JPH0581046B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0581046B2
JPH0581046B2 JP60291442A JP29144285A JPH0581046B2 JP H0581046 B2 JPH0581046 B2 JP H0581046B2 JP 60291442 A JP60291442 A JP 60291442A JP 29144285 A JP29144285 A JP 29144285A JP H0581046 B2 JPH0581046 B2 JP H0581046B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
axis
interferometer
stage
reticle
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP60291442A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62150721A (ja
Inventor
Yukio Kakizaki
Nobutaka Umagome
Susumu Mori
Yutaka Hayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kogaku KK filed Critical Nippon Kogaku KK
Priority to JP60291442A priority Critical patent/JPS62150721A/ja
Publication of JPS62150721A publication Critical patent/JPS62150721A/ja
Publication of JPH0581046B2 publication Critical patent/JPH0581046B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は半導体素子を製造するためのウエハス
テツパー又は一括露光用のフオトマスクを製造す
るためのフオトリピータ等として使われる投影型
露光装置に関する。
(発明の背景) 近年、半導体素子(特にVLSI)の集積度、微
細化の向上は目ざましく、これを製造するための
露光装置に要求される機能、精度もそれに伴つて
年々厳しくなつてきている。特に縮小(又は等
倍)投影型露光装置は、レチクルと呼ばれる原版
に形成された回路パターンの像を投影レンズによ
つて感光基板(フオトレジストを塗布したウエ
ハ)上の局所領域に結像させて露光するものであ
る。この場合、1回の露光で転写し得る像の面積
がウエハ全面の大きさに対して小さいときは、ウ
エハを載置して2次元移動するウエハステージを
設け、このウエハステージをステツプ・アンド・
リピート方式で移動させてレチクルの回路パター
ン像の転写を行なう。一般に半導体素子の製造に
おいては、ウエハ上に数層〜十数層のパターンを
正確に重ね合わせて露光することが行なわれる
が、上記ステツプ・アンド・リピート方式ではウ
エハ上の露光すべき領域毎に回路パターン像との
相対的な位置合わせが達成されるので、ウエハ全
面に渡つて均一な重ね合わせ精度が得られる。こ
の際、ウエハ上にすでに形成された回路パターン
と、レチクルの回路パターン像とのステツピング
後の位置合わせは、ウエハステージの位置を高分
解能(例えば0.02μm)のレーザ光波干渉測長器
(レーザ干渉計)によつて検出している場合は、
そのウエハステージの位置を微動させて行なうこ
とができる。あるいはステツピング後、レチクル
を保持したレチクルステージの位置を投影レンズ
の倍率を考慮して微動することによつて位置合わ
せできる。いずれの方式であつてもウエハステー
ジ側のレーザ干渉計によつて規定された直交座標
系のx軸方向とy軸方向とには干渉計の分解能程
度で位置合わせされるが、特にレチクルを微動さ
せる方式ではレチクルを微小回転させることによ
り、ウエハ上の露光領域と回路パターン像との相
対的な回転誤差をも露光シヨツト毎に高精度に補
正することができる。
レチクルステージの微動は、レチクル上のアラ
イメントマークとウエハ上のアライメントマーク
との相対的なずれ量を検出し、そのずれ量分だけ
レチクルステージを動かす、所謂オープン制御方
式と、相対的なずれ量に応じた信号に基づいてレ
チクルステージをサーボ駆動させる、所謂クロー
ズ制御方式とに大別できる。いずれの場合もレチ
クルステージの位置を読み取るセンサーが必要で
はあるが、特にオープン制御の場合は高精度なセ
ンサーが必須になる。このセンサーとしてウエハ
ステージの位置検出と同様にレーザ干渉計を用い
ることが考えられる。この場合ウエハステージと
同様にレチクルステージの上にx方向とy方向と
に反射面が伸びた移動鏡を配置すれば、ただちに
高精度なレチクルステージの位置検出が可能にな
るが、ウエハステージ側のレーザ干渉計との整合
性を配慮しないと、1枚のウエハが複数の露光装
置間を巡つてくる場合に、各装置間で装置定数を
厳密に管理しなければならなくなる。これは露光
装置を複数台配列する半導体工場においてオート
メーシヨン化を妨げ、オペレータに繁雑な作業を
強いることになるといつた欠点が生じる。
またレチクルステージ上にウエハステージと同
様の移動鏡を設けた場合、レチクルステージの微
小回転時に、その回転の程度によつてはレーザ干
渉計のレーザ光束の反射方向の変化による計測不
能が生じる。すなわち、従来と同様の平面移動鏡
をレチクルステージに設ける限り、レチクルステ
ージの回転量を比較的大きな範囲で、かつ精密に
計測することが困難であると言うことである。
(発明の目的) 本発明は上記欠点を解決し、レチクルステージ
等をレーザ干渉計によつて位置検出するような構
成の露光装置において、繁雑な装置定数(システ
ムオフセツト等)の管理を実質的に低減させて信
頼性を高めた投影型露光装置を得ることを目的と
する。
特にレチクルステージの回転量計測、回転駆動
を高精度に、かつ簡単に実行できる構成を備えた
露光装置を得ることを目的とする。
(発明の概要) 本発明は、マスク(レチクルR)の原画パター
ンを感光基板(ウエハW)上に投影露光する装置
に関し、マスクRを所定のXY平面と略平行に保
持するとともに、XY平面内でX軸方向、Y軸方
向に平行移動可能に、かつ回転可能に設けられた
マスクステージ1と、XY平面と垂直な光軸AX
を有し、マスクの原画パターンを感光基板Wに投
影するための投影光学系2と、投影光学系2の光
軸AXと垂直な面内で感光基板WをX軸方向とY
軸方向とに平行移動させる基板ステージ3とを備
えた投影型露光装置に適用される。
そして本発明の装置においては、 マスクステージ1上のX軸とほぼ平行な線上の
互いに離れた2カ所の各々に頂点Y1,θ1を有し、
各頂点Y1,θ1で互いに直交した複数の反射面2
1a,21b:23b,23bで構成され、前記
マスクステージ1の一部に固設された第1、及び
第2の直角ミラー部材21,23と; 第1の直角ミラー部材21の反射面に、Y軸と
平行な方向から測長用の光束LB1を投射すること
によつて、第1の直角ミラー部材21の頂点θ1
Y方向のみの座標位置を計測する第1の干渉計2
0,26,36と; 第2の直角ミラー部材23の反射面にY軸と平
行な方向から測長用の光束LB2を投射することに
よつて第2の直角ミラー部材23の頂点Y1のY
方向のみの座標位置を計測する第2の干渉計2
2,26,37と; 基板ステージ3上の感光基板Wと前記マスクス
テージ1上のマスクRとのXY平面内での相対的
な回転誤差量に関する情報Δθを検出する回転誤
差検出系と; 第1、第2の直角ミラー部材21,23の各頂
点θ1,Y1のX軸方向の座標位置Xaθ,XaYと検
出された回転誤差量に関する情報Δθとに基づい
て、回転誤差量をほぼ零にするのに必要な第1、
及び第2の直角ミラー部材21,23の各頂点
θ1,Y1のY方向の座標位置を目標値Dθ,DYとし
て算出する演算手段(式2、3)と; 第1、及び第2の干渉計36,37の各計数値
がそれぞれ算出された目標値Dθ,DYと一致する
ようにマスクステージ1を回転させる駆動制御手
段42,43とを設けた。
(実施例) 第1図は本発明の実施例による投影型露光装置
の概略的な構成を示す斜視図である。第1図にお
いては光波干渉測長器(以下干渉計と呼ぶ)に必
要な基本的な系のみを示す。第1ステージとして
のレチクルステージ1はレチクルRを所定の直交
座標系XA,YA内に平行に載置し、2次元的
(X方向、Y方向、及び回転方向)に移動する。
レチクルR上の回路パターン等は不図示の照明光
学系からの照明光で照射され、そのパターンは投
影レンズ2によつてウエハW上に結像投影され
る。ウエハWは第2ステーとしてのウエハステー
ジ3に載置され直交座標系XA,YA内で2次元
的に移動される。
ウエハステージ3上の2辺には反射面がX方向
に伸びた移動鏡4aと、反射面がY方向に伸びた
移動鏡4bとが固定されている。レーザ光源5か
らの平行なレーザ光束は2つに分割されたのち、
それぞれビームスプリツタ6,7に入射する。ビ
ームスプリツタ6ではレーザ光束を2つに分け、
一方は移動鏡4aの反射面に垂直に入射し、他方
レーザ光束は投影レンズ2の鏡筒の下端部(ウエ
ハステージ3に近い位置)に固定された固定鏡8
の反射面に垂直に入射する。移動鏡4aからの反
射光束と固定鏡8からの反射光束とは再びビーム
スプリツタ6に入射し、その2つの反射光束は同
軸に合成され干渉計のレシーバ9に入射する。レ
シーバ9は干渉縞の変化を光電検出するものであ
る。同様にビームスプリツタ7ではレーザ光束を
2つに分け、一方は移動鏡4bの反射面に垂直に
入射し、他方のレーザ光束は投影レンズ2の鏡筒
の下端部に固定された固定鏡10の反射面に垂直
に入射する。移動鏡4bからの反射光束と固定鏡
10からの反射光束とは再びビームスプリツタ7
に入射し、その2つの反射光束は同軸に合成され
干渉計のレシーバ11に入射する。レシーバ9は
ステージ3のYA方向の位置変化を検出するもの
であり、その測定軸(例えばレーザ光束の中心
線)は投影レンズ2の光軸AXと直交するように
配置される。またレシーバ11はステージ3の
XA方向の位置変化を検出するものであり、その
測定軸も同様に光軸AXと直交するように配置さ
れる。さらにその2つの測定軸を含む平面が投影
レンズ2の投影結像面とほぼ一致するように配置
されている。2つの測定軸は光軸AX上で直交
し、座標系XA,YAを構成する。上記レーザ光
源5、ビームスプリツタ6,7、及びレシーバ
9,11によつて本発明の第2光波干渉測長器が
構成される。
一方、レチクルステージ1の2次元的な位置
(回転も含む)もレーザ干渉計によつて検出され
る。レーザ光源18からの平行なレーザ光束は、
まず2つに分割され、その一方のレーザ光束はビ
ームスプリツタ20に入射し、他方のレーザ光束
はさらに2つに分割される。その分割された一方
のレーザ光束はビームスプリツタ22に入射し、
他方のレーザ光束は所定の光路引き回しが行なわ
れてビームスプリツタ24に入射する。ビームス
プリツタ20に入射したレーザ光束は2つに分け
られ、一方のレーザ光束はレチクルステージ1に
固定された直角ミラー21に入射し、他方のレー
ザ光束はプリズムミラー26で光軸AXと平行に
反射された後、再び水平に折り曲げられて、投影
レンズ2の鏡筒の上端部(レチクルステージ1に
近い位置)に設けられ固定鏡27の反射面に垂直
に入射する。またビームスプリツタ22に入射し
たレーザ光束は2つに分けられ、一方のレーザ光
束はレチクルステージ1に固定された直角ミラー
23に入射し、他方のレーザ光束はプリズムミラ
ー26で光軸AXと平行に反射された後、再び水
平に折り曲げられて固定鏡27の反射面に垂直に
入射する。さらにビームスプリツタ24に入射し
たレーザ光束も2つに分けられ、一方のレーザ光
束はレチクルステージ1に固定された直角ミラー
25に入射し、他方のレーザ光束は光軸AXと平
行になるように折り曲げられた後、水平に折り曲
げられてから、鏡筒の上端部に固定された固定鏡
28の反射面に垂直に入射する。尚、固定鏡27
の反射面と固定鏡28の反射面とは互いに直交す
るように定められ、固定鏡27の反射面は座標系
XA,YAのXA軸と光軸AXとを含む平面と平行
であり、固定鏡28の反射面はYA軸と光軸AX
とを含む平面と平行である。
ここで第2図を用いてレチクルステージ1の回
りの干渉計の構成についてさらに詳細に説明す
る。第2図において干渉に必要な1/4波長板等は
省略してある。第2図はレチクルRがレチクルス
テージ1上に微小回転して載置された状態を示
し、レチクルステージ1は直交座標系XA,YA
内において回転していないものとする。第2図に
おいて30,31はビームスプリツタであり、3
2,33,34はミラーであり、そして36,3
7,38はそれぞれ干渉計用のレシーバ(光電検
出部)である。ここでレチクルステージ1の中心
点をOSとすると、レチクルステージ1がXA方
向とYA方向とに関してニユートラル位置にある
とき、中心点OSに光軸AXが通るように定めら
れている。また第2図中でレチクルR上の2ケ所
にはアライメント用のマークR1,R2が既知の間
隔で設けられている。このマークR1,R2に対応
したマークW1,W2はウエハW上の1つの被露光
領域内に設けられたものであり、投影レンズ2を
介してレチクルR側に逆投影されているものとす
る。
さてビームスプリツタ30で反射されたレーザ
光束LB1は、ウエハステージ3側の干渉計の測定
軸によつて規定された座標系XA,YAのYA軸と
平行にビームスプリツタ20のスプリツト面20
aに入射する。スプリツト面20aを透過したレ
ーザ光束は直角ミラー21の第1反射面21aで
ほぼ直角に反射された後、第2反射面21bでさ
らに反射され、ビームスプリツタ20の一部に形
成された反射面20bに入射する。その反射面2
0bはレーザ光束LB1と垂直に交わるように配置
されている。また直角ミラー21の第1反射面2
1aと第2反射面21bとの成す角度は正確に
90゜に形成され、所謂コーナレフレクターが構成
される。この反射面21aと21bの交わる位置
はθ1に定められている。従つてビームスプリツタ
20からのレーザ光束はレチクルステージ1の回
転変位による直角ミラー21の微小回転にかかわ
らず、反射面20bに垂直入射し、元の光路を戻
ることになる。そして反射面20b,21b,2
1aの順に反射して戻つてきたレーザ光束は、ビ
ームスプリツタ20のスプリツト面20aで反射
されてレシーバ36に入射する。一方レーザ光束
はLB1のうちスプリツト面20aで反射されたレ
ーザ光束は、ビームスプリツタ20の内を進み、
第1図に示したようなプリズムミラー26を介し
て固定鏡27に入射し、ここで反射されて再びプ
リズムミラー26に戻り、ビームスプリツタ20
のスプリツト面20aを透過してレシーバ36に
入射する。このようにレシーバ36にはレチクル
ステージ1に固定された移動鏡としての直角ミラ
ー21からの戻り光束と固定鏡27からの戻り光
束とが同軸に合成されて入射するので、レシーバ
36内の受光面には干渉縞が生じ、それは直角ミ
ラー21の移動に伴つて明滅する。このレシーバ
36によつて検出される測長量は位置θ1のレーザ
光束LB1の送光軸方向、すなわち座標系XA,
YAのYA軸方向のみの移動動量である。
同様に、ビームスプリツタ31で反射されたレ
ーザ光束LB2はビームスプリツタ22のスプリツ
ト面22aを透過した後、直角ミラー23の第1
反射面23aと第2反射面23bとで反射され、
ビームスプリツタ22の一部に形成された反射面
22bに入射する。レーザ光束LB2もYA軸と平
行であり、反射面22bはレーザ光束LB2の光路
軸と垂直に配置されている。そして直角ミラー2
3の反射面23aと23bとの成す角度は正確に
90゜に形成され、その交点は位置Y1に定められて
いる。従つて、直角ミラー23の微小な回転等に
かかわらず、レーザ光束は反射面22bに垂直に
入射し、元の光路をそのまま戻る。このためレシ
ーバ37にはプリズムミラー26、スプリツト面
22aを介して固定鏡27からの反射光束が入射
するとともに、反射面22bからの反射光束が入
射する。このレシーバ37によつて検出される測
長量は位置Y1のYA軸方向のみの移動量である。
また位置θ1と位置Y1とはレチクルステージ1が
回転していないときに、座標系XA,YAのYA軸
によつてX方向に2等分される点に定められてい
る。ビームスプリツタ20とレシーバ36により
構成されるθ軸干渉計の測定軸は、レーザ光束
LB1の中心線、又は位置θ1を通りレーザ光束LB1
と平行な線であり、これは座標系XA,YAのYA
軸と平行である。またビームスプリツタ22とレ
シーバ37により構成されるY軸干渉計の測定軸
はレーザ光束LB2の中心線、又は位置Y1を通り
レーザ光束LB2と平行な線であり、これもYA軸
と平行である。そして本実施例において重要なこ
とはθ軸干渉計の測定軸とY軸干渉計の測定軸と
の中心に、レチクルステージ1の中心点OSを通
るようなY方向の測定軸が仮想的に存在すること
である。この仮想的な測定軸がレチクルステージ
1の位置検出用の干渉計によつて規定される直交
座標系XB,YBのYB軸である。
さて、レーザ光源18からのレーザ光束のう
ち、ミラー32,33で反射されてビームスプリ
ツタ24に入射するレーザ光束LB3は座標系XA,
YAのXA軸と平行である。ビームスプリツタ2
4のスプリツト面24aを透過したレーザ光束は
直角ミラー25の第1反射面25a、第2反射面
