KR960026107A - 투영노광장치 - Google Patents

투영노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960026107A
KR960026107A KR1019950047667A KR19950047667A KR960026107A KR 960026107 A KR960026107 A KR 960026107A KR 1019950047667 A KR1019950047667 A KR 1019950047667A KR 19950047667 A KR19950047667 A KR 19950047667A KR 960026107 A KR960026107 A KR 960026107A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical system
substrate
mask
focus
pattern member
Prior art date
Application number
KR1019950047667A
Other languages
English (en)
Inventor
마사히꼬 오꾸마루
Original Assignee
오노 시게오
가부시끼가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 가부시끼가이샤 니콘 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR960026107A publication Critical patent/KR960026107A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Abstract

목적
레티클 얼라인먼트 광학계, 및 웨이퍼 얼라인먼트 광학계 모두를 초점이 합치된 상태에서 사용하여, 레티클 패턴의 노광중심과 웨이퍼 얼라인먼트 광학계의 검출중심과의 간격(베이스라인의 양)을 정확하게 검출한다.
구성
레티클(2)의 아래쪽에 투영광학계(1)가 배치되며, 투영광학계(1)의 아래쪽에 XY스테이지(10)가 배치되어 있다. XY 스테이지(10) 상에 3개의 상하이동기구(9A~9C)를 통해 Z 레벨링 테이블(5)이 올려지며, Z 레벨링 테이블(5) 상에 기준패턴판(6)과 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 홀더(7)가 병렬로 고정되어 있다. 기준패턴판(6) 상에, 레티클 얼라인먼트 광학계(4A,4B)용 지표마크(18A,18B)와, 웨이퍼 얼라인먼트 광학계(12)용의 기준마크(17)가 형성되어 있다.

Description

투영노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 투영노광장치의 제1실시예에 있어서의 주요부분을 도시한 사시도.

Claims (3)

  1. 마스크 상의 전사용 패턴의 상을 감광기판 상에 투영하는 투영광학계와, 상기 감광기판을 상기 투영광학계의 광축에 수직인 평면내에서 이동시키는 기판스테이지와, 상기 기판스테이지에 의해 상기 감광기판과 함께 이동되며, 제1 및 제2의 기준 마크가 형성된 기준패턴 부재와, 상기 감광기판 상에 형성된 정렬용 마크의 위치를 계측하는 기판측 얼라인먼트용 계측수단과, 상기 마스크 상에 형성된 정렬용 마크와 상기 기준패턴 부재상에 형성된 상기 제1기준 마크와의 상대적 위치관계를 상기 투영광학계를 통해 계측하는 마스크측 얼라인먼트용 계측수단을 가지며, 상기 제1기준마크에 대한 상기 마스크의 상대적 위치를 어긋난 량을 상기 마스크측 얼라인먼트용 계측수단에 의해 계측하는 것과 병행하여, 상기 제2기준마크의 위치를 상기 기판측 얼라인먼트용 계측수단에 의해 계측함으로써, 상기 마스크와 상기 기판측 얼라인먼트용 계측수단과의 상대적 위치관계를 구하는 투영노광장치에 있어서, 상기 기판스테이지 상에, 상기 기준패턴부재 표면의 상기 투영광학계의 광축방향의 위치, 및 상기 광축방향에 대한 경사각을 조정하는 높이 경사보정 테이블을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 높이 경사 보정 테이블 상에 상기 기준패턴 부재와 병렬로 상기 감광기판도 올려지는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기준패턴 부재의 상기 투영광학계에 대하여 초점 합치점으로부터 초점이 어긋난 양을 검출하는 초점위치 검출수단과, 상기 초점위치 검출수단의 검출결과로부터 상기 기준패턴 부재의 상기 기판측 얼라인먼트용 계측수단에 대하여 초점 합치점으로부터 초점이 어긋난 량을 산출하는 오프셋 연산수단을 구비하며, 상기 초점위치 검출수단의 검출결과 및 상기 오프셋 연산수단의 연산 결과를 바탕으로 상기 높이 경사 보정 테이블을 통해 상기 기준패턴 부재의 높이 및 경사각을 조정하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950047667A 1994-12-08 1995-12-08 투영노광장치 KR960026107A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1994-304524 1994-12-08
JP30452494A JP3451606B2 (ja) 1994-12-08 1994-12-08 投影露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960026107A true KR960026107A (ko) 1996-07-22

Family

ID=17934061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950047667A KR960026107A (ko) 1994-12-08 1995-12-08 투영노광장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3451606B2 (ko)
KR (1) KR960026107A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100678469B1 (ko) * 2005-01-17 2007-02-02 삼성전자주식회사 노광장치용 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼평행조절방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4078683B2 (ja) * 1996-11-28 2008-04-23 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法並びに走査露光方法
CN100390502C (zh) * 2003-03-12 2008-05-28 中国科学院沈阳自动化研究所 一种精密平行度测量方法
JP5197198B2 (ja) * 2008-07-04 2013-05-15 キヤノン株式会社 結像光学系、露光装置、及びデバイス製造方法
CN112305862B (zh) * 2019-07-25 2021-06-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 工件台位置校准方法、fls垂向定位工装及工件台测量系统
JP7309639B2 (ja) * 2020-03-13 2023-07-18 キオクシア株式会社 半導体装置製造システム、半導体装置製造プログラム、及び半導体装置の製造方法
CN111157529B (zh) * 2020-04-04 2020-07-07 博奥生物集团有限公司 图像采集方法及装置、自动对准方法及设备、核酸检测器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100678469B1 (ko) * 2005-01-17 2007-02-02 삼성전자주식회사 노광장치용 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼평행조절방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3451606B2 (ja) 2003-09-29
JPH08162391A (ja) 1996-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6525805B2 (en) Backside alignment system and method
JP2606285B2 (ja) 露光装置および位置合わせ方法
KR960011563A (ko) 투영 노광 시스템
KR970007505A (ko) 주사노광장치 및 이것을 사용한 노광방법
JPH0845814A (ja) 露光装置および位置決め方法
KR19980042558A (ko) 투영 노광 장치 및 투영 노광 방법
JPH0521314A (ja) 投影露光装置
KR950034471A (ko) 위치맞춤방법
JP3624065B2 (ja) 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JP2018072541A (ja) パターン形成方法、基板の位置決め方法、位置決め装置、パターン形成装置、及び、物品の製造方法
JPH0442815B2 (ko)
JPH10223528A (ja) 投影露光装置及び位置合わせ方法
KR960026107A (ko) 투영노광장치
US5638179A (en) Method for measuring amount of bend of moving mirror
US6362491B1 (en) Method of overlay measurement in both X and Y directions for photo stitch process
JP2020012892A5 (ko)
KR19990045161A (ko) 위치맞춤장치 및 투영노광장치
JP3303386B2 (ja) 投影露光装置及び方法
JPH0581046B2 (ko)
US6330355B1 (en) Frame layout to monitor overlay performance of chip composed of multi-exposure images
KR970012022A (ko) 얼라이먼트 방법
JPS62150106A (ja) 位置検出装置
EP0807854A1 (en) Exposure method and apparatus
JPH04333213A (ja) アライメントマーク
JPS62160723A (ja) アライメント装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination