JPH1012520A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH1012520A JPH1012520A JP8161445A JP16144596A JPH1012520A JP H1012520 A JPH1012520 A JP H1012520A JP 8161445 A JP8161445 A JP 8161445A JP 16144596 A JP16144596 A JP 16144596A JP H1012520 A JPH1012520 A JP H1012520A
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- JP
- Japan
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- mark
- alignment
- wafer
- reticle
- mask
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＴＲ方式のアライメントセンサを使用して
アライメントを行う場合に、ウエハの残留ローテーショ
ンがあっても高い重ね合わせ精度を得る。 【解決手段】 ＴＴＬ方式のアライメントセンサ１３
Ｘ，１３Ｙによって、ウエハＷ上の複数のショット領域
に付設されたウエハマーク１５Ｘ，１５Ｙの座標位置を
検出し、検出結果を統計処理することによってウエハＷ
の残留ローテーションを算出する。Ｘ軸の別波長ＴＴＲ
アライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢによって、それぞれ
レチクルＲ上のレチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡ及び４Ｘ
Ｂ，５ＸＢと、ウエハＷ上のショット領域Ｓｉのウエハ
マーク１２ＸＡ及び１２ＸＢとのＸ方向への位置ずれ量
を検出する際に、各２つのマークのＹ方向への位置ずれ
量、及びその残留ローテーションに応じたオフセット量
で、その検出結果を補正する。
アライメントを行う場合に、ウエハの残留ローテーショ
ンがあっても高い重ね合わせ精度を得る。 【解決手段】 ＴＴＬ方式のアライメントセンサ１３
Ｘ，１３Ｙによって、ウエハＷ上の複数のショット領域
に付設されたウエハマーク１５Ｘ，１５Ｙの座標位置を
検出し、検出結果を統計処理することによってウエハＷ
の残留ローテーションを算出する。Ｘ軸の別波長ＴＴＲ
アライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢによって、それぞれ
レチクルＲ上のレチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡ及び４Ｘ
Ｂ，５ＸＢと、ウエハＷ上のショット領域Ｓｉのウエハ
マーク１２ＸＡ及び１２ＸＢとのＸ方向への位置ずれ量
を検出する際に、各２つのマークのＹ方向への位置ずれ
量、及びその残留ローテーションに応じたオフセット量
で、その検出結果を補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶表示素子、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程におい
て、マスク上のパターンをウエハ等の基板上に転写する
際のマスクと基板との位置合わせ方法に関し、特にＴＴ
Ｒ（スルー・ザ・レチクル）方式のアライメントセンサ
を使用する場合に使用して好適なものである。
子、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶表示素子、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程におい
て、マスク上のパターンをウエハ等の基板上に転写する
際のマスクと基板との位置合わせ方法に関し、特にＴＴ
Ｒ（スルー・ザ・レチクル）方式のアライメントセンサ
を使用する場合に使用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】例えばＬＳＩ等の半導体素子は、ウエハ
上に多数層の回路パターンを所定の位置関係で積み重ね
て形成される。そのため、ウエハ上の各ショット領域に
マスクとしてのレチクルのパターンを転写するために使
用される投影露光装置（ステッパー等）では、それら各
ショット領域にそれまでに形成された回路パターンと、
これから露光されるレチクルのパターンとの位置合わせ
（アライメント）を高精度に行う必要がある。
上に多数層の回路パターンを所定の位置関係で積み重ね
て形成される。そのため、ウエハ上の各ショット領域に
マスクとしてのレチクルのパターンを転写するために使
用される投影露光装置（ステッパー等）では、それら各
ショット領域にそれまでに形成された回路パターンと、
これから露光されるレチクルのパターンとの位置合わせ
（アライメント）を高精度に行う必要がある。
【０００３】従来より、高精度なアライメント方法の１
つとして、ＴＴＲ方式のアライメントセンサを使用し
て、ウエハ上の各ショット領域毎にアライメントと露光
とを繰り返すダイ・バイ・ダイ方式が知られている。Ｔ
ＴＲ方式のアライメントセンサは、レチクル及び投影光
学系を介してレチクル上のアライメントマーク（レチク
ルマーク）と、ウエハ上の各ショット領域に付設された
アライメントマーク（ウエハマーク）との位置ずれ量を
検出するセンサであり、最近は例えば特開平４−４５５
１２号公報で開示されているように、露光光と異なる波
長の照明光を使ってレチクルマーク及びウエハマークを
同時に検出する、所謂別波長ＴＴＲアライメントセンサ
が注目されている。
つとして、ＴＴＲ方式のアライメントセンサを使用し
て、ウエハ上の各ショット領域毎にアライメントと露光
とを繰り返すダイ・バイ・ダイ方式が知られている。Ｔ
ＴＲ方式のアライメントセンサは、レチクル及び投影光
学系を介してレチクル上のアライメントマーク（レチク
ルマーク）と、ウエハ上の各ショット領域に付設された
アライメントマーク（ウエハマーク）との位置ずれ量を
検出するセンサであり、最近は例えば特開平４−４５５
１２号公報で開示されているように、露光光と異なる波
長の照明光を使ってレチクルマーク及びウエハマークを
同時に検出する、所謂別波長ＴＴＲアライメントセンサ
が注目されている。
【０００４】図４は、従来の別波長ＴＴＲアライメント
センサを使用した投影露光装置におけるアライメント方
法の説明図であり、この図４において、露光時には、レ
チクルＲのパターン領域ＰＡ内の回路パターンが、所定
の波長λ1 の露光光のもとで投影光学系ＰＬを介してウ
エハＷ上のショット領域Ｓｉに投影露光される。ここ
で、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸が取られ、
Ｚ軸に垂直な平面の直交座標系がＸ軸及びＹ軸となって
いる。
センサを使用した投影露光装置におけるアライメント方
法の説明図であり、この図４において、露光時には、レ
チクルＲのパターン領域ＰＡ内の回路パターンが、所定
の波長λ1 の露光光のもとで投影光学系ＰＬを介してウ
エハＷ上のショット領域Ｓｉに投影露光される。ここ
で、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸が取られ、
Ｚ軸に垂直な平面の直交座標系がＸ軸及びＹ軸となって
いる。
【０００５】レチクルＲのパターン領域ＰＡを囲む遮光
帯２の＋Ｙ方向の辺部に矩形の光透過部（窓部）６ＸＢ
が形成され、遮光帯２中で窓部６ＸＢに対して＋Ｙ方向
に所定間隔だけ離れた領域に、２個のそれぞれＸ方向に
所定ピッチで形成された回折格子状のＸ軸のレチクルマ
ーク４ＸＢ，５ＸＢが配列されている。また、レチクル
マーク４ＸＢ，５ＸＢに対応してウエハＷ上のショット
領域Ｓｉの−Ｙ方向の端部に、回折格子状のＸ軸のウエ
ハマーク１２ＸＢが形成されている。同様に、遮光帯２
中、及びショット領域Ｓｉ上にはそれぞれ、Ｙ軸のレチ
クルマーク及びウエハマーク（図示省略）も形成されて
いるが、以下ではＸ方向のアライメントにつき説明す
る。
帯２の＋Ｙ方向の辺部に矩形の光透過部（窓部）６ＸＢ
が形成され、遮光帯２中で窓部６ＸＢに対して＋Ｙ方向
に所定間隔だけ離れた領域に、２個のそれぞれＸ方向に
所定ピッチで形成された回折格子状のＸ軸のレチクルマ
ーク４ＸＢ，５ＸＢが配列されている。また、レチクル
マーク４ＸＢ，５ＸＢに対応してウエハＷ上のショット
領域Ｓｉの−Ｙ方向の端部に、回折格子状のＸ軸のウエ
ハマーク１２ＸＢが形成されている。同様に、遮光帯２
中、及びショット領域Ｓｉ上にはそれぞれ、Ｙ軸のレチ
クルマーク及びウエハマーク（図示省略）も形成されて
いるが、以下ではＸ方向のアライメントにつき説明す
る。
【０００６】即ち、アライメント時には、不図示の別波
長ＴＴＲアライメントセンサから射出された露光波長と
異なる波長λ2 の１対のアライメント光Ｌ２Ａ及びＬ２
Ｂが、レチクルＲより所定間隔だけ上の位置Ｐで一度交
差した後、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢ及び窓部６Ｘ
Ｂに照射される。アライメント光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂは互い
に可干渉で、且つ僅かに周波数の異なる断面形状が細長
い矩形の光束であり、説明の便宜上、一方のアライメン
ト光Ｌ２Ａの内でレチクルマーク４ＸＢ及び窓部６ＸＢ
に照射される部分をそれぞれ光束２１Ａ及び２２Ａと呼
び、他方のアライメント光Ｌ２Ｂの内でレチクルマーク
５ＸＢ及び窓部６ＸＢに照射される部分をそれぞれ光束
２１Ｂ及び２２Ｂと呼ぶ。
長ＴＴＲアライメントセンサから射出された露光波長と
異なる波長λ2 の１対のアライメント光Ｌ２Ａ及びＬ２
Ｂが、レチクルＲより所定間隔だけ上の位置Ｐで一度交
差した後、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢ及び窓部６Ｘ
Ｂに照射される。アライメント光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂは互い
に可干渉で、且つ僅かに周波数の異なる断面形状が細長
い矩形の光束であり、説明の便宜上、一方のアライメン
ト光Ｌ２Ａの内でレチクルマーク４ＸＢ及び窓部６ＸＢ
に照射される部分をそれぞれ光束２１Ａ及び２２Ａと呼
び、他方のアライメント光Ｌ２Ｂの内でレチクルマーク
５ＸＢ及び窓部６ＸＢに照射される部分をそれぞれ光束
２１Ｂ及び２２Ｂと呼ぶ。
【０００７】この場合、例えば光束２１Ａによるレチク
ルマーク４ＸＢからの＋１次回折光２３Ａ、及び光束２
１Ｂによるレチクルマーク５ＸＢからの−１次回折光２
３Ｂは、それぞれ光束２１Ａ及び２１Ｂの入射方向に平
行に不図示のアライメントセンサに戻り、このセンサ内
でその１対の回折光２３Ａ，２３Ｂの干渉光を光電変換
することによりレチクルビート信号が生成される。一
方、窓部６ＸＢを透過した光束２２Ａ及び２２Ｂは、投
影光学系ＰＬを介してウエハマーク１２ＸＢ上に所定の
交差角で照射され、ウエハマーク１２ＸＢからほぼ垂直
上方に、光束２２Ａの＋１次回折光、及び光束２２Ｂの
−１次回折光からなる干渉光２４が発生し、この干渉光
２４は、投影光学系ＰＬ、及びレチクルＲの窓部６ＸＢ
を経て不図示のアライメントセンサに戻り、このセンサ
内でその干渉光２４を光電変換することによりウエハビ
ート信号が生成される。レチクルビート信号とウエハビ
ート信号との位相差が所定の目標値となるように、ウエ
ハＷとレチクルＲとのＸ方向の相対的な位置ずれ量を制
御することにより、Ｘ方向へのアライメントが行われ
る。
ルマーク４ＸＢからの＋１次回折光２３Ａ、及び光束２
１Ｂによるレチクルマーク５ＸＢからの−１次回折光２
３Ｂは、それぞれ光束２１Ａ及び２１Ｂの入射方向に平
行に不図示のアライメントセンサに戻り、このセンサ内
でその１対の回折光２３Ａ，２３Ｂの干渉光を光電変換
することによりレチクルビート信号が生成される。一
方、窓部６ＸＢを透過した光束２２Ａ及び２２Ｂは、投
影光学系ＰＬを介してウエハマーク１２ＸＢ上に所定の
交差角で照射され、ウエハマーク１２ＸＢからほぼ垂直
上方に、光束２２Ａの＋１次回折光、及び光束２２Ｂの
−１次回折光からなる干渉光２４が発生し、この干渉光
２４は、投影光学系ＰＬ、及びレチクルＲの窓部６ＸＢ
を経て不図示のアライメントセンサに戻り、このセンサ
内でその干渉光２４を光電変換することによりウエハビ
ート信号が生成される。レチクルビート信号とウエハビ
ート信号との位相差が所定の目標値となるように、ウエ
ハＷとレチクルＲとのＸ方向の相対的な位置ずれ量を制
御することにより、Ｘ方向へのアライメントが行われ
る。
【０００８】このようにレチクルマーク又はウエハマー
クから発生する可干渉性のある１対の光束による干渉光
の位相に基づいて、それらのマークの位置を検出する方
式はＬＩＡ（Laser Interferometric Alignment)方式と
呼ばれている。また、図４からも分かるように、従来の
アライメント方法においては、レチクルマーク４ＸＢ，
５ＸＢと対応するウエハマーク１２ＸＢとが非計測方向
（Ｙ方向）にずれている。これについて図５（ａ）及び
（ｂ）を参照して説明する。
クから発生する可干渉性のある１対の光束による干渉光
の位相に基づいて、それらのマークの位置を検出する方
式はＬＩＡ（Laser Interferometric Alignment)方式と
呼ばれている。また、図４からも分かるように、従来の
アライメント方法においては、レチクルマーク４ＸＢ，
５ＸＢと対応するウエハマーク１２ＸＢとが非計測方向
（Ｙ方向）にずれている。これについて図５（ａ）及び
（ｂ）を参照して説明する。
【０００９】図５（ａ）は、図４のレチクルマーク４Ｘ
Ｂ，５ＸＢの周辺の拡大図、図５（ｂ）は図４のウエハ
マーク１２ＸＢの周辺の拡大図であり、図５（ａ）に示
すように、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢからＹ方向に
所定間隔離れた窓部６ＸＢ内に、アライメント光Ｌ２
Ａ，Ｌ２Ｂによるウエハマーク１２ＸＢ（図５（ｂ）参
照）のデフォーカスした共役像１２ＸＱが配置されてい
る。また、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢと窓部６ＸＢ
との間の遮光帯２中に、露光光のもとでの仮想的なウエ
ハマーク１２ＸＢの共役像１２ＸＰが位置しており、共
役像１２ＸＰの中央の位置１６Ｗをウエハマークの観察
位置とみなすことができる。投影光学系ＰＬのアライメ
ント光に対する色収差のために、共役像１２ＸＰの位置
は共役像１２ＸＱの位置からずれている。
Ｂ，５ＸＢの周辺の拡大図、図５（ｂ）は図４のウエハ
マーク１２ＸＢの周辺の拡大図であり、図５（ａ）に示
すように、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢからＹ方向に
所定間隔離れた窓部６ＸＢ内に、アライメント光Ｌ２
Ａ，Ｌ２Ｂによるウエハマーク１２ＸＢ（図５（ｂ）参
照）のデフォーカスした共役像１２ＸＱが配置されてい
る。また、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢと窓部６ＸＢ
との間の遮光帯２中に、露光光のもとでの仮想的なウエ
ハマーク１２ＸＢの共役像１２ＸＰが位置しており、共
役像１２ＸＰの中央の位置１６Ｗをウエハマークの観察
位置とみなすことができる。投影光学系ＰＬのアライメ
ント光に対する色収差のために、共役像１２ＸＰの位置
は共役像１２ＸＱの位置からずれている。
【００１０】この場合、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢ
の観察位置は、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの間の遮
光帯２中の中央の位置１６Ｒであり、ウエハマークの観
察位置１６Ｗとレチクルマークの観察位置１６Ｒとは非
計測方向であるＹ方向に間隔Δｄだけずれている。一般
に、ウエハ上では多くのプロセスを経る内に同一のウエ
ハマークでは次第に検出できにくくなるために、例えば
数層毎に新たにウエハマークを形成するためのウエハマ
ークの打ち換えが行われる。これに関して、図５に示す
ように、２つのマークの観察位置が非計測方向に離れて
いる場合には、レチクルマークの共役像を避けてウエハ
上で非計測方向にウエハマークを打ち換える余地がある
ため、計測方向（Ｘ方向）に対してレチクルマーク、及
びウエハマークの形成領域を狭くできることになる。
の観察位置は、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの間の遮
光帯２中の中央の位置１６Ｒであり、ウエハマークの観
察位置１６Ｗとレチクルマークの観察位置１６Ｒとは非
計測方向であるＹ方向に間隔Δｄだけずれている。一般
に、ウエハ上では多くのプロセスを経る内に同一のウエ
ハマークでは次第に検出できにくくなるために、例えば
数層毎に新たにウエハマークを形成するためのウエハマ
ークの打ち換えが行われる。これに関して、図５に示す
ように、２つのマークの観察位置が非計測方向に離れて
いる場合には、レチクルマークの共役像を避けてウエハ
上で非計測方向にウエハマークを打ち換える余地がある
ため、計測方向（Ｘ方向）に対してレチクルマーク、及
びウエハマークの形成領域を狭くできることになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の別
波長ＴＴＲアライメントセンサを使用したアライメント
方法では、レチクルマークに影響されずにウエハマーク
の打ち換えの余地を残すために、図５（ａ）に示すよう
に、非計測方向（Ｙ方向）にウエハマークの観察位置１
６Ｗとレチクルマークの観察位置１６Ｒとが所定の間隔
Δｄだけずれていた。しかしながら、この配置ではウエ
ハへの露光の際にウエハの残留ローテーションがあっ
て、露光対象のショット領域が角度θW だけ回転してい
ると、アライメントセンサの座標系は回転していないた
め、単にアライメントセンサの検出結果に基づいてＸ方
向への位置合わせを行うと、ほぼΔｄ・θW の重ね合わ
せ誤差が生ずるという不都合があった。
波長ＴＴＲアライメントセンサを使用したアライメント
方法では、レチクルマークに影響されずにウエハマーク
の打ち換えの余地を残すために、図５（ａ）に示すよう
に、非計測方向（Ｙ方向）にウエハマークの観察位置１
６Ｗとレチクルマークの観察位置１６Ｒとが所定の間隔
Δｄだけずれていた。しかしながら、この配置ではウエ
ハへの露光の際にウエハの残留ローテーションがあっ
て、露光対象のショット領域が角度θW だけ回転してい
ると、アライメントセンサの座標系は回転していないた
め、単にアライメントセンサの検出結果に基づいてＸ方
向への位置合わせを行うと、ほぼΔｄ・θW の重ね合わ
せ誤差が生ずるという不都合があった。
【００１２】このような誤差を低減するためには、図６
に示すように、レチクルマークとウエハマークとの非計
測方向の間隔を狭くすることも可能である。即ち、図６
（ａ）はレチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの周辺の拡大
図、図６（ｂ）はショット領域Ｓｉ上のウエハマーク１
２ＸＢの周辺の拡大図であり、図６（ａ）に示すよう
に、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢに近い窓部内に、ア
ライメント光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂによるウエハマーク１２Ｘ
Ｂ（図６（ｂ）参照）のデフォーカスした共役像１２Ｘ
Ｑが配置されている。また、レチクルマーク４ＸＢ，５
ＸＢの間の遮光帯２中に、露光光のもとでの仮想的なウ
エハマーク１２ＸＢの共役像１２ＸＰが位置しており、
ウエハマークの観察位置１６Ｗとレチクルマークの観察
位置１６Ｒとが合致しているため、ウエハの残留ローテ
ーションがあっても、アライメント誤差は生じない。
に示すように、レチクルマークとウエハマークとの非計
測方向の間隔を狭くすることも可能である。即ち、図６
（ａ）はレチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの周辺の拡大
図、図６（ｂ）はショット領域Ｓｉ上のウエハマーク１
２ＸＢの周辺の拡大図であり、図６（ａ）に示すよう
に、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢに近い窓部内に、ア
ライメント光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂによるウエハマーク１２Ｘ
Ｂ（図６（ｂ）参照）のデフォーカスした共役像１２Ｘ
Ｑが配置されている。また、レチクルマーク４ＸＢ，５
ＸＢの間の遮光帯２中に、露光光のもとでの仮想的なウ
エハマーク１２ＸＢの共役像１２ＸＰが位置しており、
ウエハマークの観察位置１６Ｗとレチクルマークの観察
位置１６Ｒとが合致しているため、ウエハの残留ローテ
ーションがあっても、アライメント誤差は生じない。
【００１３】しかしながら、図６のような配置では、ウ
エハマークの打ち換えの際に、レチクルマークを避ける
ために計測方向（Ｘ方向）にずらした位置に新たなウエ
ハマークを形成する必要がある。この場合、ウエハマー
クは計測方向に長い形状であるため、計測方向にずらし
て配置すると、レチクルマーク及びウエハマークの形成
領域が大きくなってしまうという不都合がある。
エハマークの打ち換えの際に、レチクルマークを避ける
ために計測方向（Ｘ方向）にずらした位置に新たなウエ
ハマークを形成する必要がある。この場合、ウエハマー
クは計測方向に長い形状であるため、計測方向にずらし
て配置すると、レチクルマーク及びウエハマークの形成
領域が大きくなってしまうという不都合がある。
【００１４】本発明は斯かる点に鑑み、ＴＴＲ方式のア
ライメントセンサを使用した場合に、ウエハの残留ロー
テーションがあっても高い重ね合わせ精度が得られる位
置合わせ方法を提供することを目的とする。
ライメントセンサを使用した場合に、ウエハの残留ロー
テーションがあっても高い重ね合わせ精度が得られる位
置合わせ方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の位置
合わせ方法は、例えば図１〜図３に示すように、マスク
（Ｒ）上の第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）から出射する
光ビームと、マスク（Ｒ）のパターンが転写される基板
（Ｗ）上のショット領域（Ｓｉ）に付設された第２マー
ク（１２ＸＢ）から出射し第１マーク（４ＸＢ，５Ｘ
Ｂ）から第１方向（Ｙ方向）に所定間隔だけ離れた位置
でマスク（Ｒ）を通過する光ビームとをそれぞれ検出し
て、第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）と第２マーク（１２
ＸＢ）とのその第１方向に垂直な第２方向（Ｘ方向）へ
の位置ずれ量を計測する第１工程と、ショット領域（Ｓ
ｉ）とマスク（Ｒ）との回転角（θW ）を検出する第２
工程と、その第１工程で計測された位置ずれ量をその第
２工程で計測された回転角に応じたオフセット分で補正
する第３工程と、この第３工程で補正された第１マーク
（４ＸＢ，５ＸＢ）と第２マーク（１２ＸＢ）との位置
ずれ量に基づいてマスク（Ｒ）とショット領域（Ｓｉ）
との第２方向（Ｘ方向）の位置合わせを行う第４工程
と、を有するものである。
合わせ方法は、例えば図１〜図３に示すように、マスク
（Ｒ）上の第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）から出射する
光ビームと、マスク（Ｒ）のパターンが転写される基板
（Ｗ）上のショット領域（Ｓｉ）に付設された第２マー
ク（１２ＸＢ）から出射し第１マーク（４ＸＢ，５Ｘ
Ｂ）から第１方向（Ｙ方向）に所定間隔だけ離れた位置
でマスク（Ｒ）を通過する光ビームとをそれぞれ検出し
て、第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）と第２マーク（１２
ＸＢ）とのその第１方向に垂直な第２方向（Ｘ方向）へ
の位置ずれ量を計測する第１工程と、ショット領域（Ｓ
ｉ）とマスク（Ｒ）との回転角（θW ）を検出する第２
工程と、その第１工程で計測された位置ずれ量をその第
２工程で計測された回転角に応じたオフセット分で補正
する第３工程と、この第３工程で補正された第１マーク
（４ＸＢ，５ＸＢ）と第２マーク（１２ＸＢ）との位置
ずれ量に基づいてマスク（Ｒ）とショット領域（Ｓｉ）
との第２方向（Ｘ方向）の位置合わせを行う第４工程
と、を有するものである。
【００１６】斯かる本発明によれば、その第２工程で、
基板（Ｗ）の残留ローテーションに相当する回転角（θ
W ）が計測される。そして、第１マーク（４ＸＢ，５Ｘ
Ｂ）と第２マーク（１２ＸＢ）との第１方向（Ｙ方向）
へのずれ量をΔｄとすると、例えばＴＴＲ方式のアライ
メントセンサを使用して第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）
と第２マーク（１２ＸＢ）との第２方向（Ｘ方向）への
位置ずれ量を検出した場合に、この検出結果をΔｄ・θ
W のオフセット分で補正して位置合わせを行うことによ
り、重ね合わせ誤差が低減される。
基板（Ｗ）の残留ローテーションに相当する回転角（θ
W ）が計測される。そして、第１マーク（４ＸＢ，５Ｘ
Ｂ）と第２マーク（１２ＸＢ）との第１方向（Ｙ方向）
へのずれ量をΔｄとすると、例えばＴＴＲ方式のアライ
メントセンサを使用して第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）
と第２マーク（１２ＸＢ）との第２方向（Ｘ方向）への
位置ずれ量を検出した場合に、この検出結果をΔｄ・θ
W のオフセット分で補正して位置合わせを行うことによ
り、重ね合わせ誤差が低減される。
【００１７】この場合、その第２工程において、例えば
エンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）方
式のアライメント方法を適用して、基板（Ｗ）上の複数
個のショット領域にそれぞれ付設された位置合わせ用マ
ーク（１５Ｘ，１５Ｙ）の位置を計測し、この計測結果
を統計処理して基板（Ｗ）上の転写対象のショット領域
（Ｓｉ）のマスク（Ｒ）に対する回転角（θW ）を求め
ることが望ましい。
エンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）方
式のアライメント方法を適用して、基板（Ｗ）上の複数
個のショット領域にそれぞれ付設された位置合わせ用マ
ーク（１５Ｘ，１５Ｙ）の位置を計測し、この計測結果
を統計処理して基板（Ｗ）上の転写対象のショット領域
（Ｓｉ）のマスク（Ｒ）に対する回転角（θW ）を求め
ることが望ましい。
【００１８】また、マスク（Ｒ）のパターンをショット
領域（Ｓｉ）に転写する工程を更に有することが望まし
い。これにより、例えば各ショット領域毎にダイ・バイ
・ダイ方式で位置合わせ（アライメント）と露光とが繰
り返して行われる。また、本発明による第２の位置合わ
せ方法は、例えば図１〜図３に示すように、マスク
（Ｒ）上の第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）から出射する
光ビームと、マスク（Ｒ）のパターンが転写される基板
（Ｗ）上のショット領域（Ｓｉ）に付設された第２マー
ク（１２ＸＢ）から出射し第１マーク（４ＸＢ，５Ｘ
Ｂ）から第１方向（Ｙ方向）に所定間隔だけ離れた位置
でマスク（Ｒ）を通過する光ビームとをそれぞれ検出し
て、第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）と第２マーク（１２
ＸＢ）とのその第１方向に垂直な第２方向（Ｘ方向）へ
の位置ずれ量を計測する第１工程と、ショット領域（Ｓ
ｉ）とマスク（Ｒ）との回転角（θW ）を検出する第２
工程と、その第１工程で計測された位置ずれ量をその第
２工程で計測された回転角に応じたオフセット分で補正
する第３工程と、を基板（Ｗ）上の所定の複数個のショ
ット領域について実行し、それら所定の複数個のショッ
ト領域について得られた補正後の位置ずれ量を統計処理
して基板（Ｗ）上の全部のショット領域の配列座標を算
出し、このように算出された配列座標に基づいて基板
（Ｗ）上の各ショット領域の位置合わせ及びマスク
（Ｒ）のパターンの転写を行うものである。
領域（Ｓｉ）に転写する工程を更に有することが望まし
い。これにより、例えば各ショット領域毎にダイ・バイ
・ダイ方式で位置合わせ（アライメント）と露光とが繰
り返して行われる。また、本発明による第２の位置合わ
せ方法は、例えば図１〜図３に示すように、マスク
（Ｒ）上の第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）から出射する
光ビームと、マスク（Ｒ）のパターンが転写される基板
（Ｗ）上のショット領域（Ｓｉ）に付設された第２マー
ク（１２ＸＢ）から出射し第１マーク（４ＸＢ，５Ｘ
Ｂ）から第１方向（Ｙ方向）に所定間隔だけ離れた位置
でマスク（Ｒ）を通過する光ビームとをそれぞれ検出し
て、第１マーク（４ＸＢ，５ＸＢ）と第２マーク（１２
ＸＢ）とのその第１方向に垂直な第２方向（Ｘ方向）へ
の位置ずれ量を計測する第１工程と、ショット領域（Ｓ
ｉ）とマスク（Ｒ）との回転角（θW ）を検出する第２
工程と、その第１工程で計測された位置ずれ量をその第
２工程で計測された回転角に応じたオフセット分で補正
する第３工程と、を基板（Ｗ）上の所定の複数個のショ
ット領域について実行し、それら所定の複数個のショッ
ト領域について得られた補正後の位置ずれ量を統計処理
して基板（Ｗ）上の全部のショット領域の配列座標を算
出し、このように算出された配列座標に基づいて基板
（Ｗ）上の各ショット領域の位置合わせ及びマスク
（Ｒ）のパターンの転写を行うものである。
【００１９】斯かる本発明の第２の位置合わせ方法によ
れば、例えばＥＧＡ方式のアライメント方法を適用し
て、基板（Ｗ）から選択された所定個数のショット領域
について、それぞれショット領域の回転角の補正を行い
つつ配列座標が求められ、求められた配列座標を統計処
理して基板（Ｗ）上の全部のショット領域の配列座標が
算出される。従って、基板（Ｗ）の残留ローテーション
が存在しても、重ね合わせ誤差が低減される。
れば、例えばＥＧＡ方式のアライメント方法を適用し
て、基板（Ｗ）から選択された所定個数のショット領域
について、それぞれショット領域の回転角の補正を行い
つつ配列座標が求められ、求められた配列座標を統計処
理して基板（Ｗ）上の全部のショット領域の配列座標が
算出される。従って、基板（Ｗ）の残留ローテーション
が存在しても、重ね合わせ誤差が低減される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による位置合わせ方
法の実施の形態の一例につき図１〜図３を参照して説明
する。本例は別波長ＴＴＲアライメントセンサを使用し
てダイ・バイ・ダイ方式でアライメント及び露光を行う
場合に本発明を適用したものであり、図１〜図３におい
て、図４及び図５に対応する部分には同一符号を付して
その詳細説明を省略する。
法の実施の形態の一例につき図１〜図３を参照して説明
する。本例は別波長ＴＴＲアライメントセンサを使用し
てダイ・バイ・ダイ方式でアライメント及び露光を行う
場合に本発明を適用したものであり、図１〜図３におい
て、図４及び図５に対応する部分には同一符号を付して
その詳細説明を省略する。
【００２１】図１は本例で使用されるステッパー型の投
影露光装置の要部を示し、この図１において、露光時に
は不図示の照明光学系からの露光光（波長λ1)のもと
で、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内の回路パターンが
投影光学系ＰＬを介して例えば１／５に縮小されてウエ
ハＷ上の各ショット領域に投影露光される。以下、投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直
な平面の直交座標系をＸ軸、Ｙ軸として説明する。
影露光装置の要部を示し、この図１において、露光時に
は不図示の照明光学系からの露光光（波長λ1)のもと
で、レチクルＲのパターン領域ＰＡ内の回路パターンが
投影光学系ＰＬを介して例えば１／５に縮小されてウエ
ハＷ上の各ショット領域に投影露光される。以下、投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直
な平面の直交座標系をＸ軸、Ｙ軸として説明する。
【００２２】レチクルＲは不図示のレチクルステージ上
に保持され、レチクルステージはＸ方向、Ｙ方向、及び
回転方向にレチクルＲの位置決めを行う。一方、ウエハ
Ｗは、ウエハステージ１上に保持され、ウエハステージ
１は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、及び回転方向等にウエ
ハＷの位置決めを行う。ウエハＷ上の或るショット領域
への露光が終了すると、ウエハステージ１のステッピン
グ動作によって次のショット領域が投影光学系ＰＬの露
光フィールド内に設定されて、アライメント及び露光が
行われ、以下同様にステップ・アンド・リピート方式で
ウエハＷ上の各ショット領域への露光が行われる。
に保持され、レチクルステージはＸ方向、Ｙ方向、及び
回転方向にレチクルＲの位置決めを行う。一方、ウエハ
Ｗは、ウエハステージ１上に保持され、ウエハステージ
１は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、及び回転方向等にウエ
ハＷの位置決めを行う。ウエハＷ上の或るショット領域
への露光が終了すると、ウエハステージ１のステッピン
グ動作によって次のショット領域が投影光学系ＰＬの露
光フィールド内に設定されて、アライメント及び露光が
行われ、以下同様にステップ・アンド・リピート方式で
ウエハＷ上の各ショット領域への露光が行われる。
【００２３】次に、本例のアライメント用のマーク、及
び各種のアライメントセンサにつき説明する。先ず、本
例のレチクルＲのパターン領域ＰＡを囲む遮光帯２の外
側で、投影光学系ＰＬの視野内にＸ方向に沿って対向す
るように、２個の十字型のアライメントマーク３Ｒ及び
３Ｌが形成されている。アライメントマーク３Ｒ，３Ｌ
の上方に、それぞれ照明光を折り曲げるミラーを介し
て、露光光と同じ波長λ 1 の照明光Ｌ１を用いるＴＴＲ
方式のレチクルアライメント顕微鏡（以下、「露光波長
ＴＴＲアライメントセンサ」と呼ぶ）７Ｒ，７Ｌが配置
されている。
び各種のアライメントセンサにつき説明する。先ず、本
例のレチクルＲのパターン領域ＰＡを囲む遮光帯２の外
側で、投影光学系ＰＬの視野内にＸ方向に沿って対向す
るように、２個の十字型のアライメントマーク３Ｒ及び
３Ｌが形成されている。アライメントマーク３Ｒ，３Ｌ
の上方に、それぞれ照明光を折り曲げるミラーを介し
て、露光光と同じ波長λ 1 の照明光Ｌ１を用いるＴＴＲ
方式のレチクルアライメント顕微鏡（以下、「露光波長
ＴＴＲアライメントセンサ」と呼ぶ）７Ｒ，７Ｌが配置
されている。
【００２４】また、ウエハステージ１上のウエハＷの近
傍に基準マーク部材９が固定され、基準マーク部材９の
表面にＸ方向に沿って対向するように２個の十字型の基
準マーク１０Ｒ，１０Ｌが形成されている。本例のウエ
ハステージ１には例えばＸ方向の位置計測用の１個のレ
ーザ干渉計と、Ｙ方向の位置計測用の２個のレーザ干渉
計とが設けられ、それらのレーザ干渉計の計測値に基づ
いてウエハステージ１のＸ座標及びＹ座標が０．０１μ
ｍ程度の分解能で求められている。また、ウエハステー
ジ１の回転角（ヨーイング）も、Ｙ軸用の２つのレーザ
干渉計の計測値の差分から求められている。このように
レーザ干渉計の計測値より求められるウエハステージ１
の座標（Ｘ，Ｙ）をステージ座標系上の座標と呼ぶ。こ
の場合、本例のステージ座標系のＸ軸は、例えば基準マ
ーク部材９の表面の基準マーク１０Ｒ，１０Ｌを通る直
線に平行となるように設定されている。
傍に基準マーク部材９が固定され、基準マーク部材９の
表面にＸ方向に沿って対向するように２個の十字型の基
準マーク１０Ｒ，１０Ｌが形成されている。本例のウエ
ハステージ１には例えばＸ方向の位置計測用の１個のレ
ーザ干渉計と、Ｙ方向の位置計測用の２個のレーザ干渉
計とが設けられ、それらのレーザ干渉計の計測値に基づ
いてウエハステージ１のＸ座標及びＹ座標が０．０１μ
ｍ程度の分解能で求められている。また、ウエハステー
ジ１の回転角（ヨーイング）も、Ｙ軸用の２つのレーザ
干渉計の計測値の差分から求められている。このように
レーザ干渉計の計測値より求められるウエハステージ１
の座標（Ｘ，Ｙ）をステージ座標系上の座標と呼ぶ。こ
の場合、本例のステージ座標系のＸ軸は、例えば基準マ
ーク部材９の表面の基準マーク１０Ｒ，１０Ｌを通る直
線に平行となるように設定されている。
【００２５】また、基準マーク部材９の表面の基準マー
ク１０Ｒ，１０Ｌの間には、Ｘ方向に所定ピッチで形成
された回折格子状の１対のＸ軸の基準マーク１１ＸＡ，
１１ＸＢ、及びＹ方向に所定ピッチで形成された回折格
子状の１対のＹ軸の基準マーク１１ＹＡ，１１ＹＢが形
成されている。露光光のもとで、基準マーク部材９の表
面は投影光学系ＰＬに関してレチクルＲのパターン形成
面と共役な面に配置され、レチクルＲのアライメントを
行う際には、ウエハステージ１を駆動することにより、
基準マーク１０Ｒ，１０Ｌがアライメントマーク３Ｒ，
３Ｌとほぼ共役な位置に設定される。この場合、露光波
長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌは、その波長λ
1 の照明光Ｌ１でアライメントマーク３Ｒ，３Ｌを照明
すると共に、投影光学系ＰＬを介して基準マーク１０
Ｒ，１０Ｌを照明し、それらアライメントマーク３Ｒ，
３Ｌ及び基準マーク１０Ｒ，１０Ｌの像が、それぞれ露
光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌ内の撮像素
子上に結像される。それら撮像素子からの撮像信号を画
像処理することにより、アライメントマーク３Ｒ，３Ｌ
と対応する基準マーク１０Ｒ，１０ＬとのＸ方向、Ｙ方
向への位置ずれ量が検出される。
ク１０Ｒ，１０Ｌの間には、Ｘ方向に所定ピッチで形成
された回折格子状の１対のＸ軸の基準マーク１１ＸＡ，
１１ＸＢ、及びＹ方向に所定ピッチで形成された回折格
子状の１対のＹ軸の基準マーク１１ＹＡ，１１ＹＢが形
成されている。露光光のもとで、基準マーク部材９の表
面は投影光学系ＰＬに関してレチクルＲのパターン形成
面と共役な面に配置され、レチクルＲのアライメントを
行う際には、ウエハステージ１を駆動することにより、
基準マーク１０Ｒ，１０Ｌがアライメントマーク３Ｒ，
３Ｌとほぼ共役な位置に設定される。この場合、露光波
長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌは、その波長λ
1 の照明光Ｌ１でアライメントマーク３Ｒ，３Ｌを照明
すると共に、投影光学系ＰＬを介して基準マーク１０
Ｒ，１０Ｌを照明し、それらアライメントマーク３Ｒ，
３Ｌ及び基準マーク１０Ｒ，１０Ｌの像が、それぞれ露
光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌ内の撮像素
子上に結像される。それら撮像素子からの撮像信号を画
像処理することにより、アライメントマーク３Ｒ，３Ｌ
と対応する基準マーク１０Ｒ，１０ＬとのＸ方向、Ｙ方
向への位置ずれ量が検出される。
【００２６】そのアライメントマーク３Ｒ，３Ｌは、パ
ターン領域ＰＡのサイズが異なるレチクルでも常に一定
の位置に固定され、露光時にパターン領域ＰＡを均一照
明する露光光が露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７
Ｒ，７Ｌの先端部のミラーで遮られないように設定され
ている。更に、レチクルＲのパターン領域ＰＡを囲む遮
光帯２の＋Ｙ方向の辺部に、回折格子状のＸ軸のレチク
ルマーク４ＸＢ，５ＸＢ及び窓部６ＸＢがＹ方向（非計
測方向）に所定間隔で配置され、−Ｙ方向の辺部にも、
Ｘ軸のレチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡ及び窓部６ＸＡが
Ｙ方向に所定間隔で配置されている。そして、遮光帯２
の−Ｘ方向の辺部に、回折格子状のＹ軸のレチクルマー
ク４ＹＡ，５ＹＡ及び窓部６ＹＡがＸ方向に所定間隔で
配置され、＋Ｘ方向の辺部にもＹ軸のレチクルマーク４
ＹＢ，５ＹＢ及び窓部６ＹＢがＸ方向に所定間隔で配置
されている。それに対応して、ウエハＷ上の各ショット
領域Ｓｉには、それぞれ回折格子状のＸ軸のウエハマー
ク１２ＸＢ，１２ＸＡ、及びＹ軸のウエハマーク１２Ｙ
Ａ，１２ＹＢが形成されている。
ターン領域ＰＡのサイズが異なるレチクルでも常に一定
の位置に固定され、露光時にパターン領域ＰＡを均一照
明する露光光が露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７
Ｒ，７Ｌの先端部のミラーで遮られないように設定され
ている。更に、レチクルＲのパターン領域ＰＡを囲む遮
光帯２の＋Ｙ方向の辺部に、回折格子状のＸ軸のレチク
ルマーク４ＸＢ，５ＸＢ及び窓部６ＸＢがＹ方向（非計
測方向）に所定間隔で配置され、−Ｙ方向の辺部にも、
Ｘ軸のレチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡ及び窓部６ＸＡが
Ｙ方向に所定間隔で配置されている。そして、遮光帯２
の−Ｘ方向の辺部に、回折格子状のＹ軸のレチクルマー
ク４ＹＡ，５ＹＡ及び窓部６ＹＡがＸ方向に所定間隔で
配置され、＋Ｘ方向の辺部にもＹ軸のレチクルマーク４
ＹＢ，５ＹＢ及び窓部６ＹＢがＸ方向に所定間隔で配置
されている。それに対応して、ウエハＷ上の各ショット
領域Ｓｉには、それぞれ回折格子状のＸ軸のウエハマー
ク１２ＸＢ，１２ＸＡ、及びＹ軸のウエハマーク１２Ｙ
Ａ，１２ＹＢが形成されている。
【００２７】また、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢ及び
窓部６ＸＢの上方に、光路折り曲げ用のミラーを介して
Ｘ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢが配置さ
れ、レチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡ及び窓部６ＸＡの上
方にも、Ｘ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢ
が配置されている。そして、レチクルマーク４ＹＡ，５
ＹＡ及び窓部６ＹＡの上方に、光路折り曲げ用のミラー
を介してＹ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＹＡ
が配置され、レチクルマーク４ＹＢ，５ＹＢ及び窓部６
ＹＢの上方にも、Ｙ軸の別波長ＴＴＲアライメントセン
サ８ＹＢが配置されている。別波長ＴＴＲアライメント
センサ８ＸＢ，８ＸＡ及び８ＹＡ，８ＹＢは、それぞれ
露光光とは異なる波長λ2 の照明光Ｌ２及びＬ３を用い
てＬＩＡ（Laser Interferometric Alignment)方式でレ
チクルマークとウエハマークとの位置ずれ量を検出する
センサである。
窓部６ＸＢの上方に、光路折り曲げ用のミラーを介して
Ｘ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢが配置さ
れ、レチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡ及び窓部６ＸＡの上
方にも、Ｘ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢ
が配置されている。そして、レチクルマーク４ＹＡ，５
ＹＡ及び窓部６ＹＡの上方に、光路折り曲げ用のミラー
を介してＹ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＹＡ
が配置され、レチクルマーク４ＹＢ，５ＹＢ及び窓部６
ＹＢの上方にも、Ｙ軸の別波長ＴＴＲアライメントセン
サ８ＹＢが配置されている。別波長ＴＴＲアライメント
センサ８ＸＢ，８ＸＡ及び８ＹＡ，８ＹＢは、それぞれ
露光光とは異なる波長λ2 の照明光Ｌ２及びＬ３を用い
てＬＩＡ（Laser Interferometric Alignment)方式でレ
チクルマークとウエハマークとの位置ずれ量を検出する
センサである。
【００２８】即ち、Ｘ軸の一方の別波長ＴＴＲアライメ
ントセンサ８ＸＢは、照明光Ｌ２から僅かに周波数の異
なる１対の可干渉なアライメント光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂを生
成し、ウエハＷのアライメント時にはそれらアライメン
ト光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂを用いて、レチクルマーク４ＸＢ，
５ＸＢと対応するウエハマーク１２ＸＢとのＸ方向への
位置ずれ量を検出し、他方の別波長ＴＴＲアライメント
センサ８ＸＡは、レチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡと対応
するウエハマーク１２ＸＡとのＸ方向への位置ずれ量を
検出する。同様に、Ｙ軸の一方の別波長ＴＴＲアライメ
ントセンサ８ＹＡは、照明光Ｌ３から僅かに周波数の異
なる１対の可干渉なアライメント光を生成し、それらア
ライメント光を用いて、レチクルマーク４ＹＡ，５ＹＡ
と対応するウエハマーク１２ＹＡとのＹ方向への位置ず
れ量を検出し、他方の別波長ＴＴＲアライメントセンサ
８ＹＢはレチクルマーク４ＹＢ，５ＹＢと対応するウエ
ハマーク１２ＹＢとのＹ方向への位置ずれ量を検出す
る。
ントセンサ８ＸＢは、照明光Ｌ２から僅かに周波数の異
なる１対の可干渉なアライメント光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂを生
成し、ウエハＷのアライメント時にはそれらアライメン
ト光Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂを用いて、レチクルマーク４ＸＢ，
５ＸＢと対応するウエハマーク１２ＸＢとのＸ方向への
位置ずれ量を検出し、他方の別波長ＴＴＲアライメント
センサ８ＸＡは、レチクルマーク４ＸＡ，５ＸＡと対応
するウエハマーク１２ＸＡとのＸ方向への位置ずれ量を
検出する。同様に、Ｙ軸の一方の別波長ＴＴＲアライメ
ントセンサ８ＹＡは、照明光Ｌ３から僅かに周波数の異
なる１対の可干渉なアライメント光を生成し、それらア
ライメント光を用いて、レチクルマーク４ＹＡ，５ＹＡ
と対応するウエハマーク１２ＹＡとのＹ方向への位置ず
れ量を検出し、他方の別波長ＴＴＲアライメントセンサ
８ＹＢはレチクルマーク４ＹＢ，５ＹＢと対応するウエ
ハマーク１２ＹＢとのＹ方向への位置ずれ量を検出す
る。
【００２９】更に、レチクルＲのパターン領域ＰＡのサ
イズ等に応じてレチクルマークの位置が変化したときに
は、そのレチクルマークを検出できるように別波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ８ＸＢ，８ＸＡ及び８ＹＡ，８Ｙ
ＢはそれぞれＸ方向、及びＹ方向に移動できるように支
持されている。また、基準マーク部材９上のレチクルマ
ーク４ＸＢ，５ＸＢに対応した基準マーク１１ＸＢは、
レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの移動範囲を覆うことが
できるように広い面積に形成されている。同様に、他の
基準マーク１１ＸＡ，１１ＹＡ，１１ＹＢも、広い面積
に形成されている。以上をまとめると、本例ではアライ
メントマーク計測用に２眼４軸の露光波長ＴＴＲアライ
メントセンサ７Ｒ，７Ｌが設けられ、レチクルマーク計
測用に４眼４軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｘ
Ｂ，８ＸＡ，８ＹＡ，８ＹＢが設けられている。
イズ等に応じてレチクルマークの位置が変化したときに
は、そのレチクルマークを検出できるように別波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ８ＸＢ，８ＸＡ及び８ＹＡ，８Ｙ
ＢはそれぞれＸ方向、及びＹ方向に移動できるように支
持されている。また、基準マーク部材９上のレチクルマ
ーク４ＸＢ，５ＸＢに対応した基準マーク１１ＸＢは、
レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの移動範囲を覆うことが
できるように広い面積に形成されている。同様に、他の
基準マーク１１ＸＡ，１１ＹＡ，１１ＹＢも、広い面積
に形成されている。以上をまとめると、本例ではアライ
メントマーク計測用に２眼４軸の露光波長ＴＴＲアライ
メントセンサ７Ｒ，７Ｌが設けられ、レチクルマーク計
測用に４眼４軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｘ
Ｂ，８ＸＡ，８ＹＡ，８ＹＢが設けられている。
【００３０】本例では、基準マーク部材９を投影光学系
ＰＬの露光フィールド内に位置決めして、露光波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌによってアライメント
マーク３Ｒ，３Ｌと基準マーク１０Ｒ，１０Ｌとの位置
ずれ量を検出すると同時に、別波長ＴＴＲアライメント
センサ８ＸＢ，８ＸＡ及び８ＹＡ，８ＹＢによって、そ
れぞれ対応するレチクルマークと基準マークとの位置ず
れ量を検出できるようになっている。このとき、露光波
長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌで検出された対
応するマークのＸ方向への位置ずれ量（アライメント誤
差量）と、別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢ，８
ＸＡで検出されたＸ方向への位置ずれ量（アライメント
誤差量）との差は、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢ及び
４ＸＡ，５ＸＢの位置での波長λ2 における色収差に起
因したＸ方向のオフセット量である。別波長ＴＴＲアラ
イメントセンサ８ＹＡ，８ＹＢについても同様である。
従って、別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢ，８Ｘ
Ａ，８ＹＡ，８ＹＢを用いてレチクルＲとウエハＷとの
アライメントを行う際に、そのオフセット量に基づいた
補正を行えば、アライメント波長λ2 での色収差に起因
する重ね合わせ誤差は生じない。
ＰＬの露光フィールド内に位置決めして、露光波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌによってアライメント
マーク３Ｒ，３Ｌと基準マーク１０Ｒ，１０Ｌとの位置
ずれ量を検出すると同時に、別波長ＴＴＲアライメント
センサ８ＸＢ，８ＸＡ及び８ＹＡ，８ＹＢによって、そ
れぞれ対応するレチクルマークと基準マークとの位置ず
れ量を検出できるようになっている。このとき、露光波
長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌで検出された対
応するマークのＸ方向への位置ずれ量（アライメント誤
差量）と、別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢ，８
ＸＡで検出されたＸ方向への位置ずれ量（アライメント
誤差量）との差は、レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢ及び
４ＸＡ，５ＸＢの位置での波長λ2 における色収差に起
因したＸ方向のオフセット量である。別波長ＴＴＲアラ
イメントセンサ８ＹＡ，８ＹＢについても同様である。
従って、別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢ，８Ｘ
Ａ，８ＹＡ，８ＹＢを用いてレチクルＲとウエハＷとの
アライメントを行う際に、そのオフセット量に基づいた
補正を行えば、アライメント波長λ2 での色収差に起因
する重ね合わせ誤差は生じない。
【００３１】更に、本例の投影露光装置には、ＴＴＬ
（スルー・ザ・レンズ）方式で且つＬＳＡ（レーザ・ス
テップ・アライメント）方式のＸ軸のアライメントセン
サ１３Ｘ、及びＹ軸のアライメントセンサ１３Ｙが備え
られている。そして、ウエハＷ上の各ショット領域Ｓｉ
にはそれぞれ、ＬＳＡ方式用のＸ軸のウエハマーク１５
Ｘ、及びＹ軸のウエハマーク１５Ｙも付設されている。
ウエハマーク１５Ｘは、Ｙ方向に所定ピッチで配列され
た点列状マークであり、ウエハマーク１５ＹはＸ方向に
所定ピッチで配列された点列状マークである。同様に不
図示であるが、基準マーク部材９上にもＬＳＡ方式用の
Ｘ軸、及びＹ軸の基準マークが形成されている。
（スルー・ザ・レンズ）方式で且つＬＳＡ（レーザ・ス
テップ・アライメント）方式のＸ軸のアライメントセン
サ１３Ｘ、及びＹ軸のアライメントセンサ１３Ｙが備え
られている。そして、ウエハＷ上の各ショット領域Ｓｉ
にはそれぞれ、ＬＳＡ方式用のＸ軸のウエハマーク１５
Ｘ、及びＹ軸のウエハマーク１５Ｙも付設されている。
ウエハマーク１５Ｘは、Ｙ方向に所定ピッチで配列され
た点列状マークであり、ウエハマーク１５ＹはＸ方向に
所定ピッチで配列された点列状マークである。同様に不
図示であるが、基準マーク部材９上にもＬＳＡ方式用の
Ｘ軸、及びＹ軸の基準マークが形成されている。
【００３２】一方のアライメントセンサ１３Ｘから射出
されたレーザビームＬ４は、レチクルＲと投影光学系Ｐ
Ｌとの間の不図示のミラー、及び投影光学系ＰＬを介し
てウエハステージ１上にＹ方向に伸びたスリット光１４
Ｘとして照射される。そして、例えばＬＳＡ方式のＸ軸
のウエハマーク１５Ｘを検出対象とすると、プリアライ
メントによって求められたウエハＷ上の各ショット領域
の大まかな配列座標に基づいて、ウエハステージ１を駆
動してウエハマーク１５Ｘでスリット光１４ＸをＸ方向
に横切るようにする。この際に、ウエハマーク１５Ｘが
スリット光１４Ｘにかかるとウエハマーク１５Ｘから所
定方向に回折光が発生し、この回折光は投影光学系ＰＬ
を介してアライメントセンサ１３Ｘに戻って光電変換さ
れる。そして、例えばこの光電変換信号がピークとなる
ときのウエハステージ１のＸ座標がウエハマーク１５Ｘ
のＸ座標として検出される。同様に、Ｙ軸のアライメン
トセンサ１３Ｙから射出されたレーザビームＬ５は、投
影光学系ＰＬを介してウエハステージ１上にスリット光
１４Ｙとして照射され、このスリット光１４Ｙに対して
検出対象のウエハマーク１５ＹをＹ方向に走査すること
によって、ウエハマーク１５ＹのＹ座標が検出される。
されたレーザビームＬ４は、レチクルＲと投影光学系Ｐ
Ｌとの間の不図示のミラー、及び投影光学系ＰＬを介し
てウエハステージ１上にＹ方向に伸びたスリット光１４
Ｘとして照射される。そして、例えばＬＳＡ方式のＸ軸
のウエハマーク１５Ｘを検出対象とすると、プリアライ
メントによって求められたウエハＷ上の各ショット領域
の大まかな配列座標に基づいて、ウエハステージ１を駆
動してウエハマーク１５Ｘでスリット光１４ＸをＸ方向
に横切るようにする。この際に、ウエハマーク１５Ｘが
スリット光１４Ｘにかかるとウエハマーク１５Ｘから所
定方向に回折光が発生し、この回折光は投影光学系ＰＬ
を介してアライメントセンサ１３Ｘに戻って光電変換さ
れる。そして、例えばこの光電変換信号がピークとなる
ときのウエハステージ１のＸ座標がウエハマーク１５Ｘ
のＸ座標として検出される。同様に、Ｙ軸のアライメン
トセンサ１３Ｙから射出されたレーザビームＬ５は、投
影光学系ＰＬを介してウエハステージ１上にスリット光
１４Ｙとして照射され、このスリット光１４Ｙに対して
検出対象のウエハマーク１５ＹをＹ方向に走査すること
によって、ウエハマーク１５ＹのＹ座標が検出される。
【００３３】次に、本例の投影露光装置を用いて、ダイ
・バイ・ダイ方式でアライメント及び露光を行う場合の
動作の一例につき説明する。先ず、露光波長ＴＴＲアラ
イメントセンサ７Ｒ，７Ｌを用いて、別波長ＴＴＲアラ
イメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢのベー
スライン計測を行う。ベースライン計測とは、レチクル
のパターンの投影像の中心（露光中心）とアライメント
センサの検出中心との間隔（ベースライン量）を計測す
る工程をいう。
・バイ・ダイ方式でアライメント及び露光を行う場合の
動作の一例につき説明する。先ず、露光波長ＴＴＲアラ
イメントセンサ７Ｒ，７Ｌを用いて、別波長ＴＴＲアラ
イメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢのベー
スライン計測を行う。ベースライン計測とは、レチクル
のパターンの投影像の中心（露光中心）とアライメント
センサの検出中心との間隔（ベースライン量）を計測す
る工程をいう。
【００３４】そのため、ウエハステージ１を駆動して基
準マーク部材９を投影光学系ＰＬの露光フィールド内に
位置決めし、露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒに
よって基準マーク１０Ｒに対するアライメントマーク３
ＲのＸ方向へのずれ量Ｘ１ｒ、及びＹ方向へのずれ量Ｙ
１ｒを検出し、露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｌ
によって基準マーク１０Ｌに対するアライメントマーク
３ＬのＸ方向へのずれ量Ｘ２ｒ、及びＹ方向へのずれ量
Ｙ２ｒを検出する。この際に同時に、Ｘ軸の別波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ８ＸＡ、及び８ＸＢによってそれ
ぞれ基準マーク１１ＸＡ、及び１１ＸＢに対するレチク
ルマーク４ＸＡ，５ＸＡ、及びレチクルマーク４ＸＢ，
５ＸＢのＸ方向へのずれ量Ｘ１ａ及びＸ２ａを検出し、
Ｙ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＹＡ、及び８
ＹＢによってそれぞれ基準マーク１１ＹＡ、及び１１Ｙ
Ｂに対するレチクルマーク４ＹＡ，５ＹＡ、及びレチク
ルマーク４ＹＢ，５ＹＢのＹ方向へのずれ量Ｙ１ｂ及び
Ｙ２ｂを検出する。
準マーク部材９を投影光学系ＰＬの露光フィールド内に
位置決めし、露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒに
よって基準マーク１０Ｒに対するアライメントマーク３
ＲのＸ方向へのずれ量Ｘ１ｒ、及びＹ方向へのずれ量Ｙ
１ｒを検出し、露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｌ
によって基準マーク１０Ｌに対するアライメントマーク
３ＬのＸ方向へのずれ量Ｘ２ｒ、及びＹ方向へのずれ量
Ｙ２ｒを検出する。この際に同時に、Ｘ軸の別波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ８ＸＡ、及び８ＸＢによってそれ
ぞれ基準マーク１１ＸＡ、及び１１ＸＢに対するレチク
ルマーク４ＸＡ，５ＸＡ、及びレチクルマーク４ＸＢ，
５ＸＢのＸ方向へのずれ量Ｘ１ａ及びＸ２ａを検出し、
Ｙ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＹＡ、及び８
ＹＢによってそれぞれ基準マーク１１ＹＡ、及び１１Ｙ
Ｂに対するレチクルマーク４ＹＡ，５ＹＡ、及びレチク
ルマーク４ＹＢ，５ＹＢのＹ方向へのずれ量Ｙ１ｂ及び
Ｙ２ｂを検出する。
【００３５】その後、露光波長ＴＴＲアライメントセン
サ７Ｒ，７Ｌによって計測される位置ずれ量Ｘ１ｒ，Ｙ
１ｒ及びＸ２ｒ，Ｙ２ｒに基づいて、次式より基準マー
ク部材９に対するレチクルＲの相対位置Ｘｒ，Ｔｒ、及
び回転角θｒを求める。 Ｘｒ＝（Ｘ１ｒ＋Ｘ２ｒ）／２ （１） Ｙｒ＝（Ｙ１ｒ＋Ｙ２ｒ）／２ （２） θｒ＝（Ｙ１ｒ−Ｙ２ｒ）／（２・Ｌ１）（３） この（３）式において、間隔Ｌ１はレチクルＲの中心と
露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌの検出中
心との間隔であり、回転角θｒの符号は、Ｚ軸の回りに
反時計回りに正としてある。
サ７Ｒ，７Ｌによって計測される位置ずれ量Ｘ１ｒ，Ｙ
１ｒ及びＸ２ｒ，Ｙ２ｒに基づいて、次式より基準マー
ク部材９に対するレチクルＲの相対位置Ｘｒ，Ｔｒ、及
び回転角θｒを求める。 Ｘｒ＝（Ｘ１ｒ＋Ｘ２ｒ）／２ （１） Ｙｒ＝（Ｙ１ｒ＋Ｙ２ｒ）／２ （２） θｒ＝（Ｙ１ｒ−Ｙ２ｒ）／（２・Ｌ１）（３） この（３）式において、間隔Ｌ１はレチクルＲの中心と
露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌの検出中
心との間隔であり、回転角θｒの符号は、Ｚ軸の回りに
反時計回りに正としてある。
【００３６】この場合、別波長ＴＴＲアライメントセン
サ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢによって検出される
位置ずれ量Ｘ１ａ，Ｘ２ａ，Ｙ１ｂ，Ｙ２ｂには、実際
に求めたいベースライン量（即ち、色収差によって生じ
た各別波長ＴＴＲアライメントセンサのオフセット成
分）と、（１）式〜（３）式で表されるレチクルＲの相
対位置のずれとが含まれている。そこで、（１）式〜
（３）式のレチクルＲの相対位置のずれを次式から、別
波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８Ｙ
Ａ，８ＹＢの検出中心における位置ずれ量Ｘ１ｒ’，Ｘ
２ｒ’，Ｙ１ｒ’，Ｙ２ｒ’に換算する。但し、以下の
式における間隔Ｌ２は、レチクルＲの中心と別波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢ
の検出中心との間隔である。
サ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢによって検出される
位置ずれ量Ｘ１ａ，Ｘ２ａ，Ｙ１ｂ，Ｙ２ｂには、実際
に求めたいベースライン量（即ち、色収差によって生じ
た各別波長ＴＴＲアライメントセンサのオフセット成
分）と、（１）式〜（３）式で表されるレチクルＲの相
対位置のずれとが含まれている。そこで、（１）式〜
（３）式のレチクルＲの相対位置のずれを次式から、別
波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８Ｙ
Ａ，８ＹＢの検出中心における位置ずれ量Ｘ１ｒ’，Ｘ
２ｒ’，Ｙ１ｒ’，Ｙ２ｒ’に換算する。但し、以下の
式における間隔Ｌ２は、レチクルＲの中心と別波長ＴＴ
Ｒアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢ
の検出中心との間隔である。
【００３７】 Ｘ１ｒ’＝Ｘｒ＋Ｌ２・θｒ （４） Ｘ２ｒ’＝Ｘｒ−Ｌ２・θｒ （５） Ｙ１ｒ’＝Ｙｒ−Ｌ２・θｒ （６） Ｙ２ｒ’＝Ｙｒ＋Ｌ２・θｒ （７） 従って、別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＡ，８Ｘ
Ｂ，８ＹＡ，８ＹＢによって検出される位置ずれ量Ｘ１
ａ，Ｘ２ａ，Ｙ１ｂ，Ｙ２ｂから次のように（４）式〜
（７）式の位置ずれ量を差し引くことによって、別波長
ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８
ＹＢのベースライン量Ｘ１ａ’，Ｘ２ａ’，Ｙ１ｂ’，
Ｙ２ｂ’が求められる。
Ｂ，８ＹＡ，８ＹＢによって検出される位置ずれ量Ｘ１
ａ，Ｘ２ａ，Ｙ１ｂ，Ｙ２ｂから次のように（４）式〜
（７）式の位置ずれ量を差し引くことによって、別波長
ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８
ＹＢのベースライン量Ｘ１ａ’，Ｘ２ａ’，Ｙ１ｂ’，
Ｙ２ｂ’が求められる。
【００３８】 Ｘ１ａ’＝Ｘ１ａ−Ｘ１ｒ’ （８） Ｘ２ａ’＝Ｘ２ａ−Ｘ２ｒ’ （９） Ｙ１ｂ’＝Ｙ１ｂ−Ｙ１ｒ’ （１０） Ｙ２ｂ’＝Ｙ２ｂ−Ｙ２ｒ’ （１１） 従って、仮にウエハの残留ローテーションが無い場合に
は、（８）式〜（１１）式で求められるベースライン量
Ｘ１ａ’，Ｘ２ａ’，Ｙ１ｂ’，Ｙ２ｂ’をそれぞれ、
別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８Ｙ
Ａ，８ＹＢを用いてアライメントを行う際の追い込み目
標値とすれば、正確に重ね合わせを行うことができる。
しかしながら、実際にはウエハの残留ローテーションが
存在するため、以下のようにしてその補正を行う。
は、（８）式〜（１１）式で求められるベースライン量
Ｘ１ａ’，Ｘ２ａ’，Ｙ１ｂ’，Ｙ２ｂ’をそれぞれ、
別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８Ｙ
Ａ，８ＹＢを用いてアライメントを行う際の追い込み目
標値とすれば、正確に重ね合わせを行うことができる。
しかしながら、実際にはウエハの残留ローテーションが
存在するため、以下のようにしてその補正を行う。
【００３９】即ち、その後、サーチアライメントを行っ
て、ウエハＷのローテーションの追い込みを行う。この
際、限界まで追い込む必要はなく、後述のエンハンスト
・グローバル・アライメント方式のアライメント計測を
行うのに支障がない程度で構わない。具体的に、ウエハ
Ｗ上には、例えばＬＳＡ方式のアライメントセンサ１３
Ｘ，１３Ｙで検出できる、数個のサーチアライメントマ
ークが形成されており、これらのサーチアライメントマ
ークの座標をアライメントセンサ１３Ｘ，１３Ｙで検出
することにより、ウエハＷの中心のＸ方向、Ｙ方向への
オフセット、及びウエハＷの回転角が検出される。これ
らの検出結果に基づいて、ウエハＷ上の各ショット領域
の設計上の配列座標から、ウエハステージ１の移動位置
を規定するステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上の配列座標が算
出される。
て、ウエハＷのローテーションの追い込みを行う。この
際、限界まで追い込む必要はなく、後述のエンハンスト
・グローバル・アライメント方式のアライメント計測を
行うのに支障がない程度で構わない。具体的に、ウエハ
Ｗ上には、例えばＬＳＡ方式のアライメントセンサ１３
Ｘ，１３Ｙで検出できる、数個のサーチアライメントマ
ークが形成されており、これらのサーチアライメントマ
ークの座標をアライメントセンサ１３Ｘ，１３Ｙで検出
することにより、ウエハＷの中心のＸ方向、Ｙ方向への
オフセット、及びウエハＷの回転角が検出される。これ
らの検出結果に基づいて、ウエハＷ上の各ショット領域
の設計上の配列座標から、ウエハステージ１の移動位置
を規定するステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上の配列座標が算
出される。
【００４０】次に、例えば特開昭６１−４４４２９号公
報で開示されているエンハンスト・グローバル・アライ
メント（以下、「ＥＧＡ」と呼ぶ）方式のアライメント
を行う。図２は、本例のウエハＷのショット配列を示
し、この図２において、ウエハＷ上に設定された試料座
標系のｘ軸、及びｙ軸に沿ってそれぞれ所定ピッチでＮ
個のショット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，…，ＳＮが配列さ
れている。これらのショット領域中からｎ個（ｎは３以
上の整数）のショット領域をサンプルショットとして選
択し、図１のＬＳＡ方式のアライメントセンサ１３Ｘ，
１３Ｙを用いて、それらサンプルショット内のＬＳＡ方
式のＸ軸のウエハマーク１５Ｘ、及びＹ軸のウエハマー
ク１５Ｙの座標を計測する。そして、こられの計測結
果、及び設計上の配列座標より最小自乗法によって、ウ
エハＷ上のショット配列のｘ方向、ｙ方向へのスケーリ
ング（線形伸縮）θｘ，θｙ、ローテーションθW 、直
交度、及びＸ方向、Ｙ方向へのオフセットよりなる６個
の変換パラメータを算出する。そして、これら６個の変
換パラメータ、及びウエハＷ上の各ショット領域の設計
上の配列座標より、各ショット領域のステージ座標系で
の配列座標を算出する。なお、以上の例ではサーチアラ
イメントとは別にＥＧＡ方式のアライメントを行ってい
るが、サーチアライメントでウエハのローテーションを
所定の精度以上で求めて、ＥＧＡ方式のアライメントを
省略するようにしてもよい。
報で開示されているエンハンスト・グローバル・アライ
メント（以下、「ＥＧＡ」と呼ぶ）方式のアライメント
を行う。図２は、本例のウエハＷのショット配列を示
し、この図２において、ウエハＷ上に設定された試料座
標系のｘ軸、及びｙ軸に沿ってそれぞれ所定ピッチでＮ
個のショット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，…，ＳＮが配列さ
れている。これらのショット領域中からｎ個（ｎは３以
上の整数）のショット領域をサンプルショットとして選
択し、図１のＬＳＡ方式のアライメントセンサ１３Ｘ，
１３Ｙを用いて、それらサンプルショット内のＬＳＡ方
式のＸ軸のウエハマーク１５Ｘ、及びＹ軸のウエハマー
ク１５Ｙの座標を計測する。そして、こられの計測結
果、及び設計上の配列座標より最小自乗法によって、ウ
エハＷ上のショット配列のｘ方向、ｙ方向へのスケーリ
ング（線形伸縮）θｘ，θｙ、ローテーションθW 、直
交度、及びＸ方向、Ｙ方向へのオフセットよりなる６個
の変換パラメータを算出する。そして、これら６個の変
換パラメータ、及びウエハＷ上の各ショット領域の設計
上の配列座標より、各ショット領域のステージ座標系で
の配列座標を算出する。なお、以上の例ではサーチアラ
イメントとは別にＥＧＡ方式のアライメントを行ってい
るが、サーチアライメントでウエハのローテーションを
所定の精度以上で求めて、ＥＧＡ方式のアライメントを
省略するようにしてもよい。
【００４１】これらの場合、図２に示すように、ローテ
ーションθW はウエハＷ上のショット配列のｘ軸がステ
ージ座標系のＸ軸（基準マーク部材９によって定められ
た軸）に対してなす角度［ｒａｄ］、即ちウエハＷの残
留ローテーションである。そして、そのローテーション
θW はウエハＷ上の各ショット領域の図１のレチクルＲ
に対する回転角とみなすことができる。次に、そのロー
テーションθW を用いて、図１の別波長ＴＴＲアライメ
ントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢの計測値の
補正を行うことによって、ダイ・バイ・ダイ方式でアラ
イメント及び露光を行う。
ーションθW はウエハＷ上のショット配列のｘ軸がステ
ージ座標系のＸ軸（基準マーク部材９によって定められ
た軸）に対してなす角度［ｒａｄ］、即ちウエハＷの残
留ローテーションである。そして、そのローテーション
θW はウエハＷ上の各ショット領域の図１のレチクルＲ
に対する回転角とみなすことができる。次に、そのロー
テーションθW を用いて、図１の別波長ＴＴＲアライメ
ントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢの計測値の
補正を行うことによって、ダイ・バイ・ダイ方式でアラ
イメント及び露光を行う。
【００４２】露光対象を図１のウエハＷ上のショット領
域Ｓｉとして、上記のＥＧＡ方式のアライメントによっ
て求められた配列座標に基づいてウエハステージ１を駆
動することにより、ショット領域Ｓｉを投影光学系ＰＬ
の露光フィールド内に移動する。そして、Ｘ軸の別波長
ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢでレチクルマーク４Ｘ
Ｂ，５Ｘとウエハマーク１２ＸＢとのＸ方向の位置ずれ
量を計測するものとする。
域Ｓｉとして、上記のＥＧＡ方式のアライメントによっ
て求められた配列座標に基づいてウエハステージ１を駆
動することにより、ショット領域Ｓｉを投影光学系ＰＬ
の露光フィールド内に移動する。そして、Ｘ軸の別波長
ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢでレチクルマーク４Ｘ
Ｂ，５Ｘとウエハマーク１２ＸＢとのＸ方向の位置ずれ
量を計測するものとする。
【００４３】図３は、図１の別波長ＴＴＲアライメント
センサ８ＸＢによるウエハマーク１２ＸＢの観察中心１
６Ｗ、及びレチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの観察中心１
６ＲのレチクルＲ上での関係を示し、図３（ａ）はウエ
ハＷのローテーションθW が０の場合、図３（ｂ）はウ
エハＷのローテーションθW が０以外の場合を示す。ま
た、図３（ａ）及び（ｂ）において、レチクル中心ＳＣ
は、ショット領域Ｓｉの回転中心のレチクルＲ上での共
役像であり、説明の便宜上、ローテーションθ W が０の
場合にレチクル中心ＳＣとウエハマークの観察中心１６
Ｗとを結ぶ直線はＹ軸に平行であるとしている。更に、
図３（ａ）及び（ｂ）において、図１のアライメント光
Ｌ２Ａ及びＬ２ＢをウエハＷ上に照射して得られる矩形
のスポット光も示されている。
センサ８ＸＢによるウエハマーク１２ＸＢの観察中心１
６Ｗ、及びレチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢの観察中心１
６ＲのレチクルＲ上での関係を示し、図３（ａ）はウエ
ハＷのローテーションθW が０の場合、図３（ｂ）はウ
エハＷのローテーションθW が０以外の場合を示す。ま
た、図３（ａ）及び（ｂ）において、レチクル中心ＳＣ
は、ショット領域Ｓｉの回転中心のレチクルＲ上での共
役像であり、説明の便宜上、ローテーションθ W が０の
場合にレチクル中心ＳＣとウエハマークの観察中心１６
Ｗとを結ぶ直線はＹ軸に平行であるとしている。更に、
図３（ａ）及び（ｂ）において、図１のアライメント光
Ｌ２Ａ及びＬ２ＢをウエハＷ上に照射して得られる矩形
のスポット光も示されている。
【００４４】先ず、図３（ａ）に示すように、ウエハＷ
のローテーションθW が０の場合には、回転による誤差
はないため、別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢの
計測結果をそのまま使用してアライメントを行えばよ
い。ここで、レチクル中心ＳＣからウエハマークの観察
中心１６Ｗまでの間隔はｄ１、レチクルマークの観察中
心１６Ｒまでの間隔はｄ２（ｄ２＞ｄ１）であり、ウエ
ハマークの観察中心１６Ｗとレチクルマークの観察中心
１６Ｒとは非計測方向（Ｙ方向）に所定間隔ずれてい
る。
のローテーションθW が０の場合には、回転による誤差
はないため、別波長ＴＴＲアライメントセンサ８ＸＢの
計測結果をそのまま使用してアライメントを行えばよ
い。ここで、レチクル中心ＳＣからウエハマークの観察
中心１６Ｗまでの間隔はｄ１、レチクルマークの観察中
心１６Ｒまでの間隔はｄ２（ｄ２＞ｄ１）であり、ウエ
ハマークの観察中心１６Ｗとレチクルマークの観察中心
１６Ｒとは非計測方向（Ｙ方向）に所定間隔ずれてい
る。
【００４５】次に、図３（ｂ）に示すように、ウエハＷ
のローテーションθW が０でない場合には、本来レチク
ルマークの観察中心が追い込まれるべき位置は、レチク
ル中心ＳＣとウエハマークの観察中心１６Ｗとを結ぶ直
線上の位置１７Ｒである。しかしながら、単に別波長Ｔ
ＴＲアライメントセンサ８ＸＢの計測結果をそのまま使
用すると、レチクルマークの観察中心１６Ｒは点線の直
線上に追い込まれてしまう。従って、図３（ｂ）におけ
る観察中心１６Ｒと位置１７Ｒとの計測方向（Ｘ方向）
への位置ずれ量ΔＸ２ａが、ウエハＷのローテーション
θW に伴うＸ方向への重ね合わせ誤差となり、位置ずれ
量ΔＸ２ａは以下のように表される。
のローテーションθW が０でない場合には、本来レチク
ルマークの観察中心が追い込まれるべき位置は、レチク
ル中心ＳＣとウエハマークの観察中心１６Ｗとを結ぶ直
線上の位置１７Ｒである。しかしながら、単に別波長Ｔ
ＴＲアライメントセンサ８ＸＢの計測結果をそのまま使
用すると、レチクルマークの観察中心１６Ｒは点線の直
線上に追い込まれてしまう。従って、図３（ｂ）におけ
る観察中心１６Ｒと位置１７Ｒとの計測方向（Ｘ方向）
への位置ずれ量ΔＸ２ａが、ウエハＷのローテーション
θW に伴うＸ方向への重ね合わせ誤差となり、位置ずれ
量ΔＸ２ａは以下のように表される。
【００４６】ΔＸ２ａ＝（ｄ２−ｄ１）sin θW ≒（ｄ２−ｄ１）θW （１２） 同様に、図１のＸ軸の別波長ＴＴＲアライメントセンサ
８ＸＡについて、ウエハＷのローテーションθW に伴う
２つのマークの観察中心の位置ずれ量ΔＸ１ａが求めら
れ、Ｙ軸の２つの別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｙ
Ａ，８ＹＢについても、それぞれウエハＷのローテーシ
ョンθW に伴う２つのマークの観察中心の位置ずれ量Δ
Ｙ１ｂ，ΔＹ２ｂが求められる。次に、（８）式〜（１
１）式で求められるベースライン量Ｘ１ａ’，Ｘ２
ａ’，Ｙ１ｂ’，Ｙ２ｂ’を、それぞれウエハＷのロー
テーションθW に伴う位置ずれ量ΔＸ１ａ，ΔＸ２ａ，
ΔＹ１ｂ，ΔＹ２ｂで次のように補正して得られる値を
補正後のベースライン量Ｘ１ａ”，Ｘ２ａ”，Ｙ１
ｂ”，Ｙ２ｂ”とする。
８ＸＡについて、ウエハＷのローテーションθW に伴う
２つのマークの観察中心の位置ずれ量ΔＸ１ａが求めら
れ、Ｙ軸の２つの別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｙ
Ａ，８ＹＢについても、それぞれウエハＷのローテーシ
ョンθW に伴う２つのマークの観察中心の位置ずれ量Δ
Ｙ１ｂ，ΔＹ２ｂが求められる。次に、（８）式〜（１
１）式で求められるベースライン量Ｘ１ａ’，Ｘ２
ａ’，Ｙ１ｂ’，Ｙ２ｂ’を、それぞれウエハＷのロー
テーションθW に伴う位置ずれ量ΔＸ１ａ，ΔＸ２ａ，
ΔＹ１ｂ，ΔＹ２ｂで次のように補正して得られる値を
補正後のベースライン量Ｘ１ａ”，Ｘ２ａ”，Ｙ１
ｂ”，Ｙ２ｂ”とする。
【００４７】 Ｘ１ａ”＝Ｘ１ａ’＋ΔＸ１ａ （１３） Ｘ２ａ”＝Ｘ２ａ’−ΔＸ２ａ （１４） Ｙ１ｂ”＝Ｙ１ｂ’−ΔＹ１ｂ （１５） Ｙ２ｂ”＝Ｙ２ｂ’＋ΔＹ２ｂ （１６） そして、図１において、別波長ＴＴＲアライメントセン
サ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢで計測されるレチク
ルマークとウエハマークとの位置ずれ量の追い込み目標
値を、それぞれ（１３）式〜（１６）式の補正後のベー
スライン量Ｘ１ａ”，Ｘ２ａ”，Ｙ１ｂ”，Ｙ２ｂ”と
して、レチクルＲとウエハＷ上のショット領域Ｓｉとの
アライメントを行う。このアライメントが完了した時点
で、レチクルＲのパターン像をショット領域Ｓｉに投影
露光することによって、ウエハＷのローテーションθW
に伴う誤差が補正される。ウエハＷ上の全部のショット
領域について、このようにダイ・バイ・ダイ方式でアラ
イメント及び露光が行われる。
サ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢで計測されるレチク
ルマークとウエハマークとの位置ずれ量の追い込み目標
値を、それぞれ（１３）式〜（１６）式の補正後のベー
スライン量Ｘ１ａ”，Ｘ２ａ”，Ｙ１ｂ”，Ｙ２ｂ”と
して、レチクルＲとウエハＷ上のショット領域Ｓｉとの
アライメントを行う。このアライメントが完了した時点
で、レチクルＲのパターン像をショット領域Ｓｉに投影
露光することによって、ウエハＷのローテーションθW
に伴う誤差が補正される。ウエハＷ上の全部のショット
領域について、このようにダイ・バイ・ダイ方式でアラ
イメント及び露光が行われる。
【００４８】このように本例では、別波長ＴＴＲアライ
メントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢを用いて
レチクルとウエハとのアライメントを行う際に、露光波
長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌと別波長ＴＴＲ
アライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢと
のベースライン計測に基づくアライメント光の波長の色
収差に起因するオフセットの補正と、ウエハの残留ロー
テーションによる別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｘ
Ａ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢの計測誤差の補正とを合わ
せて行っている。従って、アライメント光に対する色収
差やウエハＷの残留ローテーションが存在しても、高い
重ね合わせ精度が得られる。
メントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢを用いて
レチクルとウエハとのアライメントを行う際に、露光波
長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌと別波長ＴＴＲ
アライメントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢと
のベースライン計測に基づくアライメント光の波長の色
収差に起因するオフセットの補正と、ウエハの残留ロー
テーションによる別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｘ
Ａ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢの計測誤差の補正とを合わ
せて行っている。従って、アライメント光に対する色収
差やウエハＷの残留ローテーションが存在しても、高い
重ね合わせ精度が得られる。
【００４９】なお、上述の例では図１に示すように、ベ
ースライン計測、及び最終的なアライメント用として、
２眼４軸のＴＴＲ方式の露光波長ＴＴＲアライメントセ
ンサ７Ｒ，７Ｌ、及び４眼４軸の別波長ＴＴＲアライメ
ントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢが使用され
ているが、アライメントセンサの眼数、及び軸数が変化
しても、計算式を替えるだけで対応することができる。
また、露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌの
他に撮像方式以外のアライメントセンサを使用してもよ
く、ＬＩＡ方式の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｘ
Ａ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢの代わりに、撮像方式等の
アライメントセンサを使用してもよい。また、各アライ
メントセンサで使用される照明光の波長は露光波長、又
は非露光波長の何れでも構わない。
ースライン計測、及び最終的なアライメント用として、
２眼４軸のＴＴＲ方式の露光波長ＴＴＲアライメントセ
ンサ７Ｒ，７Ｌ、及び４眼４軸の別波長ＴＴＲアライメ
ントセンサ８ＸＡ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢが使用され
ているが、アライメントセンサの眼数、及び軸数が変化
しても、計算式を替えるだけで対応することができる。
また、露光波長ＴＴＲアライメントセンサ７Ｒ，７Ｌの
他に撮像方式以外のアライメントセンサを使用してもよ
く、ＬＩＡ方式の別波長ＴＴＲアライメントセンサ８Ｘ
Ａ，８ＸＢ，８ＹＡ，８ＹＢの代わりに、撮像方式等の
アライメントセンサを使用してもよい。また、各アライ
メントセンサで使用される照明光の波長は露光波長、又
は非露光波長の何れでも構わない。
【００５０】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。
【００５１】
【発明の効果】本発明の第１の位置合わせ方法によれ
ば、第２工程において基板上の各ショット領域とマスク
との回転角が検出され、第３工程においてその回転角に
応じたオフセット分の補正が行われている。従って、ア
ライメントセンサとしてＴＴＲ方式のアライメントセン
サ（別波長ＴＴＲアライメントセンサ等）を使用した場
合に、マスク上の第１マークと基板上の第２マークとが
第１方向にずれていても、この第１方向に垂直な第２方
向（計測方向）への位置ずれが生ずることがなく、高い
重ね合わせ精度が得られる利点がある。
ば、第２工程において基板上の各ショット領域とマスク
との回転角が検出され、第３工程においてその回転角に
応じたオフセット分の補正が行われている。従って、ア
ライメントセンサとしてＴＴＲ方式のアライメントセン
サ（別波長ＴＴＲアライメントセンサ等）を使用した場
合に、マスク上の第１マークと基板上の第２マークとが
第１方向にずれていても、この第１方向に垂直な第２方
向（計測方向）への位置ずれが生ずることがなく、高い
重ね合わせ精度が得られる利点がある。
【００５２】更に、本発明によれば、最終的なアライメ
ントに先立って行われる例えばサーチアライメントにお
いて、基板のローテーションの追い込み許容値を緩くす
ることができるため、スループット（単位時間当たりの
基板の処理枚数）の向上が期待できる。また、その第２
工程において、基板上の複数個のショット領域にそれぞ
れ付設された位置合わせ用マークの位置を計測し、この
計測結果を統計処理してその基板上の転写対象のショッ
ト領域のそのマスクに対する回転角を求める場合には、
短い測定時間で、且つ平均化効果によって高精度にその
回転角を求めることができる。
ントに先立って行われる例えばサーチアライメントにお
いて、基板のローテーションの追い込み許容値を緩くす
ることができるため、スループット（単位時間当たりの
基板の処理枚数）の向上が期待できる。また、その第２
工程において、基板上の複数個のショット領域にそれぞ
れ付設された位置合わせ用マークの位置を計測し、この
計測結果を統計処理してその基板上の転写対象のショッ
ト領域のそのマスクに対する回転角を求める場合には、
短い測定時間で、且つ平均化効果によって高精度にその
回転角を求めることができる。
【００５３】また、そのマスクのパターンをショット領
域に転写する工程を更に有する場合には、高い重ね合わ
せ精度の半導体素子等が得られる。次に、本発明の第２
の位置合わせ方法によれば、基板から選ばれた所定個数
のショット領域について、それぞれ座標位置、及びマス
クとの回転角が検出され、この検出結果に基づいて全部
のショット領域の配列座標が算出される。従って、アラ
イメントセンサとしてＴＴＲ方式のアライメントセンサ
（別波長ＴＴＲアライメントセンサ等）を使用した場合
に、マスク上の第１マークと基板上の第２マークとが第
１方向にずれていても、この第１方向に垂直な第２方向
（計測方向）への位置ずれが補正されるため、高い重ね
合わせ精度が得られる利点がある。
域に転写する工程を更に有する場合には、高い重ね合わ
せ精度の半導体素子等が得られる。次に、本発明の第２
の位置合わせ方法によれば、基板から選ばれた所定個数
のショット領域について、それぞれ座標位置、及びマス
クとの回転角が検出され、この検出結果に基づいて全部
のショット領域の配列座標が算出される。従って、アラ
イメントセンサとしてＴＴＲ方式のアライメントセンサ
（別波長ＴＴＲアライメントセンサ等）を使用した場合
に、マスク上の第１マークと基板上の第２マークとが第
１方向にずれていても、この第１方向に垂直な第２方向
（計測方向）への位置ずれが補正されるため、高い重ね
合わせ精度が得られる利点がある。
【図１】本発明による位置合わせ方法の実施の形態の一
例で使用される投影露光装置の要部を示す一部を切り欠
いた斜視図である。
例で使用される投影露光装置の要部を示す一部を切り欠
いた斜視図である。
【図２】図１のウエハのショット配列を示す平面図であ
る。
る。
【図３】（ａ）はウエハのローテーションが０の場合の
レチクルマークの観察中心とウエハマークの観察中心と
の関係を示す図、（ｂ）はウエハのローテーションθW
が０でない場合のレチクルマークの観察中心とウエハマ
ークの観察中心との関係を示す図である。
レチクルマークの観察中心とウエハマークの観察中心と
の関係を示す図、（ｂ）はウエハのローテーションθW
が０でない場合のレチクルマークの観察中心とウエハマ
ークの観察中心との関係を示す図である。
【図４】従来の別波長ＴＴＲアライメントセンサを用い
た投影露光装置におけるアライメント方法の説明に供す
る斜視図である。
た投影露光装置におけるアライメント方法の説明に供す
る斜視図である。
【図５】レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢとウエハマーク
１２ＸＢとが非計測方向にずれている場合を示す拡大図
である。
１２ＸＢとが非計測方向にずれている場合を示す拡大図
である。
【図６】レチクルマーク４ＸＢ，５ＸＢとウエハマーク
１２ＸＢとが非計測方向にずれていない場合を示す拡大
図である。
１２ＸＢとが非計測方向にずれていない場合を示す拡大
図である。
Ｒ レチクル ＰＬ 投影光学系 Ｗ ウエハ Ｓｉ ショット領域 １ ウエハステージ ３ アライメントマーク ４ＸＢ，５ＸＢ，４ＸＡ，５ＸＡ Ｘ軸のレチクルマー
ク ６ＸＢ，６ＸＡ Ｘ軸の窓部 ７Ｒ，７Ｌ 露光波長ＴＴＲアライメントセンサ ８ＸＢ，８ＸＡ Ｘ軸の別波長ＴＴＲアライメントセン
サ ９ 基準マーク部材 １０Ｒ，１０Ｌ 基準マーク １２ＸＢ，１２ＸＡ Ｘ軸のウエハマーク １３Ｘ Ｘ軸のＬＳＡ方式のアライメントセンサ １６Ｒ レチクルマークの観察中心 １６Ｗ ウエハマークの観察中心 ＳＣ レチクル中心
ク ６ＸＢ，６ＸＡ Ｘ軸の窓部 ７Ｒ，７Ｌ 露光波長ＴＴＲアライメントセンサ ８ＸＢ，８ＸＡ Ｘ軸の別波長ＴＴＲアライメントセン
サ ９ 基準マーク部材 １０Ｒ，１０Ｌ 基準マーク １２ＸＢ，１２ＸＡ Ｘ軸のウエハマーク １３Ｘ Ｘ軸のＬＳＡ方式のアライメントセンサ １６Ｒ レチクルマークの観察中心 １６Ｗ ウエハマークの観察中心 ＳＣ レチクル中心
Claims (4)
- 【請求項１】 マスク上の第１マークから出射する光ビ
ームと、前記マスクのパターンが転写される基板上のシ
ョット領域に付設された第２マークから出射し前記第１
マークから第１方向に所定間隔だけ離れた位置で前記マ
スクを通過する光ビームとをそれぞれ検出して、前記第
１マークと前記第２マークとの前記第１方向に垂直な第
２方向への位置ずれ量を計測する第１工程と、 前記ショット領域と前記マスクとの回転角を検出する第
２工程と、 前記第１工程で計測された位置ずれ量を前記第２工程で
計測された回転角に応じたオフセット分で補正する第３
工程と、 該第３工程で補正された前記第１マークと前記第２マー
クとの位置ずれ量に基づいて前記マスクと前記ショット
領域との前記第２方向の位置合わせを行う第４工程と、 を有することを特徴とする位置合わせ方法。 - 【請求項２】 前記第２工程において、前記基板上の複
数個のショット領域にそれぞれ付設された位置合わせ用
マークの位置を計測し、該計測結果を統計処理して前記
基板上の転写対象のショット領域の前記マスクに対する
回転角を求めることを特徴とする請求項１記載の位置合
わせ方法。 - 【請求項３】 前記マスクのパターンを前記ショット領
域に転写する工程を更に有することを特徴とする請求項
１又は２記載の位置合わせ方法。 - 【請求項４】 マスク上の第１マークから出射する光ビ
ームと、前記マスクのパターンが転写される基板上のシ
ョット領域に付設された第２マークから出射し前記第１
マークから第１方向に所定間隔だけ離れた位置で前記マ
スクを通過する光ビームとをそれぞれ検出して、前記第
１マークと前記第２マークとの前記第１方向に垂直な第
２方向への位置ずれ量を計測する第１工程と、前記ショ
ット領域と前記マスクとの回転角を検出する第２工程
と、前記第１工程で計測された位置ずれ量を前記第２工
程で計測された回転角に応じたオフセット分で補正する
第３工程と、を前記基板上の所定の複数個のショット領
域について実行し、 該所定の複数個のショット領域について得られた補正後
の位置ずれ量を統計処理して前記基板上の全部のショッ
ト領域の配列座標を算出し、該算出された配列座標に基
づいて前記基板上の各ショット領域の位置合わせ及び前
記マスクのパターンの転写を行うことを特徴とする位置
合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8161445A JPH1012520A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8161445A JPH1012520A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012520A true JPH1012520A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15735257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8161445A Withdrawn JPH1012520A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012520A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100451838C (zh) * | 2005-07-29 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 对准系统及对准方法 |
| CN102566286A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-11 | 上海微电子装备有限公司 | 提高旋转台精度的方法 |
| CN112838018A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 光学量测方法 |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP8161445A patent/JPH1012520A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100451838C (zh) * | 2005-07-29 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 对准系统及对准方法 |
| CN102566286A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-11 | 上海微电子装备有限公司 | 提高旋转台精度的方法 |
| CN112838018A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 光学量测方法 |
| CN112838018B (zh) * | 2019-11-25 | 2023-09-15 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 光学量测方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |