JPH1140493A - 走査型露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
走査型露光装置およびデバイス製造方法Info
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- JPH1140493A JPH1140493A JP9210200A JP21020097A JPH1140493A JP H1140493 A JPH1140493 A JP H1140493A JP 9210200 A JP9210200 A JP 9210200A JP 21020097 A JP21020097 A JP 21020097A JP H1140493 A JPH1140493 A JP H1140493A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型露光装置においてマスク載置面がマス
クステージに対して傾きが変化しても常に感光基板表面
を高精度に投影光学系の結像面に焦点合わせが可能とな
る露光装置およびデバイス製造方法を提供する。 【解決手段】 第１可動ステージに載置したマスク上の
パターンを、第２可動ステージに載置したウエハ上に投
影露光する走査型露光装置において、第１可動ステージ
に設けられた所定パターンのマークを有する複数の基準
プレートと、基準プレートの投影光学系に対する露光光
軸方向の位置を検出する検出手段と、第１可動ステージ
の走査位置を計測する手段と、検出手段により検出され
た露光光軸方向の位置およびその時の走査位置を記憶す
る記憶手段と、マスクとウエハの走査中に、記憶された
基準プレートと投影光学系との位置関係に基づきウエハ
の露光面と投影光学系との露光光軸方向の位置を補正す
る補正手段とを有することを特徴とする走査型露光装
置。
クステージに対して傾きが変化しても常に感光基板表面
を高精度に投影光学系の結像面に焦点合わせが可能とな
る露光装置およびデバイス製造方法を提供する。 【解決手段】 第１可動ステージに載置したマスク上の
パターンを、第２可動ステージに載置したウエハ上に投
影露光する走査型露光装置において、第１可動ステージ
に設けられた所定パターンのマークを有する複数の基準
プレートと、基準プレートの投影光学系に対する露光光
軸方向の位置を検出する検出手段と、第１可動ステージ
の走査位置を計測する手段と、検出手段により検出され
た露光光軸方向の位置およびその時の走査位置を記憶す
る記憶手段と、マスクとウエハの走査中に、記憶された
基準プレートと投影光学系との位置関係に基づきウエハ
の露光面と投影光学系との露光光軸方向の位置を補正す
る補正手段とを有することを特徴とする走査型露光装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造過程にお
いて用いられる露光装置、 特にフォトマスクパターンを
ウエハ上に投影して転写する投影露光装置に関するもの
であり、なかでもフォトマスクパターンをウエハ上に投
影露光する際、マスクとウエハとを投影光学系に対して
同期して走査する走査型露光装置および該走査型露光装
置を用いたデバイス製造方法に最適なものである。
いて用いられる露光装置、 特にフォトマスクパターンを
ウエハ上に投影して転写する投影露光装置に関するもの
であり、なかでもフォトマスクパターンをウエハ上に投
影露光する際、マスクとウエハとを投影光学系に対して
同期して走査する走査型露光装置および該走査型露光装
置を用いたデバイス製造方法に最適なものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術の進展は目
覚しく、 又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。特
に光加工技術はサブミクロン解像力を有する縮小投影露
光装置、通称ステッパーが主流であり、更なる解像力向
上に向けて光学系の開口数（ＮＡ）の拡大や、露光波長
の短波長化が図られている。
覚しく、 又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。特
に光加工技術はサブミクロン解像力を有する縮小投影露
光装置、通称ステッパーが主流であり、更なる解像力向
上に向けて光学系の開口数（ＮＡ）の拡大や、露光波長
の短波長化が図られている。
【０００３】又、従来の反射投影光学系を用いた等倍の
走査露光装置を改良し、投影光学系に屈折素子とを組合
せたもの、あるいは屈折素子のみで構成した縮小投影光
学系を用いて、マスクステージと感光基板のステージ
（ウエハステージ）との両方を縮小倍率に応じた速度比
で同期走査する走査型露光装置が注目されている。
走査露光装置を改良し、投影光学系に屈折素子とを組合
せたもの、あるいは屈折素子のみで構成した縮小投影光
学系を用いて、マスクステージと感光基板のステージ
（ウエハステージ）との両方を縮小倍率に応じた速度比
で同期走査する走査型露光装置が注目されている。
【０００４】これらの装置におけるマスクのパターン像
の焦点合わせは感光基板の露光面を投影光学系の最良結
像面に逐次合わせ込むための高さ計測とオートフォーカ
ス・オートレベリングの補正駆動を走査露光中に連続的
に行なっている。
の焦点合わせは感光基板の露光面を投影光学系の最良結
像面に逐次合わせ込むための高さ計測とオートフォーカ
ス・オートレベリングの補正駆動を走査露光中に連続的
に行なっている。
【０００５】これらの装置における高さおよび面位置検
出機構は例えばウエハ表面に光束を斜め上方より入射す
るいわゆる斜入射光学系を用いて感光基板からの反射光
をセンサー上の位置ずれとして検出する方法やエアーマ
イクロセンサーや静電容量センサーなどのギャップセン
サーを用いる方法があり走査中の複数の高さ測定値から
測定位置が露光スリット領域を通過するときの高さおよ
び傾きの補正駆動を算出、補正するというものであっ
た。
出機構は例えばウエハ表面に光束を斜め上方より入射す
るいわゆる斜入射光学系を用いて感光基板からの反射光
をセンサー上の位置ずれとして検出する方法やエアーマ
イクロセンサーや静電容量センサーなどのギャップセン
サーを用いる方法があり走査中の複数の高さ測定値から
測定位置が露光スリット領域を通過するときの高さおよ
び傾きの補正駆動を算出、補正するというものであっ
た。
【０００６】従来より、非走査型露光装置であるステッ
プ・アンド・リピート方式の露光装置、また上記走査型
露光装置においても感光基板と投影光学系の結像面との
焦点合わせ機構は感光基板側にのみ設けている。
プ・アンド・リピート方式の露光装置、また上記走査型
露光装置においても感光基板と投影光学系の結像面との
焦点合わせ機構は感光基板側にのみ設けている。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかしなから、走
査型露光装置において、マスクの走査に伴いマスクを載
置している面がマスクステージに対して傾きが変化する
場合がある。これによりマスクの傾きが変化しても上記
感光基板の露光面での焦点合わせ機構による補正ができ
ないためデフォーカスが発生してしまう。
査型露光装置において、マスクの走査に伴いマスクを載
置している面がマスクステージに対して傾きが変化する
場合がある。これによりマスクの傾きが変化しても上記
感光基板の露光面での焦点合わせ機構による補正ができ
ないためデフォーカスが発生してしまう。
【０００８】例えば、６インチマスクを想定して、マス
クを載置している面が走査方向に対して、２０ｐｐｍ傾
いているととするとマスク全面の走査でマスクのパター
ンを投影光学系との距離は約３μｎ変化する。縮小倍率
１４投影光学系で像面変化量は０．１９μｍとなる。回
路パターンの微細化に対応できるように投影光学系が高
ＮＡ化されるに従い転写工程におけるフォーカスの許容
深度はますます狭くなっており、この量は無視できない
量である。
クを載置している面が走査方向に対して、２０ｐｐｍ傾
いているととするとマスク全面の走査でマスクのパター
ンを投影光学系との距離は約３μｎ変化する。縮小倍率
１４投影光学系で像面変化量は０．１９μｍとなる。回
路パターンの微細化に対応できるように投影光学系が高
ＮＡ化されるに従い転写工程におけるフォーカスの許容
深度はますます狭くなっており、この量は無視できない
量である。
【０００９】本発明は従来の問題点に鑑みてなされたも
のであり、走査型露光装置においてマスク載置面がマス
クステージに対して傾きが変化しても常に感光基板表面
を高精度に投影光学系の結像面に焦点合わせが可能とな
る露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目
的とする。
のであり、走査型露光装置においてマスク載置面がマス
クステージに対して傾きが変化しても常に感光基板表面
を高精度に投影光学系の結像面に焦点合わせが可能とな
る露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、第１物体（マスク）を載置して移動する第
１可動ステージと、第２物体（ウエハ）を載置して移動
する第２可動ステージとを有し、第１および第２可動ス
テージを投影光学系に対し同期させて走査させるととも
に投影光学系を介してマスク上のパターンをウエハ上に
投影露光する走査型露光装置において、第１可動ステー
ジに設けられた所定パターンのマークを有する複数の基
準プレートと、基準プレートの前記投影光学系に対する
露光光軸方向の位置を検出する検出手段と、第１可動ス
テージの走査方向の位置（走査位置）を計測する手段
と、検出手段により検出された露光光軸方向の位置およ
びその時の走査位置を記憶する記憶手段と、マスクとウ
エハの走査中に、記憶された基準プレートと投影光学系
との位置関係から算出されたマスクと投影光学系との位
置関係に基づきウエハの露光面と投影光学系との露光光
軸方向の位置を補正する補正手段とを有することを特徴
とする。
の本発明は、第１物体（マスク）を載置して移動する第
１可動ステージと、第２物体（ウエハ）を載置して移動
する第２可動ステージとを有し、第１および第２可動ス
テージを投影光学系に対し同期させて走査させるととも
に投影光学系を介してマスク上のパターンをウエハ上に
投影露光する走査型露光装置において、第１可動ステー
ジに設けられた所定パターンのマークを有する複数の基
準プレートと、基準プレートの前記投影光学系に対する
露光光軸方向の位置を検出する検出手段と、第１可動ス
テージの走査方向の位置（走査位置）を計測する手段
と、検出手段により検出された露光光軸方向の位置およ
びその時の走査位置を記憶する記憶手段と、マスクとウ
エハの走査中に、記憶された基準プレートと投影光学系
との位置関係から算出されたマスクと投影光学系との位
置関係に基づきウエハの露光面と投影光学系との露光光
軸方向の位置を補正する補正手段とを有することを特徴
とする。
【００１１】ここで、検出手段は、例えば第２可動ステ
ージに設けられ露光光軸方向においてウエハと実質的に
同じ位置の反射面プレートと、基準プレートのマークを
投影光学系を介して反射面プレートに投影するための光
源と、反射面で反射させた光を投影光学系と基準プレー
トのマークの透過部を介して受光するための受光手段
と、ウエハまたは反射面プレートの露光光軸方向の位置
を計測する面位置計測手段とを具備し、受光手段からの
出力信号とその時の第２可動ステージの露光光軸方向の
位置とによって、基準プレートの投影光学系に対する露
光光軸方向の位置を検出するものであってもよい。
ージに設けられ露光光軸方向においてウエハと実質的に
同じ位置の反射面プレートと、基準プレートのマークを
投影光学系を介して反射面プレートに投影するための光
源と、反射面で反射させた光を投影光学系と基準プレー
トのマークの透過部を介して受光するための受光手段
と、ウエハまたは反射面プレートの露光光軸方向の位置
を計測する面位置計測手段とを具備し、受光手段からの
出力信号とその時の第２可動ステージの露光光軸方向の
位置とによって、基準プレートの投影光学系に対する露
光光軸方向の位置を検出するものであってもよい。
【００１２】また、好ましくは、基準プレートは第１可
動ステージ上に複数ずらして設け、基準プレートと投影
光学系との複数の位置関係から第１可動ステージとマス
クの載置面との角度を算出し、補正手段はこの角度に基
づいてウエハの露光面と投影光学系との露光光軸方向の
位置を連続的に補正する。ここで、基準プレートは、マ
スクの載置面と第１可動ステージ面との、第１可動ステ
ージ面上の走査方向に直交する線を軸とした角度を算出
できるように、第１可動ステージ上におけるマスクのパ
ターン転写領域を走査方向に挟んだ少なくとも２箇所設
ければよい。また、好ましくは、第１可動ステージ面上
の走査方向に直交する線を軸とした角度の平均を算出で
きるように、基準プレートのマークが基準プレート上の
走査方向に直交する方向に複数設けられる。この時、反
射面プレートは、基準プレートの走査位置に対応するよ
うにウエハのパターン転写領域を走査方向に挟んだ少な
くとも２箇所設けられることが望ましい。
動ステージ上に複数ずらして設け、基準プレートと投影
光学系との複数の位置関係から第１可動ステージとマス
クの載置面との角度を算出し、補正手段はこの角度に基
づいてウエハの露光面と投影光学系との露光光軸方向の
位置を連続的に補正する。ここで、基準プレートは、マ
スクの載置面と第１可動ステージ面との、第１可動ステ
ージ面上の走査方向に直交する線を軸とした角度を算出
できるように、第１可動ステージ上におけるマスクのパ
ターン転写領域を走査方向に挟んだ少なくとも２箇所設
ければよい。また、好ましくは、第１可動ステージ面上
の走査方向に直交する線を軸とした角度の平均を算出で
きるように、基準プレートのマークが基準プレート上の
走査方向に直交する方向に複数設けられる。この時、反
射面プレートは、基準プレートの走査位置に対応するよ
うにウエハのパターン転写領域を走査方向に挟んだ少な
くとも２箇所設けられることが望ましい。
【００１３】通常、ウエハ面位置の計測手段は、投影光
学系を介さずにその露光光軸に対して斜め方向からの投
光系よりパターンをウエハ面上に形成し、このパターン
の像を受光系で受光素子面上に再結像し、該受光素子面
上に再結像したパターンの像の位置信号よりウエハ面の
露光光軸方向の位置情報を求めるオフアクシス面位置検
出手段である。なお、このオフアクシス面位置検出手段
は、パターンを形成する位置に反射面プレートを位置さ
せることによって、反射面プレートの面位置検出にも使
用できるものである。
学系を介さずにその露光光軸に対して斜め方向からの投
光系よりパターンをウエハ面上に形成し、このパターン
の像を受光系で受光素子面上に再結像し、該受光素子面
上に再結像したパターンの像の位置信号よりウエハ面の
露光光軸方向の位置情報を求めるオフアクシス面位置検
出手段である。なお、このオフアクシス面位置検出手段
は、パターンを形成する位置に反射面プレートを位置さ
せることによって、反射面プレートの面位置検出にも使
用できるものである。
【００１４】また、本発明のデバイス製造方法は、マス
クを載置して移動する第１可動ステージと、ウエハを載
置して移動する第２可動ステージとを投影光学系に対し
同期させて走査させるとともに投影光学系を介してマス
ク上のパターンをウエハ上に投影する工程を有するデバ
イス製造方法であって、第１可動ステージに走査方向に
ずらして設けられた所定パターンのマークを有する複数
の基準プレートの投影光学系に対する露光光軸方向の位
置を検出する検出工程と、第１可動ステージの走査方向
の位置（走査位置）を計測する計測工程と、検出工程に
より検出された複数の露光光軸方向の位置およびその時
の走査位置を記憶する記憶工程と、マスクとウエハの走
査中に記憶された基準プレートと投影光学系との位置関
係に基づきウエハの露光面と投影光学系の露光光軸方向
の位置を補正することを特徴とする。
クを載置して移動する第１可動ステージと、ウエハを載
置して移動する第２可動ステージとを投影光学系に対し
同期させて走査させるとともに投影光学系を介してマス
ク上のパターンをウエハ上に投影する工程を有するデバ
イス製造方法であって、第１可動ステージに走査方向に
ずらして設けられた所定パターンのマークを有する複数
の基準プレートの投影光学系に対する露光光軸方向の位
置を検出する検出工程と、第１可動ステージの走査方向
の位置（走査位置）を計測する計測工程と、検出工程に
より検出された複数の露光光軸方向の位置およびその時
の走査位置を記憶する記憶工程と、マスクとウエハの走
査中に記憶された基準プレートと投影光学系との位置関
係に基づきウエハの露光面と投影光学系の露光光軸方向
の位置を補正することを特徴とする。
【００１５】
（実施形態１）図１は本発明をステップアンドスキャン
方式の投影露光装置に適用したときの一実施形態を示す
概略図である。図２は図１における基準プレートの拡大
説明図である。本実施形態はパルスレーザの光源から射
出する露光光束を照明光学系を介してマスク１をスリッ
ト状の光束６として照射し、マスク１上に形成している
回路パターンを投影レンズ２（投影光学系）によって感
光体を塗布したウエハ３上に走査しながら縮小投影して
焼き付ける走査型露光装置を示している。
方式の投影露光装置に適用したときの一実施形態を示す
概略図である。図２は図１における基準プレートの拡大
説明図である。本実施形態はパルスレーザの光源から射
出する露光光束を照明光学系を介してマスク１をスリッ
ト状の光束６として照射し、マスク１上に形成している
回路パターンを投影レンズ２（投影光学系）によって感
光体を塗布したウエハ３上に走査しながら縮小投影して
焼き付ける走査型露光装置を示している。
【００１６】図１において回路パターンの形成されたマ
スク１はレーザー干渉計８０と駆動制御手段１０００に
よってＸ方向に駆動制御されるマスクステージ４（第１
可動ステージ）に載置している。マスクステージ４はＺ
方向の位置を投影光学系２に対して一定に保った状態で
Ｘ方向に駆動している。
スク１はレーザー干渉計８０と駆動制御手段１０００に
よってＸ方向に駆動制御されるマスクステージ４（第１
可動ステージ）に載置している。マスクステージ４はＺ
方向の位置を投影光学系２に対して一定に保った状態で
Ｘ方向に駆動している。
【００１７】感光基板であるウエハ３はレーザー干渉計
８１と駆動制御手段１０００によってＸＹ方向に駆動制
御されるウエハステージ５ (第２可動ステージ) に載置
している。さらに、ウエハステージ５はＺ方向の位置お
よび傾きが投影光学系２に対して駆動制御可能となって
いる。
８１と駆動制御手段１０００によってＸＹ方向に駆動制
御されるウエハステージ５ (第２可動ステージ) に載置
している。さらに、ウエハステージ５はＺ方向の位置お
よび傾きが投影光学系２に対して駆動制御可能となって
いる。
【００１８】このマスクｌとウエハ３は投影光学系２を
介して光学的に共役な位置に置かれており、照明系（不
図示）によりＹ方向に長いスリット状の露光光束６をマ
スク１上に形成している。このマスク１上の露光光束６
は、投影光学系２の投影倍率に比した大きさのスリット
状の露光光束６ａとしてウエハ３上に形成している。
介して光学的に共役な位置に置かれており、照明系（不
図示）によりＹ方向に長いスリット状の露光光束６をマ
スク１上に形成している。このマスク１上の露光光束６
は、投影光学系２の投影倍率に比した大きさのスリット
状の露光光束６ａとしてウエハ３上に形成している。
【００１９】走査型の縮小投影露光では、このスリット
状の露光光束６および露光光束６ａに対してマスクステ
ージ４とウエハステージ５の双方を投影光学系２の光学
倍率に応じた速度比でＸ方向に動かし、スリット状の露
光光束６および露光光束６ａがマスク上のパターン転写
領域２１とウエハ３上のパターン転写領域２２を走査す
ることによって走査露光している。７はマスク面１の観
察用の顕微鏡である。
状の露光光束６および露光光束６ａに対してマスクステ
ージ４とウエハステージ５の双方を投影光学系２の光学
倍率に応じた速度比でＸ方向に動かし、スリット状の露
光光束６および露光光束６ａがマスク上のパターン転写
領域２１とウエハ３上のパターン転写領域２２を走査す
ることによって走査露光している。７はマスク面１の観
察用の顕微鏡である。
【００２０】本実施形態のマスク１と投影光学系２の光
軸方向（Ｚ軸方向）の位置検出手段は、マスクステージ
上４に設けたプレート１０、１１を利用して検出し、該
検出結果に基づいて駆動制御手段１０００でウエハステ
ージ５を駆動させ、これにより投影光学系の結像面に対
する基準プレートの位置を検出する。
軸方向（Ｚ軸方向）の位置検出手段は、マスクステージ
上４に設けたプレート１０、１１を利用して検出し、該
検出結果に基づいて駆動制御手段１０００でウエハステ
ージ５を駆動させ、これにより投影光学系の結像面に対
する基準プレートの位置を検出する。
【００２１】次に、本実施形態における投影光学系２の
結像面と基準プレート位置検出機構について説明する。
１０、１１は図２に示すような基準プレートであり、そ
の面上には各々マーク５０（５Ｏａ、５０ｂ、５０ｃ)、
５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ）が形成されている。マ
ーク５０、５１はマスク１の回路パターンと光軸方向に
対して同じ位置に設定している。プレート１０、１１は
各々マスクステージ４上に載置されている。
結像面と基準プレート位置検出機構について説明する。
１０、１１は図２に示すような基準プレートであり、そ
の面上には各々マーク５０（５Ｏａ、５０ｂ、５０ｃ)、
５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ）が形成されている。マ
ーク５０、５１はマスク１の回路パターンと光軸方向に
対して同じ位置に設定している。プレート１０、１１は
各々マスクステージ４上に載置されている。
【００２２】マーク５０、５１は例えばガラス基板上に
Ｃｒ蒸着で形成された一部透過性を持つラインアンドス
ペースより構成し、図２に示すように基準プレート１
０、１１上のＹ方向の異なる複数の位置５０ａ〜５０
ｃ、５１ａ〜５１ｃに各々配置している。基準プレート
１０、１１上の異なる位置に複数のマークを配置するこ
とで投影光学系２のスリット状の長手方向（Ｙ方向）の
像面変化を検出できる。また、図１に示すように基準プ
レート１０、１１に設けた３つのマーク（５０ａ〜５０
ｃ、５１ａ〜５１ｃ）の上方には、各マーク毎にハーフ
ミラー（１０１ａ〜１０１ｃ、１１１ａ〜１１１ｃ）、
集光レンズ（１０２ａ〜１０２ｃ、１１２ａ〜１１２
ｃ）そして受光素子（１０３ａ〜１０３ｃ、１１３ａ〜
１１３ｃ）を設けている。ここで１つのハーフミラー１
０１ａ、１つの集光レンズ１０２ａ、そして１つの受光
素子１０３ａで１つの受光系１００ａを構成している。
Ｃｒ蒸着で形成された一部透過性を持つラインアンドス
ペースより構成し、図２に示すように基準プレート１
０、１１上のＹ方向の異なる複数の位置５０ａ〜５０
ｃ、５１ａ〜５１ｃに各々配置している。基準プレート
１０、１１上の異なる位置に複数のマークを配置するこ
とで投影光学系２のスリット状の長手方向（Ｙ方向）の
像面変化を検出できる。また、図１に示すように基準プ
レート１０、１１に設けた３つのマーク（５０ａ〜５０
ｃ、５１ａ〜５１ｃ）の上方には、各マーク毎にハーフ
ミラー（１０１ａ〜１０１ｃ、１１１ａ〜１１１ｃ）、
集光レンズ（１０２ａ〜１０２ｃ、１１２ａ〜１１２
ｃ）そして受光素子（１０３ａ〜１０３ｃ、１１３ａ〜
１１３ｃ）を設けている。ここで１つのハーフミラー１
０１ａ、１つの集光レンズ１０２ａ、そして１つの受光
素子１０３ａで１つの受光系１００ａを構成している。
【００２３】一方、ウエハステージ５上には反射面プレ
ート１２を載置している。この反射面プレート１２の表
面は、ウエハ３の表面と概略同じ高さに設定している。
投影光学系２の光軸上におけるウエハ３の表面位置はオ
フアクシス斜入射方式を用いた面位置検出機構３３によ
り検出している。即ち、面位置検出機構３３はＺ方向の
位置および傾きか検出可能となる。
ート１２を載置している。この反射面プレート１２の表
面は、ウエハ３の表面と概略同じ高さに設定している。
投影光学系２の光軸上におけるウエハ３の表面位置はオ
フアクシス斜入射方式を用いた面位置検出機構３３によ
り検出している。即ち、面位置検出機構３３はＺ方向の
位置および傾きか検出可能となる。
【００２４】ここでオフアクシス面位置検出系としての
面位置検出機構３３では例えば投光系よりパターンまた
はスポット光をウエハ面上に投影し、ウエハ面に形成し
たパターンまたはスポット光を受光系によりセンサー面
上に形成している。そしてセンサー面上におけるそれら
の位置情報がウエハ面の光軸方向の位置と所定の関係と
なるので、このときのセンサー面上における位置情報を
検出してウエハの光軸方向の面位置を検出している。
面位置検出機構３３では例えば投光系よりパターンまた
はスポット光をウエハ面上に投影し、ウエハ面に形成し
たパターンまたはスポット光を受光系によりセンサー面
上に形成している。そしてセンサー面上におけるそれら
の位置情報がウエハ面の光軸方向の位置と所定の関係と
なるので、このときのセンサー面上における位置情報を
検出してウエハの光軸方向の面位置を検出している。
【００２５】図３は投影光学系２と基準プレート１０、
１１による位置検出方法のフローチャートである。
１１による位置検出方法のフローチャートである。
【００２６】始めに駆動制御手段１０００によりマスク
ステージ４とウエハステージ５を駆動させ、マスクステ
ージ４上の基準プレート１０およびウエハステージ５上
の反射面プレート１２を投影光学系２の光軸上に位置さ
せ、基準プレート１０の走査方向位置を記憶する（ステ
ップ１）。このとき基準プレート１０上のマーク５０
（５０ａ〜５０ｃ）はスリット状の露光光束６により照
明される領域内に一致させている。
ステージ４とウエハステージ５を駆動させ、マスクステ
ージ４上の基準プレート１０およびウエハステージ５上
の反射面プレート１２を投影光学系２の光軸上に位置さ
せ、基準プレート１０の走査方向位置を記憶する（ステ
ップ１）。このとき基準プレート１０上のマーク５０
（５０ａ〜５０ｃ）はスリット状の露光光束６により照
明される領域内に一致させている。
【００２７】照明系（不図示）より、照明光をハーフミ
ラー１０１（１０１ａ〜１０１ｃ）を介して基準プレー
ト上のマーク５０を照明する（ステップ２）。ここで照
明光はマスク１面上のパターンをウエハ３に露光するた
めの露光光と同一であっても、また異った光であっても
よい。
ラー１０１（１０１ａ〜１０１ｃ）を介して基準プレー
ト上のマーク５０を照明する（ステップ２）。ここで照
明光はマスク１面上のパターンをウエハ３に露光するた
めの露光光と同一であっても、また異った光であっても
よい。
【００２８】マーク５０を通過した光束は投影光学系２
を経た後、反射面プレート１２上に集光し、反射され
る。反射面プレー卜１２で反射された光束は、再び投影
光学系２を経てマーク５０に集光する。このとき、 一部
の光束はマーク５０を通過してハーフミラー１０１で反
射された後、集光レンズ１０２（１０２ａ〜１０２ｂ）
を通り受光素子１３（１０３ａ〜１０３ｃ）に入光す
る。
を経た後、反射面プレート１２上に集光し、反射され
る。反射面プレー卜１２で反射された光束は、再び投影
光学系２を経てマーク５０に集光する。このとき、 一部
の光束はマーク５０を通過してハーフミラー１０１で反
射された後、集光レンズ１０２（１０２ａ〜１０２ｂ）
を通り受光素子１３（１０３ａ〜１０３ｃ）に入光す
る。
【００２９】ステップ３では、ウエハステージ５を光軸
方向に沿って移動させながら、反射プレート１２の高さ
を面位置検出機構３３により、計測するとともに受光素
子１０３ａ〜１０３ｃの出力をモニターし、記憶する。
受光素子１０３（１０３ａ〜１０３ｃ）からは、基準プ
レート１０上のマーク５０（５０ａ〜５０ｃ）に対応し
た出力が得られる。この受光素子１０３からの出力が最
大値となるｚ位置が各々のマーク５０ａ〜５０ｃの最良
結像面位置となる。したがって、上記受光素子１０３の
出力のモニターが終了したら基準プレート１０の照明を
止め（ステップ４）、マーク５０ａ〜５０ｃ毎に結像位
置を測定する（ステップ５）。
方向に沿って移動させながら、反射プレート１２の高さ
を面位置検出機構３３により、計測するとともに受光素
子１０３ａ〜１０３ｃの出力をモニターし、記憶する。
受光素子１０３（１０３ａ〜１０３ｃ）からは、基準プ
レート１０上のマーク５０（５０ａ〜５０ｃ）に対応し
た出力が得られる。この受光素子１０３からの出力が最
大値となるｚ位置が各々のマーク５０ａ〜５０ｃの最良
結像面位置となる。したがって、上記受光素子１０３の
出力のモニターが終了したら基準プレート１０の照明を
止め（ステップ４）、マーク５０ａ〜５０ｃ毎に結像位
置を測定する（ステップ５）。
【００３０】このときのレーザー干渉計８０から得られ
た基準プレート１０の走査方向の位置Ｍｘ０、および上
記基準プレート上のマーク５０ａ、５０ｂ、５０ｃにお
ける最良結像面位置の位置情報Ｚａ０、Ｚｂ０、Ｚｃ０
を１セットとしてメモリに記憶する。
た基準プレート１０の走査方向の位置Ｍｘ０、および上
記基準プレート上のマーク５０ａ、５０ｂ、５０ｃにお
ける最良結像面位置の位置情報Ｚａ０、Ｚｂ０、Ｚｃ０
を１セットとしてメモリに記憶する。
【００３１】次に、駆動制御手段１０００によりマスク
ステージ４を駆動させ、マスクステージ４上の基準プレ
ート１１およびウエハステージ５上の反射面プレート１
２を投影光学系２の光軸上に位置させ、基準プレート１
１の走査方向の位置を記憶する（ステップ６）。このと
き基準プレート１１上のマーク５１（５１ａ〜５１ｃ）
はスリット状の露光光束６により照明される領域内に一
致させている。
ステージ４を駆動させ、マスクステージ４上の基準プレ
ート１１およびウエハステージ５上の反射面プレート１
２を投影光学系２の光軸上に位置させ、基準プレート１
１の走査方向の位置を記憶する（ステップ６）。このと
き基準プレート１１上のマーク５１（５１ａ〜５１ｃ）
はスリット状の露光光束６により照明される領域内に一
致させている。
【００３２】さらに照明系（不図示）より、照明光をハ
ーフミラー１１１（１１１ａ〜１１１ｃ）を介して基準
プレート上のマーク５１を照明する（ステップ７）。こ
のように、基準プレート１１上の各々のマーク５１ａ〜
５１ｃの最良結像面位置の検出方法（ステップ６〜１
０）については、ステップ１〜５におけるマーク５０ａ
〜５０ｃの最良結像面位置の検出方法と全く同様であ
る。同様にこのときのレーザー干渉計８１から得られた
基準プレート１１の走査方向の位置Ｍｘ１、および上記
基準プレート上のマーク５１ａ、５１ｂ、５１ｃにおけ
る最良結像面位置の位置情報Ｚａ１、Ｚｂ１、Ｚｃ１を
１セットとしてメモリに記憶する。
ーフミラー１１１（１１１ａ〜１１１ｃ）を介して基準
プレート上のマーク５１を照明する（ステップ７）。こ
のように、基準プレート１１上の各々のマーク５１ａ〜
５１ｃの最良結像面位置の検出方法（ステップ６〜１
０）については、ステップ１〜５におけるマーク５０ａ
〜５０ｃの最良結像面位置の検出方法と全く同様であ
る。同様にこのときのレーザー干渉計８１から得られた
基準プレート１１の走査方向の位置Ｍｘ１、および上記
基準プレート上のマーク５１ａ、５１ｂ、５１ｃにおけ
る最良結像面位置の位置情報Ｚａ１、Ｚｂ１、Ｚｃ１を
１セットとしてメモリに記憶する。
【００３３】以下の計算式により、走査方向に対してマ
スクを載置している面とマスクステージとの傾きを求め
ることかできる（ステップ１１）。
スクを載置している面とマスクステージとの傾きを求め
ることかできる（ステップ１１）。
【００３４】
【数１】 なお、本実施形態において各基準プレート上のマークは
必ずしも３つ必要でなく、１つであってもよい。マーク
を複数配置することで、計算処理の平均化効果が期待で
きる。
必ずしも３つ必要でなく、１つであってもよい。マーク
を複数配置することで、計算処理の平均化効果が期待で
きる。
【００３５】次に、本実施形態における上記記憶された
位置情報に基づき、 露光面と投影光学系の結像面の位置
関係を補正する補正機構について説明する。
位置情報に基づき、 露光面と投影光学系の結像面の位置
関係を補正する補正機構について説明する。
【００３６】図４、図５、図６は走査露光時においてマ
スクステージとマスクを載置している面が傾いている例
を示している。
スクステージとマスクを載置している面が傾いている例
を示している。
【００３７】図４はマスクが左側に位置した時のマスク
ステージ４とウエハステージ５の位置関係を示し、図５
はマスクステージ４が中央に位置した時のマスクステー
ジ４とウエハステージ５の位置関係を示し、図６はマス
クステージ４が右側に位置した時のマスク４とウエハ５
の位置関係を示したものである。 走査された位置によっ
て、スリット状の露光光束内においてマスクステージの
高さが変化していることが分かる。
ステージ４とウエハステージ５の位置関係を示し、図５
はマスクステージ４が中央に位置した時のマスクステー
ジ４とウエハステージ５の位置関係を示し、図６はマス
クステージ４が右側に位置した時のマスク４とウエハ５
の位置関係を示したものである。 走査された位置によっ
て、スリット状の露光光束内においてマスクステージの
高さが変化していることが分かる。
【００３８】マスク上のパターンを走査露光する際の動
作について説明する。メイン制御部１２００はマスクス
テージ４とウエハステージ５に走査を開始する。同時に
メイン制御部１２００はマスクステージの位置に応じ
て、θｍよりマスクステージの高さ方向のずれを算出し
て、縮小投影倍率の自乗を乗じてウエハ上の補正量に換
算する。次にオフアクシス面位置検出系３３でウエハ３
の光軸方向のフォーカス位置を検出して、メイン制御部
１２００はその計測値にマスクステージのＺ方向の変動
量を加えて、ウエハ３が結像面に一致するようにステー
ジ５を駆動させるよう、駆動制御手段１０００を制御す
る。
作について説明する。メイン制御部１２００はマスクス
テージ４とウエハステージ５に走査を開始する。同時に
メイン制御部１２００はマスクステージの位置に応じ
て、θｍよりマスクステージの高さ方向のずれを算出し
て、縮小投影倍率の自乗を乗じてウエハ上の補正量に換
算する。次にオフアクシス面位置検出系３３でウエハ３
の光軸方向のフォーカス位置を検出して、メイン制御部
１２００はその計測値にマスクステージのＺ方向の変動
量を加えて、ウエハ３が結像面に一致するようにステー
ジ５を駆動させるよう、駆動制御手段１０００を制御す
る。
【００３９】（実施形態２）他の実施形態として、図７
で説明する。本形態では実施形態１の反射面プレート１
２の代わりに、ウエハステージ５上にスリット状の露光
領域６ａの長手方向と同じ方向に長い２つの反射面プレ
ート１２２、１２３をウエハ３を走査する方向に挟んで
配置している。本形態によれば、投影光学系の結像面と
基準プレートの光軸方向の距離を計測するときに、ウエ
ハステージ５をＹ方向に駆動する必要がないので、実施
形態１よりもスループットが向上する。
で説明する。本形態では実施形態１の反射面プレート１
２の代わりに、ウエハステージ５上にスリット状の露光
領域６ａの長手方向と同じ方向に長い２つの反射面プレ
ート１２２、１２３をウエハ３を走査する方向に挟んで
配置している。本形態によれば、投影光学系の結像面と
基準プレートの光軸方向の距離を計測するときに、ウエ
ハステージ５をＹ方向に駆動する必要がないので、実施
形態１よりもスループットが向上する。
【００４０】（実施形態３）次に、上記説明した露光装
置を利用したデバイスの生産方法を説明する。図８は微
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ２１（回路設計）では半導
体デバイスの回路設計を行う。ステップ２２（マスク製
作）では設計したパターンを形成したマスクを製作す
る。一方、ステップ２３（ウエハ製造）ではシリコンや
ガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ２
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウ
エハ上に実際の回路を形成する。次のステップ２５（組
み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ２４によって作製
されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ２６（検査）では、ステップ２５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ２７）される。
置を利用したデバイスの生産方法を説明する。図８は微
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ２１（回路設計）では半導
体デバイスの回路設計を行う。ステップ２２（マスク製
作）では設計したパターンを形成したマスクを製作す
る。一方、ステップ２３（ウエハ製造）ではシリコンや
ガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ２
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウ
エハ上に実際の回路を形成する。次のステップ２５（組
み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ２４によって作製
されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ２６（検査）では、ステップ２５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ２７）される。
【００４１】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ３１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ３２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ３３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ３４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ３５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ３６（露光）では上記説明した露光の適否を確認す
る手段を有する露光装置によってマスクの回路パターン
をウエハに焼付露光する。ステップ３７（現像）では露
光したウエハを現像する。ステップ３８（エッチング）
では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステッ
プ３９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要と
なったレジストを取り除く。これらのステップ３１〜３
９を繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路
パターンが形成される。
を示す。ステップ３１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ３２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ３３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ３４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ３５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ３６（露光）では上記説明した露光の適否を確認す
る手段を有する露光装置によってマスクの回路パターン
をウエハに焼付露光する。ステップ３７（現像）では露
光したウエハを現像する。ステップ３８（エッチング）
では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステッ
プ３９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要と
なったレジストを取り除く。これらのステップ３１〜３
９を繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路
パターンが形成される。
【００４２】本実施形態ではこの繰り返しの各プロセス
において、上記述べたように露光（ステップ３６）時
に、マスク載置面の傾きによるウエハの最良結像面位置
のずれを補正して正確な露光を行うことができる。
において、上記述べたように露光（ステップ３６）時
に、マスク載置面の傾きによるウエハの最良結像面位置
のずれを補正して正確な露光を行うことができる。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば走査型露光装置におい
て、マスクを載置している面とマスクステージの位置関
係を測定して記憶し、露光時にマスクステージの走査位
置に応じて感光基板のフォーカス位置を補正するので、
走査中にマスク載置面とマスクステージとの傾きによ
り、マスクと投影光学系との位置関係が変化した場合で
も常に感光基板表面を高精度に投影光学系の結像面に対
して露光可能となる。
て、マスクを載置している面とマスクステージの位置関
係を測定して記憶し、露光時にマスクステージの走査位
置に応じて感光基板のフォーカス位置を補正するので、
走査中にマスク載置面とマスクステージとの傾きによ
り、マスクと投影光学系との位置関係が変化した場合で
も常に感光基板表面を高精度に投影光学系の結像面に対
して露光可能となる。
【図１】 実施形態１の走査型露光装置を示す概略図。
【図２】 図１の一部分の拡大説明図。
【図３】 マスクを載置している面とマスクステージの
位置関係を測定するフローチャート。
位置関係を測定するフローチャート。
【図４】 マスクが左側に位置したときのマスクステー
ジとウエハステージの位置関係を示す図。
ジとウエハステージの位置関係を示す図。
【図５】 マスクが中央に位置したときのマスクステー
ジとウエハステージの位置関係を示す図。
ジとウエハステージの位置関係を示す図。
【図６】 マスクが右側に位置したときのマスクステー
ジとウエハステージの位置関係を示す図。
ジとウエハステージの位置関係を示す図。
【図７】 実施形態２の走査型露光装置を示す概略図。
【図８】 微小デバイスの製造工程を示すフローチャー
ト。
ト。
【図９】 図８のウエハプロセスの詳細なフローチャー
ト。
ト。
１：マスク、２：投影光学系、３：ウエハ、４：第１可
動ステージ（マスクステージ）、５：第２可動ステージ
（ウエハステージ）、６，６ａ：スリット状の露光光
束、７：顕微鏡、１０，１１基準プレー卜、１２，１２
２，１２３：反射面プレー卜、２１：マスク上パターン
転写領域、２２：ウエハ上パターン転写領域、３１：ア
ライメントスコープ、３３：オフアクシス面位置検出
系、４２：アライメントマーク、５０ａ〜５０ｃ，５１
ａ〜５１ｃ：基準プレート上マーク、８０，８１：レー
ザー干渉計、１０１ａ〜１０１ｃ，１１１ａ〜１１１
ｃ：ハーフミラー、１０２ａ〜１０２ｃ，１１２ａ〜１
１２ｃ：集光レンズ、１０３ａ〜１０３ｃ，１１３ａ〜
１１３ｃ：受光素子、１００ａ：受光系、１０００：駆
動制御手段、１１００：焦点位置検出制御手段、１２０
０：メイン制御部。
動ステージ（マスクステージ）、５：第２可動ステージ
（ウエハステージ）、６，６ａ：スリット状の露光光
束、７：顕微鏡、１０，１１基準プレー卜、１２，１２
２，１２３：反射面プレー卜、２１：マスク上パターン
転写領域、２２：ウエハ上パターン転写領域、３１：ア
ライメントスコープ、３３：オフアクシス面位置検出
系、４２：アライメントマーク、５０ａ〜５０ｃ，５１
ａ〜５１ｃ：基準プレート上マーク、８０，８１：レー
ザー干渉計、１０１ａ〜１０１ｃ，１１１ａ〜１１１
ｃ：ハーフミラー、１０２ａ〜１０２ｃ，１１２ａ〜１
１２ｃ：集光レンズ、１０３ａ〜１０３ｃ，１１３ａ〜
１１３ｃ：受光素子、１００ａ：受光系、１０００：駆
動制御手段、１１００：焦点位置検出制御手段、１２０
０：メイン制御部。
Claims (8)
- 【請求項１】 第１物体を載置して移動する第１可動ス
テージと、第２物体を載置して移動する第２可動ステー
ジとを有し、前記第１および第２可動ステージを投影光
学系に対し同期させて走査させるとともに前記投影光学
系を介して前記第１物体上のパターンを前記第２物体上
に投影露光する走査型露光装置において、前記第１可動
ステージに設けられた所定パターンのマークを有する複
数の基準プレートと、前記基準プレートの前記投影光学
系に対する露光光軸方向の位置を検出する検出手段と、
前記第１可動ステージの走査方向の位置（走査位置）を
計測する手段と、前記検出手段により検出された前記露
光光軸方向の位置およびその時の走査位置を記憶する記
憶手段と、前記第１物体と前記第２物体の走査中に、記
憶された前記基準プレートと前記投影光学系との位置関
係に基づき前記第２物体の露光面と前記投影光学系との
露光光軸方向の位置を補正する補正手段とを有すること
を特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記検出手段は、前記第２可動ステージ
に設けられ前記第２物体と露光光軸方向において実質的
に同じ位置の反射面プレートと、前記基準プレートのマ
ークを前記投影光学系を介して前記反射面プレートに投
影するための光源と、前記反射面で反射させた光を前記
投影光学系と前記基準プレートのマークの透過部を介し
て受光するための受光手段と、前記第２物体または前記
反射面プレートの露光光軸方向の位置を計測する面位置
計測手段とを具備し、前記受光手段からの出力信号とそ
の時の第２可動ステージの露光光軸方向の位置とによっ
て、前記基準プレートの前記投影光学系に対する露光光
軸方向の位置を検出するものであることを特徴とする請
求項１に記載の走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記基準プレートと前記投影光学系との
複数の位置関係により前記第１可動ステージと前記第１
物体の載置面との角度を算出し、前記補正手段はこの角
度に基づいて前記第２物体の露光面と前記投影光学系と
の露光光軸方向の位置を連続的に補正するものであるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の走査型露光装
置。 - 【請求項４】 前記第１物体の載置面と前記第１可動ス
テージ面との、前記第１可動ステージ面上の走査方向に
直交する線を軸とした角度を算出できるように、前記基
準プレートは前記第１可動ステージ上における第１物体
面を走査方向に挟んだ少なくとも２箇所設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記第１可動ステージ面上の走査方向に
直交する線を軸とした角度の平均を算出できるように、
前記基準プレートのマークが前記基準プレート上の前記
走査方向に直交する方向に複数設けられていることを特
徴とする請求項４記載の走査型露光装置。 - 【請求項６】 前記反射面プレートが、前記基準プレー
トの走査位置に対応するように前記第２物体面を走査方
向に挟んだ少なくとも２箇所設けられていることを特徴
とする請求項４または５記載の走査型露光装置。 - 【請求項７】 前記面位置計測手段は、前記投影光学系
を介さずにその露光光軸に対して斜め方向からの投光系
よりパターンを前記第２物体面または前記反射面プレー
ト上に形成し、該パターンの像を受光系で受光素子面上
に再結像し、該受光素子面上に再結像したパターンの像
の位置信号より前記第２物体面または前記反射面プレー
トの露光光軸方向の位置情報を求めるオフアクシス面位
置検出手段であることを特徴とする請求項２〜６のいず
れかに記載の走査型露光装置。 - 【請求項８】 第１物体を載置して移動する第１可動ス
テージと、第２物体を載置して移動する第２可動ステー
ジとを投影光学系に対し同期させて走査させるとともに
前記投影光学系を介して前記第１物体上のパターンを前
記第２物体上に投影する工程を有するデバイス製造方法
において、前記第１可動ステージに走査方向にずらして
設けられた所定パターンのマークを有する複数の基準プ
レートの前記投影光学系に対する露光光軸方向の位置を
検出する検出工程と、前記第１可動ステージの走査方向
の位置（走査位置）を計測する工程と、前記検出工程に
より検出された複数の前記露光光軸方向の位置およびそ
の時の走査位置を記憶する記憶工程と、前記第１物体と
前記第２物体の走査中に、記憶された前記基準プレート
と前記投影光学系との位置関係に基づき前記第２物体の
露光面と前記投影光学系の露光光軸方向の位置を補正す
ることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020097A JP3441930B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 |
| US09/116,884 US6473156B2 (en) | 1997-07-22 | 1998-07-16 | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method |
| EP98305740A EP0893738B1 (en) | 1997-07-22 | 1998-07-17 | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method |
| KR1019980029375A KR100317092B1 (ko) | 1997-07-22 | 1998-07-22 | 주사형노광장치및디바이스제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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