25bで反射され、ビームスプリツタ24の一部
に形成された反射面24bに垂直に入射する。反
射面25aと25bとの交点は位置X1に定めら
れ、この位置X1は座標系XB,YBのXB軸上に一
致するように定められている。ビームスプリツタ
24のスプリツト面24aで反射されたレーザ光
束LB3はミラー34で下方で反射されて固定鏡2
8に向かう。この固定鏡28からの反射光束は再
びミラー34で反射され、スプリツト面24aを
透過してレシーバ38に入射する。同時に反射面
24bで垂直に反射したレーザ光束は反射面25
b,25aで反射され、さらにスプリツト面24
aで反射されてレシーバ38に入射する。このレ
シーバ38は位置X1のXB軸方向のみの移動量を
検出する。上記ビームスプリツタ24とレシーバ
38により構成されるX軸干渉計の測定軸は位置
X1を通りレーザ光束LB3と平行な線であり、こ
れは座標系XB,XYのXB軸である。従つてレチ
クルステージの位置検出用の干渉計による座標系
XB,XYの各軸と座標系XA,YAの各軸とは第
1図に示すように空間的にねじれの関係にならな
いように平行である。しかも、XA軸とXB軸と
を含む平面内に光軸AXが含まれ、YA軸とYB軸
とを含む平面内にも光軸AXが含まれるように構
成されている。
さて第3図は第1図の装置を、光軸AXとXA
軸(又はXB軸)とを含む平面で破断した断面図
である。レチクルステージ1は干渉計保持コラム
40上にベアリング41を介して載置され、水平
面内の全ての方向に可動である。保持コラム40
には干渉計を構成する各光学部材(レシーバも含
む)が固定されている。第3図では代表してビー
ムスプリツタ24とミラー32を示してある。保
持コラム40の干渉計載置部の下にはモータ駆動
部42が固定され、その駆動はネジ部の往復運動
に変換され、連接棒43を介してレチクルステー
ジ1に伝えられる。このモータ駆動部は3軸の干
渉計の夫々に対応して独立に3個配置されてお
り、その駆動点は本実施例では位置θ1,Y1,X1
の近傍に定められ、夫々各軸の干渉計の測定軸方
向の移動をレチクルステージ1に与える。尚、こ
の駆動点の位置については特に限定されるもので
はない。さて、投影レンズ2は基底定盤44の上
に構築されたレンズ保持コラム45の台座45a
の上に保持される。投影レンズ2の鏡筒周囲には
台座45aに載置するためのフランジ部2aが形
成されている。基底定盤44上にはウエハステー
ジ3が2次元移動可能に載置される。そして保持
コラム45の上にはワツシヤ46を介して、前述
の干渉計保持コラム40が載置されている。この
ワツシヤ46はレチクルRとウエハWとの距離を
投影レンズ2に合わせ調整するためのものであ
る。またワツシヤ46は投影レンズ2の周辺の複
数ケ所に設けられ、それぞれのワツシヤの厚みを
微妙に調整することによつて、投影レンズ2の投
影結像面とウエハWの表面とを精密に平行するこ
とができる。第3図ではレーザ光束LB3のみしか
示していないが、レーザ光束LB1,LB2、及び
LB3はともに光軸AXと垂直な同一の水平面内に
位置し、この水平面はレチクルRのパターン面す
なわちレチクルステージ1のレチクル載置面とで
きるだけ一致するように定められている。これは
レチクルR上のパターン面に形成されたマーク
R1,R2等を不図示のアライメント顕微鏡で検出
する際、パターン面に対してアツベ(Abbe)の
原理を満足するようにしてマークR1,R2の位置
検出時のアツベ誤差を零にするためである。
尚、第1図、第2図等において示したレチクル
側の3軸の各干渉計システムは、所謂シングルパ
スよりも高い分解能が得られるダブルパス方式で
ある。
次に本実施例の動作を説明するが、ウエハステ
ージ側の干渉計の動作については公知なので説明
を省略し、専らレチクルステージ側の干渉計の動
作について説明する。まず、第2図のようにレチ
クルステージ1がニユートラル位置(x方向、y
方向及び回転方向の位置ずれがない状態)にある
場合、レチクルステージ1を座標計XB,YBの
XB軸の方向のみに動かしたときの様子を述べ
る。この場合位置X1、すなわち直角ミラー25
がXB軸方向に移動するので、当然ビームスプリ
ツタ24のスプリツト面24aから反射面24b
までのレーザ光束の光路長は変化する。この変化
量はレシーバ38によつてX方向移動量として検
出される。一方、直角ミラー21と23について
は、それぞれレーザ光束LB1,LB2に対して直交
する方向に動くのみであるから、直角ミラー2
1,23の光学的な性質からスプリツト面20a
から反射面20bまでの光路長とスプリツト面2
2aから反射面22bまでの光路長とは共に不変
である。従つてレシーバ36により検出される位
置θ1のYB軸方向の変位量と、レシーバ37によ
り検出される位置Y1のYB軸方向の変位量とは共
に零である。
また、レチクルステージ1がYB軸方向のみに
移動した場合は、同様に直角ミラー25の光学的
な性質によつてレシーバ38によつて検出される
移動量は零であり、レシーバ36,37によつて
検出される移動量は共に等しい値になる。
次にレチクルステージ1がニユートラル位置で
中心点OSの回りにΔθだけ回転した場合について
第4図を参照して説明する。第4図は3軸の各干
渉計の光路変化の様子を示す平面図である。レチ
クルステージ1は座標系XB,YB内でΔθだけ反
時計方向に回転しているものとする。1′は回転
がないときのレチクルステージの位置を表わす。
この第3図からも明らかなように、位置θ1(以後
点θ1とする)はニユートラル位置に対してXB軸
の正方向と、YB軸の正方向とに変位するととも
に、直角ミラー21は点θ1を中心にΔθだけ反時
計方向に回転したように変位する。位置Y1(以下
点Y1とする)についてはXB軸の正方向とYB軸
の負方向とに変位するとともに、直角ミラー23
は点Y1を中心にΔθだけ反時計方向に回転したよ
うに変位する。そして位置X1(以下点X1とする)
についてはXB軸の正方向とYB軸の負方向とに
変位するとともに、直角ミラー25は点X1を中
心にΔθだけ反時計方向に回転したように変位す
る。本実施例では中心点OSから点θ1までの距離
と、中心点OSから点Y1までの距離とが等しく中
心点OS、点θ1,Y1の3点を頂点とする二等辺三
角形に定められているので、点θ1とY1とのXB軸
方向の変位は方向も大きさも同一であり、YB軸
方向の変位は互いに逆向きで等しい大きさであ
る。ここで点θ1を通りYB軸(あるいはレーザ光
束LB1)と平行な線をl1とし、点Y1を通りYB軸
(あるいはレーザ光束LB2)と平行な線をl2とし、
そして点X1を通りXB軸(あるいはレーザ光束
LB3)と平行な線をl3とすると、θ軸干渉計のレ
シーバ36によつて検出される変位量は点θ1の線
l1上の移動量Δyaのみになり、Y軸干渉計のレシ
ーバ37によつて検出される変位量は点Y1の線l2
上の移動量Δybのみになり、Y軸干渉計のレシー
バ38によつて検出される変位量は点X1の線l3
の移動量Δx(第4図には微小量なので表示してい
ない)のみになる。本実施例ではΔyaとΔybとの
大きさは同じ値になる。また第4図のようにΔθ
だけ回転したままレチクルステージ1がXB方向
又はYB方向に平行移動した場合、θ軸干渉計の
計測値とY軸干渉計の計測値との差は変化しな
い。以上のように本実施例のように構成された3
軸の干渉計では、点θ1とY1のYB軸方向の変位量
と点X1のXB軸方向の変位量とを独立に正確に計
測することができる。
従つてΔθの回転を補正するために必要な点θ1
Y1,X1の移動方向とその量が一義的に求められ
ることになる。すなわち各干渉計の計測量だけ点
θ1とY1についてはYB方向への移動をあたえれば
よく、点X1についてはXB方向への移動を与えれ
ばよく、回転量Δθとは無関係に各点θ1,Y1,X1
の移動方向は常に一定でよいことになる。また点
θ1とY1のYB方向の位置と点X1のXB方向の位置
とが求まれば、レチクルステージ1に対する点
θ1,Y1,X1の配置関係が不変であること、及び
レーザ光束LB1,LB2,LB3の配置関係も不変で
あることから、必要とするレチクルステージ1の
回転量、すなわち点θ1,Y1,X1が存在すべき位
置の座標値は簡単な演算により、干渉計の分解能
(例えば0.02μm)のオーダで決定することができ
る。尚、直角ミラー21,23,25の光学的な
性質によつて各直角ミラーが点θ1,Y1,X1を中
心にして回転したとしても、レーザ光束の光路長
は一切変化しない。さらに各直角ミラーが回転し
たまま、線l1,l2,l3と直交する方向に平行移動
した場合も光路長は一切変化しない。
ところで第2図に示したように、ウエハW上の
マークW1,W2に対するレチクルR上のマーク
R1,R2の2次元的なずれが、XB方向にΔx、YB
方向にΔy、そして回転方向にΔθだけ回転してい
ることが不図示のアライメント顕微鏡を用いて求
められれば、マークR1とW1とを重ね合わせ、か
つマークR2とW2とを重ね合わせるアライメント
は、3軸の各干渉計の計測量のみに基づいて高速
に実行できる。あるいはずれ量ΔxとΔyについて
はウエハステージ3で補正し、レチクルRの回転
のみをレチクルステージ1で補正するようにして
もよい。この場合はθ軸干渉計とY軸干渉計との
2軸を設けるだけでよい。
また第4図からも明らかなように、レチクルス
テージ1の回転によつて線l1とl2の中間に平行に
存在する中心線はYB軸からXB方向にずれて、
測定軸(YB軸)が光軸AXを通らなくなるが、
その量はレチクルステージ1の回転量が小さい場
合は小さくなる。またレーザ光束LB1とLB2との
中間に平行に存在する中心線を測定軸と考えれ
ば、これは常にYB軸と一致して不変である。し
かしながらいずれの場合もθ軸干渉計とY軸干渉
計との両測定軸はウエハステージ3側の座標系
XA,YAのYA軸と常に平行であり、このことが
本実施例において最も重要なことである。X軸干
渉計についても同様であり、点X1を通る線l3はレ
チクルステージ1の初期位置からの回転によつて
YB方向に変位してしまうが、線l3(測定軸)は座
標系XA,YAのXA軸と常に平行であり、このこ
とが本実施例において最も重要なことである。
次に上記装置を用いたレチクルRとウエハWと
のアライメント特にウエハW上の1つの被露光領
域とレチクルR上のパターンとのアライメント、
所謂ダイ・バイ・ダイアライメントについて第5
図を参照して説明する。
第5図において、ウエハW上の露光領域の周辺
にはステツプ・アライメント用のマークW1,W2
が形成され、この2つのマークW1,W2はともに
座標系XA,YAのXA軸上にあるものとする。そ
の座標系XA,YAに対してレチクルステージ1
上のレチクルRはΔθだけ反時計方向に回転し、
かつXA方向とYA方向にずれているものとする。
尚、第5図中、直交座標系αβはレチクルRの中
心ORを原点にして定めたレチクル内の系であ
り、座標系XA,YAと座標系αβとが正確に一致
(重合)するようにアライメントされるべきもの
である。そしてレチクルRにはマークW1,W2
夫々と対応するようにマークR1,R2がα軸上に
形成されている。マークW1と、W2の間隔とマー
クR1とR2の間隔とは、レチクル上又はウエハ上
で等しくなるように定められている。
さて、第5図の状態でアライメント顕微鏡を用
いてマーW1とR1とのXA方向とYA方向との相対
的な位置ずれ量を検出し、同様にマークW2とR2
とのXA方向とYA方向との相対的な位置ずれ量
を検出する。これらの位置ずれ量に基づいて、レ
チクルRの中心ORの光軸AXに対するXA方向の
ずれ量ΔXrと、YA方向のずれ量ΔYrとを求めさ
らに回転量Δθも求める。その回転量Δθの補正
は、座標系XB,YBのXB軸とXA軸とが平行で
あることから、点θ1とY1とを結ぶ線分がXB軸に
対して−Δθだけ傾くようにレチクルステージ1
を回転させることによつて完了する。またずれ量
ΔXr、ΔYrについても、投影レンズ2の投影倍
率を考慮して、レチクルステージ1をXA方向と
YA方向とに、第5図中矢印Zで示すように移動
させることによつて補正される。
ここで点θ1,Y1,X1の座標系XA,YA上での
座標値を以下のように定めるものとする。
θ1=(Xaθ、Yaθ) Y1=(XaY、YaY) X1=(XaX、YaX) このときレチクル側の3軸の各干渉計による計
測値がDθ、DY、DXが以下の(1),(2),(3)式で表
わされる値になようにレチクルステージ1を動か
すと、上記アライメントが完了する。
DX=(cosΔθ−1)・XaX−ORx・cosΔθ −(ORy−YaX)sinΔθ ……(1) DY=(cosΔθ−1)・YaY−ORy・cosΔθ +(ORx−XaY)sinΔθ ……(2) Dθ=(cosΔθ−1)・Yaθ−ORy・cosΔθ +(ORx−Xaθ)sinΔθ ……(3) この(1)〜(3)式でORxとORyはレチクルRの中
心ORの座標系XA,YB上での座標値である。
上記(1)〜(3)式において、回転量Δθが極めて小
さいものとすると、cosΔθ=1、sinΔθ=Δθと近
似できるから、(1)〜(3)式のそれぞれは以下の(4),
(5),(6)式のように簡単になる。
DX≒−ORx−(ORy−YaX)・Δθ ……(4) DY≒−ORy+(ORx−XaY)・Δθ ……(5) Dθ≒−ORy+(ORx−Xaθ)・Δθ ……(6) 座標値(ORx、ORy)はマークR1,W1及びマ
ークR2,W2の相対位置関係からただちに求ま
り、点X1のY座標値YaX、点Y1のX座標値
XaY、及び点θ1のX座標値Xaθは、レチクルの座
標系XB,YB内での3軸の干渉計の計測値から
ただちに演算して求めることができる。
尚、上記(1),(2),(3)式で誤差となる要素は、直
角ミラー21,23,25の夫々の頂点θ1,Y1
X1の相対的な座標位置の正確さである。この相
対的な座標位置が設計上の位置から大きくずれて
いると、アライメント時に回転量Δθが存在する
ときにのみ、上記演算によつて求めた量だけレチ
クル側の3軸の干渉計の計測値に基づいてレチク
ルステージ1を移動させても、アライメント誤差
が発生する。例えば点θ1とY1との距離及び点Y1
とX1との距離が設計値に対して±50μmの精度内
にあるものとすると、レチクルステージ1によつ
て回転量Δθ≒3'の補正を行なう場合、ウエハ側
の座標系XA,YAでは計算上±0.01μm程度のア
ライメント誤差が残る。しかしながらこの量は干
渉計の分解能のオーダであり、十分小さいと言え
る。
以上本実施例ではウエハ側の座標系XA,YA
とレチクル側の座標系XB,YBとは予め計測値
が相関付けられているものとしたが、その相関付
けの作業も容易である。それにはウエハステージ
3上にウエハ上のマークW1,W2と同形の基準マ
ーク(フイデユーシヤルマーク)を設け、この基
準マークを走らせてレチクルマークR1とR2
夫々を基準マークと重ね合わせたときのウエハス
テージ3の位置を検出し、その位置と3軸の各干
渉計の計測値とをつき合わせればよい。またレチ
クルステージ1にレチクルRを載置して、レチク
ルRの装置に対するアライメントを行なう際も、
3軸の各干渉計とウエハステージ3上の基準マー
クとを用いて、干渉計の分解能で決まる精度でレ
チクルRの装置(座標系XA,YA)に対する位
置決めが達成される。
さらに本実施例では直角ミラー21,23,2
5の各頂点θ1,Y1,X1はレチクルステージ1の
周辺部に定めたが、これは必須の要件ではなく、
予め位置がわかつている限りどこに存在してもよ
い。またレチクルステージ1の駆動点の位置も点
θ1,Y1,X1の近傍である必要はない。例えばレ
チクルRをウエハステージ3と同様のXYステー
ジの上にθテーブルを介して載置してもよい。こ
の場合、XYステージは座標系XA,YB(XB,
YB)の座標軸方向のみに移動し、θテーブルは
XYステージ上を水平面内で回転するように構成
され、直角ミラー21,23,25はそのθテー
ブルに固定される。
また第1図に示すように、レチクル側の3軸の
干渉計用の固定鏡27,28は投影レンズ2の鏡
筒の上方に設けたが、理論的には固定鏡27,2
8を鏡筒の下方に設け、例えばウエハ側の干渉計
用の固定鏡8,10と兼用することが望ましい。
しかしながら現実的にはレチクルRと鏡筒下部ま
での距離は数百mm以上あるので、レチクル側の干
渉計から鏡筒下部の固定鏡に向う参照光束の光路
長が長くなり、ビームのゆらぎ(空気のゆらぎ)
による計測誤差が無視できない程度に大きくなる
こともある。そのため実際には、鏡筒上部に固定
鏡27,28を設けることが計測精度の点では有
利である。
さらに第1図において、レチクル側の干渉計と
ウエハ側の干渉計とは、そのレーザ光源を別々に
したが、光学系の配置、レーザ光束の引き回し等
を工夫して単一のレーザ光源としてもよい。
(発明の効果) 以上本発明によれば、マスクステージに移動鏡
として2つの直角ミラー部材を設けてマスクステ
ージの回転量を2つのレーザ干渉計で測定できる
ようにしたが、このとき第1、第2のレーザ干渉
計は、マスクステージの回転成分、X軸方向の移
動成分とは無関係に、直角ミラー部材の頂点の測
定用光束の投射方向(Y軸方向)の位置変化のみ
を計測できる。
従つてマスクステージの回転量は、2つのレー
ザ干渉計によつて測定される2つの直角ミラー部
材の各頂点のY軸方向の座標位置の差から精密に
求めることができる。
さらに本発明では、マスクと感光基板との相対
的な回転誤差を補正する際、2つの直角ミラー部
材の各頂点の測長方向(Y軸方向)の座標位置の
みを管理してマスクステージを回転駆動させるだ
けでよいので、特にマスクの回転方向の位置合わ
せをオープン制御で行う場合に、その制御が簡単
になるといつた利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による投影型露光装置
の概略的な構成を示す斜視図、第2図はレチクル
ステージ側の光波干渉計システムの構成を示す平
面図、第3図は第1図、第2図の装置を光軸を含
む平面で破断した断面図、第4図はレチクルステ
ージ側の光波干渉計システムの動作を説明する平
面図、第5図はレチクルとウエハとのアライメン
トの方法を説明する平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕、1…レチクルステ
ージ、2…投影レンズ、3…ウエハステージ、
6,7…ビームスプリツタ、8,10…固定鏡、
9,11…レシーバ、20,22,24…ビーム
スプリツタ、21,23,25…直角ミラー、2
7,28…固定鏡、36,37,38…レシー
バ、R…レチクル、W…ウエハ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 原画パターンが形成されたマスクを所定の
    XY平面と略平行に保持するとともに、該XY平
    面内でX軸方向、Y軸方向に平行移動可能に、か
    つ回転可能に設けられたマスクステージと、前記
    XY平面と垂直な光軸を有し、前記マスクの原画
    パターンを感光基板に投影するための投影光学系
    と、該投影光学系の光軸と垂直な面内で前記感光
    基板をX軸方向とY軸方向とに平行移動させる基
    板ステージとを備えた投影型露光装置において、 前記マスクステージ上のX軸とほぼ平行な線上
    の互いに離れた2カ所の各々に頂点を有し、各頂
    点で互いに直交した複数の反射面で構成され、前
    記マスクステージの一部に固設された第1、及び
    第2の直角ミラー部材と; 該第1の直角ミラー部材の反射面に、Y軸と平
    行な方向から測長用の光束を投射することによつ
    て、前記第1の直角ミラー部材の頂点のY方向の
    みの座標位置を計測する第1の干渉計と; 前記第2の直角ミラー部材の反射面にY軸と平
    行な方向から測長用の光束を投射することによつ
    て前記第2の直角ミラー部材の頂点のY方向のみ
    の座標位置を計測する第2の干渉計と; 前記基板ステージ上の感光基板と前記マスクス
    テージ上のマスクとのXY平面内での相対的な回
    転誤差量に関する情報を検出する回転誤差検出系
    と; 前記第1、第2の直角ミラー部材の各頂点のX
    軸方向の座標位置と前記検出された回転誤差量に
    関する情報とに基づいて、前記回転誤差量をほぼ
    零にするのに必要な前記第1、及び第2の直角ミ
    ラー部材の各頂点のY方向の座標位置を目標値と
    して算出する演算手段と; 前記第1、及び第2の干渉計の各計数値がそれ
    ぞれ算出された目標値と一致するように前記マス
    クステージを回転させる駆動制御手段とを備えた
    ことを特徴とする投影型露光装置。 2 前記第1、及び第2の干渉計の基準となる固
    定鏡を、前記投影光学系の鏡筒の前記マスクステ
    ージに近い位置に固設したことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載の装置。 3 前記基板ステージには、X軸方向とY軸方向
    の各座標位置を計測するための基板ステージ用の
    干渉計が設けられ、前記投影光学系の鏡筒の一部
    には該基板ステージ用干渉計の基準となる固定鏡
    が固設され、該固定鏡を前記第1、及び第2の干
    渉計の各基準として兼用したことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項に記載の装置。
JP60291442A 1985-12-24 1985-12-24 投影型露光装置 Granted JPS62150721A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60291442A JPS62150721A (ja) 1985-12-24 1985-12-24 投影型露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60291442A JPS62150721A (ja) 1985-12-24 1985-12-24 投影型露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62150721A JPS62150721A (ja) 1987-07-04
JPH0581046B2 true JPH0581046B2 (ja) 1993-11-11

Family

ID=17768919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60291442A Granted JPS62150721A (ja) 1985-12-24 1985-12-24 投影型露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62150721A (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2679186B2 (ja) * 1988-12-05 1997-11-19 株式会社ニコン 露光装置
US5477304A (en) 1992-10-22 1995-12-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3339630B2 (ja) * 1993-04-02 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置
USRE38113E1 (en) 1993-04-02 2003-05-06 Nikon Corporation Method of driving mask stage and method of mask alignment
JP3305058B2 (ja) * 1993-09-13 2002-07-22 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3600881B2 (ja) * 1993-12-27 2004-12-15 株式会社ニコン 干渉計及びステージ装置
JP3318440B2 (ja) * 1994-06-22 2002-08-26 富士通株式会社 ステージ原点位置決定方法及び装置並びにステージ位置検出器原点決定方法及び装置
JP3689949B2 (ja) * 1995-12-19 2005-08-31 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法
KR970062820A (ko) * 1996-02-28 1997-09-12 고노 시게오 투영노광장치
JPH1050604A (ja) * 1996-04-04 1998-02-20 Nikon Corp 位置管理方法及び位置合わせ方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5021232A (ja) * 1973-06-28 1975-03-06
JPS5239364A (en) * 1975-09-25 1977-03-26 Hitachi Ltd Apparatus for printing pattern for shadow mask on dry plate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5021232A (ja) * 1973-06-28 1975-03-06
JPS5239364A (en) * 1975-09-25 1977-03-26 Hitachi Ltd Apparatus for printing pattern for shadow mask on dry plate

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62150721A (ja) 1987-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6122036A (en) Projection exposure apparatus and method
US5801832A (en) Method of and device for repetitively imaging a mask pattern on a substrate using five measuring axes
US6297876B1 (en) Lithographic projection apparatus with an alignment system for aligning substrate on mask
JP2679186B2 (ja) 露光装置
US4999669A (en) Levelling device in an exposure apparatus
US4699515A (en) Process of transfer of mask pattern onto substrate and apparatus for alignment therebetween
US5751404A (en) Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
JP5743958B2 (ja) 計測方法、露光方法および装置
EP1347336A1 (en) Interferometer system and lithographic apparatus comprising such a system
TWI309753B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and angular encoder
JP3295846B2 (ja) 位置測定方法、位置測定装置、位置決め方法、位置決め装置、および露光装置
JP2000049066A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2646412B2 (ja) 露光装置
US5585923A (en) Method and apparatus for measuring positional deviation while correcting an error on the basis of the error detection by an error detecting means
KR20230073350A (ko) 이동체의 제어 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 이동체 장치, 및 노광 장치
JPH0581046B2 (ja)
JPH09223650A (ja) 露光装置
JPS62150106A (ja) 位置検出装置
JP3360744B2 (ja) アライメント方法、及び走査型露光装置
JPH0353770B2 (ja)
JPH06232027A (ja) 投影露光装置
JP2005184034A (ja) 露光装置、及び該露光装置を用いたパターン形成方法
JPH08162391A (ja) 投影露光装置
JPH10261570A (ja) ステージ装置及び該装置を備えた露光装置
JPH09171954A (ja) 位置測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees