JP3735849B2 - 露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程でマスク上のパターンを感光基板上に転写するために使用される露光装置に関し、更に詳しくは、例えばアライメントセンサのベースライン量等の露光条件のキャリブレーションを行う機能を備えた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば半導体素子等を製造する際に、マスクとしてのレチクル(又はフォトマスク等)のパターンを投影光学系を介して感光基板としてのウエハ(又はガラスプレート等)上に転写するためのステッパー等の投影露光装置が使用されている。このような投影露光装置では、レチクルのパターンを既にそれまでの工程でウエハ上の各ショット領域に形成された回路パターンにそれぞれ正確に重ね合わせて露光するために、種々の露光条件の設計値からのずれ量の計測、即ちキャリブレーション(較正)を正確に行う必要がある。本明細書における「キャリブレーション」には、その露光条件の高精度な計測も含むものとする。
【0003】
そのキャリブレーションの対象となる露光条件の一つに、ウエハ上の位置合わせ用マークとしてのウエハマークの位置検出を行うために使用されるアライメントセンサの所謂ベースライン量がある。このベースライン量は、アライメントセンサの計測中心と、レチクルのパターン中心を投影光学系を介してウエハ上に投影した像との相対的な間隔であり、アライメントセンサの計測値に対してそのベースライン量の補正を行うことによって、ウエハの各ショット領域の中心をそのパターン中心の像に正確に合わせ込んで露光を行うことができる。
【0004】
従来よりそのベースライン量のキャリブレーションを行うために、ウエハを位置決めするためのウエハステージ上に複数の基準マークが形成された基準マーク部材が設置されている。そして、レチクル上に形成されたレチクルアライメントマークと基準マーク部材上の対応する基準マークとを合わせた状態で、基準マーク部材上の別の基準マークの位置をアライメントセンサにより計測することで、ベースライン量が求められる。
【0005】
また、それ以外にキャリブレーションが必要な露光条件としては、投影光学系の倍率誤差を含むレチクルの倍率誤差等もある。レチクルの倍率誤差とは、レチクルに描画されたパターンの設計値からのずれ量を意味し、レチクルの倍率誤差は、レチクルに形成された複数の評価用パターンの像をウエハステージ上に投影した状態で、ウエハステージに設けられた基準開口板を介して各評価用パターン像の位置を計測することによって計測できる。即ち、基準開口板には例えばスリット状の開口が形成され、ウエハステージを駆動することによって基準開口板の開口でそれら評価用パターン像を走査し、その開口を通過した光束を光電検出器で受光することによって、それら評価用パターン像の位置が検出され、複数の評価用パターン像の位置関係よりレチクルの倍率誤差が求められる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記の如き従来の技術において、露光工程中に基準マーク部材や基準開口板等の基準部材の位置が変化すると、ベースライン量やレチクルの倍率誤差等の露光条件のキャリブレーションが正確に行われなくなる。そのため、それらの基準部材はできるだけ位置ずれしないように保持されている。
【0007】
しかしながら、投影露光装置に搬送された各ウエハは、露光に際し露光光による照射エネルギーにより昇温し、それに伴ってウエハステージ上の基準部材の温度も上昇して熱変形が起こる。更に、ウエハステージには、リニアモータ等の駆動装置や各種センサ等の熱源も組み込まれているため、これらの熱源の影響によっても基準部材の熱変形が生じることがある。このように基準部材が熱変形すると、複数の基準マークの間隔が変化したり、基準となる開口の位置が変化したりして、露光条件のキャリブレーションが正確に行われなくなり、ひいては重ね合わせ精度が低下するという不都合がある。
【0008】
また、熱変形を少なくするために、基準部材は例えば石英ガラスや、低膨張率のガラスセラミックス(例えばショット社製の商品名ゼロデュア等)のような低膨張率の材料より形成されている。しかしながら、最近の半導体素子の集積度は益々高まり、必要な重ね合わせ精度も益々高くなっているため、基準部材として、そのような低膨張率の材料を使用しても、基準部材の熱変形によって所望の重ね合わせ精度が得られなくなりつつある。
【0009】
本発明は斯かる点に鑑み、ベースライン量等の露光条件のキャリブレーション用の基準部材の熱変形を抑制して、その露光条件のキャリブレーションを常に高精度に行うことができる露光装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明による露光装置は、基板(5)を基板ステージ(6)で位置決めし、投影光学系(4)を通過する露光光でその基板にパターンを露光する露光装置であって、その投影光学系を通過する光を用いて観察されるマーク(17A,17B)が形成された基準部材(8)と、少なくともその投影光学系を通過する光を用いてその基準部材のそのマークを観察した結果に基づいて、所定露光条件のキャリブレーションを実行する制御手段(9)と、基準部材(8)の温度を制御する温度制御手段(20,24A〜24C)とを設けたものである。
【0011】
斯かる本発明の露光装置によれば、基準部材(8)の温度を温度制御手段(20,24A〜24C)により例えばほぼ一定の状態に制御することで、基準部材(8)の熱変形が抑えられる。これにより、その所定の露光条件のキャリブレーションを常に高精度に行うことができる。
この場合、基準部材(8)の温度を計測する温度センサ(25A,25B)を設け、この温度センサで計測される温度に基づいて温度制御手段(20,24A〜24C)は基準部材(8)の温度を制御することが望ましい。例えば温度センサ(25A,25B)により計測される基準部材(8)の温度が所望の値になるように制御することで、基準部材(8)の温度を常にその所望の値に維持することができる。
【0012】
また、その基板ステージ上に載置された基板(5)の位置情報を検出するアライメント装置(12Y,13)が設けられている場合、その基準部材の一例は、所定の基板上にその投影光学系を通過する光を用いて観察される基準マーク(17A,17B)及びアライメント装置(12Y,13)用の基準マーク(15X,15Y,16X,16Y)が形成された基準マーク部材(8)であり、そのキャリブレーションの対象となる所定の露光条件の一例は、露光すべきパターンの基板ステージ(6)上での転写位置とアライメント装置(12Y,13)の計測中心との相対間隔(ベースライン量)である。温度制御手段(20,24A〜24C)によって基準マーク部材(8)の温度をほぼ一定に制御することによって、アライメント装置(12X,13)のベースライン量のキャリブレーションが常に高精度に行われ、このベースライン量に基づいて、その露光すべきパターンが基板(5)上に高い重ね合わせ精度で転写される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による露光装置の実施の形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、ステッパー型の投影露光装置に本発明を適用したものである。
図1は、本例の投影露光装置を示す一部を切り欠いた概略構成図であり、この図1において、露光時に光源、レチクル上の照度分布を均一化するフライアイレンズ、露光光のレチクル上の視野を規定する視野絞り、及びコンデンサレンズ等を含む照明光学系ELから射出される露光光ILは、レチクル1上に均一な照度分布で照射される。露光光ILのもとで、レチクル1上のパターンの像が投影光学系4を介して投影倍率β(βは1/4、又は1/5等)でウエハ5の各ショット領域に転写される。露光光ILとしては、水銀ランプの紫外域の輝線(g線、i線等)、KrFエキシマレーザ光やArFエキシマレーザ光、あるいは銅蒸気レーザやYAGレーザの高調波等が使用される。以下、投影光学系4の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な2次元平面内で図1の紙面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を取って説明する。
【0014】
レチクル1はX方向、Y方向、及び回転方向に微動可能なレチクルステージ2上に載置されている。レチクルステージ2のX方向及びY方向の端部には、外部のX軸用のレーザ干渉計3X及びY軸用の2つのレーザ干渉計(不図示)からのレーザビームをそれぞれ反射する移動鏡3XM及び3YMが固定されている。X軸用のレーザ干渉計3X及び移動鏡3XMによりレチクルステージ2のX座標が計測され、Y軸用の2つのレーザ干渉計及び移動鏡3YMによりレチクルステージ2のY座標及び回転角が計測される。これらのレーザ干渉計の計測値は主制御系9に供給され、主制御系9はそれらの計測値に基づいて不図示のステージ駆動系を介してレチクルステージ2の位置決め動作を制御する。また、レチクル1上にはレチクルのアライメント用のレチクルアライメントマークが形成されている。
【0015】
図2は、レチクル1の平面図を示し、この図2において、レチクル1のパターン領域PAを囲む遮光帯TAのX方向の外側に近接して、1対の十字状のレチクルアライメントマークRMA,RMBが形成されている。レチクルアライメントマークRMA,RMBの中央がレチクル1のパターン中心RCに設定されている。
【0016】
図1に戻り、図2のレチクルアライメントマークRMA及びRMBに対応してレチクル1の上方に、それぞれレチクルアライメント顕微鏡11A及び11Bが配置されている。本例のレチクルアライメント顕微鏡11A及び11Bは、それぞれ露光光ILと同じ波長の照明光のもとで、レチクルアライメントマークRMA及びRMBと対応する後述の基準マークとの像を撮像する顕微鏡であり、この撮像信号を処理することによってレチクル1のアライメントが行われる。
【0017】
一方、ウエハ5は不図示のウエハホルダを介してX方向及びY方向に移動自在、且つZ方向及び回転方向に微動可能なウエハステージ6上に載置されている。ウエハステージ6によりウエハ5の各ショット領域の中心をレチクル1のパターン中心の像の位置に移動する動作と、露光動作とがステップ・アンド・リピート方式で繰り返されて、レチクル1のパターン像が順次ウエハ5上の各ショット領域に転写される。また、ウエハステージ6のX方向及びY方向の端部には、外部のX軸用のレーザ干渉計7X、及びY軸用の2つのレーザ干渉計(不図示)からのレーザビームをそれぞれ反射する移動鏡7XM及び7YMが固定されている。X軸用のレーザ干渉計7X及び移動鏡7XMによりウエハステージ6のX座標が計測され、Y軸用の2つのレーザ干渉計及び移動鏡7YMによりウエハステージ6のY座標及び回転角が計測される。これらのレーザ干渉計の計測値は主制御系9に供給され、主制御系9はそれらの計測値に基づいて不図示のリニアモータ等のステージ駆動系を介してウエハステージ6の位置決め動作を制御する。
【0018】
また、ウエハ5上の各ショット領域には位置合わせ用のウエハマークが形成されており、これらのウエハマークの位置が後述のアライメントセンサにより計測される。この計測結果によって例えば所謂エンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式で各ショット領域の配列座標が決定され、これらの配列座標をアライメントセンサのベースライン量で補正した座標に基づいてウエハステージ6を駆動することによって、各ショット領域の中心がそれぞれレチクル1のパターン中心の像に合致する。
【0019】
本例の投影露光装置には、ウエハマークの位置検出用として、TTL(スルー・ザ・レンズ)方式で且つLIA(Laser Interferometric Alignment)方式のY軸のアライメントセンサ12Y、LIA方式の不図示のX軸のアライメントセンサ、及びオフ・アクシス方式で且つFIA(Field Image Alignment)方式のアライメントセンサ13が設置されている。LIA方式とは、回折格子状のウエハマークに対して可干渉で僅かに周波数の異なる1対のレーザビームを照射し、そのウエハマークから同一方向に発生する例えば1対の回折光からなるヘテロダインビームを光電変換して得られるビート信号の位相に基づいて、そのウエハマークの位置を検出する方式である。FIA方式とは、ハロゲンランプ等からの比較的広い波長域の照明光でウエハマークを照射して得られた像を画像処理して、そのウエハマークの位置を検出する方式である。
【0020】
先ず、LIA方式のY軸のアライメントセンサ12Yの内部のヘテロダインビーム生成系からは、ウエハ5に塗布されたフォトレジストに非感光性の波長域で、且つ周波数が僅かに異なる1対のレーザビームAL1が射出される。レーザビームAL1は、アライメントセンサ12Yから射出された後、ミラーM1により下方に曲げられて投影光学系4に入射し、投影光学系4を通過したレーザビームAL1は、ウエハ5上の各ショット領域に付設された回折格子状のY軸用のウエハマーク(不図示)に照射される。そのウエハマークからの1対の回折光は、投影光学系PL及びミラーM1を介してアライメントセンサ12Y内の光電変換素子に入射し、この光電変換素子よりウエハビート信号が出力される。また、アライメントセンサ12Yからは参照ビート信号も出力され、ウエハビート信号及び参照ビート信号は主制御系9に供給される。
【0021】
主制御系9は、ウエハビート信号と参照ビート信号との位相差が例えば0になるようにウエハステージ6を駆動し、そのときのウエハステージ6のレーザ干渉計によって計測されるY座標がそのウエハマークのY座標となる。なお、上述のようにX軸用のLIA方式のアライメントセンサも設置されており、このX軸のアライメントセンサによりX軸のウエハマークのX座標が計測される。
【0022】
次に、FIA方式のアライメントセンサ13から射出されたウエハ5上のフォトレジストに非感光性の照明光AL3は、直接ウエハ5上の検出対象のショット領域のウエハマークに照射される。このウエハマークからの反射光は、アライメントセンサ13の内部の所定の指標マークが形成された指標マーク板上で一度ウエハマークの像を形成する。そして、その指標マーク板を通過した照明光AL3が、アライメントセンサ13内の2次元CCD等の撮像素子上にそのウエハマーク及び指標マークの像を結像する。その撮像素子からの撮像信号は主制御系9に供給され、主制御系9は、そのウエハマークの像とその指標マークの像との位置ずれ量、及びそのときのウエハステージ6の座標より、そのウエハマークのX座標、又はY座標を算出する。
【0023】
さて、本例の投影露光装置のウエハステージ6上には、上述のアライメントセンサのベースライン量のキャリブレーションを行うために、複数の基準マークが形成された基準マーク部材8が固定されている。基準マーク部材8は、Y方向に長い矩形の平板状の光透過性の基板上に、例えばクロム膜の蒸着によって各種の基準マークを形成したものである。基準マーク部材8の基板としては、例えば低膨張率の石英ガラスが使用できる。基準マーク部材8の表面の高さはウエハ5の表面と同じになるように設定されている。
【0024】
図3は、基準マーク部材8の斜視図を示し、この図3に示すように、基準マーク部材8の−X方向の端部には、図1のLIA方式のY軸のアライメントセンサ12Y用の、Y方向に所定ピッチの回折格子状の基準マーク16Yが形成されている。また、LIA方式のX軸のアライメントセンサに対応して、基準マーク部材8の+Y方向の端部にはX軸用の回折格子状の基準マーク16Xが形成されている。更に、基準マーク部材8の−Y方向の端部には、図1のFIA方式のアライメントセンサ13用の、X方向に所定ピッチの回折格子状の基準マーク15X、及びこの基準マーク15Xを90°回転した形状のY軸の基準マーク15Yが形成されている。
【0025】
図6は、FIA方式のアライメントセンサ13用のX軸の基準マーク15Xの拡大平面図を示し、この図6において、基準マーク15XはY方向に伸びた遮光パターンをX方向に一定のピッチPで配列したライン・アンド・スペースパターンからなる。本例では、LIA方式のアライメントセンサ用の基準マーク16Xも、その基準マーク15Xと同様にピッチPのライン・アンド・スペースパターンである。
【0026】
図3に戻り、基準マーク部材8の基準マーク16Yの内側に近接して、枠状の基準マーク17Bが形成され、基準マーク部材8の+X方向の端部には基準マーク17Bに対応した基準マーク17Aが形成されている。これらの基準マーク17A,17Bは同一形状であり、それぞれ図1のレチクルアライメント顕微鏡11A,11B用の基準マークである。
【0027】
図5は、一方の基準マーク17Aを示す拡大平面図であり、この図5において、基準マーク17Aは所定ピッチd1で形成された1対のY方向に伸びた遮光パターン18XA,18XBと、これらの遮光パターンからX方向に間隔d2だけ離れた1対のY方向に伸びた同様の遮光パターン18XC,18XDと、これらの遮光パターン18XA〜18XDをこれらの中心の周りに90°回転した4本の遮光パターン18YA〜18YDとから構成されている。
【0028】
図3において、基準マーク17A,17Bの例えば中心が基準点KCとなり、この基準点KCに対して他のX軸の基準マーク15X,16XのX方向への位置ずれ量、及びY軸の基準マーク15Y,16YのY方向への位置ずれ量が予め正確に計測されている。そして、これらの位置ずれ量が設計値として例えば図1の主制御系9の記憶部に記憶されている。
【0029】
図1に戻り、基準マーク部材8の底部のウエハステージ6の内部には、外部の露光用の光源(不図示)からの露光光の一部を導くための光ガイド19Aの端部が設置され、後述のベースライン量のキャリブレーションを行う際には、光ガイド19Aの端部から露光光ILと同じ波長の照明光IL1が射出される。この照明光IL1は、レンズ19Bによって集光されてハーフミラー19Cに入射し、ハーフミラー19Cで反射された照明光が基準マーク部材8の基準マーク17B(図3参照)を底部から照明し、ハーフミラー19Cを透過した照明光がミラー19Dで反射されて基準マーク17A(図3参照)を底部から照明する。
【0030】
本例においても、ウエハ5は、露光光ILの照射によって照射エネルギーを吸収し、この照射エネルギーがウエハホルダ等を介して基準マーク部材8に伝達されると共に、ウエハステージ6の駆動系等で発生する熱エネルギーも基準マーク部材8に伝達されるため、何らかの対策を施さないと基準マーク部材8の温度は上昇することになる。そこで、基準マーク部材8の温度上昇を抑えるために、本例の基準マーク部材8の底部には密着する状態で内部を冷却液が流れる冷却コイル24Cが設置されている。
【0031】
この冷却コイル24Cの一方の端部は、可撓性を有する断熱配管24Aを介してウエハステージ6の外部の温調装置20に接続され、他方の端部も可撓性を有する断熱配管24Bを介して温調装置20に接続されている。温調装置20により温度制御された冷却液は、断熱配管24Aを介して冷却コイル24Cに導入され、基準マーク部材8の熱を吸収した冷却液は、断熱配管24Bを介して温調装置20に戻り、そこで再び温調されて冷却コイル24Cに戻される。
【0032】
図4は基準マーク部材8の底面図であり、この図4において、冷却コイル24Cは基準マーク部材8の底面のほぼ全面に均一に接するように蛇行して配置されている。但し、基準マーク部材8上の基準マーク17A,17Bが図1の照明光IL1によって照明されるように、冷却コイル24Cは基準マーク17A,17Bの底部を避ける形状で配置されている。また、基準マーク部材8の温度を検出するための温度センサ25A,25Bが、基準マーク部材8の底部のY方向の両端に取り付けられている。温度センサ25A,25Bの温度の計測値は図1の温調装置20に供給されており、温調装置20は温度センサ25A,25Bで計測される温度の平均値が予め定められた所定の目標温度になるように、冷却コイル24C内に供給する冷却液の温度及び流量を制御する。その目標温度としては、例えば本例の投影露光装置を露光しない状態で暫く放置しておいたときの温度センサ25A,25Bの計測値の平均値が使用される。
【0033】
その冷却コイル24Cに供給される冷却液としては例えば水が使用できる。また、冷却コイル24Cの材料としては、銅、若しくは熱伝導率の高いステンレスのような高熱伝導率の金属、又は高熱伝導率の樹脂等が使用できる。一方、断熱配管24A及び24Bとしては、熱伝導率の低い合成ゴムや合成樹脂等の可撓性のある材料が使用できる。なお、冷却コイル24Cに冷却液の代わりに、例えば冷却された空気のような気体を供給するようにしてもよい。その他に、基準マーク部材8の温度を例えばペルティエ素子等の熱電素子を使用して下げるようにしてもよい。
【0034】
また、図1において、投影光学系4の左右の側面に近接して、ウエハ5の表面のZ方向の位置(焦点位置)を検出するための送光光学系14A、及び受光光学系14Bからなる斜入射方式の焦点位置検出系が備えられている。この焦点位置検出系からのウエハ5の焦点位置に関する情報は主制御系9に供給され、主制御系9はその情報に基づいてウエハステージ6の高さ及び傾斜角を制御する。
【0035】
次に、本例のLIA方式のアライメントセンサ、及びFIA方式のアライメントセンサ13のベースライン量のキャリブレーションを行う動作の一例につき説明する。
この場合、図1において、基準マーク部材8の基準マーク17A,17Bの中央の基準点KC(図3参照)が投影光学系4の光軸AXにほぼ合致するようにウエハステージ6が位置決めされる。この状態で、光ファイバ束19Aを介した照明光IL1によって、基準マーク部材8の基準マーク17A,17Bが底部から照明され、基準マーク17A,17Bを通過した照明光IL1が、投影光学系4を介してそれぞれ図2のレチクルアライメントマークRMA及びRMBを含む領域を照明する。照明光IL1は、露光光ILと同じ波長であるため、レチクルアライメントマークRMA及びRMBの形成面に基準マーク17A,17Bの像が形成される。
【0036】
そして、図2のレチクルアライメントマークRMA及びRMBを含む領域を通過した照明光IL1は、それぞれ図1のレチクルアライメント顕微鏡11A,11B内の2次元の撮像素子上に、基準マーク17A及び17B、並びに対応するレチクルアライメントマークRMA及びRMBの像を形成する。それらの撮像素子の撮像信号は主制御系9に供給され、主制御系9では供給された撮像信号より、基準マーク17Aに対するレチクルアライメントマークRMAの位置ずれ量、及び基準マーク17Bに対するレチクルアライメントマークRMBの位置ずれ量を求める。そして、主制御系9ではこれらの位置ずれ量がレチクルアライメントマークRMA及びRMBで対称になるように、図1のレチクルステージ2を駆動してレチクルアライメントを行う。これによって、図3に示すように、基準マーク部材8の基準点KCと図2のレチクル1のパターン中心RCの像RCWとは実質的に合致する。
【0037】
次に、そのようにレチクルアライメントが行われた状態で、図1のLIA方式のY軸のアライメントセンサ12Yによって図3の基準マーク部材8上のY軸の基準マーク16Yの位置検出を行う。そして、例えばアライメントセンサ12Yからのウエハビート信号と参照ビート信号との位相差が0になるように、ウエハステージ6をY方向に駆動したときのY方向への駆動量ΔYLIA を求める。この際に、基準マーク17A,17Bの中央の基準点KCと基準マーク16YとのY方向の間隔BYLIA は予め正確に求められており、この間隔BYLIA に計測された駆動量ΔYLIA を加算することで、アライメントセンサ12YのY方向のベースライン量が求められる。同様に、LIA方式のX軸のアライメントセンサのX方向へのベースライン量は、基準マーク16Xの位置検出を行うことによって求められる。
【0038】
また、上述のようにレチクルアライメントが行われた状態で、図1のFIA方式のアライメントセンサ13によって図3の基準マーク部材8上のX軸の基準マーク15X、及びY軸の基準マーク15Yの位置検出を行う。そして、基準マーク15X、及び基準マーク15Yの対応する指標マークからの位置ずれをウエハステージ6上に換算した値ΔXFIA 及びΔYFIA を求める。この際に、基準点KCと基準マーク15XとのX方向の間隔BXFIA 、及び基準マーク15YとのY方向の間隔BYFIA は予め正確に求められており、これらの間隔BXFIA 及びBYFIA にそれぞれ計測された値ΔXFIA 及びΔYFIA を加算することで、アライメントセンサ13のX方向及びY方向のベースライン量が求められる。以上のように基準マーク部材8上の基準マークの位置検出を行うことによって、アライメントセンサ12Y,13等のベースライン量の正確な計測であるキャリブレーションが完了する。
【0039】
この場合、本例の基準マーク部材8の底部には内部を冷却液が流れる冷却コイル24Cが配置され、基準マーク部材8に取り付けられた温度センサ25A,25Bの計測値に基づいて温調装置20が、基準マーク部材8の温度が常に所定の目標温度になるようにその冷却液の温度及び流量を制御している。従って、基準マーク部材8の温度がほぼ一定温度に維持されるため、基準マーク部材8の熱変形は生ずることがなく、LIA方式のアライメントセンサ、及びFIA方式のアライメントセンサ13のベースライン量のキャリブレーションが常に正確に行われる。そして、そのように正確に求められたベースライン量に基づいて、対応するアライメントセンサの計測値の補正を行うことによって、レチクル1のパターン像がウエハ5上の各ショット領域に高い重ね合わせ精度で転写できる。
【0040】
なお、上述の実施の形態では、ウエハステージ6の内部からの照明光で基準マーク部材8上の基準マーク17A,17B、及び対応するレチクルアライメントマークRMA,RMBを照明している。それ以外に、例えば図1において、レチクル1の上方に退避自在にハーフミラーを設け、このハーフミラーを介して露光光ILでレチクルアライメントマークRMA,RMB、及び基準マーク部材8上の対応する基準マークを照明し、これら基準マーク及びレチクルアライメントマークRMA,RMBからの露光光を対応するレチクルアライメント顕微鏡で受光することによって、レチクルアライメントを行うようにしてもよい。
【0041】
また、上述の実施の形態では、基準マーク部材8の温度を計測するための温度センサ25A,25Bが基準マーク部材8の底部に配置されているが、必ずしも基準マーク部材8に接触、又は近接して温度センサを設ける必要はない。このように基準マーク部材8に接触、又は近接した温度センサを設けない場合には、温調装置20から冷却コイル24C中に一定温度の冷却液を供給すればよい。この場合、温調装置20の冷却液の供給口の近くに冷却液の温度を計測するための温度センサを設置し、その温度センサの測定値に基づいてその冷却液の温度を制御するようにしてもよい。
【0042】
また、上述の実施の形態においては、アライメントセンサとしてTTL方式で且つLIA方式のアライメントセンサ、及びオフ・アクシス方式で且つFIA方式のアライメントセンサ13が使用されているが、それ以外にTTL方式、又はオフ・アクシス方式で且つLSA(レーザ・ステップ・アライメント)方式のアライメントセンサを使用する場合でも、温度制御された基準マーク部材を使用することによってベースライン量のキャリブレーションが正確に行われる。更に、TTR(スルー・ザ・レチクル)方式のアライメントセンサを使用する場合であっても、温度制御された基準マーク部材を使用することによってベースライン量のキャリブレーションが正確に行われる。
【0043】
また、上述の実施の形態ではベースライン量のキャリブレーションを行う場合に本発明を適用したものであるが、例えば投影倍率の誤差を含めたレチクルの倍率誤差等のキャリブレーションを行う場合にも本発明が適用できる。
図7(a)はレチクルの倍率誤差の計測を行う場合に、投影露光装置のウエハステージに設けられる空間像の計測センサの一例を示し、この図7(a)において、光透過性の基板よりなる基準開口板31の表面の遮光膜中にY方向に長いスリット状の開口32X、及びX方向に長いスリット状の開口32Yが形成されている。基準開口板31は、図1のウエハステージ6と同様のウエハステージ上に固定されている。そして、開口32Xの底部のウエハステージの内部に集光レンズ33X及び光電検出器34Xが配置され、開口32Yの底部のウエハステージの内部に集光レンズ33Y及び光電検出器34Yが配置されている。また、基準開口板31の底部に温度センサ36が取り付けられ、その底部で開口32X及び32Yの底部を除く領域に冷却コイル35が配置されている。本例でも、その温度センサ36で計測される温度が目標温度となるように、不図示の温調装置から冷却コイル35に対して冷却液が供給されている。
【0044】
図7(a)において、レチクルの倍率誤差の計測を行う際には、ウエハステージを駆動して、レチクルに形成された評価用パターンの像を開口32X及び32YでそれぞれX方向及びY方向に走査することによって、対応する光電検出器34X及び34Yからの検出信号SX及びSYを取り込む。そして、例えば検出信号SX及びSYの変化と、ウエハステージの座標とに基づいて各評価用パターンの像の位置が検出され、各評価用パターンの像の位置関係からレチクルの倍率誤差が投影倍率を含めた形で求められる。即ち、レチクルの倍率誤差のキャリブレーションが行われる。この際に、基準開口板31の温度が一定に維持されているため、レチクルの倍率誤差のキャリブレーションが常に正確に行われる。
【0045】
また、図7(b)は空間像の計測センサの他の例を示し、この図7(b)において、光透過性の基板よりなる基準開口板37の表面の遮光膜中に正方形の開口38が形成されている。そして、開口38の底部のウエハステージの内部に集光レンズ39及び光電検出器40が配置されている。また、基準開口板37の底部に温度センサ36が取り付けられ、その底部で開口38の底部を除く領域に冷却コイル35が配置されている。本例でも、その温度センサ36で計測される温度が目標温度となるように、不図示の温調装置から冷却コイル35に対して冷却液が供給されている。
【0046】
図7(b)において、レチクルの倍率誤差の計測を行う際には、ウエハステージを駆動して、レチクルに形成された評価用パターンの像を開口38のエッジでX方向及びY方向に走査することによって、光電検出器40からの検出信号SEを取り込む。そして、検出信号SEの微分信号と、ウエハステージの座標とに基づいて各評価用パターンの像の位置が検出され、各評価用パターンの像の位置関係からレチクルの倍率誤差が投影倍率のキャリブレーションが行われる。この際に、基準開口板37の温度が一定に維持されているため、レチクルの倍率誤差のキャリブレーションが常に正確に行われる。
【0047】
また、キャリブレーションの必要な露光条件としては、上述のベースライン量やレチクルの倍率誤差の他に、例えば投影光学系の結像面の状態やウエハ上での露光光の照度等がある。そして、結像面の状態のモニタ用に平面度の高い基準平面部材が使用されることがあり、露光光の照度のモニタ用に所謂照射量モニタ等が使用される。そこで、これらの基準平面部材や照射量モニタ等をも温度制御するようにしてもよい。これによって、それらの露光条件のキャリブレーションを常に正確に行うことができる。
【0048】
更に、本発明はレチクルのパターンの一部を投影光学系を介してウエハ上に投影した状態で、レチクルとウエハとを投影光学系に対して同期走査してレチクルのパターンをウエハの各ショット領域に逐次露光するステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の投影露光装置や、プロキシミティ方式の露光装置等にも同様に適用できる。
【0049】
このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0050】
【発明の効果】
本発明の露光装置によれば、所定の露光条件のキャリブレーションを行うための基準部材の温度を温度制御手段により所定の状態に制御することができ、その基準部材の熱変形を抑えることができる。これにより、その露光条件のキャリブレーションを常に高精度に行うことができる利点がある。
【0051】
また、基準部材の温度情報を計測する温度センサを設け、この温度センサで計測される温度情報に基づいてその温度制御手段がその基準部材の温度を制御する場合には、その基準部材の温度を正確に所望の温度に設定できる。
また、基板の位置情報を検出するアライメント装置が設けられ、その基準部材が、所定の基板上に露光されるパターン用の基準マーク及びそのアライメント装置用の基準マークが形成された基準マーク部材であり、キャリブレーションの対象となる所定の露光条件が、そのアライメント装置のベースライン量である場合には、そのベースライン量のキャリブレーションが常に正確に行われる。そして、そのキャリブレーションが行われたベースライン量に基づいて、その露光されるパターンを基板上に高い重ね合わせ精度で転写できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光装置の実施の形態の一例を示す一部を切り欠いた概略構成図である。
【図2】図1のレチクル1上のレチクルアライメントマークを示す平面図である。
【図3】図1の基準マーク部材8の基準マークの配置を示す拡大斜視図である。
【図4】図1の基準マーク部材8の底面に配置された冷却コイル24C等を示す底面図である。
【図5】図3の基準マーク17Aを示す拡大平面図である。
【図6】図3の基準マーク15Xを示す拡大平面図である。
【図7】(a)は空間像センサの一例を示す一部を切り欠いた拡大斜視図、(b)は空間像センサの他の例を示す一部を切り欠いた拡大斜視図である。
【符号の説明】
1 レチクル
4 投影光学系
5 ウエハ
6 ウエハステージ
8 基準マーク部材
9 主制御系
11A,11B レチクルアライメント顕微鏡
12Y LIA方式のY軸のアライメントセンサ
13 FIA方式のアライメントセンサ
RMA,RMB レチクルアライメントマーク
15X,15Y FIA方式用の基準マーク
16X,16Y LIA方式用の基準マーク
17A,17B レチクルアライメント顕微鏡用の基準マーク
20 温調装置
24A,24B 断熱配管
24C 冷却コイル
25A,25B 温度センサ
Claims (6)
- 基板を基板ステージで位置決めし、投影光学系を通過する露光光で前記基板にパターンを露光する露光装置であって、
前記投影光学系を通過する光を用いて観察されるマークが形成された基準部材と、
少なくとも前記投影光学系を通過する光を用いて前記基準部材の前記マークを観察した結果に基づいて、所定露光条件のキャリブレーションを実行する制御手段と、
前記基準部材の温度を制御する温度制御手段とを設けたことを特徴とする露光装置。 - 請求項1記載の露光装置であって、
前記基板ステージ上に載置された前記基板の位置情報を検出するアライメント装置を備え、
前記投影光学系を通過する光を用いて前記基準部材の前記マークを観察した結果に基づいて実行される前記所定露光条件のキャリブレーションが、前記アライメント装置のベースライン量の計測を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項1又は2記載の露光装置であって、
前記制御手段が、前記投影光学系を通過する光を用いて前記基準部材のマークを観察した結果に基づいて、前記投影光学系の投影倍率情報を含む倍率誤差情報のキャリブレーションを実行することを特徴とする露光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の露光装置であって、さらに、
前記基準部材の温度情報を検出する温度センサを備えたことを特徴とする露光装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の露光装置であって、
前記温度制御手段は、前記基準部材の底部に配置されて、内部を冷却液が通過可能な冷却コイルを含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置であって、
前記基準部材は、光を通過させるための開口部を備え、
前記冷却コイルが、前記開口部を避けて、前記基準部材の底部に配置されることを特徴とする露光装置。
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