JPS6032050A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6032050A JPS6032050A JP58140567A JP14056783A JPS6032050A JP S6032050 A JPS6032050 A JP S6032050A JP 58140567 A JP58140567 A JP 58140567A JP 14056783 A JP14056783 A JP 14056783A JP S6032050 A JPS6032050 A JP S6032050A
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- JP
- Japan
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- wafer
- reticle
- exposure apparatus
- vibration
- fixed
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、露光装置に関する。
マスク或いはレチクルに形成された微細パターンを、近
接して又は投影光学系を用いて、感光体であるウェハ上
に転写する露光装置、電子ビームを走査して微細パター
ンをウェノ・上に描画する露光装置、またレーザビーム
を走査して感光体に微細な像を形成するレーザビームプ
リンタなどにおいては、マスクとウェハを密着して転写
を行う、所謂コンタクト方式の半導体露光装置等と異な
り、投影像を空間を通して感光体に露光するので、装置
自体の、或いは外乱による振動により、投影像と感光体
との位置ずれが問題となる。
接して又は投影光学系を用いて、感光体であるウェハ上
に転写する露光装置、電子ビームを走査して微細パター
ンをウェノ・上に描画する露光装置、またレーザビーム
を走査して感光体に微細な像を形成するレーザビームプ
リンタなどにおいては、マスクとウェハを密着して転写
を行う、所謂コンタクト方式の半導体露光装置等と異な
り、投影像を空間を通して感光体に露光するので、装置
自体の、或いは外乱による振動により、投影像と感光体
との位置ずれが問題となる。
従来この種の装置は、振動による像ぶれを検知する手段
は具備しておらず、設置した場所の床からの振動は防振
台で吸収させ、装置に伝わりにくいようにし、装置自体
が発生する振動に対しては、これを極力小さくおさえる
ために、装置の可動部の慣性質量を小さくしたり、ある
いは動作速度を低くおさえるなどの処置をして、投影像
が感光体上の所定の位置に露光され得るようにしている
。
は具備しておらず、設置した場所の床からの振動は防振
台で吸収させ、装置に伝わりにくいようにし、装置自体
が発生する振動に対しては、これを極力小さくおさえる
ために、装置の可動部の慣性質量を小さくしたり、ある
いは動作速度を低くおさえるなどの処置をして、投影像
が感光体上の所定の位置に露光され得るようにしている
。
また、可動部の移動等により発生する振動は、動作後、
一定時間経過すれば減衰して相対振幅が小さくなるので
、この減衰時間を実験的にめて許容時間を設定し、可動
部が移動した後にこの許容時間をおいて、その後に次の
動作、たとえば露光にうつるようにしている。しかしな
がらこの場合可動部が大きく移動した場合、一般に速度
も大きくなるために、減衰時間は長くなるので上記の許
容時間は安全をみて長ぐとられる。従って、移動量が小
さい場合には、長い許容時間はむだな時間となり、スル
ープットが小さくなるという欠点があった。更に、地震
等の外乱により、＼許容時間以上の振動が発生した場き
には、投影像と感光体との位置ズレが生じたまま露光さ
れるという不都合があった。
一定時間経過すれば減衰して相対振幅が小さくなるので
、この減衰時間を実験的にめて許容時間を設定し、可動
部が移動した後にこの許容時間をおいて、その後に次の
動作、たとえば露光にうつるようにしている。しかしな
がらこの場合可動部が大きく移動した場合、一般に速度
も大きくなるために、減衰時間は長くなるので上記の許
容時間は安全をみて長ぐとられる。従って、移動量が小
さい場合には、長い許容時間はむだな時間となり、スル
ープットが小さくなるという欠点があった。更に、地震
等の外乱により、＼許容時間以上の振動が発生した場き
には、投影像と感光体との位置ズレが生じたまま露光さ
れるという不都合があった。
本発明は、上記従来例の欠点に鑑み、投影像と感光体と
の位置ズレを検知するための振動検知手段を設けた露光
装置を提供することにある。
の位置ズレを検知するための振動検知手段を設けた露光
装置を提供することにある。
従って本発明に係る縮小投影型の半導体露光装置では、
ウェーハ面上に投影されたレチクルパターンの像と、ウ
ェーハ上の存在しているパターンあるいはウェーハ自体
との振動による相対位置ずれ量なリアル・タイムで計測
し、相対位置ずれの振幅が転写する像に影響しなくなっ
た時点で次の動作にうつる指令を出すという方法を取る
ことができる。さらに、本発明によれば、地震等の外乱
によって振動が発生した場合、この振動も検知可能であ
ることから、振動がおさまるまで装置を休止させておく
ことができ、不良率の低減にも役立つことになる。また
、描画あるいは転写するパターンの精度が要求されない
場合には、相対位置ずれ量の許容値をゆるめることが可
能となり、さらにスループットを向上させることも可能
であり、用途に応じた使い分けも可能となった。
ウェーハ面上に投影されたレチクルパターンの像と、ウ
ェーハ上の存在しているパターンあるいはウェーハ自体
との振動による相対位置ずれ量なリアル・タイムで計測
し、相対位置ずれの振幅が転写する像に影響しなくなっ
た時点で次の動作にうつる指令を出すという方法を取る
ことができる。さらに、本発明によれば、地震等の外乱
によって振動が発生した場合、この振動も検知可能であ
ることから、振動がおさまるまで装置を休止させておく
ことができ、不良率の低減にも役立つことになる。また
、描画あるいは転写するパターンの精度が要求されない
場合には、相対位置ずれ量の許容値をゆるめることが可
能となり、さらにスループットを向上させることも可能
であり、用途に応じた使い分けも可能となった。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は、本発明の一実施例に係る段形露光装置の光学系の
構成図である。
図は、本発明の一実施例に係る段形露光装置の光学系の
構成図である。
照明装置１は、光源、反射ミラー、コンデンサレンズ等
により構成され、回路パターンが形成されたレチクル２
を均一に照明する。レチクル２は、レチクルホルダ３上
に固定され、更にレチクルホルダ３上には、レチクル２
の振動を検知するための第１の加速度計９が固定されて
いる。レチクルホルダ乙の下方には、露光装置の構造体
５に固定された投影レンズ４が配置されており、投影レ
ンズ４はレチクル３の回路パターン像をクエハ６の面上
に投影する。投影レンズ４の上方及び下方側面にはそれ
ぞれ第２ならびに第３の加速度計１０゜１１が固定され
、加速度計１０．１１は、投影レンズ４の振動を検知す
る。ウェハ６は真空チャックなどでクエハチャソク７上
に固定され、ウェハチャック７上には、ウェハ６の振動
を検知するための第４の加速度計１２が固定されている
。８は、ウェハステージであり、ウェハ６及びウェハチ
ャック７を移動する。尚、加速度計１２は、ウェハステ
ージ８に設けてウェハ６の振動を検知してもよい。また
図中では、レチクル６、投影レンズ１０の上部及び下部
側面、ウェハ６の振動を一軸方向のみ検知するために、
それぞれ１つの加速度計９゜１０．１１．１２を設けて
いるが、それぞれＸ方向、Ｘ方向、２方向の振動を検知
するために３つの加速度計を設ければ更に振動に対する
露光装置の信頼性が向上する。この場合、前記３つの加
速。
により構成され、回路パターンが形成されたレチクル２
を均一に照明する。レチクル２は、レチクルホルダ３上
に固定され、更にレチクルホルダ３上には、レチクル２
の振動を検知するための第１の加速度計９が固定されて
いる。レチクルホルダ乙の下方には、露光装置の構造体
５に固定された投影レンズ４が配置されており、投影レ
ンズ４はレチクル３の回路パターン像をクエハ６の面上
に投影する。投影レンズ４の上方及び下方側面にはそれ
ぞれ第２ならびに第３の加速度計１０゜１１が固定され
、加速度計１０．１１は、投影レンズ４の振動を検知す
る。ウェハ６は真空チャックなどでクエハチャソク７上
に固定され、ウェハチャック７上には、ウェハ６の振動
を検知するための第４の加速度計１２が固定されている
。８は、ウェハステージであり、ウェハ６及びウェハチ
ャック７を移動する。尚、加速度計１２は、ウェハステ
ージ８に設けてウェハ６の振動を検知してもよい。また
図中では、レチクル６、投影レンズ１０の上部及び下部
側面、ウェハ６の振動を一軸方向のみ検知するために、
それぞれ１つの加速度計９゜１０．１１．１２を設けて
いるが、それぞれＸ方向、Ｘ方向、２方向の振動を検知
するために３つの加速度計を設ければ更に振動に対する
露光装置の信頼性が向上する。この場合、前記３つの加
速。
度肝の１つは露光装装置の座標軸と一致させることが肝
要である。
要である。
第２図は、本発明の一実施例の電気系のブロック図であ
り、第１の演算装置１３は、加速度計９゜１０．１１か
らの加速度信号をそれぞれ積分して移動変位に変換し、
更にウェハ６の面上に投影されるレチクル２のパターン
像の絶対ぶれ量を計算する。尚、加速度計９．１０．１
１のそれぞれの出力は、露光装置内におけるレチクルホ
ルダ６、投影レンズ４、加速度計９．１０．１１の配置
位置や投影レンズ４の倍率などによりパターン像の絶対
的なぶれに対応しないので、実験的に各加速度計９．１
０．１１とパターン象の絶対ぶれ量の関係をめて、変換
される変位を算出することが望ましい。この場合、演算
装置１６は、加速度計９．１０．１１からの信号により
変換された変位をそれぞれ比較して最大値を第２の演算
装置１５に出力する。
り、第１の演算装置１３は、加速度計９゜１０．１１か
らの加速度信号をそれぞれ積分して移動変位に変換し、
更にウェハ６の面上に投影されるレチクル２のパターン
像の絶対ぶれ量を計算する。尚、加速度計９．１０．１
１のそれぞれの出力は、露光装置内におけるレチクルホ
ルダ６、投影レンズ４、加速度計９．１０．１１の配置
位置や投影レンズ４の倍率などによりパターン像の絶対
的なぶれに対応しないので、実験的に各加速度計９．１
０．１１とパターン象の絶対ぶれ量の関係をめて、変換
される変位を算出することが望ましい。この場合、演算
装置１６は、加速度計９．１０．１１からの信号により
変換された変位をそれぞれ比較して最大値を第２の演算
装置１５に出力する。
第３の演算装置１４は、ウェハ６の振動を検知する加速
度計１２からの信号を積分して移動変位に変換して演算
装置１５に出力する。演算装置１５は、演算装置１３の
出力と演算装置１４の出力とを引算して、レチクル２の
パターン像とウェハ６との相対的なずれ量を演算し、そ
の信号を比較・指令装置１６に出力する。比較・指令装
置１６には、要求されるパターン精度に応じて許容値が
入力されており、従ってこの装置１６は、この許容値と
、演算装置１５からのパターン像とウェハとの相対的ず
れ量とを比較し、相対的ずれ量が許容値より小さい場合
に指令信号を発生する。この指令信号は、次の動作すな
わち転写を開始する信号である。
度計１２からの信号を積分して移動変位に変換して演算
装置１５に出力する。演算装置１５は、演算装置１３の
出力と演算装置１４の出力とを引算して、レチクル２の
パターン像とウェハ６との相対的なずれ量を演算し、そ
の信号を比較・指令装置１６に出力する。比較・指令装
置１６には、要求されるパターン精度に応じて許容値が
入力されており、従ってこの装置１６は、この許容値と
、演算装置１５からのパターン像とウェハとの相対的ず
れ量とを比較し、相対的ずれ量が許容値より小さい場合
に指令信号を発生する。この指令信号は、次の動作すな
わち転写を開始する信号である。
前記実施例においては、パターン像とウェハとの相対的
ずれ量を検出するために加速度計９ ＋’ １０ 。
ずれ量を検出するために加速度計９ ＋’ １０ 。
１１を用いているが、代り゛に微小変位計を使用する′
ことも可能であるし、また一般的な露光装置において投
影レンズとウェハステージの位置合わせのために用いら
れているレーザ干渉計や、定盤とウェハステージの位置
合わせのために用いられているおケールによりウェハの
絶対ずれ量を検出してもよい。
ことも可能であるし、また一般的な露光装置において投
影レンズとウェハステージの位置合わせのために用いら
れているレーザ干渉計や、定盤とウェハステージの位置
合わせのために用いられているおケールによりウェハの
絶対ずれ量を検出してもよい。
更にウェハ又はレチクルとウェハとの位置合わせ（アラ
イメント）のために、これら両部材に予め形成されたア
ライメントマークを投影光学系を通して検知する、所謂
Ｔ Ｔ Ｌ （ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ １ｅｎｓ ）
アライメント方式の投影露光装置では、このアライ。
イメント）のために、これら両部材に予め形成されたア
ライメントマークを投影光学系を通して検知する、所謂
Ｔ Ｔ Ｌ （ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ １ｅｎｓ ）
アライメント方式の投影露光装置では、このアライ。
メントマークの振動を検知して、マスク又はレチクルの
投影パターン像とウェハとの相対的ずれ量を検出するこ
とが可能である。この場合第２図においては比較・指令
回路１６のみでよい。
投影パターン像とウェハとの相対的ずれ量を検出するこ
とが可能である。この場合第２図においては比較・指令
回路１６のみでよい。
加えてパターン精度が余り要求されない場合には、投影
レンズ４の加速度計１０．１１を省略したり、或いはレ
チクル２用の加速度計９も更に省略して、ウェハ６の振
動を検知するのみでもよい。
レンズ４の加速度計１０．１１を省略したり、或いはレ
チクル２用の加速度計９も更に省略して、ウェハ６の振
動を検知するのみでもよい。
このように、レチクルパターンの像とウェハとの相対的
な位置ずれの量をリアルタイムでモニタし、この位置ず
れ量が焼付は性能に影響するか否かを判断することがで
きる。
な位置ずれの量をリアルタイムでモニタし、この位置ず
れ量が焼付は性能に影響するか否かを判断することがで
きる。
以上説明したように、投影パターン像とウェハとの位置
ずれを検知するための振動検知手段を設けたので、スル
ープットの高い露光装置が実現可能となり、また精度が
要求されない場合等の用途に応じた使いわけが可能とな
る。
ずれを検知するための振動検知手段を設けたので、スル
ープットの高い露光装置が実現可能となり、また精度が
要求されない場合等の用途に応じた使いわけが可能とな
る。
第１図は、本発明の一実施例の光学系の構成図、館９Ｍ
は 太仝団の一実施例め雷ケ秦のプロ＝＋ ’７図であ
る。 ２・・・・・レチクル ６・・・・・ウェハ ９．１０，１１．１２・・・・・・加速度計１３．１４
．１５・・・・・・演算装置１６・・・・・・比較・指
令装置 特許出願人 キャノン株式会社 第１図 第２図
は 太仝団の一実施例め雷ケ秦のプロ＝＋ ’７図であ
る。 ２・・・・・レチクル ６・・・・・ウェハ ９．１０，１１．１２・・・・・・加速度計１３．１４
．１５・・・・・・演算装置１６・・・・・・比較・指
令装置 特許出願人 キャノン株式会社 第１図 第２図
Claims (6)
- （１）投影像が投影されて、像が形成される感光体の振
動を検知する手段を少なくとも１つ設け、該振動検知手
段により、該投影像と該感光体との位置ずれの量を検知
するようにした露光装置。 - （２）前記振動検知手段は、３次元直交座標系の３方向
の振動を検知する特許請求の範囲第１項記載の露光装置
。 - （３）前記３方向の振動を検知する手段の少なくとも１
軸は、露光装置の座標軸と一致している特許請求の範囲
第２項記載の露光装置。 - （４）投影像を形成する手段に少なくとも１の振動検知
手段を設け、該検知手段と箭記感光体の振動検知手段と
により、投影像と感光体の相対的な位置ずれの量を検知
するようにした特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 - （５）前記露光装置は、レチクルのパターンなウェハ上
に投影して焼付けを行なう投影露光装置であり、該レチ
クルの振動を検知する手段とウエノ１の振動を検知する
手段とを設け、該両振動検知手段によりレチクルの投影
パターン像とウエノ１の相対的位置ずれの量を検知する
ようにした、特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 - （６）前記投影像と感光体の位置ずれの量を所定の値と
比較し、該位置ずれの量が該所定値以下のときに駆動さ
れる特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140567A JPS6032050A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 露光装置 |
| US06/633,348 US4595282A (en) | 1983-08-02 | 1984-07-23 | Recording apparatus |
| GB08418929A GB2146133B (en) | 1983-08-02 | 1984-07-25 | Projection printing |
| DE19843428408 DE3428408A1 (de) | 1983-08-02 | 1984-08-01 | Aufzeichnungsgeraet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140567A JPS6032050A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032050A true JPS6032050A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH0362011B2 JPH0362011B2 (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=15271681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58140567A Granted JPS6032050A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4595282A (ja) |
| JP (1) | JPS6032050A (ja) |
| DE (1) | DE3428408A1 (ja) |
| GB (1) | GB2146133B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6359688B2 (en) * | 1998-02-19 | 2002-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and method of controlling same |
| JP2013038397A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-02-21 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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| US4805000A (en) * | 1986-01-17 | 1989-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| US4724466A (en) * | 1986-01-17 | 1988-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| JPH01284793A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Canon Inc | 基板支持装置 |
| JP2627543B2 (ja) * | 1988-09-05 | 1997-07-09 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ露光システム |
| JP2631395B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1997-07-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置の制御方法 |
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| JPS5885338U (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-09 | 株式会社日立製作所 | 自動焦点装置 |
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1983
- 1983-08-02 JP JP58140567A patent/JPS6032050A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-23 US US06/633,348 patent/US4595282A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-25 GB GB08418929A patent/GB2146133B/en not_active Expired
- 1984-08-01 DE DE19843428408 patent/DE3428408A1/de active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2146133A (en) | 1985-04-11 |
| JPH0362011B2 (ja) | 1991-09-24 |
| GB8418929D0 (en) | 1984-08-30 |
| GB2146133B (en) | 1986-12-03 |
| DE3428408A1 (de) | 1985-02-21 |
| US4595282A (en) | 1986-06-17 |
| DE3428408C2 (ja) | 1992-07-09 |
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