【００１３】また、デバイスの製造方法であって、原画
パターンが形成されたマスクを保持して走査方向に沿っ
て往復移動可能なマスクステージと、前記原画パターン
を所定の倍率で感光基板上に投影する投影光学系と、前
記感光基板を保持して前記走査方向に沿って往復移動可
能な基板ステージとを備え、前記マスクステージと前記
基板ステージを前記所定の倍率に応じた速度比で同時に
移動させることによって前記原画パターンを前記感光基
板上に露光することによってデバイスを製造する方法に
おいて、前記感光基板上のチップレイアウトを前記原画
パターンのチップ構成、チップサイズの情報から決定
し、その決定されたチップレイアウトに応じて一括走査
を行う回数（ショット回数）が最小になるように前記一
括走査領域（ショット領域）を決める工程を有すること
を特徴としている。また、前記決定されたチップレイア
ウトと前記一括走査領域は走査露光に先立って予め記録
され、その記録に従ってステップアンドスキャン露光を
実行すると好ましい。
パターンが形成されたマスクを保持して走査方向に沿っ
て往復移動可能なマスクステージと、前記原画パターン
を所定の倍率で感光基板上に投影する投影光学系と、前
記感光基板を保持して前記走査方向に沿って往復移動可
能な基板ステージとを備え、前記マスクステージと前記
基板ステージを前記所定の倍率に応じた速度比で同時に
移動させることによって前記原画パターンを前記感光基
板上に露光することによってデバイスを製造する方法に
おいて、前記感光基板上のチップレイアウトを前記原画
パターンのチップ構成、チップサイズの情報から決定
し、その決定されたチップレイアウトに応じて一括走査
を行う回数（ショット回数）が最小になるように前記一
括走査領域（ショット領域）を決める工程を有すること
を特徴としている。また、前記決定されたチップレイア
ウトと前記一括走査領域は走査露光に先立って予め記録
され、その記録に従ってステップアンドスキャン露光を
実行すると好ましい。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【作用】本発明によると、走査露光において、ウエハ周
辺での露光を１ショット分行うのではなく、取れるチッ
プ分のみ露光するようになる。また、上記のマルチチッ
プの場合には、例えば２５６ＭＤＲＡＭにおいては、６
４ＭＤＲＡＭ分を１チップ分と見なして露光を行なうよ
うにすることができる。
辺での露光を１ショット分行うのではなく、取れるチッ
プ分のみ露光するようになる。また、上記のマルチチッ
プの場合には、例えば２５６ＭＤＲＡＭにおいては、６
４ＭＤＲＡＭ分を１チップ分と見なして露光を行なうよ
うにすることができる。
【００１８】そのためには、チップの構成やサイズを踏
まえ、一番多くチップが取れるようにレイアウト設計を
行なえば良い。そして、その領域を走査露光する際、例
えば１ショット３チップのうち１チップのみ露光する場
合には、露光のための走査を１チップ分のみ行ない、そ
れ以上は走査しない。これにより、余計な領域の走査が
省けるため、スループットを向上することができ、且つ
不必要な露光も防止できるため、光源の寿命もその分伸
びる。
まえ、一番多くチップが取れるようにレイアウト設計を
行なえば良い。そして、その領域を走査露光する際、例
えば１ショット３チップのうち１チップのみ露光する場
合には、露光のための走査を１チップ分のみ行ない、そ
れ以上は走査しない。これにより、余計な領域の走査が
省けるため、スループットを向上することができ、且つ
不必要な露光も防止できるため、光源の寿命もその分伸
びる。
【００１９】また、ウエハ周辺におけるフォーカスの測
定も、ウエハ外の露光領域が存在しないため、必ず基板
上で測定が行なわれる。従って、周辺における特別な取
扱は無くなり、それに伴う測定エラーも減少する。
定も、ウエハ外の露光領域が存在しないため、必ず基板
上で測定が行なわれる。従って、周辺における特別な取
扱は無くなり、それに伴う測定エラーも減少する。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係わる投影露光装
置の一実施例を示すものであり、この実施例はステップ
アンドリピート方式でウエハの移動と露光を繰り返すと
共に、ウエハ上の各ショットの露光を走査露光により行
う所謂ステップアンドスキャン方式の投影露光装置を示
している。
置の一実施例を示すものであり、この実施例はステップ
アンドリピート方式でウエハの移動と露光を繰り返すと
共に、ウエハ上の各ショットの露光を走査露光により行
う所謂ステップアンドスキャン方式の投影露光装置を示
している。
【００２１】図１において、１は投影光学系となる縮小
投影レンズであり、その光軸ＡＸは図中のＸＹＺ座標系
のＺ軸方向に平行とされ、またその像面はＺ軸方向と垂
直な関係にある。マスクとなるレチクル２はレチクルス
テージ３上に保持され、レチクル２のパターンは縮小投
影レンズ１の倍率で１／４ないし１／２に縮小投影さ
れ、その像は縮小投影レンズ１の像面に形成される。
投影レンズであり、その光軸ＡＸは図中のＸＹＺ座標系
のＺ軸方向に平行とされ、またその像面はＺ軸方向と垂
直な関係にある。マスクとなるレチクル２はレチクルス
テージ３上に保持され、レチクル２のパターンは縮小投
影レンズ１の倍率で１／４ないし１／２に縮小投影さ
れ、その像は縮小投影レンズ１の像面に形成される。
【００２２】４は感光基板となる表面にフォトレジスト
が塗布された半導体ウエハであり、先の露光工程で形成
された多数個の被露光領域（以降ショット領域と呼ぶ）
が配列されている。５はウエハ４を載置するステージ
で、ウエハ４をウエハステージ５に吸着し固定するチャ
ック、Ｘ軸方向とＹ軸方向に各々水平移動可能なＸＹス
テージ、投影レンズ１の光軸方向であるＺ軸方向への移
動やＸ軸、Ｙ軸方向の軸回りに回転可能なレベリングス
テージ、Ｚ軸の軸回りに回転可能な回転ステージにより
構成されており、投影レンズ１によるレチクル２のパタ
ーンの投影像をウエハ４上のショット領域に合致される
ための６軸補正系を構成している。
が塗布された半導体ウエハであり、先の露光工程で形成
された多数個の被露光領域（以降ショット領域と呼ぶ）
が配列されている。５はウエハ４を載置するステージ
で、ウエハ４をウエハステージ５に吸着し固定するチャ
ック、Ｘ軸方向とＹ軸方向に各々水平移動可能なＸＹス
テージ、投影レンズ１の光軸方向であるＺ軸方向への移
動やＸ軸、Ｙ軸方向の軸回りに回転可能なレベリングス
テージ、Ｚ軸の軸回りに回転可能な回転ステージにより
構成されており、投影レンズ１によるレチクル２のパタ
ーンの投影像をウエハ４上のショット領域に合致される
ための６軸補正系を構成している。
【００２３】図１における１０，１１，１２，１３はウ
エハ４の光軸ＡＸに沿った表面の位置及びＸＹ面に対す
る傾きを検出するためのフォーカス及びチルト検出光学
系の各要素を示している。１０は投光系であり、ここで
複数本（例えば６本）の平行光束が生成され、ミラー１
１を介してウエハ４面上の６つの測定点に導光してい
る。図１では２光束のみ図示しているが、各光束は紙面
の垂直方向に各々３光束持っている。
エハ４の光軸ＡＸに沿った表面の位置及びＸＹ面に対す
る傾きを検出するためのフォーカス及びチルト検出光学
系の各要素を示している。１０は投光系であり、ここで
複数本（例えば６本）の平行光束が生成され、ミラー１
１を介してウエハ４面上の６つの測定点に導光してい
る。図１では２光束のみ図示しているが、各光束は紙面
の垂直方向に各々３光束持っている。
【００２４】ウエハ４面上には図３に示すように複数個
のショット領域（レチクル２上のパターンが露光される
領域）が配列されている。投光系１０から出射された６
つの光束は、図２に示すように、ショット領域の互いに
独立した各測定点ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＲ１，Ｃ
Ｒ２，ＣＲ３に入射し結像している。
のショット領域（レチクル２上のパターンが露光される
領域）が配列されている。投光系１０から出射された６
つの光束は、図２に示すように、ショット領域の互いに
独立した各測定点ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＲ１，Ｃ
Ｒ２，ＣＲ３に入射し結像している。
【００２５】この時のウエハ４からの各反射光束は、ミ
ラー１２を介して受光系１３で受光される。また、この
受光系１３はウエハ４面上の各測定点ＣＬ１，ＣＬ２，
ＣＬ３，ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３と受光系１３の検出面
が互いに共役となるように倒れ補正を行なっているた
め、測定点ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＲ１，ＣＲ２，
ＣＲ３のそれぞれの局所的な傾きにより受光系１３の検
出面でのピンホール像の位置が変化することはなく、各
測定点の光軸方向ＡＸでの高さ変化に応答して受光系１
３の検出面上でピンホール像が変化する。
ラー１２を介して受光系１３で受光される。また、この
受光系１３はウエハ４面上の各測定点ＣＬ１，ＣＬ２，
ＣＬ３，ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３と受光系１３の検出面
が互いに共役となるように倒れ補正を行なっているた
め、測定点ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＲ１，ＣＲ２，
ＣＲ３のそれぞれの局所的な傾きにより受光系１３の検
出面でのピンホール像の位置が変化することはなく、各
測定点の光軸方向ＡＸでの高さ変化に応答して受光系１
３の検出面上でピンホール像が変化する。
【００２６】次に、この実施例における走査露光動作を
説明する。図１に示すようにレチクル２はステージ３に
吸着固定された後、投影レンズ１の光軸ＡＸと垂直なＸ
Ｙ面内で図１に示すＸ軸方向に一定速度でスキャンされ
ると共に、Ｙ軸方向（紙面に垂直）には常に目標座標位
置をスキャンするように補正駆動される。このレチクル
ステージ３のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報はレチク
ルステージ３に固定されたバーミラー（Ｘ，Ｙの各軸計
測用）２０へレチクル側レーザー干渉計（Ｘ，Ｙの各軸
計測用）２１からの複数のレーザービームが照射される
ことによりレーザー干渉計２１で常時計測されている。
説明する。図１に示すようにレチクル２はステージ３に
吸着固定された後、投影レンズ１の光軸ＡＸと垂直なＸ
Ｙ面内で図１に示すＸ軸方向に一定速度でスキャンされ
ると共に、Ｙ軸方向（紙面に垂直）には常に目標座標位
置をスキャンするように補正駆動される。このレチクル
ステージ３のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報はレチク
ルステージ３に固定されたバーミラー（Ｘ，Ｙの各軸計
測用）２０へレチクル側レーザー干渉計（Ｘ，Ｙの各軸
計測用）２１からの複数のレーザービームが照射される
ことによりレーザー干渉計２１で常時計測されている。
【００２７】露光照明系６は例えば不図示のエキシマレ
ーザー等のパルス光を発生する光源を使用し、不図示の
ビーム整形光学系、オプチカルインテグレーター、コリ
メータ及びミラー等の部材で構成され、遠紫外領域のパ
ルス光を効率的に透過あるいは反射する材料で形成され
ている。ここでビーム整形光学系は入射ビームの断面形
状（寸法を含む）を所望の形に整形するためのものであ
り、オプチカルインテグレーターは光束の配光特性を均
一にしてレチクル２を均一照度で照明するためのもので
ある。
ーザー等のパルス光を発生する光源を使用し、不図示の
ビーム整形光学系、オプチカルインテグレーター、コリ
メータ及びミラー等の部材で構成され、遠紫外領域のパ
ルス光を効率的に透過あるいは反射する材料で形成され
ている。ここでビーム整形光学系は入射ビームの断面形
状（寸法を含む）を所望の形に整形するためのものであ
り、オプチカルインテグレーターは光束の配光特性を均
一にしてレチクル２を均一照度で照明するためのもので
ある。
【００２８】露光照明光学系６内のマスキングブレード
３３はレチクル２の面と共役な位置に置かれ、これによ
りウエハ上のチップサイズに対応して矩形の照明領域３
４が設定される。図２に示すようにその照明領域３４で
部分照明されたレチクル２上のパターンが投影レンズ１
を介してレジストが塗布されたウエハ４上に投影され
る。
３３はレチクル２の面と共役な位置に置かれ、これによ
りウエハ上のチップサイズに対応して矩形の照明領域３
４が設定される。図２に示すようにその照明領域３４で
部分照明されたレチクル２上のパターンが投影レンズ１
を介してレジストが塗布されたウエハ４上に投影され
る。
【００２９】図１に示すメイン制御部２７はレチクル２
のスリット像をウエハ４の所定領域にＸＹ面内の位置
（Ｘ及びＹ軸方向の位置及びＺ軸に平行な軸の回りの回
転方向θ）とＺ方向の位置（Ｘ及びＹ各軸に平行な軸の
回りの回転方向α，β及びＺ軸方向の高さ位置Ｚ）を調
整しながら走査（スキャン）露光を行なうように全系を
コントロールしている。即ちレチクルパターンのＸＹ面
内での位置合わせはレチクル側レーザー干渉計２１とウ
エハステージ側レーザー干渉計２４の位置データと不図
示のアライメント顕微鏡から得られるウエハ４の位置デ
ータから制御データを算出し、レチクル位置制御系２２
及びウエハ位置制御系２５をコントロールすることによ
り実現している。
のスリット像をウエハ４の所定領域にＸＹ面内の位置
（Ｘ及びＹ軸方向の位置及びＺ軸に平行な軸の回りの回
転方向θ）とＺ方向の位置（Ｘ及びＹ各軸に平行な軸の
回りの回転方向α，β及びＺ軸方向の高さ位置Ｚ）を調
整しながら走査（スキャン）露光を行なうように全系を
コントロールしている。即ちレチクルパターンのＸＹ面
内での位置合わせはレチクル側レーザー干渉計２１とウ
エハステージ側レーザー干渉計２４の位置データと不図
示のアライメント顕微鏡から得られるウエハ４の位置デ
ータから制御データを算出し、レチクル位置制御系２２
及びウエハ位置制御系２５をコントロールすることによ
り実現している。
【００３０】レチクルステージ３を図１に示す矢印３ａ
の方向にスキャンする時、ウエハステージ５は図１に示
す矢印５ａの方向に投影レンズ１の縮小倍率分だけ補正
されたスピードでスキャンされる。レチクルステージ３
のスキャンスピードは、露光照明光学系６内のマスキン
グブレード３３のスキャン方向の幅とウエハ４の表面に
塗布されたフォトレジストの感度からスループットが有
利になるように決定される。
の方向にスキャンする時、ウエハステージ５は図１に示
す矢印５ａの方向に投影レンズ１の縮小倍率分だけ補正
されたスピードでスキャンされる。レチクルステージ３
のスキャンスピードは、露光照明光学系６内のマスキン
グブレード３３のスキャン方向の幅とウエハ４の表面に
塗布されたフォトレジストの感度からスループットが有
利になるように決定される。
【００３１】レチクルパターンとウエハ４表面のＺ軸方
向の位置合わせ、即ち像面への位置合わせは、ウエハ４
の高さデータを受光系１３の出力に基づいて検出する面
位置検出系２６の演算結果を元にウエハステージ５内の
レベリングステージへの制御をウエハ位置制御系２５を
介して行なっている。即ちスキャン方向に対して露光領
域３４（図２参照）近傍に配置されたウエハ高さ測定用
スポット光３点の高さデータからスキャン方向と垂直方
向の傾き及び光軸ＡＸ方向の高さを計算して露光位置で
の最適像面位置への補正量を求め補正を行なっている。
向の位置合わせ、即ち像面への位置合わせは、ウエハ４
の高さデータを受光系１３の出力に基づいて検出する面
位置検出系２６の演算結果を元にウエハステージ５内の
レベリングステージへの制御をウエハ位置制御系２５を
介して行なっている。即ちスキャン方向に対して露光領
域３４（図２参照）近傍に配置されたウエハ高さ測定用
スポット光３点の高さデータからスキャン方向と垂直方
向の傾き及び光軸ＡＸ方向の高さを計算して露光位置で
の最適像面位置への補正量を求め補正を行なっている。
【００３２】次に本実施例におけるショットレイアウト
決定手順を説明する。レイアウトの入力は、メイン制御
部２７に接続されている不図示の入力端末にて行なう。
入力端末からウエハ４の形状やサイズ、ショットサイ
ズ、チップサイズ、ショット内におけるチップの配置、
及びその座標等を予め入力し、不図示の記憶手段にメモ
リーしておく。入力後、端末に付随しているコンピュー
ターで記憶手段から上述の情報を呼出し、この情報から
そのウエハで作成出来る最大数のチップ配列を求める。
決定手順を説明する。レイアウトの入力は、メイン制御
部２７に接続されている不図示の入力端末にて行なう。
入力端末からウエハ４の形状やサイズ、ショットサイ
ズ、チップサイズ、ショット内におけるチップの配置、
及びその座標等を予め入力し、不図示の記憶手段にメモ
リーしておく。入力後、端末に付随しているコンピュー
ターで記憶手段から上述の情報を呼出し、この情報から
そのウエハで作成出来る最大数のチップ配列を求める。
【００３３】複数のチップで１ショットになる場合、求
めたチップ配列の組み合わせから、そのウエハの露光時
間が最小になるショット配列を求める。レイアウト決定
後に通信回線を通してレイアウト情報をメイン制御部２
７に送信し、露光時に前記レイアウトにて走査露光を行
なうようにする。
めたチップ配列の組み合わせから、そのウエハの露光時
間が最小になるショット配列を求める。レイアウト決定
後に通信回線を通してレイアウト情報をメイン制御部２
７に送信し、露光時に前記レイアウトにて走査露光を行
なうようにする。
【００３４】次に露光の手順を示す。先ず、図３中の白
抜き部のショット１０１を露光する場合について説明す
る。ショット１０１の場合、チップ１０１ａから１０１
ｃにかけて露光を行なうものとする。レチクルステージ
３とウエハステージ５を各々移動し、レチクル２とウエ
ハ４を露光開始点にセットする。この時未だ露光光のシ
ャッターは開けられていない。その後、露光光シャッタ
ーを開き、露光を開始する。露光中は、ウエハ４のフォ
ーカス、像面の傾き、及びレチクル２とウエハ４の位置
を補正しながらレチクル２及びウエハ４をスキャンす
る。１ショット分のスキャンが終了後、シャッターを閉
じ、次のショットにウエハステージ５を移動する。
抜き部のショット１０１を露光する場合について説明す
る。ショット１０１の場合、チップ１０１ａから１０１
ｃにかけて露光を行なうものとする。レチクルステージ
３とウエハステージ５を各々移動し、レチクル２とウエ
ハ４を露光開始点にセットする。この時未だ露光光のシ
ャッターは開けられていない。その後、露光光シャッタ
ーを開き、露光を開始する。露光中は、ウエハ４のフォ
ーカス、像面の傾き、及びレチクル２とウエハ４の位置
を補正しながらレチクル２及びウエハ４をスキャンす
る。１ショット分のスキャンが終了後、シャッターを閉
じ、次のショットにウエハステージ５を移動する。
【００３５】次に、図３の斜線部に示すように、ウエハ
周辺で１ショットより小さいショット、即ちチップ１つ
分（図３のチップ１０１ａの大きさ）あるいは２つ分
（図３のチップ１０１ａ，１０１ｂを合わせた大きさ）
しか取れないショットでの露光手順について説明する。
本実施例では、ウエハ中心側から外側にスキャンして露
光する場合について述べる。本実施例の場合、露光時の
スキャンは露光するチップ分のみ行なう。この時の露光
シーケンスを図５に、またこの時のレチクル２とマスキ
ングブレード３３の開口部３４の関係を図６に示す。ウ
エハ４はマスキングブレード３３に対しレチクル２と同
様に動くため、図６では省略した。また、図６において
は、１ショット３チップであり、チップＡ，Ｂ，Ｃのう
ちＡのみを露光する場合について説明を行う。
周辺で１ショットより小さいショット、即ちチップ１つ
分（図３のチップ１０１ａの大きさ）あるいは２つ分
（図３のチップ１０１ａ，１０１ｂを合わせた大きさ）
しか取れないショットでの露光手順について説明する。
本実施例では、ウエハ中心側から外側にスキャンして露
光する場合について述べる。本実施例の場合、露光時の
スキャンは露光するチップ分のみ行なう。この時の露光
シーケンスを図５に、またこの時のレチクル２とマスキ
ングブレード３３の開口部３４の関係を図６に示す。ウ
エハ４はマスキングブレード３３に対しレチクル２と同
様に動くため、図６では省略した。また、図６において
は、１ショット３チップであり、チップＡ，Ｂ，Ｃのう
ちＡのみを露光する場合について説明を行う。
【００３６】先ず、図６（Ａ）に示すようにレチクル２
上のチップＡの縁に露光領域３４の縁をセットする（Ｓ
ＴＥＰ５１）。この場合、走査方向はウエハ４の中心側
から外側に向かうため、チップＡの縁はレチクル２上の
パターンの縁になる。また、両者の縁をセットする際の
必要精度は、両者の駆動精度で十分で満たされるものと
する。また、レチクルパターンレイアウト等の関係でセ
ットの精度が、メカ精度だけでは不十分の場合、両者を
位置合わせするための機構を設けてもよい。
上のチップＡの縁に露光領域３４の縁をセットする（Ｓ
ＴＥＰ５１）。この場合、走査方向はウエハ４の中心側
から外側に向かうため、チップＡの縁はレチクル２上の
パターンの縁になる。また、両者の縁をセットする際の
必要精度は、両者の駆動精度で十分で満たされるものと
する。また、レチクルパターンレイアウト等の関係でセ
ットの精度が、メカ精度だけでは不十分の場合、両者を
位置合わせするための機構を設けてもよい。
【００３７】両者のセット完了後、露光光シャッターを
開き、露光を開始する（ＳＴＥＰ５２）。シャッター開
始と同時にレチクル２のスキャンを開始する。その際ウ
エハ４において、露光領域３４の露光される方向側にあ
るフォーカス測定点ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３でフォーカ
スを測定する。そして、測定点ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３
でそのＺ位置が測定されたウエハ４上の点が露光領域３
４内に入ったら、先に測定した値に応じてウエハ面が投
影レンズ１のベストピント面に来るように補正する。
開き、露光を開始する（ＳＴＥＰ５２）。シャッター開
始と同時にレチクル２のスキャンを開始する。その際ウ
エハ４において、露光領域３４の露光される方向側にあ
るフォーカス測定点ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３でフォーカ
スを測定する。そして、測定点ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３
でそのＺ位置が測定されたウエハ４上の点が露光領域３
４内に入ったら、先に測定した値に応じてウエハ面が投
影レンズ１のベストピント面に来るように補正する。
【００３８】その他、像面の傾き、不図示のアライメン
ト機構によりレチクルとウエハの相対位置ずれ等も補正
しつつスキャンを行う（ＳＴＥＰ５３）。スキャン中の
状態を図６（Ｂ）に示す。この様にしながら、露光領域
３４からチップＡの領域がすべて通過するまで等速にス
キャンを継続する。図６（Ｃ）に示すように、チップＡ
の全領域が露光領域３４を通過したら、露光シャッター
を閉じ、露光を終了する（ＳＴＥＰ５４）。その後、次
に露光を開始するショットに移動する（ＳＴＥＰ５
５）。この場合、算出されたレイアウト以外の部分が一
部露光されてしまうが、その部分は元々ウエハの縁で蹴
られてしまう図１１の斜線部Ｓに当たるため問題はな
い。
ト機構によりレチクルとウエハの相対位置ずれ等も補正
しつつスキャンを行う（ＳＴＥＰ５３）。スキャン中の
状態を図６（Ｂ）に示す。この様にしながら、露光領域
３４からチップＡの領域がすべて通過するまで等速にス
キャンを継続する。図６（Ｃ）に示すように、チップＡ
の全領域が露光領域３４を通過したら、露光シャッター
を閉じ、露光を終了する（ＳＴＥＰ５４）。その後、次
に露光を開始するショットに移動する（ＳＴＥＰ５
５）。この場合、算出されたレイアウト以外の部分が一
部露光されてしまうが、その部分は元々ウエハの縁で蹴
られてしまう図１１の斜線部Ｓに当たるため問題はな
い。
【００３９】このように周辺ショットにおいて、不要な
領域の露光スキャンの動作を省くことにより、スループ
ットの向上及び露光光源の長寿命化を達成出来る。
領域の露光スキャンの動作を省くことにより、スループ
ットの向上及び露光光源の長寿命化を達成出来る。
【００４０】次に本発明の第２の実施例を説明する。こ
の実施例の場合もウエハ周辺ショットでの露光に特徴が
あるものである。この実施例はウエハ周辺露光のスキャ
ン方向をウエハ外側から内側にする方法である。今回も
露光時のスキャンは、露光するチップ分のみ行なうもの
とする。
の実施例の場合もウエハ周辺ショットでの露光に特徴が
あるものである。この実施例はウエハ周辺露光のスキャ
ン方向をウエハ外側から内側にする方法である。今回も
露光時のスキャンは、露光するチップ分のみ行なうもの
とする。
【００４１】露光シーケンスを図７、またその時のレチ
クル２とマスキングブレード３３の開口部３４の関係を
図８に示す。ウエハは、マスキングブレードに対しレチ
クルと同様に動くため、図８では省略した。
クル２とマスキングブレード３３の開口部３４の関係を
図８に示す。ウエハは、マスキングブレードに対しレチ
クルと同様に動くため、図８では省略した。
【００４２】また、図８においては、１ショット３チッ
プであり、チップＡ，Ｂ，ＣのうちＡのみを露光する場
合について説明を行う。先ず、図８（Ａ）に示すように
チップＡの縁に露光領域３４の縁をセットする（ＳＴＥ
Ｐ７１）。この場合、走査方向はウエハの外側から内側
に向かうため、チップＡの縁はチップＢとの境界にな
る。また、両者の縁をセットする際の必要精度は、両者
の駆動精度で十分で満たされるものとする。また、レチ
クルパターンレイアウト等の関係でセットの精度がメカ
精度だけでは不十分の場合、両者を位置合わせするため
の機構を設けてもよい。
プであり、チップＡ，Ｂ，ＣのうちＡのみを露光する場
合について説明を行う。先ず、図８（Ａ）に示すように
チップＡの縁に露光領域３４の縁をセットする（ＳＴＥ
Ｐ７１）。この場合、走査方向はウエハの外側から内側
に向かうため、チップＡの縁はチップＢとの境界にな
る。また、両者の縁をセットする際の必要精度は、両者
の駆動精度で十分で満たされるものとする。また、レチ
クルパターンレイアウト等の関係でセットの精度がメカ
精度だけでは不十分の場合、両者を位置合わせするため
の機構を設けてもよい。
【００４３】両者のセット完了後、露光光シャッターを
開き、露光を開始する（ＳＴＥＰ７２）。シャッター開
始と同時にレチクル２のスキャンを開始する。その際ウ
エハ上において、露光領域３４の露光される方向側にあ
るフォーカス測定点ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３でフォーカ
スを測定する。そして、この測定対象点が露光領域３４
内に入ったら、先に測定した値に応じてウエハ面が投影
レンズのベストピント面に来るように補正する。
開き、露光を開始する（ＳＴＥＰ７２）。シャッター開
始と同時にレチクル２のスキャンを開始する。その際ウ
エハ上において、露光領域３４の露光される方向側にあ
るフォーカス測定点ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３でフォーカ
スを測定する。そして、この測定対象点が露光領域３４
内に入ったら、先に測定した値に応じてウエハ面が投影
レンズのベストピント面に来るように補正する。
【００４４】その他、像面の傾き、不図示のアライメン
ト機構によりレチクル２とウエハ４の相対位置ずれ等も
補正しつつスキャンを行う（ＳＴＥＰ７３）。スキャン
中の状態を図８（Ｂ）に示す。この様にしながら、露光
領域３４からチップＡの領域がすべて通過するまで等速
にスキャンを継続する。図８（Ｃ）に示すように、チッ
プＡの全領域が露光領域３４を通過したら、露光シャッ
ターを閉じ、露光を終了する（ＳＴＥＰ７４）。その
後、次に露光を開始するショットに移動する（ＳＴＥＰ
７５）。
ト機構によりレチクル２とウエハ４の相対位置ずれ等も
補正しつつスキャンを行う（ＳＴＥＰ７３）。スキャン
中の状態を図８（Ｂ）に示す。この様にしながら、露光
領域３４からチップＡの領域がすべて通過するまで等速
にスキャンを継続する。図８（Ｃ）に示すように、チッ
プＡの全領域が露光領域３４を通過したら、露光シャッ
ターを閉じ、露光を終了する（ＳＴＥＰ７４）。その
後、次に露光を開始するショットに移動する（ＳＴＥＰ
７５）。
【００４５】このように周辺ショットにおいて、不要な
領域の露光スキャンの動作を省くことにより、スループ
ットの向上、及び露光光源の長寿命化を達成出来る。
領域の露光スキャンの動作を省くことにより、スループ
ットの向上、及び露光光源の長寿命化を達成出来る。
【００４６】次に第３の実施例を説明する。この実施例
はウエハ周辺ショットの露光において、先の第１実施例
と第２実施例を組み合わせて露光するものである。これ
により、ウエハ周辺ショットにおいてもその近傍のショ
ットを露光する際のスキャン方向に応じ、スループット
を上げるため効率の良いスキャン露光を実施することが
可能となる。
はウエハ周辺ショットの露光において、先の第１実施例
と第２実施例を組み合わせて露光するものである。これ
により、ウエハ周辺ショットにおいてもその近傍のショ
ットを露光する際のスキャン方向に応じ、スループット
を上げるため効率の良いスキャン露光を実施することが
可能となる。
【００４７】次に第４の実施例を図４を用いて説明す
る。この実施例は、露光照明系６内にマスキングブレー
ド近傍あるいはマスキングブレードと共役な位置にレチ
クル２のスキャン方向と同一方向に往復移動可能な遮光
板３１が設けられている。これは１ショットの一部のみ
露光する場合、制御装置３２により露光領域境界と共に
レチクル２との倍率を反映したスキャン速度で移動す
る。このことにより、ウエハ周辺ショットにおける露光
スキャンの方向の制限を無くすものである。ウエハ周辺
ショットにおける露光手順以外は、第１実施例と同じで
ある。
る。この実施例は、露光照明系６内にマスキングブレー
ド近傍あるいはマスキングブレードと共役な位置にレチ
クル２のスキャン方向と同一方向に往復移動可能な遮光
板３１が設けられている。これは１ショットの一部のみ
露光する場合、制御装置３２により露光領域境界と共に
レチクル２との倍率を反映したスキャン速度で移動す
る。このことにより、ウエハ周辺ショットにおける露光
スキャンの方向の制限を無くすものである。ウエハ周辺
ショットにおける露光手順以外は、第１実施例と同じで
ある。
【００４８】次に、この実施例のウエハ周辺における露
光の手順を示す。露光時のスキャンは、露光するチップ
分のみ行なえばよい。但し、この場合、露光照明光学系
６内にある遮光板３１を図４に示す矢印３１ａ（レチク
ル２とマスキングブレード３３が１回結像で倒立してい
るとする）の方向に、レチクル２と遮光板３３間の結像
レンズ（不図示）の倍率分だけ補正されたスピードで露
光領域境界と共にスキャンする必要がある。なぜなら、
上記をしない場合、マスキングブレード３１が開いてい
る分余計な領域が露光されてしまうからである。従っ
て、１ショット分露光しないショットでは、遮光板３１
もレチクル２、ウエハ４と共に動かし露光スキャンを行
なう。
光の手順を示す。露光時のスキャンは、露光するチップ
分のみ行なえばよい。但し、この場合、露光照明光学系
６内にある遮光板３１を図４に示す矢印３１ａ（レチク
ル２とマスキングブレード３３が１回結像で倒立してい
るとする）の方向に、レチクル２と遮光板３３間の結像
レンズ（不図示）の倍率分だけ補正されたスピードで露
光領域境界と共にスキャンする必要がある。なぜなら、
上記をしない場合、マスキングブレード３１が開いてい
る分余計な領域が露光されてしまうからである。従っ
て、１ショット分露光しないショットでは、遮光板３１
もレチクル２、ウエハ４と共に動かし露光スキャンを行
なう。
【００４９】このように移動可能な遮光板３１を設ける
ことにより、ウエハ周辺ショットにおいて、露光スキャ
ンの方向の制限がなくなるため、より無駄のない動作を
選択することが可能となり、スループットの向上を達成
出来る。
ことにより、ウエハ周辺ショットにおいて、露光スキャ
ンの方向の制限がなくなるため、より無駄のない動作を
選択することが可能となり、スループットの向上を達成
出来る。
【００５０】次に、第５の実施例について説明する。こ
の実施例はステッパー等で露光したウエハに対し、走査
露光装置で焼きつける所謂ミックスアンドマッチに関す
るものである。この本実施例でも１ショットが３チップ
で構成されているものとして説明する。
の実施例はステッパー等で露光したウエハに対し、走査
露光装置で焼きつける所謂ミックスアンドマッチに関す
るものである。この本実施例でも１ショットが３チップ
で構成されているものとして説明する。
【００５１】図９は、ステッパーで露光されたショット
のレイアウト（７２ショット）を示す図である。斜線部
Ｔはチップの一部がウエハ４の縁にかかり、半導体製品
にならない領域である。このウエハ４を走査露光装置で
露光する場合、チップ単位でレイアウトを作り直すと、
図１０のようにするのが最小のショット数（６８ショッ
ト）となる。図９のように、ステッパーと同じショット
レイアウトで露光をすると７２ショット分露光走査を行
わねばならない。しかし、図１０のようにショットを作
成すると６８ショットとなり４ショット分の露光走査が
なくなるためその分スループットが向上する。
のレイアウト（７２ショット）を示す図である。斜線部
Ｔはチップの一部がウエハ４の縁にかかり、半導体製品
にならない領域である。このウエハ４を走査露光装置で
露光する場合、チップ単位でレイアウトを作り直すと、
図１０のようにするのが最小のショット数（６８ショッ
ト）となる。図９のように、ステッパーと同じショット
レイアウトで露光をすると７２ショット分露光走査を行
わねばならない。しかし、図１０のようにショットを作
成すると６８ショットとなり４ショット分の露光走査が
なくなるためその分スループットが向上する。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、レイアウト作成時にチ
ップ単位でレイアウトを決定することにより、不要な領
域の露光スキャンの動作を省くことが可能となり、スル
ープットを向上させることができる。また露光光源の長
寿命化も達成可能にできる。
ップ単位でレイアウトを決定することにより、不要な領
域の露光スキャンの動作を省くことが可能となり、スル
ープットを向上させることができる。また露光光源の長
寿命化も達成可能にできる。
【図１】本発明に係わる走査露光装置の一実施例を示す
図。
図。
【図２】ウエハ面における露光領域とフォーカス測定点
を示す図。
を示す図。
【図３】ウエハ面におけるショットの配列を示す図。
【図４】他の実施例を示す図。
【図５】図１の実施例の露光動作のフローチャートを示
す図。
す図。
【図６】図１の実施例の露光動作を説明するための図。
【図７】他の実施例における露光動作のフローチャート
を示す図。
を示す図。
【図８】図７の実施例の露光動作を説明するための図。
【図９】ステッパーで露光する際のショットレイアウト
の一例を示す図。
の一例を示す図。
【図１０】図９のショットレイアウトに対応する本発明
の実施例のショットレイアウトを示す図。
の実施例のショットレイアウトを示す図。
【図１１】チップを取れない部分を示したウエハ面のシ
ョット配列を示す図。
ョット配列を示す図。
１ 縮小投影レンズ ２ レチクル ３ レチクルステージ ４ ウエハ ５ ウエハステージ ６ 露光照明光学系 １０ 投光系 １３ 受光系 ２０ バーミラー ２１ レチクル側レーザー干渉計 ２２ レチクル位置制御系 ２４ ウエハステージ側レーザー干渉計 ２５ ウエハ位置制御系 ２６ 面位置検出系 ２７ メイン制御部 ３１ 遮光板 ３２ 遮光板制御系 ３３ マスキングブレード ３４ 露光領域（マスキングブレード転写部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−142362（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−101831（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (7)
- 【請求項１】 原画パターンが形成されたマスクを保持
して走査方向に沿って往復移動可能なマスクステージ
と、前記原画パターンを所定の倍率で感光基板上に投影
する投影光学系と、前記感光基板を保持して前記走査方
向に沿って往復移動可能な基板ステージとを備え、前記
マスクステージと前記基板ステージを前記所定の倍率に
応じた速度比で同時に移動させることによって前記原画
パターンを前記感光基板上に露光する走査露光装置にお
いて、前記感光基板上のチップレイアウトを前記原画パ
ターンのチップ構成、チップサイズの情報から決定し、
その決定されたチップレイアウトに応じて一括走査を行
う回数が最小になるように前記一括走査領域を決める機
能を有することを特徴とする走査露光装置。 - 【請求項２】 前記決定されたチップレイアウトと前記
一括走査領域は走査露光に先立って予め記録され、その
記録に従ってステップアンドスキャン露光を実行するこ
とを特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。 - 【請求項３】 前記マスク近傍あるいは前記マスクの共
役面に前記走査方向に沿って往復移動可能な遮光板を設
け、前記遮光板は前記原画パターンを前記感光基板上に
走査露光する時、前記マスク上の露光領域境界と共に前
記マスクとの倍率に応じた速度比で同時に移動すること
を特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。 - 【請求項４】 原画パターンが形成されたマスクを保持
して走査方向に沿って往復移動可能なマスクステージ
と、前記原画パターンを所定の倍率で感光基板上に投影
する投影光学系と、前記感光基板を保持して前記走査方
向に沿って往復移動可能な基板ステージとを備え、前記
マスクステージと前記基板ステージを前記所定の倍率に
応じた速度比で同時に移動させることによって前記原画
パターンを前記感光基板上に露光する走査露光方法にお
いて、前記感光基板上のチップレイアウトを前記原画パ
ターンのチップ構成、チップサイズの情報から決定し、
その決定されたチップレイアウトに応じて一括走査を行
う回数が最小になるように前記一括走査領域を決め走査
露光を行う工程を有することを特徴とする走査露光方
法。 - 【請求項５】 前記決定されたチップレイアウトと前記
一括走査領域は走査露光に先立って予め記録され、その
記録に従ってステップアンドスキャン露光を実行するこ
とを特徴とする請求項４に記載の走査露光方法。 - 【請求項６】 原画パターンが形成されたマスクを保持
して走査方向に沿って往復移動可能なマスクステージ
と、前記原画パターンを所定の倍率で感光基板上に投影
する投影光学系と、前記感光基板を保持して前記走査方
向に沿って往復移動可能な基板ステージとを備え、前記
マスクステージと前記基板ステージを前記所定の倍率に
応じた速度比で同時に移動させることによって前記原画
パターンを前記感光基板上に露光することによってデバ
イスを製造する方法において、前記感光基板上のチップ
レイアウトを前記原画パターンのチップ構成、チップサ
イズの情報から決定し、その決定されたチップレイアウ
トに応じて一括走査を行う回数が最小になるように前記
一括走査領域を決める工程を有することを特徴とするデ
バイス製造方法。 - 【請求項７】 前記決定されたチップレイアウトと前記
一括走査領域は走査露光に先立って予め記録され、その
記録に従ってステップアンドスキャン露光を実行するこ
とを特徴とする請求項６に記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17206795A JP3320262B2 (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
| US08/674,790 US5793471A (en) | 1995-07-07 | 1996-07-03 | Projection exposure method and apparatus in which scanning exposure is performed in accordance with a shot layout of mask patterns |
| EP96304965A EP0753796B1 (en) | 1995-07-07 | 1996-07-05 | Scanning exposure method and device manufacturing method using the same |
| DE69637666T DE69637666D1 (de) | 1995-07-07 | 1996-07-05 | Abtastbelichtungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
| KR1019960027336A KR100215329B1 (ko) | 1995-07-07 | 1996-07-06 | 주사노광장치 및 이것을 사용한 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17206795A JP3320262B2 (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922863A JPH0922863A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3320262B2 true JP3320262B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=15934927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17206795A Expired - Fee Related JP3320262B2 (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5793471A (ja) |
| EP (1) | EP0753796B1 (ja) |
| JP (1) | JP3320262B2 (ja) |
| KR (1) | KR100215329B1 (ja) |
| DE (1) | DE69637666D1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19537756A1 (de) * | 1995-10-10 | 1997-04-17 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Optimieren einer Stepfeldanordnung auf einem Halbleiterwafer |
| JP3728610B2 (ja) * | 1996-07-04 | 2005-12-21 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
| US6559465B1 (en) | 1996-08-02 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method having a detection timing determination |
| KR100525521B1 (ko) * | 1996-10-21 | 2006-01-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및노광방법 |
| CN1244018C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
| JPH10303126A (ja) | 1997-02-28 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 移動シーケンスの決定方法 |
| TW368683B (en) * | 1997-02-28 | 1999-09-01 | Nikon Corp | Method of determining movement sequence and apparatus for realizing it |
| JP3428872B2 (ja) | 1997-08-29 | 2003-07-22 | キヤノン株式会社 | 露光方法および装置 |
| US6057171A (en) * | 1997-09-25 | 2000-05-02 | Frequency Technology, Inc. | Methods for determining on-chip interconnect process parameters |
| JP2000021702A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP3488127B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2004-01-19 | エヌイーシーマシナリー株式会社 | 微小ワーク片の認識方法及びそれを用いたピックアップ装置 |
| US6559956B2 (en) * | 1999-05-27 | 2003-05-06 | Xerox Corporation | Butted sensor array with supplemental chip in abutment region |
| US6294394B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-09-25 | Voyan Technology | Ramp rate limiter to control stress during ramping |
| US6278116B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-08-21 | United Microelectronics Corp. | Method of monitoring deep ultraviolet exposure system |
| SG103303A1 (en) * | 2000-07-07 | 2004-04-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, surface position adjustment unit, mask, and device manufacturing method |
| JP4652667B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 面位置計測方法及び走査型露光装置 |
| JP4351522B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2009-10-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法 |
| US9529275B2 (en) * | 2007-02-21 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography scanner throughput |
| US8547526B2 (en) * | 2009-04-07 | 2013-10-01 | Micron Technology, Inc. | Photolithography systems and associated methods of selective die exposure |
| JP6003272B2 (ja) | 2012-06-15 | 2016-10-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光方法および露光装置 |
| JP6399739B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 |
| US9760027B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-09-12 | United Microelectronics Corp. | Scanner routing method for particle removal |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204127A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Hitachi Ltd | Drawing method for pattern of electron-ray drawing device |
| JPS58107633A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Canon Inc | 特殊チツプを逃げたシヨツト配列方法 |
| JPS59101831A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Canon Inc | 半導体焼付露光装置 |
| JP2610815B2 (ja) * | 1985-09-19 | 1997-05-14 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| JPH01284793A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Canon Inc | 基板支持装置 |
| JPH0652705B2 (ja) * | 1988-05-12 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US4924257A (en) * | 1988-10-05 | 1990-05-08 | Kantilal Jain | Scan and repeat high resolution projection lithography system |
| US5543921A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method utilizing reliability weighting coefficients |
| EP0412756B1 (en) * | 1989-08-07 | 1995-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2777915B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1998-07-23 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ機構 |
| JP3043031B2 (ja) * | 1990-06-01 | 2000-05-22 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法 |
| US5331371A (en) * | 1990-09-26 | 1994-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure method |
| US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP2577507B2 (ja) * | 1990-12-19 | 1997-02-05 | 株式会社東芝 | ウェーハの描画装置 |
| JP3336649B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びその露光方法を含むデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス |
| JP3002351B2 (ja) * | 1993-02-25 | 2000-01-24 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法および装置 |
| US5534970A (en) * | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| DE69434080T2 (de) * | 1993-06-11 | 2005-10-20 | Nikon Corp. | Abtastbelichtungsvorrichtung |
| JP3265504B2 (ja) * | 1993-10-12 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びに半導体素子の製造方法 |
| JP3336389B2 (ja) * | 1993-11-22 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
| US5617182A (en) * | 1993-11-22 | 1997-04-01 | Nikon Corporation | Scanning exposure method |
-
1995
- 1995-07-07 JP JP17206795A patent/JP3320262B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-03 US US08/674,790 patent/US5793471A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 EP EP96304965A patent/EP0753796B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 DE DE69637666T patent/DE69637666D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-06 KR KR1019960027336A patent/KR100215329B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970007511A (ko) | 1997-02-21 |
| US5793471A (en) | 1998-08-11 |
| KR100215329B1 (ko) | 1999-08-16 |
| EP0753796A1 (en) | 1997-01-15 |
| JPH0922863A (ja) | 1997-01-21 |
| EP0753796B1 (en) | 2008-09-03 |
| DE69637666D1 (de) | 2008-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3320262B2 (ja) | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 | |
| US6841323B2 (en) | Mask producing method | |
| US6333776B1 (en) | Projection exposure apparatus | |
| US6337162B1 (en) | Method of exposure, photomask, method of production of photomask, microdevice, and method of production of microdevice | |
| US5148214A (en) | Alignment and exposure apparatus | |
| US6117598A (en) | Scanning exposure method with alignment during synchronous movement | |
| US6262792B1 (en) | Optical exposure apparatus of scanning exposure system and its exposing method | |
| JP3376179B2 (ja) | 面位置検出方法 | |
| JPH06510397A (ja) | フィールドの狭い走査器 | |
| KR100548713B1 (ko) | 디바이스제조방법, 이것에 의하여 제조된 디바이스 및상기 방법에 사용하기 위한 마스크 | |
| JP3413160B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置 | |
| JP2001358062A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2003282420A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| WO1999005709A1 (fr) | Procede d'exposition et aligneur | |
| JP2002353108A (ja) | 露光方法、露光装置、フォトマスク、デバイス製造方法、及びフォトマスク製造方法 | |
| KR20040090734A (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| US7852458B2 (en) | Exposure apparatus | |
| JP4078683B2 (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法並びに走査露光方法 | |
| KR20010062572A (ko) | 노광 방법 | |
| JP3428825B2 (ja) | 面位置検出方法および面位置検出装置 | |
| JPWO2004066371A1 (ja) | 露光装置 | |
| KR20040002489A (ko) | 디바이스제조방법, 이에 의하여 제조된 디바이스 및컴퓨터 프로그램 | |
| JPH1140493A (ja) | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP7513823B1 (ja) | 露光装置、及び露光方法 | |
| JP2000133563A (ja) | 露光方法及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020604 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080621 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110621 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120621 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120621 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130621 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |