JPH01284793A - 基板支持装置 - Google Patents
基板支持装置Info
- Publication number
- JPH01284793A JPH01284793A JP63112628A JP11262888A JPH01284793A JP H01284793 A JPH01284793 A JP H01284793A JP 63112628 A JP63112628 A JP 63112628A JP 11262888 A JP11262888 A JP 11262888A JP H01284793 A JPH01284793 A JP H01284793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate support
- vibration
- acceleration sensor
- displacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F15/00—Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion
- F16F15/02—Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D19/00—Control of mechanical oscillations, e.g. of amplitude, of frequency, of phase
- G05D19/02—Control of mechanical oscillations, e.g. of amplitude, of frequency, of phase characterised by the use of electric means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/802—Circuitry or processes for operating piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for, e.g. drive circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マスク上に描かれたパターンの像を感光剤を
塗布したクエへ等の基板上に露光する露光装置等に用い
て好適な基板支持装置に関する。
塗布したクエへ等の基板上に露光する露光装置等に用い
て好適な基板支持装置に関する。
[従来の技術]
露光装置における基板支持装置を例に採り説明する。
第8図は、従来の露光装置において用いられていた基板
支持装置の概略構成を示す模式図である。同図において
、1は基板、2は基板支持部、3は板バネ、4は軸、5
はステージを示す。基板1を載置する基板支持部2は、
板バネ(ベアリング等による場合もある)および軸4等
でステージ5に固定されており、エア・クツション等で
ステージの除振を行なうように構成されている。
支持装置の概略構成を示す模式図である。同図において
、1は基板、2は基板支持部、3は板バネ、4は軸、5
はステージを示す。基板1を載置する基板支持部2は、
板バネ(ベアリング等による場合もある)および軸4等
でステージ5に固定されており、エア・クツション等で
ステージの除振を行なうように構成されている。
[発明が解決しようとする課題]
ところで従来は、現在程の微細なパターンの露光を行な
っていなかったこと等により、上記のような構成におい
てステージ5の除振が充分であれば、基板1および基板
支持部2の振動による基板1の変位は無視できる量であ
った。
っていなかったこと等により、上記のような構成におい
てステージ5の除振が充分であれば、基板1および基板
支持部2の振動による基板1の変位は無視できる量であ
った。
ところが、最近では超微細なパターンを基板上に形成す
るために高出力の線源が用いられるようになっており、
許容される基板および基板支持部の変位はより小さくな
ってきている。従って、線源からの光線が基板で散乱ま
たは吸収されることによって発生する熱およびステージ
や雰囲気からの熱による基板および基板支持部の熱膨張
は、無視できない変位量になるため、基板および基板支
持部を冷却するために冷却水等を流すことが考えられて
いる。
るために高出力の線源が用いられるようになっており、
許容される基板および基板支持部の変位はより小さくな
ってきている。従って、線源からの光線が基板で散乱ま
たは吸収されることによって発生する熱およびステージ
や雰囲気からの熱による基板および基板支持部の熱膨張
は、無視できない変位量になるため、基板および基板支
持部を冷却するために冷却水等を流すことが考えられて
いる。
しかしながら、このような方式では冷却水が流路を通過
する際の管摩擦および冷却水の脈動により、新たに基板
および基板支持部に力が加わってしまう。そして、この
力による基板および基板支持部の振動による変位は0.
00数〜0.0数μmとなり、超微細なパターンを形成
するうえで必要とされる高精度な位置合せを困難にする
という問題点がある。
する際の管摩擦および冷却水の脈動により、新たに基板
および基板支持部に力が加わってしまう。そして、この
力による基板および基板支持部の振動による変位は0.
00数〜0.0数μmとなり、超微細なパターンを形成
するうえで必要とされる高精度な位置合せを困難にする
という問題点がある。
本発明は、上述のような問題点に鑑み、基板支持装置に
おいて基板および基板支持部の振動を抑え、露光時の基
板の振動によるパターン形成精度の悪化を防ぐことを目
的とする。
おいて基板および基板支持部の振動を抑え、露光時の基
板の振動によるパターン形成精度の悪化を防ぐことを目
的とする。
[課題を解決するための手段および作用コ上記の目的を
達成するため、本発明に係る基板支持装置は、基板支持
部に速度センサまたは加速度センサ等の変位センサおよ
び圧電素子等の変位を生じる素子すなわち振動子を取付
けることとしている。これにより、基板および基板支持
部の振動は変位センサによって検出され、その振動に基
づく出力信号が振動子に向けて出力される。そして、振
動子は該出力信号に基づき基板および基板支持部の振動
を相殺するように振動動作を行なう。
達成するため、本発明に係る基板支持装置は、基板支持
部に速度センサまたは加速度センサ等の変位センサおよ
び圧電素子等の変位を生じる素子すなわち振動子を取付
けることとしている。これにより、基板および基板支持
部の振動は変位センサによって検出され、その振動に基
づく出力信号が振動子に向けて出力される。そして、振
動子は該出力信号に基づき基板および基板支持部の振動
を相殺するように振動動作を行なう。
なお、変位センサの出力レベルおよび振動子の入力に対
する変位のレベルを考慮して、変位センサの出力を増幅
器を介して振動子に入力することとすれば便宜である。
する変位のレベルを考慮して、変位センサの出力を増幅
器を介して振動子に入力することとすれば便宜である。
また、変位センサと振動子の取付けの位置関係に対応し
て、変位センサの出力を同相で、あるいは逆相で振動子
に与えてやるとよい。
て、変位センサの出力を同相で、あるいは逆相で振動子
に与えてやるとよい。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例に係る基板支持装置の
概略構成を示す模式図である。また、第2図は、本実施
例の基板支持装置を立体的に表した斜視図であり、第3
図は本実施例の基板支持装置を第2図の矢印Aの方向か
ら見た平面図である。なお、第1〜3図では同一構成要
素に対しては同一の付番を付してこれを示す。
概略構成を示す模式図である。また、第2図は、本実施
例の基板支持装置を立体的に表した斜視図であり、第3
図は本実施例の基板支持装置を第2図の矢印Aの方向か
ら見た平面図である。なお、第1〜3図では同一構成要
素に対しては同一の付番を付してこれを示す。
第1〜3図において、1は基板、2は基板1を真空チャ
ック等の手段により保持するための基板支持部、3は基
板支持部2をステージに固定するための板バネ、4は基
板支持部2をステージに固定し回転方向の変位を与える
ための軸、5は基板支持部2を固定するためのステージ
、6はX方向の加速度に感度をもつ加速度センサ、7は
X方向の変位を生じる圧電素子等の振動子、8はZ方向
の加速度に感度をもつ加速度センサ、9は2方向の変位
を生じる圧電素子等の振動子、10はX方向の加速度に
感度をもつ加速度センサ、11はX方向の変位を生じる
圧電素子等の振動子、12は加速度センサおよび圧電素
子等の振動子を基板支持部2に取り付けるための治具、
13は加速度センサの出力を増幅するためのアンプであ
る。26は加速度センサの出力および振動子等を制御す
る露光制御CPUである。
ック等の手段により保持するための基板支持部、3は基
板支持部2をステージに固定するための板バネ、4は基
板支持部2をステージに固定し回転方向の変位を与える
ための軸、5は基板支持部2を固定するためのステージ
、6はX方向の加速度に感度をもつ加速度センサ、7は
X方向の変位を生じる圧電素子等の振動子、8はZ方向
の加速度に感度をもつ加速度センサ、9は2方向の変位
を生じる圧電素子等の振動子、10はX方向の加速度に
感度をもつ加速度センサ、11はX方向の変位を生じる
圧電素子等の振動子、12は加速度センサおよび圧電素
子等の振動子を基板支持部2に取り付けるための治具、
13は加速度センサの出力を増幅するためのアンプであ
る。26は加速度センサの出力および振動子等を制御す
る露光制御CPUである。
説明のため、第1.3図に示すx、y、zの向きの座標
系を定めておく。なお、第1図中で各加速度センサa、
a、toに取付けられたリード線に付された+、−は、
基板支持部2が振動して+x、+yあるいは+2の向き
に加速度が生じたときにそれぞれの方向の加速度センサ
6.8.10が−に対して十のリード線に正の電位を生
ずるという意を表わす。また、圧電素子7,9.itに
取付けられたリード線に付された+、−は、圧電素子7
,9.11について−に対して十のリード線に正の電位
を与えると各方向の圧電素子7゜9.11がそれぞれ十
X、+y、+Zの向きに正の変位を生じる極性であるこ
とを示す。
系を定めておく。なお、第1図中で各加速度センサa、
a、toに取付けられたリード線に付された+、−は、
基板支持部2が振動して+x、+yあるいは+2の向き
に加速度が生じたときにそれぞれの方向の加速度センサ
6.8.10が−に対して十のリード線に正の電位を生
ずるという意を表わす。また、圧電素子7,9.itに
取付けられたリード線に付された+、−は、圧電素子7
,9.11について−に対して十のリード線に正の電位
を与えると各方向の圧電素子7゜9.11がそれぞれ十
X、+y、+Zの向きに正の変位を生じる極性であるこ
とを示す。
第4図は、第2図と同様の本実施例の基板支持装置の斜
視図である。本実施例の装置においては、基板支持部2
の振動の方向は主に第4図に示したz軸回りの回転方向
(矢印Bの方向)および点0を中心としたX軸回りの回
転方向(矢印Cの方向)である。
視図である。本実施例の装置においては、基板支持部2
の振動の方向は主に第4図に示したz軸回りの回転方向
(矢印Bの方向)および点0を中心としたX軸回りの回
転方向(矢印Cの方向)である。
第1〜4図を参照して、基板支持部2の2軸回りの回転
方向の振動を抑える場合の本実施例の装置の動作を説明
する。
方向の振動を抑える場合の本実施例の装置の動作を説明
する。
例えば上記構成において、基板支持部2に撃力が加わっ
たとする。このときのZ軸回り方向に生じた加速度はY
方向加速度センサ6で検知し、その加速度センサ6の出
力をアンプ13で増幅した後の出力の周波数特性を第5
図のグラフに示す。
たとする。このときのZ軸回り方向に生じた加速度はY
方向加速度センサ6で検知し、その加速度センサ6の出
力をアンプ13で増幅した後の出力の周波数特性を第5
図のグラフに示す。
同図のグラフより、160)1z、210Hz。
300Hz、330Hz、560Hz (20Hz近辺
のピークはノイズ)近辺にピークがあることが分る。
のピークはノイズ)近辺にピークがあることが分る。
そこで、ここでは簡単のため、板バネ3の弾性定数が異
なり固有振動数が200Hzであるような上記構成の系
について考えてみる。
なり固有振動数が200Hzであるような上記構成の系
について考えてみる。
Z軸回り方向に周波数fおよび変位Xで振動していると
すると加速度aは a=(2πf)2 ・X で与えられる。これに応じて、第1図中のX方向に感度
をもつ加速度センサ6は出力V=as (sは加速度セ
ンサの感度)を生じる。第1図中の基板支持部2、板バ
ネ3、軸4およびステージ5からなる系において、X方
向の固有振動数が200Hzであるとすると、水冷等に
よって発生する振動は200Hzが主となる。ここで例
えば加速度センサ6の位置で、基板1および基板支持部
2が振動数200Hzかつ変位0.01μm?y方向に
振動したとする。このとき、加速度センサ6の感度が1
m V / (m/5ec2)であると、加速度セン
サからの出力は一96dBvとなる。
すると加速度aは a=(2πf)2 ・X で与えられる。これに応じて、第1図中のX方向に感度
をもつ加速度センサ6は出力V=as (sは加速度セ
ンサの感度)を生じる。第1図中の基板支持部2、板バ
ネ3、軸4およびステージ5からなる系において、X方
向の固有振動数が200Hzであるとすると、水冷等に
よって発生する振動は200Hzが主となる。ここで例
えば加速度センサ6の位置で、基板1および基板支持部
2が振動数200Hzかつ変位0.01μm?y方向に
振動したとする。このとき、加速度センサ6の感度が1
m V / (m/5ec2)であると、加速度セン
サからの出力は一96dBvとなる。
一方、例えば圧電素子7に周波数200Hzおよび振幅
4dBvの信号を加えたときのX方向の振動の変位が0
.01μmであるとする。このとき加速度センサ6の位
置におけるX方向の基板1および基板支持部2の変位0
.01μmを抑えるためには、加速度センサ6の出力を
入力信号としてアンプ13により100dB増幅し、そ
のアンプ13の出力信号を同位相のまま圧電素子7に与
えてやる。これによりX方向の振動(第4図の矢印Bの
方向の振動)を抑えることができる。
4dBvの信号を加えたときのX方向の振動の変位が0
.01μmであるとする。このとき加速度センサ6の位
置におけるX方向の基板1および基板支持部2の変位0
.01μmを抑えるためには、加速度センサ6の出力を
入力信号としてアンプ13により100dB増幅し、そ
のアンプ13の出力信号を同位相のまま圧電素子7に与
えてやる。これによりX方向の振動(第4図の矢印Bの
方向の振動)を抑えることができる。
同様にX、Z方向の振動もそれぞれ加速度センサ10、
圧電素子11、加速度センサ8、圧電素子9を用いて振
動を抑えることができる。
圧電素子11、加速度センサ8、圧電素子9を用いて振
動を抑えることができる。
なお、上記構成の例によれば加速度センサ6と圧電素子
7を基板支持部2の中心線(Z軸方向)を挟んで対向す
る位置に配置しているので、加速度センサ6の出力と同
相の信号を圧電素子7に対して与えている。一方、X方
向の振動については加速度センサ10と圧電素子11の
位置関係から、加速度センサ10の出力に対し逆位相の
信号を圧電素子11に与える必要がある。
7を基板支持部2の中心線(Z軸方向)を挟んで対向す
る位置に配置しているので、加速度センサ6の出力と同
相の信号を圧電素子7に対して与えている。一方、X方
向の振動については加速度センサ10と圧電素子11の
位置関係から、加速度センサ10の出力に対し逆位相の
信号を圧電素子11に与える必要がある。
上記加速度センサと圧電素子の位置関係についての限定
はアンプの増幅率を変えること等により、解除できるの
でこれにこだわるものではない。また、第1図中x、y
、z方向の振動を取りあげて説明したが、このうちの一
方向または合成された方向への振動についても同様であ
り、これにこだわるものではない。
はアンプの増幅率を変えること等により、解除できるの
でこれにこだわるものではない。また、第1図中x、y
、z方向の振動を取りあげて説明したが、このうちの一
方向または合成された方向への振動についても同様であ
り、これにこだわるものではない。
第6図は、本発明の他の実施例に係る基板支持装置の圧
電素子の取付は部分を示す模式図であり、第1図の装置
とは圧電素子の取付は方法を変えたものである。第7図
はその側面図である。なお、簡単のため図は基板支持部
2の右半分のみ図示し、付番は第1図の装置と同様とす
る。
電素子の取付は部分を示す模式図であり、第1図の装置
とは圧電素子の取付は方法を変えたものである。第7図
はその側面図である。なお、簡単のため図は基板支持部
2の右半分のみ図示し、付番は第1図の装置と同様とす
る。
本実施例では前述の第1の実施例とは異なり、圧電素子
?、9.11は直接にステージ5に固定されている。そ
のため、圧電素子7,9.11に直流の電圧を加えるこ
とによって、基板1および基板支持部2をステージ5に
対して一定の変位を与えたまま保つことができる。従っ
て、基板1のアライメントやフォーカシングをこの圧電
素子を用いて行なうことができるという新たな効果があ
る。
?、9.11は直接にステージ5に固定されている。そ
のため、圧電素子7,9.11に直流の電圧を加えるこ
とによって、基板1および基板支持部2をステージ5に
対して一定の変位を与えたまま保つことができる。従っ
て、基板1のアライメントやフォーカシングをこの圧電
素子を用いて行なうことができるという新たな効果があ
る。
第9図は、本発明に係る露光装置の概略全体構成を示す
ブロック図である。同図において、21はSOR等の線
源、22はシャッタ、23はマスり、24はウェハ、2
5はウェハの位置決めを行なうX−Y−θステージであ
る。線源から発した光線は、シャッタを介してマスクに
照射され、マスク上のパターンがウェハ上に投影される
ことによって焼付露光が行なわれる。
ブロック図である。同図において、21はSOR等の線
源、22はシャッタ、23はマスり、24はウェハ、2
5はウェハの位置決めを行なうX−Y−θステージであ
る。線源から発した光線は、シャッタを介してマスクに
照射され、マスク上のパターンがウェハ上に投影される
ことによって焼付露光が行なわれる。
第10図は、本発明を実施したときの露光の制御方法の
一実施例の説明のための流れ図である。
一実施例の説明のための流れ図である。
以下、この流れ図について説明する。今まで述べてきた
方法で能動的に振動を減少させていても、振幅が大きい
ときは、これを減衰させるのにある程度の時間がかかる
。簡単のために振動のモードがZ軸回りの1つであって
、その固有振動数がf、(Hz)のみであるとし、加速
度センサの位置でのZ軸回りの方向の振動の許容値(こ
こでいう許容値とは、露光に悪影響を与えない振幅の限
界値であり、この値は予め実験により求めておくことが
できる)がX(μm)であったとする。露光前のZ軸回
りの方向の加速度を検出する加速度センサの出力から計
算された加速度をa(μm/5ec2)とすると、加速
度センサの位置での振動の振幅は (2πf0)2 となるから でないならば以上の条件を満足するまで待ってから露光
を行なうようにした。以上の制御方法によって、振動に
よる解像度の悪化を防げるという効果がある。これらの
制御はCPU26 (第1.9図)によって行なわれる
。
方法で能動的に振動を減少させていても、振幅が大きい
ときは、これを減衰させるのにある程度の時間がかかる
。簡単のために振動のモードがZ軸回りの1つであって
、その固有振動数がf、(Hz)のみであるとし、加速
度センサの位置でのZ軸回りの方向の振動の許容値(こ
こでいう許容値とは、露光に悪影響を与えない振幅の限
界値であり、この値は予め実験により求めておくことが
できる)がX(μm)であったとする。露光前のZ軸回
りの方向の加速度を検出する加速度センサの出力から計
算された加速度をa(μm/5ec2)とすると、加速
度センサの位置での振動の振幅は (2πf0)2 となるから でないならば以上の条件を満足するまで待ってから露光
を行なうようにした。以上の制御方法によって、振動に
よる解像度の悪化を防げるという効果がある。これらの
制御はCPU26 (第1.9図)によって行なわれる
。
また、露光中に
なる状態になったときには、次回からその画角を露光し
ないことでスルーブツトを大きくできる効果がある。こ
の流れ図を第11図に示す。簡単に説明すると、露光に
支障を来すような許容値以上の振動がウェハチャックに
生じたときは、その許容値以上の振動値を発したときの
画角の番地をCPtJによって記憶しておき、次工程か
らはその記憶番地に従ってその番地をとばして露光制御
を行なうようにした。このようにすることにより、スル
ーブツトの向上が得られる。
ないことでスルーブツトを大きくできる効果がある。こ
の流れ図を第11図に示す。簡単に説明すると、露光に
支障を来すような許容値以上の振動がウェハチャックに
生じたときは、その許容値以上の振動値を発したときの
画角の番地をCPtJによって記憶しておき、次工程か
らはその記憶番地に従ってその番地をとばして露光制御
を行なうようにした。このようにすることにより、スル
ーブツトの向上が得られる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、基板支持装置に
振動を計測するためのセンサとこのセンサからの出力信
号を入力信号とする圧電素子などの振動子を備え、これ
によって基板の振動を打ち消すような力を与えているの
で、 (1)基板および基板支持部の振動を抑えることができ
、振動時の基板の振動によるパターン形成精度の悪化を
防ぐ効果がある。
振動を計測するためのセンサとこのセンサからの出力信
号を入力信号とする圧電素子などの振動子を備え、これ
によって基板の振動を打ち消すような力を与えているの
で、 (1)基板および基板支持部の振動を抑えることができ
、振動時の基板の振動によるパターン形成精度の悪化を
防ぐ効果がある。
(2)振動を抑えるための圧電素子等の振動子を基板の
アライメントやフォーカシングに用いることにより、従
来の部品点数を変えずに、振動時の基板の振動によるパ
ターン形成精度の悪化を防ぐことができる。
アライメントやフォーカシングに用いることにより、従
来の部品点数を変えずに、振動時の基板の振動によるパ
ターン形成精度の悪化を防ぐことができる。
第1図は、本発明の第1の実施例に係る基板支持装置の
概略構成を示す模式図、 第2図は、本実施例の基板支持装置を立体的に表した斜
視図、 第3図は、本実施例の基板支持装置を第2図の矢印Aの
方向から見た平面図、 第4図は、基板支持体の振動の様子を示した第2図と同
様の本実施例の基板支持装置の斜視図、第5図は、加速
度センサの出力のアンプによる増幅後における出力の周
波数特性を示すグラフ、第6図は、本発明の別の実施例
に係る基板支持装置の圧電素子の取付は部分を示す模式
図、第7図は、第6図の装置の側面図、 第8図は、従来の露光装置において用いられていた基板
支持装置の概略構成を示す模式図、第9図は、本発明を
実施したときの露光装置の全体構成を示すブロック図、 第10図は、本発明を実施したときの露光の制御方法の
一実施例を示す流れ図、 第11図は、別の制御方法の一実施例を示す流れ図であ
る。 1:基板、 2:基板支持部、 3:板バネ、 4:軸、 5:ステージ、 6.8,10:加速度センサ、 7.9,11:圧電素子、 12;治具、 13:増幅器。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 トへ 2−〒1 C 第 4 区 0.002 1”J K4jC(K)、+21
1第5図 第6図 露光ジステち 第9図 第11図
概略構成を示す模式図、 第2図は、本実施例の基板支持装置を立体的に表した斜
視図、 第3図は、本実施例の基板支持装置を第2図の矢印Aの
方向から見た平面図、 第4図は、基板支持体の振動の様子を示した第2図と同
様の本実施例の基板支持装置の斜視図、第5図は、加速
度センサの出力のアンプによる増幅後における出力の周
波数特性を示すグラフ、第6図は、本発明の別の実施例
に係る基板支持装置の圧電素子の取付は部分を示す模式
図、第7図は、第6図の装置の側面図、 第8図は、従来の露光装置において用いられていた基板
支持装置の概略構成を示す模式図、第9図は、本発明を
実施したときの露光装置の全体構成を示すブロック図、 第10図は、本発明を実施したときの露光の制御方法の
一実施例を示す流れ図、 第11図は、別の制御方法の一実施例を示す流れ図であ
る。 1:基板、 2:基板支持部、 3:板バネ、 4:軸、 5:ステージ、 6.8,10:加速度センサ、 7.9,11:圧電素子、 12;治具、 13:増幅器。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 トへ 2−〒1 C 第 4 区 0.002 1”J K4jC(K)、+21
1第5図 第6図 露光ジステち 第9図 第11図
Claims (3)
- (1)基板または基板を支持する部分に、該基板または
基板を支持する部分の変位に基づく信号を発生するセン
サおよび該信号を入力して変位を生じる素子を具備する
ことを特徴とする基板支持装置。 - (2)前記センサの出力信号が増幅器を介して前記素子
に与えられる特許請求の範囲第1項に記載の基板支持装
置。 - (3)前記センサの出力信号が同相または逆相で前記素
子に与えられる特許請求の範囲第1項または第2項に記
載の基板支持装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63112628A JPH01284793A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 基板支持装置 |
DE68923576T DE68923576T2 (de) | 1988-05-11 | 1989-05-11 | Bauteilträgervorrichtung. |
US07/350,648 US5155523A (en) | 1988-05-11 | 1989-05-11 | Workpiece supporting mechanism |
EP89304792A EP0342040B1 (en) | 1988-05-11 | 1989-05-11 | Workpiece supporting mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63112628A JPH01284793A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 基板支持装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01284793A true JPH01284793A (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=14591488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63112628A Pending JPH01284793A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 基板支持装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5155523A (ja) |
EP (1) | EP0342040B1 (ja) |
JP (1) | JPH01284793A (ja) |
DE (1) | DE68923576T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355674B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
JP2009524237A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | エレクトログラス・インコーポレーテッド | プロービング・システムにおける改良した安定のための方法及び装置 |
US8519728B2 (en) | 2008-12-12 | 2013-08-27 | Formfactor, Inc. | Compliance control methods and apparatuses |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0412853B1 (en) * | 1989-08-11 | 1997-03-26 | Bridgestone Corporation | Active-type vibration control apparatus |
US5333035A (en) * | 1992-05-15 | 1994-07-26 | Nikon Corporation | Exposing method |
KR950003927A (ko) * | 1993-07-27 | 1995-02-17 | 김광호 | 화상형성장치 |
US5593800A (en) * | 1994-01-06 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus |
JP3226704B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP3402750B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2003-05-06 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 |
DE69521107T2 (de) * | 1994-11-29 | 2001-10-31 | Canon Kk | Ausrichtverfahren und Halbleiterbelichtungsverfahren |
JPH08293459A (ja) | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Nikon Corp | ステージ駆動制御方法及びその装置 |
JP3320262B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
JP3564833B2 (ja) | 1995-11-10 | 2004-09-15 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
TW341719B (en) * | 1996-03-01 | 1998-10-01 | Canon Kk | Surface position detecting method and scanning exposure method using the same |
JP3814359B2 (ja) | 1996-03-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | X線投影露光装置及びデバイス製造方法 |
US6002987A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-14 | Nikon Corporation | Methods to control the environment and exposure apparatus |
GB2312972B (en) * | 1996-05-11 | 2000-02-09 | Marconi Gec Ltd | Vibration control |
US6089525A (en) * | 1997-10-07 | 2000-07-18 | Ultratech Stepper, Inc. | Six axis active vibration isolation and payload reaction force compensation system |
AU1172699A (en) * | 1997-11-18 | 1999-06-07 | Nikon Corporation | Vibration eliminator, aligner and projection exposure method |
US6060813A (en) * | 1998-01-08 | 2000-05-09 | Xerox Corporation | Vibration suppression and electromechanical damping apparatus for electrophotographic printing structures |
JP4194160B2 (ja) | 1998-02-19 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
JP3554186B2 (ja) | 1998-04-08 | 2004-08-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法および反力受け方法 |
US6113056A (en) * | 1998-08-04 | 2000-09-05 | Micrion Corporation | Workpiece vibration damper |
JP2003110012A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nissin Electric Co Ltd | 基板保持方法およびその装置 |
JP2004281783A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Renesas Technology Corp | 半導体処理装置 |
WO2004107416A1 (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-09 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
US6834548B1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-12-28 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reduction of high-frequency vibrations in thick pellicles |
DE10344538A1 (de) | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Integrated Dynamics Eng Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Schwingungsisolation, insbesondere für Elektronenstrahl-Meßwerkzeuge |
JP4708876B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
US7508494B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a subtrate table for exciting a shockwave in a substrate |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1193297A (en) * | 1966-07-01 | 1970-05-28 | Telefunken Patent | Device for the Fine Adjustment of Photomasks with respect to Semiconductor Elements |
US4629313A (en) * | 1982-10-22 | 1986-12-16 | Nippon Kogaku K.K. | Exposure apparatus |
JPS59101830A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Canon Inc | 転写装置 |
JPS6032050A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Canon Inc | 露光装置 |
US4723086A (en) * | 1986-10-07 | 1988-02-02 | Micronix Corporation | Coarse and fine motion positioning mechanism |
EP0295860B1 (en) * | 1987-06-15 | 1994-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
DE68921687T2 (de) * | 1988-09-02 | 1995-08-03 | Canon Kk | Belichtungseinrichtung. |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63112628A patent/JPH01284793A/ja active Pending
-
1989
- 1989-05-11 EP EP89304792A patent/EP0342040B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-11 DE DE68923576T patent/DE68923576T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-11 US US07/350,648 patent/US5155523A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355674B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
US8068210B2 (en) | 2004-09-28 | 2011-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
JP2009524237A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | エレクトログラス・インコーポレーテッド | プロービング・システムにおける改良した安定のための方法及び装置 |
US8519728B2 (en) | 2008-12-12 | 2013-08-27 | Formfactor, Inc. | Compliance control methods and apparatuses |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68923576T2 (de) | 1996-01-25 |
EP0342040B1 (en) | 1995-07-26 |
DE68923576D1 (de) | 1995-08-31 |
EP0342040A3 (en) | 1990-08-08 |
EP0342040A2 (en) | 1989-11-15 |
US5155523A (en) | 1992-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01284793A (ja) | 基板支持装置 | |
JP3265670B2 (ja) | ステージ装置、ステージ駆動方法、及び露光装置 | |
JP5009991B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP2003203860A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JPH1089403A (ja) | 防振装置 | |
JPH06232021A (ja) | ステージ装置 | |
US6420716B1 (en) | Servo control method and its application in a lithographic apparatus | |
JP2001148341A (ja) | 露光装置 | |
JP2003262501A (ja) | 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
US6396562B1 (en) | Microdevice manufacturing apparatus | |
US8619361B2 (en) | Direct derivative feedforward vibration compensation system | |
JPH03263810A (ja) | 半導体露光装置の振動制御方法 | |
JP3184510B2 (ja) | 基板支持装置 | |
JP2001140972A (ja) | 除振装置 | |
JP2001135561A (ja) | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
US20070115451A1 (en) | Lithographic System with Separated Isolation Structures | |
KR20210100012A (ko) | 진동 제어장치, 노광 장치, 및 물품제조방법 | |
JPH118181A (ja) | 投影型露光装置 | |
JPH11204406A (ja) | 位置決め装置、位置決め方法および露光装置 | |
US6662661B2 (en) | Method of measuring oscillatory semiconductor membranes and shielding for external excitations in the measurement | |
JPH11325821A (ja) | ステージ制御方法および露光装置 | |
JPH09219361A (ja) | 露光装置 | |
KR20150013605A (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2002151379A (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
EP1014198A2 (en) | Projection lithography using a servo control |