JPH08162391A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH08162391A JPH08162391A JP6304524A JP30452494A JPH08162391A JP H08162391 A JPH08162391 A JP H08162391A JP 6304524 A JP6304524 A JP 6304524A JP 30452494 A JP30452494 A JP 30452494A JP H08162391 A JPH08162391 A JP H08162391A
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Multimedia (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レチクルアライメント光学系、及びウエハア
ライメント光学系の両方を合焦状態で使用して、レチク
ルのパターンの露光中心と、ウエハアライメント光学系
の検出中心との間隔（ベースライン量）を正確に検出す
る。 【構成】 レチクル２の下方に投影光学系１が配置さ
れ、投影光学系１の下方にＸＹステージ１０が配置され
ている。ＸＹステージ１０上に３個の上下動機構９Ａ〜
９Ｃを介してＺレベリングテーブル５が載置され、Ｚレ
ベリングテーブル５上に基準パターン板６とウエハＷを
保持するウエハホルダ７とが並列に固定されている。基
準パターン板６上に、レチクルアライメント光学系４
Ａ，４Ｂ用の指標マーク１８Ａ，１８Ｂと、ウエハアラ
イメント光学系１２用の基準マーク１７とが形成されて
いる。
ライメント光学系の両方を合焦状態で使用して、レチク
ルのパターンの露光中心と、ウエハアライメント光学系
の検出中心との間隔（ベースライン量）を正確に検出す
る。 【構成】 レチクル２の下方に投影光学系１が配置さ
れ、投影光学系１の下方にＸＹステージ１０が配置され
ている。ＸＹステージ１０上に３個の上下動機構９Ａ〜
９Ｃを介してＺレベリングテーブル５が載置され、Ｚレ
ベリングテーブル５上に基準パターン板６とウエハＷを
保持するウエハホルダ７とが並列に固定されている。基
準パターン板６上に、レチクルアライメント光学系４
Ａ，４Ｂ用の指標マーク１８Ａ，１８Ｂと、ウエハアラ
イメント光学系１２用の基準マーク１７とが形成されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子、又
は液晶表示素子等のパターンをリソグラフィ工程で製造
する際に、感光基板上にマスクパターンを露光するため
に使用される投影露光装置に関する。
は液晶表示素子等のパターンをリソグラフィ工程で製造
する際に、感光基板上にマスクパターンを露光するため
に使用される投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＬＳＩ等の半導体素子等は、ウエ
ハ（又はガラスプレート等）上に多数層の回路パターン
を積み重ねて形成されるため、それらの製造の際に使用
される投影露光装置には、それまでの工程で回路パター
ンが形成されているウエハ上の各ショット領域と、これ
から露光するマスクとしてのレチクルのパターンとを位
置合わせ（アライメント）するためのアライメント装置
が備えられている。
ハ（又はガラスプレート等）上に多数層の回路パターン
を積み重ねて形成されるため、それらの製造の際に使用
される投影露光装置には、それまでの工程で回路パター
ンが形成されているウエハ上の各ショット領域と、これ
から露光するマスクとしてのレチクルのパターンとを位
置合わせ（アライメント）するためのアライメント装置
が備えられている。
【０００３】図６は、従来のアライメント装置を備えた
投影露光装置を示し、この図６において、投影光学系１
の上方の不図示のレチクルステージ上にレチクル２が保
持されている。また、投影光学系１の下方に載物台２５
が配置され、載物台２５はＺステージ２４を介してＸＹ
ステージ１０上に固定されている。投影光学系１の光軸
ＡＸ１に平行にＺ軸が取られ、Ｚ軸に垂直な平面内で図
６の紙面に平行にＹ軸が、図６の紙面に垂直な方向にＸ
軸がそれぞれ取られ、ＸＹステージ１０は、Ｘ軸に平行
な方向（Ｘ方向）及びＹ方向に載物台２５を移動させ、
Ｚステージ２４はＺ方向に載物台２５を移動させるもの
である。
投影露光装置を示し、この図６において、投影光学系１
の上方の不図示のレチクルステージ上にレチクル２が保
持されている。また、投影光学系１の下方に載物台２５
が配置され、載物台２５はＺステージ２４を介してＸＹ
ステージ１０上に固定されている。投影光学系１の光軸
ＡＸ１に平行にＺ軸が取られ、Ｚ軸に垂直な平面内で図
６の紙面に平行にＹ軸が、図６の紙面に垂直な方向にＸ
軸がそれぞれ取られ、ＸＹステージ１０は、Ｘ軸に平行
な方向（Ｘ方向）及びＹ方向に載物台２５を移動させ、
Ｚステージ２４はＺ方向に載物台２５を移動させるもの
である。
【０００４】次に、アライメント装置の検出系として、
レチクル２の上方にレチクルアライメント光学系４が配
置され、投影光学系１のＹ方向の側面部にオフ・アクシ
ス方式のウエハアライメント光学系１２が備えられてい
る。また、載物台２５上には、不図示のレベリングテー
ブルと並列に基準パターン板６が設けられ、不図示のレ
ベリングテーブル上に感光基板としてウエハが載置され
ている。その基準パターン板６上には、レチクルアライ
メントの基準となる指標マーク２７、及びウエハアライ
メントの基準となる基準マーク２６が形成され、例えば
指標マーク２７は底面側から露光用の照明光と同じ波長
の照明光により、投影光学系１側に照明されている。ま
た、レチクル２のパターン面に転写用の原版パターンに
隣接する領域で、且つレチクルアライメント光学系４の
観察視野内にアライメントマーク２８が形成されてい
る。
レチクル２の上方にレチクルアライメント光学系４が配
置され、投影光学系１のＹ方向の側面部にオフ・アクシ
ス方式のウエハアライメント光学系１２が備えられてい
る。また、載物台２５上には、不図示のレベリングテー
ブルと並列に基準パターン板６が設けられ、不図示のレ
ベリングテーブル上に感光基板としてウエハが載置され
ている。その基準パターン板６上には、レチクルアライ
メントの基準となる指標マーク２７、及びウエハアライ
メントの基準となる基準マーク２６が形成され、例えば
指標マーク２７は底面側から露光用の照明光と同じ波長
の照明光により、投影光学系１側に照明されている。ま
た、レチクル２のパターン面に転写用の原版パターンに
隣接する領域で、且つレチクルアライメント光学系４の
観察視野内にアライメントマーク２８が形成されてい
る。
【０００５】そして、ＸＹステージ１０を所定位置に位
置決めすると、基準パターン板６上の指標マーク２７は
レチクルアライメント光学系４で投影光学系１を通して
観察可能となり、このとき同時にウエハアライメント光
学系１２では基準マーク２６を観察できるように構成さ
れていた。この状態で、レチクルアライメント光学系４
により、指標マーク２７に対するアライメントマーク２
８の位置ずれ量を検出し、並行してウエハアライメント
光学系１２により基準マーク２６に対するこのウエハア
ライメント光学系１２の観察中心の位置ずれ量を検出す
ることにより、基準パターン板６に対するレチクル２の
位置と、基準パターン板６に対するウエハアライメント
光学系１２の位置とが同時に計測されていた。
置決めすると、基準パターン板６上の指標マーク２７は
レチクルアライメント光学系４で投影光学系１を通して
観察可能となり、このとき同時にウエハアライメント光
学系１２では基準マーク２６を観察できるように構成さ
れていた。この状態で、レチクルアライメント光学系４
により、指標マーク２７に対するアライメントマーク２
８の位置ずれ量を検出し、並行してウエハアライメント
光学系１２により基準マーク２６に対するこのウエハア
ライメント光学系１２の観察中心の位置ずれ量を検出す
ることにより、基準パターン板６に対するレチクル２の
位置と、基準パターン板６に対するウエハアライメント
光学系１２の位置とが同時に計測されていた。
【０００６】更に、予め指標マーク２７と基準マーク２
６との間隔が正確に計測されており、その間隔及び検出
された位置ずれ量より、レチクル２のパターンの露光中
心とウエハアライメント光学系１２の検出中心との間
隔、即ち所謂ベースライン量も求められていた。このよ
うにベースライン量が求められると、後はウエハアライ
メント光学系１２により計測されたウエハの各ショット
領域の座標値を、そのベースライン量で補正して得られ
る座標値に基づいてＸＹステージ１０を駆動することに
より、ウエハ上の各ショット領域をそれぞれレチクル２
のパターンの投影位置に正確に重ね合わせることができ
る。
６との間隔が正確に計測されており、その間隔及び検出
された位置ずれ量より、レチクル２のパターンの露光中
心とウエハアライメント光学系１２の検出中心との間
隔、即ち所謂ベースライン量も求められていた。このよ
うにベースライン量が求められると、後はウエハアライ
メント光学系１２により計測されたウエハの各ショット
領域の座標値を、そのベースライン量で補正して得られ
る座標値に基づいてＸＹステージ１０を駆動することに
より、ウエハ上の各ショット領域をそれぞれレチクル２
のパターンの投影位置に正確に重ね合わせることができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の投
影露光装置では、基準パターン板６上のマークに基づい
てウエハアライメント光学系１２のベースライン量が計
測されていた。しかしながら、従来の基準パターン板６
はＺステージ２４上の載物台２５上に固定されていたた
め、Ｚ方向への位置調整は行えるが、傾斜角の調整がで
きないという不都合があった。
影露光装置では、基準パターン板６上のマークに基づい
てウエハアライメント光学系１２のベースライン量が計
測されていた。しかしながら、従来の基準パターン板６
はＺステージ２４上の載物台２５上に固定されていたた
め、Ｚ方向への位置調整は行えるが、傾斜角の調整がで
きないという不都合があった。
【０００８】このため、例えば大気圧変動、又は露光用
の照明光の照射による投影光学系１への熱的負荷等によ
って、投影光学系１の像面、即ちレチクルアライメント
光学系４のベストフォーカス面と、ウエハアライメント
光学系１２のベストフォーカス面と間に相対的なずれが
生じると、基準パターン板６の表面を両光学系のベスト
フォーカス面に対して同時に合焦させることができなか
った。この結果、レチクルアライメント光学系４、又は
ウエハアライメント光学系１２の少なくとも一方は、デ
フォーカスした状態でベースライン量を計測せざるを得
なかった。
の照明光の照射による投影光学系１への熱的負荷等によ
って、投影光学系１の像面、即ちレチクルアライメント
光学系４のベストフォーカス面と、ウエハアライメント
光学系１２のベストフォーカス面と間に相対的なずれが
生じると、基準パターン板６の表面を両光学系のベスト
フォーカス面に対して同時に合焦させることができなか
った。この結果、レチクルアライメント光学系４、又は
ウエハアライメント光学系１２の少なくとも一方は、デ
フォーカスした状態でベースライン量を計測せざるを得
なかった。
【０００９】この場合、図６に示すように、例えば基準
パターン板６の表面がレチクルアライメント光学系４に
対して合焦位置にあり、ウエハアライメント光学系１２
に対してΔＺだけデフォーカスした位置にあると、先ず
第１にはウエハアライメント光学系１２で得られる信号
のコントラストが低下し、計測再現性が損なわれるとい
う不都合がある。第２には、仮にＹＺ平面内でウエハア
ライメント光学系１２の光軸ＡＸ２が傾斜して、テレセ
ントリック性（テレセントリシティ）が悪化していると
きに、ΔＺだけのデフォーカスがあると、ほぼその傾斜
角とデフォーカス量ΔＺとの積で与えられるＹ方向への
計測誤差ΔＹが生じてしまうという不都合がある。
パターン板６の表面がレチクルアライメント光学系４に
対して合焦位置にあり、ウエハアライメント光学系１２
に対してΔＺだけデフォーカスした位置にあると、先ず
第１にはウエハアライメント光学系１２で得られる信号
のコントラストが低下し、計測再現性が損なわれるとい
う不都合がある。第２には、仮にＹＺ平面内でウエハア
ライメント光学系１２の光軸ＡＸ２が傾斜して、テレセ
ントリック性（テレセントリシティ）が悪化していると
きに、ΔＺだけのデフォーカスがあると、ほぼその傾斜
角とデフォーカス量ΔＺとの積で与えられるＹ方向への
計測誤差ΔＹが生じてしまうという不都合がある。
【００１０】本発明は斯かる点に鑑み、レチクルの位置
検出用のアライメント光学系、及びウエハの位置検出用
のアライメント光学系の両方を合焦状態で使用でき、そ
の結果としてレチクルのパターンの露光中心と、ウエハ
の位置検出用のアライメント光学系の検出中心との間隔
（ベースライン量）を常に正確に検出できる投影露光装
置を提供することを目的とする。
検出用のアライメント光学系、及びウエハの位置検出用
のアライメント光学系の両方を合焦状態で使用でき、そ
の結果としてレチクルのパターンの露光中心と、ウエハ
の位置検出用のアライメント光学系の検出中心との間隔
（ベースライン量）を常に正確に検出できる投影露光装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、マスク（２）上の転写用のパターンの像を感光基
板（Ｗ）上に投影する投影光学系（１）と、その感光基
板を投影光学系（１）の光軸に垂直な平面内で移動する
基板ステージ（１０）と、この基板ステージにより感光
基板（Ｗ）と共に移動され、第１及び第２の基準パター
ン（１８Ａ，１７）が形成された基準パターン部材
（６）と、感光基板（Ｗ）上に形成された位置合わせ用
のマークの位置を計測する基板側のアライメント用計測
手段（１２）と、マスク（２）上に形成された位置合わ
せ用のマーク（３Ａ）と基準パターン部材（６）上に形
成された第１の基準パターン（１８Ａ）との相対位置関
係を投影光学系（１）を介して計測するマスク側のアラ
イメント用計測手段（４Ａ）とを有し、第１の基準パタ
ーン（１８Ａ）に対するマスク（２）の相対的な位置ず
れ量をマスク側のアライメント用計測手段（４Ａ）によ
り計測するのと並行して、第２の基準パターン（１７）
の位置を基板側のアライメント用計測手段（１２）によ
り計測することにより、マスク（２）と基板側のアライ
メント用計測手段（１２）との相対的な位置関係（ベー
スライン量等）を求める投影露光装置において、基板ス
テージ（１０）上に、基準パターン部材（６）の表面の
投影光学系（１）の光軸方向の位置、及び傾斜角を調整
する高さ傾斜補正テーブル（５）を設けたものである。
置は、マスク（２）上の転写用のパターンの像を感光基
板（Ｗ）上に投影する投影光学系（１）と、その感光基
板を投影光学系（１）の光軸に垂直な平面内で移動する
基板ステージ（１０）と、この基板ステージにより感光
基板（Ｗ）と共に移動され、第１及び第２の基準パター
ン（１８Ａ，１７）が形成された基準パターン部材
（６）と、感光基板（Ｗ）上に形成された位置合わせ用
のマークの位置を計測する基板側のアライメント用計測
手段（１２）と、マスク（２）上に形成された位置合わ
せ用のマーク（３Ａ）と基準パターン部材（６）上に形
成された第１の基準パターン（１８Ａ）との相対位置関
係を投影光学系（１）を介して計測するマスク側のアラ
イメント用計測手段（４Ａ）とを有し、第１の基準パタ
ーン（１８Ａ）に対するマスク（２）の相対的な位置ず
れ量をマスク側のアライメント用計測手段（４Ａ）によ
り計測するのと並行して、第２の基準パターン（１７）
の位置を基板側のアライメント用計測手段（１２）によ
り計測することにより、マスク（２）と基板側のアライ
メント用計測手段（１２）との相対的な位置関係（ベー
スライン量等）を求める投影露光装置において、基板ス
テージ（１０）上に、基準パターン部材（６）の表面の
投影光学系（１）の光軸方向の位置、及び傾斜角を調整
する高さ傾斜補正テーブル（５）を設けたものである。
【００１２】この場合、高さ傾斜補正テーブル（５）上
に基準パターン部材（６）と並列に感光基板（Ｗ）も載
置されることが望ましい。また、基準パターン部材
（６）の投影光学系（１）に対する合焦点からの焦点ず
れ量を検出する焦点位置検出手段（１３，１５）と、こ
の焦点位置検出手段の検出結果より基準パターン部材
（６）の基板側のアライメント用計測手段（１２）に対
する合焦点からの焦点ずれ量を算出するオフセット演算
手段（１６）とを設け、焦点位置検出手段（１３，１
５）の検出結果、及びオフセット演算手段（１６）の演
算結果に基づいて高さ傾斜補正テーブル（５）を介して
基準パターン部材（６）の高さ及び傾斜角を調整するよ
うにしてもよい。
に基準パターン部材（６）と並列に感光基板（Ｗ）も載
置されることが望ましい。また、基準パターン部材
（６）の投影光学系（１）に対する合焦点からの焦点ず
れ量を検出する焦点位置検出手段（１３，１５）と、こ
の焦点位置検出手段の検出結果より基準パターン部材
（６）の基板側のアライメント用計測手段（１２）に対
する合焦点からの焦点ずれ量を算出するオフセット演算
手段（１６）とを設け、焦点位置検出手段（１３，１
５）の検出結果、及びオフセット演算手段（１６）の演
算結果に基づいて高さ傾斜補正テーブル（５）を介して
基準パターン部材（６）の高さ及び傾斜角を調整するよ
うにしてもよい。
【００１３】この場合、そのオフセット演算手段（１
６）は、大気圧の変化や露光用の照明光の照射等による
投影光学系（１）の像面の変動量や、大気圧の変化等に
よる基板側のアライメント用計測手段（１２）の合焦点
の変動量でその焦点ずれ量を補正することが望ましい。
６）は、大気圧の変化や露光用の照明光の照射等による
投影光学系（１）の像面の変動量や、大気圧の変化等に
よる基板側のアライメント用計測手段（１２）の合焦点
の変動量でその焦点ずれ量を補正することが望ましい。
【００１４】
【作用】斯かる本発明によれば、高さ傾斜補正テーブル
（６）上に基準パターン部材（６）が設置されているた
め、例えばマスク（２）の位置と基板側のアライメント
用計測手段（１２）の検出中心との間隔（ベースライン
量）を計測する際には、基準パターン部材（６）の観察
面がマスク側のアライメント用計測手段（４Ａ）のベス
トフォーカス位置、及び基板側のアライメント用計測手
段（１２）のベストフォーカス位置を通るように、基準
パターン部材（６）の高さ及び傾斜角を設定する。これ
により、両方のアライメント用計測手段（４Ａ，１２）
でデフォーカスによる計測再現性の悪化がなくなり、且
つ光学系の光軸の倒れ角（テレセントリシティ）とデフ
ォーカスとの積で与えられる計測誤差の混入が回避され
る。
（６）上に基準パターン部材（６）が設置されているた
め、例えばマスク（２）の位置と基板側のアライメント
用計測手段（１２）の検出中心との間隔（ベースライン
量）を計測する際には、基準パターン部材（６）の観察
面がマスク側のアライメント用計測手段（４Ａ）のベス
トフォーカス位置、及び基板側のアライメント用計測手
段（１２）のベストフォーカス位置を通るように、基準
パターン部材（６）の高さ及び傾斜角を設定する。これ
により、両方のアライメント用計測手段（４Ａ，１２）
でデフォーカスによる計測再現性の悪化がなくなり、且
つ光学系の光軸の倒れ角（テレセントリシティ）とデフ
ォーカスとの積で与えられる計測誤差の混入が回避され
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図１〜図５を参照して説明する。図１は本実施例
の投影露光装置の要部を示し、この図１において、レチ
クル２の下方に投影光学系１が配置されている。ここ
で、投影光学系１の光軸に平行にＺ軸を取し、Ｚ軸に垂
直な平面の直交座標系をＸ軸、及びＹ軸とする。このと
き、レチクル２のパターン領域のＸ軸に平行な方向（Ｘ
方向）の両側に十字型の遮光パターンよりなるアライメ
ントマーク３Ａ及び４Ｂが形成され、アライメントマー
ク３Ａ及び３Ｂの上方にそれぞれレチクルアライメント
光学系４Ａ及び４Ｂが配置されている。
につき図１〜図５を参照して説明する。図１は本実施例
の投影露光装置の要部を示し、この図１において、レチ
クル２の下方に投影光学系１が配置されている。ここ
で、投影光学系１の光軸に平行にＺ軸を取し、Ｚ軸に垂
直な平面の直交座標系をＸ軸、及びＹ軸とする。このと
き、レチクル２のパターン領域のＸ軸に平行な方向（Ｘ
方向）の両側に十字型の遮光パターンよりなるアライメ
ントマーク３Ａ及び４Ｂが形成され、アライメントマー
ク３Ａ及び３Ｂの上方にそれぞれレチクルアライメント
光学系４Ａ及び４Ｂが配置されている。
【００１６】また、投影光学系１に関してレチクル２と
共役な側に、Ｘ軸に平行な方向（Ｘ方向）、及びＹ方向
に移動自在なＸＹステージ１０が配され、ＸＹステージ
１０上にフォーカス調整、及びレベリング調整用の３個
の上下動機構９Ａ，９Ｂ，９Ｃを介してＺレベリングテ
ーブル５が支持されている。３個の上下動機構９Ａ〜９
Ｃは、主制御系１１からの制御信号のもとで、互いに独
立にＺ方向に所定範囲内で伸縮できるように構成されて
いる。これによりＺレベリングテーブル５を投影光学系
１の光軸に平行なＺ方向に移動できると共に、Ｚレベリ
ングテーブル５の傾斜角を投影光学系１の像面付近で微
調整できるようになっている。また、ＸＹステージ１０
の２次元座標は不図示のレーザ干渉計により計測され、
この計測結果に基づいて主制御系１１がＸＹステージ１
０の動作を制御する。
共役な側に、Ｘ軸に平行な方向（Ｘ方向）、及びＹ方向
に移動自在なＸＹステージ１０が配され、ＸＹステージ
１０上にフォーカス調整、及びレベリング調整用の３個
の上下動機構９Ａ，９Ｂ，９Ｃを介してＺレベリングテ
ーブル５が支持されている。３個の上下動機構９Ａ〜９
Ｃは、主制御系１１からの制御信号のもとで、互いに独
立にＺ方向に所定範囲内で伸縮できるように構成されて
いる。これによりＺレベリングテーブル５を投影光学系
１の光軸に平行なＺ方向に移動できると共に、Ｚレベリ
ングテーブル５の傾斜角を投影光学系１の像面付近で微
調整できるようになっている。また、ＸＹステージ１０
の２次元座標は不図示のレーザ干渉計により計測され、
この計測結果に基づいて主制御系１１がＸＹステージ１
０の動作を制御する。
【００１７】本例のＺレベリングテーブル５上には基準
パターン板６とウエハホルダ７とが並列に固定され、露
光時にはウエハホルダ７上に露光対象のウエハＷが吸着
保持される。ウエハＷの表面を投影光学系１の像面に合
致させたときに、基準パターン板６の表面もその像面に
ほぼ合致するように、基準パターン板６の高さ、及びウ
エハホルダ７の高さが設定されている。また、露光時に
はウエハホルダ７が投影光学系１の露光フィールド内に
設定され、不図示の照明光学系からの露光用の照明光の
もとで、レチクル２のパターンの投影光学系１を介した
像がウエハＷの各ショット領域に投影露光される。
パターン板６とウエハホルダ７とが並列に固定され、露
光時にはウエハホルダ７上に露光対象のウエハＷが吸着
保持される。ウエハＷの表面を投影光学系１の像面に合
致させたときに、基準パターン板６の表面もその像面に
ほぼ合致するように、基準パターン板６の高さ、及びウ
エハホルダ７の高さが設定されている。また、露光時に
はウエハホルダ７が投影光学系１の露光フィールド内に
設定され、不図示の照明光学系からの露光用の照明光の
もとで、レチクル２のパターンの投影光学系１を介した
像がウエハＷの各ショット領域に投影露光される。
【００１８】本例の基準パターン板６上には、レチクル
アライメント用の１対の指標マーク１８Ａ及び１８Ｂ
と、ウエハアライメント用の基準マーク１７とが形成さ
れている。指標マーク１８Ａ及び１８Ｂは、レチクルア
ライメント時には、それぞれ底面側から露光用の照明光
と同じ波長帯の照明光で投影光学系１側に照明される。
また、投影光学系１の−Ｙ方向の側面部にオフ・アクシ
ス方式のウエハアライメント光学系１２が設けられてい
る。
アライメント用の１対の指標マーク１８Ａ及び１８Ｂ
と、ウエハアライメント用の基準マーク１７とが形成さ
れている。指標マーク１８Ａ及び１８Ｂは、レチクルア
ライメント時には、それぞれ底面側から露光用の照明光
と同じ波長帯の照明光で投影光学系１側に照明される。
また、投影光学系１の−Ｙ方向の側面部にオフ・アクシ
ス方式のウエハアライメント光学系１２が設けられてい
る。
【００１９】図２は、基準パターン板６上の指標マーク
及び基準マークを対応するアライメント光学系での観察
像の形で示し、この図２において、図１のレチクルアラ
イメント光学系４Ａ及び４Ｂのそれぞれの観察視野４Ａ
ａ及び４Ｂａ内に、図１の指標マーク１８Ａの投影光学
系１を介した像１８ＡＰ、及び指標マーク１８Ｂの像１
８ＢＰが形成されている。指標マーク１８Ａ及び１８Ｂ
は、共通にＸ方向に所定間隔で離れた２本の線状パター
ン、及びＹ方向に所定間隔で離れた２本の線状パターン
より構成されている。レチクルアライメント時には、観
察視野４Ａａ及び４Ｂａ内にそれぞれ図１のレチクル２
のアライメントマーク３Ａ及び３Ｂが納まり、図１のレ
チクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂはそれぞれ指標マ
ークの像１８ＡＰ，１８ＢＰ及びアライメントマーク３
Ａ，３Ｂの像を撮像する。これら撮像信号を処理するこ
とにより、基準パターン板６上の指標マーク１８Ａ，１
８Ｂを基準とするアライメントマーク３Ａ，３Ｂの位置
ずれ量が検出され、この検出結果が主制御系１１に供給
される。
及び基準マークを対応するアライメント光学系での観察
像の形で示し、この図２において、図１のレチクルアラ
イメント光学系４Ａ及び４Ｂのそれぞれの観察視野４Ａ
ａ及び４Ｂａ内に、図１の指標マーク１８Ａの投影光学
系１を介した像１８ＡＰ、及び指標マーク１８Ｂの像１
８ＢＰが形成されている。指標マーク１８Ａ及び１８Ｂ
は、共通にＸ方向に所定間隔で離れた２本の線状パター
ン、及びＹ方向に所定間隔で離れた２本の線状パターン
より構成されている。レチクルアライメント時には、観
察視野４Ａａ及び４Ｂａ内にそれぞれ図１のレチクル２
のアライメントマーク３Ａ及び３Ｂが納まり、図１のレ
チクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂはそれぞれ指標マ
ークの像１８ＡＰ，１８ＢＰ及びアライメントマーク３
Ａ，３Ｂの像を撮像する。これら撮像信号を処理するこ
とにより、基準パターン板６上の指標マーク１８Ａ，１
８Ｂを基準とするアライメントマーク３Ａ，３Ｂの位置
ずれ量が検出され、この検出結果が主制御系１１に供給
される。
【００２０】一方、図１のウエハアライメント光学系１
２の観察視野１２ａ内に、図１の基準マーク１７の像１
７Ｐが形成され、ウエハアライメント光学系１２では、
内部に配置された指標マーク１９及びその像１７Ｐの像
を撮像素子により撮像する。この撮像信号を処理するこ
とにより基準マーク１７に対する指標マーク１９の位置
ずれ量が検出され、この検出結果が主制御系１１に供給
される。
２の観察視野１２ａ内に、図１の基準マーク１７の像１
７Ｐが形成され、ウエハアライメント光学系１２では、
内部に配置された指標マーク１９及びその像１７Ｐの像
を撮像素子により撮像する。この撮像信号を処理するこ
とにより基準マーク１７に対する指標マーク１９の位置
ずれ量が検出され、この検出結果が主制御系１１に供給
される。
【００２１】また、図２において、指標マーク１８Ａ及
び１８Ｂ（図２ではこれらの像１８ＡＰ及び１８ＢＰで
表されている）の中心を通る直線はＸ軸に平行であり、
基準マーク１７（図２ではこの像１７Ｐで表されてい
る）の中心を通りＹ軸に平行な直線が指標マーク１８
Ａ，１８Ｂの中心の中点を通る、即ち基準マーク１７の
中心を通りＹ軸に平行な直線から指標マーク１８Ａ，１
８Ｂの中心までの間隔が共にＬ1 となるように配置され
ている。更に、指標マーク１８Ａ，１８Ｂの中心を通り
Ｘ軸に平行な直線から基準マーク１７までの間隔はＬ0
となるように配置されている。
び１８Ｂ（図２ではこれらの像１８ＡＰ及び１８ＢＰで
表されている）の中心を通る直線はＸ軸に平行であり、
基準マーク１７（図２ではこの像１７Ｐで表されてい
る）の中心を通りＹ軸に平行な直線が指標マーク１８
Ａ，１８Ｂの中心の中点を通る、即ち基準マーク１７の
中心を通りＹ軸に平行な直線から指標マーク１８Ａ，１
８Ｂの中心までの間隔が共にＬ1 となるように配置され
ている。更に、指標マーク１８Ａ，１８Ｂの中心を通り
Ｘ軸に平行な直線から基準マーク１７までの間隔はＬ0
となるように配置されている。
【００２２】図１に戻り、レチクルアライメント時に
は、ＸＹステージ１０を駆動することにより、基準パタ
ーン板６の指標マーク１８Ａ及び１８Ｂがそれぞれレチ
クル２上のアライメントマーク３Ａ及び３Ｂとほぼ共役
な位置に来るように、基準パターン板６が位置決めされ
る。この際に、一方のレチクルアライメント光学系４Ａ
は、投影光学系１を介した指標マーク１８Ａの像とアラ
イメントマーク３Ａとを同時に観察でき、他方のレチク
ルアライメント光学系４Ｂは、投影光学系１を介した指
標マーク１８Ｂの像とアライメントマーク３Ｂとを同時
に観察できるようになっている。更に、この状態で同時
に、基準パターン板６上の基準マーク１７をウエハアラ
イメント光学系１２にて観察できるように構成されてい
る。
は、ＸＹステージ１０を駆動することにより、基準パタ
ーン板６の指標マーク１８Ａ及び１８Ｂがそれぞれレチ
クル２上のアライメントマーク３Ａ及び３Ｂとほぼ共役
な位置に来るように、基準パターン板６が位置決めされ
る。この際に、一方のレチクルアライメント光学系４Ａ
は、投影光学系１を介した指標マーク１８Ａの像とアラ
イメントマーク３Ａとを同時に観察でき、他方のレチク
ルアライメント光学系４Ｂは、投影光学系１を介した指
標マーク１８Ｂの像とアライメントマーク３Ｂとを同時
に観察できるようになっている。更に、この状態で同時
に、基準パターン板６上の基準マーク１７をウエハアラ
イメント光学系１２にて観察できるように構成されてい
る。
【００２３】次に、ウエハＷの表面、又は基準パターン
板６の表面のＺ方向の位置（フォーカス位置）を検出す
るためのフォーカス位置検出系（以下、「ＡＦセンサ」
という）の構成につき説明する。先ず、ＡＦセンサの送
光系１３から射出されたウエハＷ上のフォトレジストに
対して非感光性の検出光により、投影光学系１の光軸に
対して斜めに投影光学系１の露光フィールドの中央（光
軸上）の計測点にスリット像１４が投影される。図１で
はそのスリット像１４が、基準パターン板６上の指標マ
ーク１８Ａ，１８Ｂの中点付近に投影されている。その
基準パターン板６上の中点でのフォーカス位置をそれぞ
れ指標マーク１８Ａ，１８Ｂでのフォーカス位置と近似
的にみなすことができる。その計測点からの反射光が、
受光系１５内の振動スリット板上にスリット像を再結像
し、その振動スリット板を通過した光束が、受光系１５
内の光電検出器により光電変換され、この光電変換信号
が内部の同期検波回路において、振動スリット板の駆動
信号に同期して同期検波され、得られたフォーカス信号
ＳAFがオフセット演算部１６に供給される。
板６の表面のＺ方向の位置（フォーカス位置）を検出す
るためのフォーカス位置検出系（以下、「ＡＦセンサ」
という）の構成につき説明する。先ず、ＡＦセンサの送
光系１３から射出されたウエハＷ上のフォトレジストに
対して非感光性の検出光により、投影光学系１の光軸に
対して斜めに投影光学系１の露光フィールドの中央（光
軸上）の計測点にスリット像１４が投影される。図１で
はそのスリット像１４が、基準パターン板６上の指標マ
ーク１８Ａ，１８Ｂの中点付近に投影されている。その
基準パターン板６上の中点でのフォーカス位置をそれぞ
れ指標マーク１８Ａ，１８Ｂでのフォーカス位置と近似
的にみなすことができる。その計測点からの反射光が、
受光系１５内の振動スリット板上にスリット像を再結像
し、その振動スリット板を通過した光束が、受光系１５
内の光電検出器により光電変換され、この光電変換信号
が内部の同期検波回路において、振動スリット板の駆動
信号に同期して同期検波され、得られたフォーカス信号
ＳAFがオフセット演算部１６に供給される。
【００２４】この場合、基準パターン板６の表面のフォ
ーカス位置が変化するとそのフォーカス信号ＳAFが所定
範囲内でほぼ線形に変化するため、逆にそのフォーカス
信号ＳAFから基準パターン板６のフォーカス位置が検出
される。また、予め露光開始前に、基準パターン板６の
表面が投影光学系１の像面、即ちレチクルアライメント
光学系４Ａ，４Ｂのベストフォーカス面に合致している
状態で、そのフォーカス信号ＳAFが０となるように光学
系の調整が行われている。従って、オフセット演算部１
６ではそのフォーカス信号ＳAFの値から、基準パターン
板６の表面の投影光学系１の像面からのずれ量（デフォ
ーカス量）ΔＺ1 を求めて主制御系１１に供給する。更
に本例では、予め上下動機構９Ａ〜９Ｃが所定の基準の
高さにある状態で、投影光学系１の像面のフォーカス位
置と、ウエハアライメント光学系１２のベストフォーカ
ス面のフォーカス位置とのずれ量がフォーカスオフセッ
トδOFF として記憶され、そのデフォーカス量ΔＺ1 に
フォーカスオフセットδOF F を加算して得られたデフォ
ーカス量（ΔＺ1 ＋δOFF ）が、ウエハアライメント光
学系１２に対する基準パターン板６のデフォーカス量と
して主制御系１１に供給される。
ーカス位置が変化するとそのフォーカス信号ＳAFが所定
範囲内でほぼ線形に変化するため、逆にそのフォーカス
信号ＳAFから基準パターン板６のフォーカス位置が検出
される。また、予め露光開始前に、基準パターン板６の
表面が投影光学系１の像面、即ちレチクルアライメント
光学系４Ａ，４Ｂのベストフォーカス面に合致している
状態で、そのフォーカス信号ＳAFが０となるように光学
系の調整が行われている。従って、オフセット演算部１
６ではそのフォーカス信号ＳAFの値から、基準パターン
板６の表面の投影光学系１の像面からのずれ量（デフォ
ーカス量）ΔＺ1 を求めて主制御系１１に供給する。更
に本例では、予め上下動機構９Ａ〜９Ｃが所定の基準の
高さにある状態で、投影光学系１の像面のフォーカス位
置と、ウエハアライメント光学系１２のベストフォーカ
ス面のフォーカス位置とのずれ量がフォーカスオフセッ
トδOFF として記憶され、そのデフォーカス量ΔＺ1 に
フォーカスオフセットδOF F を加算して得られたデフォ
ーカス量（ΔＺ1 ＋δOFF ）が、ウエハアライメント光
学系１２に対する基準パターン板６のデフォーカス量と
して主制御系１１に供給される。
【００２５】主制御系１１では、レチクルアライメント
時に、オフセット演算部１６からの２つのデフォーカス
量ΔＺ1 及び（ΔＺ1 ＋δOFF ）に基づいて３個の上下
動機構９Ａ〜９Ｃの高さ（伸縮量）を調整して、基準パ
ターン板６の高さ及び傾斜角の調整を行う。なお、ウエ
ハアライメント光学系１２内にも焦点位置検出系を独立
に設け、この焦点位置検出系により基準パターン板６の
表面のフォーカス位置のウエハアライメント光学系１２
のベストフォーカス面からのデフォーカス量を直接検出
してもよい。
時に、オフセット演算部１６からの２つのデフォーカス
量ΔＺ1 及び（ΔＺ1 ＋δOFF ）に基づいて３個の上下
動機構９Ａ〜９Ｃの高さ（伸縮量）を調整して、基準パ
ターン板６の高さ及び傾斜角の調整を行う。なお、ウエ
ハアライメント光学系１２内にも焦点位置検出系を独立
に設け、この焦点位置検出系により基準パターン板６の
表面のフォーカス位置のウエハアライメント光学系１２
のベストフォーカス面からのデフォーカス量を直接検出
してもよい。
【００２６】主制御系１１は大気圧変動、投影光学系１
への露光光照射といった、投影光学系１の像面変動をひ
きおこす各種の要因を監視しており、投影光学系１を含
むレチクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂのベストフォ
ーカス面の位置の変動量ΔＺ R を算出している。従っ
て、実際のレチクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂのベ
ストフォーカス面のデフォーカス量は（ΔＺ1 −Δ
ＺR ）となる。また、大気圧等によるウエハアライメン
ト光学系１２のベストフォーカス面の変動量も問題とな
るときには、主制御系１１はその変動量ΔＺW の算出も
行う。この場合のウエハアライメント光学系１２のデフ
ォーカス量は（ΔＺ1 ＋δOFF −ΔＺW ）となる。主制
御系１１はこれらの補正後のデフォーカス量に基づいて
基準パターン板６の高さ及び傾斜角を制御する。
への露光光照射といった、投影光学系１の像面変動をひ
きおこす各種の要因を監視しており、投影光学系１を含
むレチクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂのベストフォ
ーカス面の位置の変動量ΔＺ R を算出している。従っ
て、実際のレチクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂのベ
ストフォーカス面のデフォーカス量は（ΔＺ1 −Δ
ＺR ）となる。また、大気圧等によるウエハアライメン
ト光学系１２のベストフォーカス面の変動量も問題とな
るときには、主制御系１１はその変動量ΔＺW の算出も
行う。この場合のウエハアライメント光学系１２のデフ
ォーカス量は（ΔＺ1 ＋δOFF −ΔＺW ）となる。主制
御系１１はこれらの補正後のデフォーカス量に基づいて
基準パターン板６の高さ及び傾斜角を制御する。
【００２７】ここで、図３を参照して、本実施例で使用
されている上下動機構９Ａ〜９Ｃの構成例につき説明す
る。図３は、上下動機構９Ａの断面図であり、この図３
において、図１のＸＹステージ１０上に駆動機構ハウジ
ング４０が固定され、駆動機構ハウジング４０内に送り
ねじ４１が回転自在に収納され、送りねじ４１の左端に
カップリング４２を介してロータリモータ４３が接続さ
れ、送りねじ４１の右端にカップリング４４を介して回
転角検出用のロータリエンコーダ４５が接続されてい
る。また、送りねじ４１にナット３９が螺合され、ナッ
ト３９に支柱３８を介して上端が傾斜した斜面部３６が
固定され、斜面部３６の上端に回転体３５Ａが接触して
いる。回転体３５Ａは、図１のＺレベリングテーブル５
内に回転自在に、且つ横方向には移動できないように埋
め込まれている。
されている上下動機構９Ａ〜９Ｃの構成例につき説明す
る。図３は、上下動機構９Ａの断面図であり、この図３
において、図１のＸＹステージ１０上に駆動機構ハウジ
ング４０が固定され、駆動機構ハウジング４０内に送り
ねじ４１が回転自在に収納され、送りねじ４１の左端に
カップリング４２を介してロータリモータ４３が接続さ
れ、送りねじ４１の右端にカップリング４４を介して回
転角検出用のロータリエンコーダ４５が接続されてい
る。また、送りねじ４１にナット３９が螺合され、ナッ
ト３９に支柱３８を介して上端が傾斜した斜面部３６が
固定され、斜面部３６の上端に回転体３５Ａが接触して
いる。回転体３５Ａは、図１のＺレベリングテーブル５
内に回転自在に、且つ横方向には移動できないように埋
め込まれている。
【００２８】また、斜面部３６は直線ガイド３７に沿っ
て送りねじ４１に平行な方向に移動できるように支持さ
れている。この場合、図１の主制御系１１からの駆動指
令がロータリモータ４３に供給され、ロータリモータ４
３は指示された駆動回転角速度で送りねじ４１を回転す
る。これにより、ナット３９が送りねじ４１に沿ってＲ
方向に移動し、斜面部３６も送りねじ４１に沿って移動
する。従って、斜面部３６の上端に接触する回転体３５
Ａは、回転しながら駆動機構ハウジング４０に対して上
下方向（Ｚ方向）に変位する。また、送りねじ４３の回
転角をロータリエンコーダ４５により計測することによ
り、回転体３５Ａの上下方向への変位量が検出される。
他の上下動機構９Ｂ，９Ｃも同じ構成である。
て送りねじ４１に平行な方向に移動できるように支持さ
れている。この場合、図１の主制御系１１からの駆動指
令がロータリモータ４３に供給され、ロータリモータ４
３は指示された駆動回転角速度で送りねじ４１を回転す
る。これにより、ナット３９が送りねじ４１に沿ってＲ
方向に移動し、斜面部３６も送りねじ４１に沿って移動
する。従って、斜面部３６の上端に接触する回転体３５
Ａは、回転しながら駆動機構ハウジング４０に対して上
下方向（Ｚ方向）に変位する。また、送りねじ４３の回
転角をロータリエンコーダ４５により計測することによ
り、回転体３５Ａの上下方向への変位量が検出される。
他の上下動機構９Ｂ，９Ｃも同じ構成である。
【００２９】なお、上下動機構９Ａ〜９Ｃは、図３のよ
うにロータリーモータを使用する方式の外に、例えばピ
エゾ素子等から構成してもよい。上述の如く構成された
本例の投影露光装置の動作につき図４のフローチャート
を参照して説明する。以下の動作説明では、図１におい
て、ウエハＷの各ショット領域にはそれまでの工程によ
り回路パターンが形成されていると共に、その各ショッ
ト領域にはそれぞれ位置合わせ用のマーク（ウエハマー
ク）が形成されているものとして、それら各ショット領
域とレチクル２のパターンの投影像とを正確に重ね合わ
せて露光を行う場合につき説明する。
うにロータリーモータを使用する方式の外に、例えばピ
エゾ素子等から構成してもよい。上述の如く構成された
本例の投影露光装置の動作につき図４のフローチャート
を参照して説明する。以下の動作説明では、図１におい
て、ウエハＷの各ショット領域にはそれまでの工程によ
り回路パターンが形成されていると共に、その各ショッ
ト領域にはそれぞれ位置合わせ用のマーク（ウエハマー
ク）が形成されているものとして、それら各ショット領
域とレチクル２のパターンの投影像とを正確に重ね合わ
せて露光を行う場合につき説明する。
【００３０】先ず、図４のステップ１０１において、レ
チクルアライメントを行う。即ち、図１のレチクルアラ
イメント光学系４Ａ，４Ｂから基準パターン板６上の指
標マーク１８Ａ，１８Ｂがそれぞれ観察できるようにＸ
Ｙステージ１０を位置決めする。更に、主制御系１１
は、オフセット演算部１６から供給されるレチクルアラ
イメント光学系４Ａ，４Ｂに対するデフォーカス量ΔＺ
1 に基づいて、上下動機構９Ａ〜９Ｃの伸縮量を制御
し、基準パターン板６の表面をレチクルアライメント光
学系４Ａ，４Ｂに合焦させる。この状態で、レチクルア
ライメント光学系４Ａ及び４Ｂの観察視野内で、基準パ
ターン板６上のレチクルアライメント用の指標マーク１
８Ａ及び１８Ｂの像に対して、それぞれレチクル２上の
アライメントマーク３Ａ及び３Ｂがほぼ重なるようにレ
チクル２の位置を微調整する。これで、レチクルアライ
メントが完了する。
チクルアライメントを行う。即ち、図１のレチクルアラ
イメント光学系４Ａ，４Ｂから基準パターン板６上の指
標マーク１８Ａ，１８Ｂがそれぞれ観察できるようにＸ
Ｙステージ１０を位置決めする。更に、主制御系１１
は、オフセット演算部１６から供給されるレチクルアラ
イメント光学系４Ａ，４Ｂに対するデフォーカス量ΔＺ
1 に基づいて、上下動機構９Ａ〜９Ｃの伸縮量を制御
し、基準パターン板６の表面をレチクルアライメント光
学系４Ａ，４Ｂに合焦させる。この状態で、レチクルア
ライメント光学系４Ａ及び４Ｂの観察視野内で、基準パ
ターン板６上のレチクルアライメント用の指標マーク１
８Ａ及び１８Ｂの像に対して、それぞれレチクル２上の
アライメントマーク３Ａ及び３Ｂがほぼ重なるようにレ
チクル２の位置を微調整する。これで、レチクルアライ
メントが完了する。
【００３１】次のステップ１０２において、ベースライ
ン計測を行う。即ち、レチクル２のパターンの投影像の
中心から、ウエハアライメント光学系１２の観察中心ま
でのＸ方向、及びＹ方向への相対的な距離（ベースライ
ン量）を求める。このため先ず、主制御系１１は、オフ
セット演算部１６から供給されるウエハアライメント光
学系１２に対する基準パターン板６のデフォーカス量
（ΔＺ1 ＋δOFF ）をも用いて、レチクルアライメント
光学系４Ａ，４Ｂと同時に、ウエハアライメント光学系
１２に対しても同時に基準パターン板６の表面が合焦す
るように、上下動機構９Ａ〜９Ｃの伸縮量を制御する。
ン計測を行う。即ち、レチクル２のパターンの投影像の
中心から、ウエハアライメント光学系１２の観察中心ま
でのＸ方向、及びＹ方向への相対的な距離（ベースライ
ン量）を求める。このため先ず、主制御系１１は、オフ
セット演算部１６から供給されるウエハアライメント光
学系１２に対する基準パターン板６のデフォーカス量
（ΔＺ1 ＋δOFF ）をも用いて、レチクルアライメント
光学系４Ａ，４Ｂと同時に、ウエハアライメント光学系
１２に対しても同時に基準パターン板６の表面が合焦す
るように、上下動機構９Ａ〜９Ｃの伸縮量を制御する。
【００３２】図５は、同時に合焦が行われた状態を示す
側面図であり、この図５において、基準パターン板６の
表面（Ｚレベリングテーブル５の表面と平行）はＸＹス
テージ１０の走り面に対してＹＺ平面内で反時計方向に
角度θだけ傾斜しており、これにより基準パターン板６
の表面にレチクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂの光軸
上のベストフォーカス点２３Ａ，２３Ｂ、及びウエハア
ライメント光学系１２の光軸上のベストフォーカス点２
２が位置している。また、レチクルアライメント光学系
４Ａ，４Ｂのベストフォーカス点２３Ａ，２３Ｂのフォ
ーカス位置と、ウエハアライメント光学系１２のベスト
フォーカス点のフォーカス位置との差分ΔＺ2 は、本例
では図１のオフセット演算部１６内に記憶されているフ
ォーカスオフセットδOFF に主制御系１１で露光光吸収
等による像面変動の補正をして求められる値である。
側面図であり、この図５において、基準パターン板６の
表面（Ｚレベリングテーブル５の表面と平行）はＸＹス
テージ１０の走り面に対してＹＺ平面内で反時計方向に
角度θだけ傾斜しており、これにより基準パターン板６
の表面にレチクルアライメント光学系４Ａ，４Ｂの光軸
上のベストフォーカス点２３Ａ，２３Ｂ、及びウエハア
ライメント光学系１２の光軸上のベストフォーカス点２
２が位置している。また、レチクルアライメント光学系
４Ａ，４Ｂのベストフォーカス点２３Ａ，２３Ｂのフォ
ーカス位置と、ウエハアライメント光学系１２のベスト
フォーカス点のフォーカス位置との差分ΔＺ2 は、本例
では図１のオフセット演算部１６内に記憶されているフ
ォーカスオフセットδOFF に主制御系１１で露光光吸収
等による像面変動の補正をして求められる値である。
【００３３】このように本例では、レチクルアライメン
ト光学系４Ａ，４Ｂ、及びウエハアライメント光学系１
２の双方に対して合焦状態でベースライン計測が行われ
る。従って、デフォーカスによる計測誤差が生じないと
共に、仮にウエハアライメント光学系１２の光軸がＺ軸
に対して傾斜してテレセントリック性が崩れているとき
でも、その傾斜角とデフォーカス量との積にほぼ比例す
る計測誤差が生じない利点がある。
ト光学系４Ａ，４Ｂ、及びウエハアライメント光学系１
２の双方に対して合焦状態でベースライン計測が行われ
る。従って、デフォーカスによる計測誤差が生じないと
共に、仮にウエハアライメント光学系１２の光軸がＺ軸
に対して傾斜してテレセントリック性が崩れているとき
でも、その傾斜角とデフォーカス量との積にほぼ比例す
る計測誤差が生じない利点がある。
【００３４】次に、図２は合焦状態でのレチクルアライ
メント光学系４Ａ，４Ｂ、及びウエハアライメント光学
系１２による観察視野を示し、この図２において、レチ
クルアライメント光学系４Ａ及び４Ｂの対応する観察視
野内４Ａａ及び４Ｂａ内には、それぞれレチクル２上の
アライメントマーク３Ａ及び３Ｂと、基準パターン板６
上に形成された指標マークの像１８ＡＰ及び１８ＢＰと
が重ねて観察される。同時に、ウエハアライメント光学
系１２の観察視野１２ａ内には、ウエハアライメント光
学系の内部の指標マーク１９と、基準パターン板６上に
形成された基準マークの像１７Ｐとが重ねて観察でき
る。
メント光学系４Ａ，４Ｂ、及びウエハアライメント光学
系１２による観察視野を示し、この図２において、レチ
クルアライメント光学系４Ａ及び４Ｂの対応する観察視
野内４Ａａ及び４Ｂａ内には、それぞれレチクル２上の
アライメントマーク３Ａ及び３Ｂと、基準パターン板６
上に形成された指標マークの像１８ＡＰ及び１８ＢＰと
が重ねて観察される。同時に、ウエハアライメント光学
系１２の観察視野１２ａ内には、ウエハアライメント光
学系の内部の指標マーク１９と、基準パターン板６上に
形成された基準マークの像１７Ｐとが重ねて観察でき
る。
【００３５】ここで、画像処理等の手法を用いて、基準
パターン板６上の指標マーク１８Ａに対するアライメン
トマーク３ＡのＸ方向及びＹ方向へのずれ量（ΔＸr1，
ΔＹ r1）、指標マーク１８Ｂに対するアライメントマー
ク３Ｂのずれ量（ΔＸr2，ΔＹr2）、及び基準パターン
板６上の基準マーク１７に対するウエハアライメント光
学系１２の指標マーク１９のずれ量（ΔＸw ，ΔＹw ）
を求める。なお、図２では、説明の便宜上、＋Ｘ方向及
び＋Ｙ方向へのずれ量を符号無しの値で示し、−Ｘ方向
及び−Ｙ方向へのずれ量にマイナス符号を付して表して
いる。
パターン板６上の指標マーク１８Ａに対するアライメン
トマーク３ＡのＸ方向及びＹ方向へのずれ量（ΔＸr1，
ΔＹ r1）、指標マーク１８Ｂに対するアライメントマー
ク３Ｂのずれ量（ΔＸr2，ΔＹr2）、及び基準パターン
板６上の基準マーク１７に対するウエハアライメント光
学系１２の指標マーク１９のずれ量（ΔＸw ，ΔＹw ）
を求める。なお、図２では、説明の便宜上、＋Ｘ方向及
び＋Ｙ方向へのずれ量を符号無しの値で示し、−Ｘ方向
及び−Ｙ方向へのずれ量にマイナス符号を付して表して
いる。
【００３６】この実施例においては、レチクルアライメ
ント光学系４Ａ，４Ｂは２系統用いられており、上記の
計測結果から基準パターン板６に対するレチクル２のパ
ターンの投影像の中心のＸ方向及びＹ方向への位置ずれ
量ΔＸr ，ΔＹr は、次のようになる。 ΔＸr ＝１／２（ΔＸr1＋ΔＸr2） （１） ΔＹr ＝１／２（ΔＹr1＋ΔＹr2） （２）
ント光学系４Ａ，４Ｂは２系統用いられており、上記の
計測結果から基準パターン板６に対するレチクル２のパ
ターンの投影像の中心のＸ方向及びＹ方向への位置ずれ
量ΔＸr ，ΔＹr は、次のようになる。 ΔＸr ＝１／２（ΔＸr1＋ΔＸr2） （１） ΔＹr ＝１／２（ΔＹr1＋ΔＹr2） （２）
【００３７】また、本実施例においては図２に示すよう
に、レチクルアライメント用の指標マーク１８Ａ，１８
Ｂ（これらの像１８ＡＰ，１８ＢＰで表されている）の
中点と、ウエハアライメント用の基準マーク１７（この
像１７Ｐで表されている）との相対距離は、Ｘ方向に関
しては０、Ｙ方向に関してはＬ0 である。しかし、ベー
スライン計測時において図５に示すように、基準パター
ン板６の表面がＸＹステージ１０の走り方向に対して角
度θで傾斜しているとすると、ＸＹステージ１０の走り
面に射影された指標マーク１８Ａ，１８Ｂの中点と基準
マーク１７とのＸ方向、及びＹ方向への相対距離δｘ，
δｙは、次のようになる。
に、レチクルアライメント用の指標マーク１８Ａ，１８
Ｂ（これらの像１８ＡＰ，１８ＢＰで表されている）の
中点と、ウエハアライメント用の基準マーク１７（この
像１７Ｐで表されている）との相対距離は、Ｘ方向に関
しては０、Ｙ方向に関してはＬ0 である。しかし、ベー
スライン計測時において図５に示すように、基準パター
ン板６の表面がＸＹステージ１０の走り方向に対して角
度θで傾斜しているとすると、ＸＹステージ１０の走り
面に射影された指標マーク１８Ａ，１８Ｂの中点と基準
マーク１７とのＸ方向、及びＹ方向への相対距離δｘ，
δｙは、次のようになる。
【００３８】δｘ＝０ （３） δｙ＝Ｌcos θ （４） 以上より、求めるＸ方向、及びＹ方向へのベースライン
量Ｂｘ，Ｂｙは、それぞれ次のように表される。 Ｂｘ＝δｘ＋ΔＸr −ΔＸw ＝１／２（ΔＸr1＋ΔＸr2）−ΔＸw （５） Ｂｙ＝δｙ＋ΔＹr −ΔＹw ＝Ｌcos θ＋1/2(ΔＹr1＋ΔＹr2）−ΔＹw （６） 以上で、ベースライン計測が完了する。
量Ｂｘ，Ｂｙは、それぞれ次のように表される。 Ｂｘ＝δｘ＋ΔＸr −ΔＸw ＝１／２（ΔＸr1＋ΔＸr2）−ΔＸw （５） Ｂｙ＝δｙ＋ΔＹr −ΔＹw ＝Ｌcos θ＋1/2(ΔＹr1＋ΔＹr2）−ΔＹw （６） 以上で、ベースライン計測が完了する。
【００３９】次に、図４のステップ１０３において、図
１のウエハホルダ７上に露光対象のウエハＷが載置さ
れ、次のステップ１０４において、ウエハアライメント
が行われる。ウエハアライメント工程では、ウエハＷ上
の各ショット領域に付設されたウエハマーク（ウエハア
ライメントマーク）中の所定個数のウエハマークの位置
を、ＸＹステージ１０をステッピング駆動しつつウエハ
アライメント光学系１２を介して測定する。この計測の
際もベースライン計測時と同様に、ウエハマークはウエ
ハアライメント光学系１２に対して合焦するよう、上下
動機構９Ａ〜９Ｃが駆動される。これは、ベースライン
計測時と同じくデフォーカスによる計測再現性の悪化や
テレセントリック性の崩れによる誤差の混入を防ぐため
である。
１のウエハホルダ７上に露光対象のウエハＷが載置さ
れ、次のステップ１０４において、ウエハアライメント
が行われる。ウエハアライメント工程では、ウエハＷ上
の各ショット領域に付設されたウエハマーク（ウエハア
ライメントマーク）中の所定個数のウエハマークの位置
を、ＸＹステージ１０をステッピング駆動しつつウエハ
アライメント光学系１２を介して測定する。この計測の
際もベースライン計測時と同様に、ウエハマークはウエ
ハアライメント光学系１２に対して合焦するよう、上下
動機構９Ａ〜９Ｃが駆動される。これは、ベースライン
計測時と同じくデフォーカスによる計測再現性の悪化や
テレセントリック性の崩れによる誤差の混入を防ぐため
である。
【００４０】以上のような計測の結果、ウエハアライメ
ント光学系１２を基準としたウエハＷ上の各ウエハマー
クの配列、即ち前工程でウエハＷ上に形成されたショッ
ト領域の配列（ショット配列）が求まる。この計測結果
とステップ１０２で求めたベースライン量とより、レチ
クル２のパターンの投影像を基準としたショット配列が
求められる。これに基づき、ステップ１０５において、
ステップ・アンド・リピート方式でウエハＷ上の各ショ
ット領域に順次レチクル２のパターンの投影像を露光す
ることで、ウエハＷに対する一連の処理が完了する。次
のステップ１０６で他に露光すべきウエハがあるかどう
かを判定し、露光すべきウエハがあるときにはステップ
１０３に戻ってウエハの交換を行ってからウエハアライ
メント及び露光を繰り返し、ステップ１０６で露光すべ
きウエハが尽きたときに工程が終了する。
ント光学系１２を基準としたウエハＷ上の各ウエハマー
クの配列、即ち前工程でウエハＷ上に形成されたショッ
ト領域の配列（ショット配列）が求まる。この計測結果
とステップ１０２で求めたベースライン量とより、レチ
クル２のパターンの投影像を基準としたショット配列が
求められる。これに基づき、ステップ１０５において、
ステップ・アンド・リピート方式でウエハＷ上の各ショ
ット領域に順次レチクル２のパターンの投影像を露光す
ることで、ウエハＷに対する一連の処理が完了する。次
のステップ１０６で他に露光すべきウエハがあるかどう
かを判定し、露光すべきウエハがあるときにはステップ
１０３に戻ってウエハの交換を行ってからウエハアライ
メント及び露光を繰り返し、ステップ１０６で露光すべ
きウエハが尽きたときに工程が終了する。
【００４１】なお、上述実施例ではレチクルアライメン
ト光学系４Ａ，４Ｂ、及びウエハアライメント光学系１
２共に撮像方式、即ちＦＩＡ（Field Image Alignment
）方式となっている。しかしながら、例えばウエハア
ライメント光学系１２として、回折格子状のウエハマー
クに対して複数方向からレーザビームを照射し、同一方
向に発生する回折光の干渉光の位相からそのウエハマー
クの位置を検出する２光束干渉方式のアライメント系を
使用する場合にも、本発明が適用できる。
ト光学系４Ａ，４Ｂ、及びウエハアライメント光学系１
２共に撮像方式、即ちＦＩＡ（Field Image Alignment
）方式となっている。しかしながら、例えばウエハア
ライメント光学系１２として、回折格子状のウエハマー
クに対して複数方向からレーザビームを照射し、同一方
向に発生する回折光の干渉光の位相からそのウエハマー
クの位置を検出する２光束干渉方式のアライメント系を
使用する場合にも、本発明が適用できる。
【００４２】更に、レチクルアライメント光学系４Ａ，
４Ｂとして、ウエハステージを走査してウエハステージ
上の発光スリットの位置をレチクルの上方で検出する所
謂ＩＳＳ（Imaging Slit Sensor ）方式のアライメント
系を使用し、ウエハアライメント光学系１２としてドッ
トパターン列からなるウエハマークをスリット状に集光
されたレーザビームで相対走査する所謂ＬＳＡ（レーザ
・ステップ・アライメント）方式のアライメント系を使
用するような場合にも、本発明が適用できる。
４Ｂとして、ウエハステージを走査してウエハステージ
上の発光スリットの位置をレチクルの上方で検出する所
謂ＩＳＳ（Imaging Slit Sensor ）方式のアライメント
系を使用し、ウエハアライメント光学系１２としてドッ
トパターン列からなるウエハマークをスリット状に集光
されたレーザビームで相対走査する所謂ＬＳＡ（レーザ
・ステップ・アライメント）方式のアライメント系を使
用するような場合にも、本発明が適用できる。
【００４３】また、上述実施例で使用されているＺレベ
リングテーブル５は、フォーカス調整とレベリング調整
との両方が同時にできるが、その代わりに、Ｚステージ
上にレベリング調整のみができるレベリングテーブルを
載置した構成のステージを使用してもよい。更に、レベ
リングテーブルを２つに分けて、ウエハの傾斜補正と基
準パターン板６の傾斜補正とを独立のレベリングテーブ
ルで行うようにしてもよい。但し、１つのＺレベリング
テーブル５でウエハと基準パターン板６との両方のフォ
ーカス位置、及び傾斜角の調整を行う場合には構成が簡
略である。
リングテーブル５は、フォーカス調整とレベリング調整
との両方が同時にできるが、その代わりに、Ｚステージ
上にレベリング調整のみができるレベリングテーブルを
載置した構成のステージを使用してもよい。更に、レベ
リングテーブルを２つに分けて、ウエハの傾斜補正と基
準パターン板６の傾斜補正とを独立のレベリングテーブ
ルで行うようにしてもよい。但し、１つのＺレベリング
テーブル５でウエハと基準パターン板６との両方のフォ
ーカス位置、及び傾斜角の調整を行う場合には構成が簡
略である。
【００４４】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、ベースライン計測時に
計測対象となる基準パターン部材（基準パターン板）
を、複数のアライメント用計測手段に対して同時に合焦
させることができる。従って、マスク側のアライメント
用計測手段（レチクルの位置検出用のアライメント光学
系）、及び基板側のアライメント用計測手段（ウエハの
位置検出用のアライメント光学系）の両方を合焦状態で
使用でき、その結果としてマスクのパターンの露光中心
と、基板側のアライメント用計測手段の検出中心との間
隔（ベースライン量）を常に正確に検出できる利点があ
る。
計測対象となる基準パターン部材（基準パターン板）
を、複数のアライメント用計測手段に対して同時に合焦
させることができる。従って、マスク側のアライメント
用計測手段（レチクルの位置検出用のアライメント光学
系）、及び基板側のアライメント用計測手段（ウエハの
位置検出用のアライメント光学系）の両方を合焦状態で
使用でき、その結果としてマスクのパターンの露光中心
と、基板側のアライメント用計測手段の検出中心との間
隔（ベースライン量）を常に正確に検出できる利点があ
る。
【００４６】そのため、アライメント用計測手段の光軸
の倒れ（テレセントリック性の崩れ）がある場合でも、
ほぼデフォーカス量とそのテレセントリック性の崩れ量
との積で与えられる計測誤差の混入を抑えることができ
る。また、高さ傾斜補正テーブル上に基準パターン部材
と並列に感光基板も載置するときには、ステージ系の構
成が簡略である。
の倒れ（テレセントリック性の崩れ）がある場合でも、
ほぼデフォーカス量とそのテレセントリック性の崩れ量
との積で与えられる計測誤差の混入を抑えることができ
る。また、高さ傾斜補正テーブル上に基準パターン部材
と並列に感光基板も載置するときには、ステージ系の構
成が簡略である。
【００４７】また、基準パターン部材の投影光学系に対
する合焦点からの焦点ずれ量を検出する焦点位置検出手
段と、この焦点位置検出手段の検出結果より基準パター
ン部材の基板側のアライメント用計測手段に対する合焦
点からの焦点ずれ量を算出するオフセット演算手段とを
設け、その焦点位置検出手段の検出結果、及びそのオフ
セット演算手段の演算結果に基づいてその高さ傾斜補正
テーブルを介してその基準パターン部材の高さ及び傾斜
角を調整するときには、１つの焦点位置検出系を使用す
るだけで２つのアライメント用計測手段に対する合焦を
正確に行うことができる。
する合焦点からの焦点ずれ量を検出する焦点位置検出手
段と、この焦点位置検出手段の検出結果より基準パター
ン部材の基板側のアライメント用計測手段に対する合焦
点からの焦点ずれ量を算出するオフセット演算手段とを
設け、その焦点位置検出手段の検出結果、及びそのオフ
セット演算手段の演算結果に基づいてその高さ傾斜補正
テーブルを介してその基準パターン部材の高さ及び傾斜
角を調整するときには、１つの焦点位置検出系を使用す
るだけで２つのアライメント用計測手段に対する合焦を
正確に行うことができる。
【図１】本発明による投影露光装置の一実施例の要部を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】ベースライン計測時のレチクルアライメント光
学系、及びウエハアライメント光学系による観察視野内
の各マーク（又は各マークの像）の様子を示す図であ
る。
学系、及びウエハアライメント光学系による観察視野内
の各マーク（又は各マークの像）の様子を示す図であ
る。
【図３】図１中の上下動機構９Ａの構成例を示す一部を
断面とした図である。
断面とした図である。
【図４】実施例におけるベースライン計測を含む露光時
の動作の一例を示すフローチャートである。
の動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】実施例におけるベースライン計測時の基準パタ
ーン板６の傾斜状態を示す側面図である。
ーン板６の傾斜状態を示す側面図である。
【図６】従来の投影露光装置におけるベースライン計測
時の基準パターン板６の状態を示す側面図である。
時の基準パターン板６の状態を示す側面図である。
【符号の説明】 １ 投影光学系 ２ レチクル ３Ａ，３Ｂ アライメントマーク ４Ａ，４Ｂ レチクルアライメント光学系 ５ Ｚレベリングテーブル ６ 基準パターン板 ７ ウエハホルダ ９Ａ〜９Ｃ 上下動機構 １０ ＸＹステージ １３ ＡＦセンサの送光系 １５ ＡＦセンサの受光系 １６ オフセット演算部 １７ ウエハアライメント用の基準マーク １８Ａ，１８Ｂ レチクルアライメント用の指標マーク １９ ウエハアライメント用の指標マーク
Claims (3)
- 【請求項１】 マスク上の転写用のパターンの像を感光
基板上に投影する投影光学系と、 前記感光基板を前記投影光学系の光軸に垂直な平面内で
移動する基板ステージと、 該基板ステージにより前記感光基板と共に移動され、第
１及び第２の基準パターンが形成された基準パターン部
材と、 前記感光基板上に形成された位置合わせ用のマークの位
置を計測する基板側のアライメント用計測手段と、 前記マスク上に形成された位置合わせ用のマークと前記
基準パターン部材上に形成された前記第１の基準パター
ンとの相対位置関係を前記投影光学系を介して計測する
マスク側のアライメント用計測手段と、を有し、 前記第１の基準パターンに対する前記マスクの相対的な
位置ずれ量を前記マスク側のアライメント用計測手段に
より計測するのと並行して、前記第２の基準パターンの
位置を前記基板側のアライメント用計測手段により計測
することにより、前記マスクと前記基板側のアライメン
ト用計測手段との相対的な位置関係を求める投影露光装
置において、 前記基板ステージ上に、前記基準パターン部材の表面の
前記投影光学系の光軸方向の位置、及び傾斜角を調整す
る高さ傾斜補正テーブルを設けたことを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項２】 前記高さ傾斜補正テーブル上に前記基準
パターン部材と並列に前記感光基板も載置されることを
特徴とする請求項１記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記基準パターン部材の前記投影光学系
に対する合焦点からの焦点ずれ量を検出する焦点位置検
出手段と、 該焦点位置検出手段の検出結果より前記基準パターン部
材の前記基板側のアライメント用計測手段に対する合焦
点からの焦点ずれ量を算出するオフセット演算手段とを
設け、 前記焦点位置検出手段の検出結果、及び前記オフセット
演算手段の演算結果に基づいて前記高さ傾斜補正テーブ
ルを介して前記基準パターン部材の高さ及び傾斜角を調
整することを特徴とする請求項１、又は２記載の投影露
光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30452494A JP3451606B2 (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 投影露光装置 |
| KR1019950047667A KR960026107A (ko) | 1994-12-08 | 1995-12-08 | 투영노광장치 |
| US08/630,852 US5654553A (en) | 1993-06-10 | 1996-04-11 | Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30452494A JP3451606B2 (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162391A true JPH08162391A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3451606B2 JP3451606B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=17934061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30452494A Expired - Fee Related JP3451606B2 (ja) | 1993-06-10 | 1994-12-08 | 投影露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3451606B2 (ja) |
| KR (1) | KR960026107A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163100A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法並びに走査露光方法 |
| WO2004081493A1 (fr) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Shenyang Institute Of Automation Of The Chinese Academy Of Sciences | Procede de mesure precise de parallelisme |
| JP2010016243A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Canon Inc | 結像光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| CN113391522A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678469B1 (ko) * | 2005-01-17 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 노광장치용 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼평행조절방법 |
| CN112305862B (zh) * | 2019-07-25 | 2021-06-18 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 工件台位置校准方法、fls垂向定位工装及工件台测量系统 |
| CN111157529B (zh) * | 2020-04-04 | 2020-07-07 | 博奥生物集团有限公司 | 图像采集方法及装置、自动对准方法及设备、核酸检测器 |
-
1994
- 1994-12-08 JP JP30452494A patent/JP3451606B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-12-08 KR KR1019950047667A patent/KR960026107A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163100A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法並びに走査露光方法 |
| WO2004081493A1 (fr) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Shenyang Institute Of Automation Of The Chinese Academy Of Sciences | Procede de mesure precise de parallelisme |
| JP2010016243A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Canon Inc | 結像光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| CN113391522A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960026107A (ko) | 1996-07-22 |
| JP3451606B2 (ja) | 2003-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030616 |
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