JP3728610B2 - 走査型露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスや液晶表示デバイス等をリソグラフィ工程で製造する際に使用される露光装置及び露光方法に関し、特に走査型露光装置及び露光方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスや液晶表示デバイスをリソグラフィ技術を用いて製造する際に、露光光のもとでフォトマスク又はレチクル(以下、マスクという)に形成されたパターンを投影光学系を介してフォトレジスト等の感光剤が塗布された半導体ウエハ又はガラスプレート等の感光基板上の各ショット領域に投影露光する露光装置が使用されている。
【0003】
露光装置としては、感光基板を2次元的に移動自在な基板ステージ上に載置し、この基板ステージにより感光基板をステッピングさせてマスクのパターン像を感光基板上の各ショット領域に一括露光する動作を順次繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露光装置、特に縮小投影型の露光装置が多用されている。最近では、感光基板上の各ショット領域へのパターン露光を縮小投影で、かつ走査露光方式で行うとともに、各ショット間の移動をステッピング方式で行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置も用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置では、投影光学系の露光視野に感光基板上の次のショット領域をステップ移動させた後、マスクと感光基板を同期させて走査する必要がある。この同期走査は、マスクを載置したマスクステージと感光基板を載置した基板ステージを静止した状態から加速したのち等速運動に移行し、この等速運動の状態でマスクを露光光で照明する照明系のシャッターを開放してスキャン露光する。マスクステージと基板ステージの移動開始からシャッター開放までの間(助走期間)には、マスクと感光基板の同期走査状態のチェック及びショット領域の表面を投影光学系のベストフォーカス面に合わせ込む焦点位置検出系のチェックが行われている。
【0005】
マスクステージと基板ステージ移動開始ののち露光開始前の走査(助走)中に、焦点位置データの取得に失敗した、又はマスクを載置したマスクステージと感光基板を載置した基板ステージの位置もしくは速度の同期が完全にとれない等の理由でエラーが発生することがある。従来、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置で露光開始前の助走中にエラーが発生した場合には、露光装置を停止させ、エラーの発生状況に合わせてマニュアルでエラー処理を行い、エラーが発生したショット位置からスキャン露光を再開していた。しかし、マニュアルでエラー処理を行わなければならないため作業が煩雑になり、またエラー処理のために露光装置を停止させなければならないために露光装置の稼働率が低下するという問題点があった。
【0006】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、露光開始前の助走時にエラーが発生しても装置を停止することなく自動的にエラー処理を行って露光シーケンスを続行することのできるステップ・アンド・スキャン方式の露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置において、露光開始前のマスクステージと基板ステージの助走中にフォーカスエラーが発生するのは、ショット領域が感光基板の周縁近くに位置していて、オートフォーカス系の検出領域が感光基板表面から外れることが原因であることが多い。この感光基板上でのショット領域の位置が原因となっているフォーカスエラーは、そのショット領域に対する走査方向を逆に設定することで解消することができる。
【0008】
本発明は、このようにフォーカスエラーの発生原因を検討することで完成されたものであり、マスクと感光基板を同期して走査しながらマスク上のパターンを投影光学系を介して感光基板上に配列された複数のショット領域の各々に逐次転写する走査型露光装置において、マスク及び感光基板の走査開始後、露光開始前の助走中にフォーカスエラーが発生したとき、走査方向を逆方向に変更することを特徴とする。
【0009】
エラー処理のために1つのショット領域の走査方向を逆にしたことが、以後のスキャンシーケンスに影響を与えてスループットが低下するのを回避するため、フォーカスエラー発生後に走査される全てのショット領域の走査方向を最初に設定した方向とは逆方向に変更するのが好ましい。
【0010】
本発明は、また、マスクと感光基板を同期して走査しながら前記マスク上のパターンを投影光学系を介して前記感光基板上に配列された複数のショット領域の各々に逐次転写する露光方法において、前記マスク及び感光基板の走査開始後露光開始前にフォーカスエラーが発生したとき、走査方向を逆方向に変更することを特徴とする。
【0011】
本発明によると、助走期間中にエラーが発生した場合においても、従来のように全てのエラーに対して装置を停止させてエラー処理を行うことなく、一定の処理を施すことでエラーが解消される可能性の高いフォーカスエラーに関しては、露光装置を停止することなく自動的にエラー処理を行う。したがって、その自動的なエラー処理によってエラー原因が解消された場合には、そのまま露光シーケンスを続行することが可能となるため、エラー発生によるスループットの低下を最小限に抑えることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明によるスキャン・アンド・ステップ方式の露光装置の一例を示す略図である。
光源系1から射出された露光光ILは、ミラー2、視野絞り3、リレーレンズ4、ミラー5及びコンデンサーレンズ6を経て、均一な照度でマスク7を照明する。光源系1は、水銀灯又はレーザ光源等の光源及びオプチカルインテグレータ等より構成されている。また、視野絞り3の配置面とマスク7の下面のパターン形成面とは共役であり、視野絞り3によりマスク7のパターン形成面にスリット状の照明領域が設定されている。図1において、マスク7に平行な面内で紙面に平行な方向をX方向、紙面に垂直な方向をY方向とし、スリット状の照明領域の長手方向がY方向に設定され、マスク7とそのスリット状の照明領域との相対走査の方向はX方向であるとする。また、X方向及びY方向に垂直な投影光学系13の光軸方向をZ方向とする。
【0013】
マスク7は、X方向及びY方向への移動並びに回転を行うマスクステージ8の上に保持され、マスクステージ8はマスクベース9上に摺動自在に支持されている。マスクステージは、X方向への走査を行うためのマスク走査ステージと、マスク走査ステージの上に配置され、マスク7のX方向及び回転方向(θ方向)の微調整を行う微動ステージから構成されている。マスクステージ8上の相対走査方向であるX方向の一端に移動鏡10が固定され、X軸用のレーザ干渉計11からのレーザビームが移動鏡10により反射されている。X軸用のレーザ干渉計11は、移動鏡10からのレーザビームと参照鏡からのレーザビームとの干渉ビームを光電変換することにより、マスクステージ8のX方向の座標を検出している。また、マスクステージ8の相対走査の方向に垂直なY方向の座標及び回転角は、図示省略した静電容量センサーにより計測されている。X軸用のレーザ干渉計11の計測座標及び静電容量センサーによる計測結果は主制御系12に供給され、主制御系12はマスクステージ8の移動速度、位置及び回転角を露光シーケンスに応じて設定する。
【0014】
露光光ILのもとで、マスク7上のパターンの像が投影光学系13を介して感光基板14上に投影露光される。この際、感光基板14上の1ショット分の領域に対して、マスク7上のスリット状の照明領域の共役像、すなわち投影光学系13の露光フィールドが小さいので、マスク7を例えば−X方向に走査するのに同期して感光基板14をX方向に一定速度で走査することにより、感光基板14上の1ショット分の領域への露光が行われる。そのため、感光基板14は、X方向及びY方向へ移動自在な基板ステージ15上に保持され、基板ステージ15はベース16上に摺動自在に支持されている。基板ステージ15はX方向に移動可能なXステージと、Y方向に移動可能なYステージからなっている。
【0015】
基板ステージ15上のX方向端部に移動鏡17が固定され、X軸用のレーザ干渉計18からのレーザビームが移動鏡17により反射されている。図には示されていないが、基板ステージ15のY方向端部にも移動鏡が固定され、Y軸用のレーザ干渉計からのレーザビームがその移動鏡により反射されている。X軸用のレーザ干渉計18とY軸用のレーザ干渉計は、それぞれ基板ステージ15上の移動鏡からのレーザビームと参照鏡からのレーザビームとの干渉光を光電変換して、基板ステージ15のX座標及びY座標を検出する。検出された基板ステージ15のX座標及びY座標も主制御系12に供給され、主制御系12は基板ステージ15の移動速度及び位置を露光シーケンスに応じて設定する。
【0016】
次に、感光基板14の表面のZ方向の位置(焦点位置)を検出するための焦点位置検出系(AFセンサ)20の構成につき説明する。このAFセンサ20に備えられる光源21からは、フォトレジストに対して非感光性の検出光が照射される。光源21から出射された検出光はコンデンサーレンズ22を介して送光スリット板23内のスリットを照明し、そのスリットの像が対物レンズ24を介して、投影光学系13の光軸に対して斜めに感光基板14上の計測点に投影される。感光基板14上の計測点からの反射光は、集光レンズ25を介して振動スリット板26上に集光され、振動スリット板26上に、計測点に投影されたスリット像が再結像される。
【0017】
振動スリット板26は、主制御系12からの駆動信号DSにより駆動される加振器28により所定方向に振動している。振動スリット板26のスリットを通過した光は光電検出器27上の光電変換素子により光電変換され、その光電変換信号が信号処理系29に供給され、信号処理された後に主制御部12に供給される。AFセンサ20は、送光スリット23のスリット像が投影される感光基板14上の計測点が投影光学系13のベストフォーカス面と一致しているとき焦点位置信号がゼロとなるように較正されている。
【0018】
次に、感光基板14及びマスク7の相対走査方法について説明する。露光時には感光基板14は、露光面の各点でそれぞれ露光量が一定になるように等速度でX方向に走査する必要があるため、レーザ干渉計18の計測結果に基づいて速度制御が行われる。具体的には、レーザ干渉計18の計測結果であるX方向の座標の微分値に適当なフィルタリングを施して、その値が一定になるように基板ステージ15のXステージが駆動制御される。一方、投影光学系13のマスク7から感光基板14への縮小倍率をβ(β<1)とすると、マスク7の−X方向への走査は、レーザ干渉計18による計測結果に対して縮小倍率である1/βを乗じた値と、レーザ干渉計11による計測結果との差を算出し、この差が0になるように位置制御することによって行われる。
【0019】
図2は、感光基板14上に並んで設定されているショット領域S1,S2,S3,‥‥を順番にスキャン露光するときの、各ショット領域の走査方向の例を示したものである。図において、実線の矢印は感光基板14上に形成される露光領域によってショット領域が走査される方向を示し、矢印を結ぶ破線はショット領域間における露光領域(実際にはショット間では、光源系1内のシャッターが閉じているため露光領域は形成されない)の移動を略示する。通常は、移動量が大きいマスク7の無駄な動きを無くするために、マスクの往路走査時に1つのショット領域をスキャン露光し、復路走査時に次のショット領域をスキャン露光するという具合に、マスク7の往復走査で2つのショット領域が露光される。したがって、図示するように、例えばショット領域S1をX方向に走査したら、次のショット領域S2は−X方向に走査し、ショット領域S3はX方向、ショット領域S4は−X方向、‥‥というように、連続するショットでX方向の走査と−X方向の走査を交互に繰り返す。
【0020】
図3と図4を用いて、マスクの走査と感光基板の走査をより詳細に説明する。図3(a)はマスク7とスリット状の照明領域30との相対的な位置関係を示す図であり、図3(b)は感光基板14とスリット状の露光領域30Pとの位置関係を示す図である。また、図4はスキャン露光動作時の制御方法の一例を示すフローチャートである。
【0021】
ここでは、マスク7のパターンの縮小像を、感光基板14上の隣り合うショット領域40A及び40Bに順次露光するためのシーケンスを説明する。説明の便宜上、初期状態では、図3(a)の照明領域30の中心がマスク17の中心位置Aにあり、図3(b)の露光領域30Pの中心が感光基板14の第1のショット領域40Aの中心の位置APにあるとする。さらに、初期状態では、マスク7はX方向に速度V/βで走査され、感光基板14は−X方向に速度Vで走査されているとする。
【0022】
前述のように、主制御系12は、基板ステージ15を−X方向に速度Vで等速駆動し、マスクステージ8をX方向に速度V/βで等速駆動している。この初期状態から図4のステップ11に移行する。ステップ11において、主制御系12は、基板ステージ15のXステージを速度Vで−X方向に等速駆動し、マスクステージ8のマスク走査ステージを速度V/βでX方向に等速で駆動する。基板ステージ15のXステージを等速駆動するには、主制御系12はレーザ干渉計18から供給されるX座標データの微分値をサンプリングして、この微分値が速度Vに対応する一定値になるように基板ステージ駆動系にXステージ駆動指令を発する。同様に、マスク走査ステージを等速で駆動するには、主制御系12はレーザ干渉計11から供給されるX座標データの微分値をサンプリングして、この微分値が速度V/βに対応する一定値になるようにマスクステージ8を駆動する駆動系に駆動指令を発する。
【0023】
こうして、図3(a)において照明領域30の中心は位置Aからマスク7のパターン領域外の位置Bに達し、図3(b)において露光領域30Pの中心は位置APから感光基板14の第1のショット領域40Aの外の位置BPに達して、1回目のスキャン露光が終了する。
次に、ステップ12において、主制御系12は、基板ステージ15のXステージを一度減速してからX方向に加速するように駆動し、また、基板ステージ15のYステージを一度Y方向に加速してから減速する。これと並行して、主制御系12は、マスクステージ8のマスク走査ステージを減速して、マスク微動ステージの位置を基準位置にリセットする。これによって、図3(a)において、照明領域30の中心は位置Bからさらに外側の位置Cに達して停止し、図3(b)において、露光領域30Pの中心は位置BPから感光基板14上の第2のショット領域40Bの外側の位置CPに達する。この位置CPにおいて、基板ステージ15は既にX方向への走査を開始している。
【0024】
次に、ステップ13において、主制御系12は、基板ステージ15のXステージをX方向に速度Vで等速度で駆動し、Yステージの位置を位置制御により安定させる。この操作により基板ステージ15のYステージの加速及び減速による振動が減衰する。これと並行して、マスクステージ8のマスク走査ステージを−X方向に加速する。これにより、図3(a)において、照明領域30の中心は位置Cからマスク7に近い位置Dに達し、図3(b)において、露光領域30Pの中心は位置CPから第2のショット領域40Bに近い位置DPに達する。位置Dにおいて、マスクステージはX方向へ速度V/βで等速移動を開始している。この時点で、マスク7と感光基板14の相対走査速度は設計値に達しているはずであるが、マスク7と感光基板14の相対位置はずれている可能性がある。
【0025】
そこで、ステップ14に移り、主制御系12は、基板ステージ15のYステージ及びマスクステージ8に設けられている微動ステージの位置制御を行う。すなわち、干渉計18による感光基板14側のX座標データWSxとレーザ干渉計11によるマスク7側のX座標データRSx/βとの差分(WSx−RSx/β)、感光基板14側のY座標データWSyとマスク7側のY座標データRSy/βの差分(WSy−RSy/β)、及び感光基板14側の回転角データWSθとマスク7側の回転角データRSθとの差分(WSθ−RSθ)をサンプリングする。そして、主制御系12は、差分(WSy−RSy/β)が所定の値になるように基板ステージ15のYステージを駆動している駆動系に駆動指令を発し、また、差分(WSx−RSx/β)及び差分(WSθ−RSθ)が所定の値になるようにマスク微動ステージに駆動指令を発する。
【0026】
このようにして、マスク7と感光基板14の位置ずれが補正される。この時、図3(a)に示すように、照明領域30の中心はマスク7のパターン領域の外側の位置Eにあり、図3(b)に示すように、露光領域30Pの中心は第2のショット領域40Bの外側の位置EPにある。その後、図3(a)に示すように、照明領域30の中心はマスク7のパターン領域の直前の位置Fにあり、図3(b)に示すように、露光領域30Pの中心は第2のショット領域40Bの直前の位置FPに進んだとき、マスク7と感光基板14の等速度駆動及び位置ずれ補正が完了しているはずである。
【0027】
AFセンサ20は、露光領域30Pが例えば位置DPに達した時点から感光基板表面の焦点位置データの取得を開始し、主制御系12はAFセンサ20からの信号により予備的にフォーカス制御を行っている。露光領域30Pが書と領域40Bの直前の位置EPに達したとき、ステップ15において、主制御系12はフォーカス制御が正常に行われているかどうかをチェックする。
フォーカス制御が正常に行われている場合、次にステップ16において、マスク7と感光基板14が同期駆動されているかどうか、すなわちマスク7と感光基板14が位置ずれ補正された状態で等速度駆動されているかどうかをチェックする。位置ずれ補正が完了しているかどうかのチェックは、前記した3種類の差分データ(WSx−RSx/β)、(WSy−RSy/β)、及び(WSθ−RSθ)が所定の値になっているかどうかをチェックすることで行われる。また、速度同期のチェックは、感光基板側のレーザ干渉計18から供給されるX座標データの微分値とマスク側のレーザ干渉計11から供給されるX座標データの微分値を比較することで行われる。
【0028】
ステップ16での判定結果が「YES」のとき、ステップ11と同様の制御を行うことで、図3(a)に示すように、照明領域43はマスク7を中心の位置Gまで相対的に走査し、図3(b)に示すように、露光領域30Pは感光基板14の第2のショット領域40Bを中心の位置GPまで相対的に走査する。その後、ステップ11以下の動作を繰り返すことにより、感光基板14の第2のショット領域40B及びその次のショット領域へのパターン露光が行われる。
【0029】
次に、ステップ15の判定結果が「NO」の場合の処理、すなわちフォーカスエラーが発生したときの処理方法を図5を参照して説明する。フォーカスエラーは、図5に示すように感光基板14の周縁領域に上に配置されたショット領域S11,S12,S13,S14,‥‥をスキャン露光しようとするときに生じやすい。最初、感光基板14上のショット領域S11,S12,S13,‥‥には、各ショット領域に対して走査方向が設定されており、露光装置の主制御系12はその設定に従って各ショット領域をスキャン露光する。この初期設定では、各走査方向は、図2で説明したように連続するショットでX方向の走査と−X方向の走査が交互に繰り返されるように設定されている。
【0030】
いま、例えばショット領域S13のスキャン露光が終了し、次のショット領域S14をスキャン露光しようとして、ショット領域S14に向かって助走している場合を考える。ショット領域S14に達する前のこの助走期間に、露光装置のAFセンサ20は、図3(b)で説明したように既に焦点位置データの取得を行い、予備的なフォーカス制御を行っている。ところが、ショット領域S14は感光基板14の周縁部に位置するため、助走路が感光基板から外れていて焦点位置データを取得することができない。
【0031】
従来は、このような状態になるとエラーとなり、露光装置が停止してしまった。本発明では、このような場合にはステップ17に進み、破線の経路L1で示すようにショット領域S14を露光せずにそのままショット領域S14の反対側まで通過するとともに、そのショット以後に設定されている走査方向を全て逆方向に変更する。その後ステップ13に戻って、逆方向からショット領域S14に対する助走を開始する。
【0032】
走査方向を逆にすると、助走部分が感光基板14の内部に位置するため助走中に焦点位置データの取得と予備的フォーカシングが可能になり、エラーが解消する確率が高い。ステップ17を経ることでステップ15の判定が「YES」になり、ステップ16の判定も「YES」になれば、ショット領域S14を経路L2のように最初の設定方向とは逆方向からスキャン露光する。続くショット領域S15は、経路L3で示されるように最初に装置に設定された方向とは逆方向からスキャン露光する。それ以降のショット領域S16,S17,‥‥も全て、最初に装置に設定されている方向とは逆の方向からスキャン露光される。
【0033】
ここで、ステップ17において、ショット領域S14の走査方向のみでなくショット領域S15以降の走査方向を全て最初の設定方向と逆向きに変更する理由を、図6を用いて説明する。図6は、エラーが発生したショット領域S14のみ走査方向を変更するだけで、それに続くショット領域S15以降のスキャンシーケンスを変更しなかった場合の説明図であり、この場合にはショット領域S14の走査方向L2と次のスキャン領域S15の走査方向L5が同じ方向になる。したがって、ショット領域S14を経路L2で示される方向に沿ってスキャン露光したあと、経路L4に沿ってショット領域S15を通過し、改めて反対側からショット領域S15を経路L5に沿ってスキャン露光しなければならない。
【0034】
図6を図5と比較すると分かるように、図6のスキャンシーケンスはショット領域S15を1回余分に走査しており、無駄な時間を費やしている。その上、連続してスキャン露光されるショット領域S14とショット領域S15とで走査方向が同じであるため、マスク7の走査方向も同じにする必要がある。そのため、ショット領域S14の走査終了後、マスク走査ステージを空走査させてマスクベース9の反対側に戻さなければならず、ここでも無駄な操作が必要とされる。このような無駄を省いて露光装置にスループットを向上させるためには、1つのショット領域で(ここではショット領域S14)走査方向を変更したならば、それ以降のショット領域も全て走査方向を変更するのが好ましい。
【0035】
続いて、同期エラーが発生してステップ16の判定結果が「NO」となった場合の処理について、図7を参照して説明する。いま、ショット領域S21のスキャン露光が終了し、次にショット領域S22に対して助走開始点P22から助走距離d1で助走したところ、ショット領域S22の直前に到ってもマスク7と感光基板14が完全に同期駆動されていなかったとする。この場合、ステップ16の判定が「NO」となる。このとき、従来はエラー発生ということで露光装置を停止させていた。しかし、本発明では、ステップ16の判定が「NO」の場合でも直ちに露光装置を停止させることをせず、ステップ18に進む。
【0036】
ステップ18では、ショット領域S22を露光せず、そのまま反対位置まで通過する。同時に、露光装置に設定されている助走距離d1をd2(d2>d1)に変更し、それ以後のショット領域に対する走査方向を全て逆方向に設定変更する。ステップ18の処理が終わるとステップ13に戻り、ショット領域S22を逆方向の助走開始点Q22から助走距離d2でショット領域S22の直前まで助走し、その間にステップ13及びステップ14による基板ステージ及びマスクステージの速度制御及び位置制御を行う。
【0037】
マスク7と感光基板14の同期エラーは、このように助走距離を長くして同期をとるための時間を延長することで改善されることが多く、ステップ18の処理によってステップ15の判定及びステップ16の判定がともに「YES」となれば、ショット領域S22に対する逆方向からのスキャン露光を実行する。続くショット領域S23,S24,‥‥に対しても、それぞれ助走開始点Q23,Q24,‥‥から変更された助走距離d2の助走を行ってマスクと感光基板の同期をとった上でスキャン露光を行う。
【0038】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、助走開始後、露光開始前にエラーが発生した場合において、エラーの要因によっては露光装置を停止させることなく自動的にエラー処理を行うことができるようになるため露光装置の稼働率が向上する。また、エラー発生以後のスキャンシーケンスを変更することにより、エラーが発生したショット領域の走査方向を逆方向に変更したことによるスループットを低下を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるスキャン・アンド・ステップ方式の露光装置の一例を示す略図。
【図2】感光基板上に並んで設定されているショット領域を順番にスキャン露光するときの、各ショット領域の走査方向の例を示す図。
【図3】(a)はマスクとスリット状の照明領域との相対的な位置関係を示す図、(b)は感光基板とスリット状の露光領域との位置関係を示す図。
【図4】スキャン露光動作時の制御方法の一例を示すフローチャート。
【図5】フォーカスエラーが発生したときの処理方法を説明する図。
【図6】エラー発生後のスキャンシーケンスを変更しなかった場合の説明図。
【図7】同期エラーが発生したときの処理方法を説明する図。
【符号の説明】
1…光源系、2…ミラー、3…視野絞り、4…リレーレンズ、5…ミラー、6…コンデンサーレンズ、7…マスク、8…マスクステージ、9…マスクベース、10…移動鏡、11…レーザ干渉計、12…主制御系、13…投影光学系、14…感光基板、15…基板ステージ、16…ベース、17…移動鏡、18…レーザ干渉計、20…AFセンサ、21…光源、22…コンデンサーレンズ、23…送光スリット板、24…対物レンズ、25…集光レンズ、26…振動スリット板、27…光電検出器、28…加振器、29…信号処理系
Claims (3)
- マスクと感光基板を同期して走査しながら前記マスク上のパターンを投影光学系を介して前記感光基板上に配列された複数のショット領域の各々に逐次転写する走査型露光装置において、
前記マスク及び感光基板の走査開始後露光開始前にフォーカスエラーが発生したとき、走査方向を逆方向に変更することを特徴とする走査型露光装置。 - 前記フォーカスエラー発生後に走査される全てのショット領域の走査方向を設定方向とは逆方向に変更することを特徴とする請求項1記載の走査型露光装置。
- マスクと感光基板を同期して走査しながら前記マスク上のパターンを投影光学系を介して前記感光基板上に配列された複数のショット領域の各々に逐次転写する露光方法において、
前記マスク及び感光基板の走査開始後露光開始前にフォーカスエラーが発生したとき、走査方向を逆方向に変更することを特徴とする露光方法。
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