JP2013038397A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置1は、試料Wに描画する描画パターンに基づいて荷電粒子ビームによる描画を行う描画部2と、地震の震度に関する震度情報を受信する震度受信部34と、その震度受信部34により地震の震度情報が受信された場合、描画部2による描画中の描画パターンの描画精度と、震度受信部34により受信された震度情報の震度とに応じて、描画部2による描画を中止する描画制御部33とを備える。
【選択図】図1
Description
第1の実施形態について図1乃至図4を参照して説明する。
一方、描画が再開可能であると判断されると(ステップS10のYES)、キャリブレーションが行われ(ステップS11)、処理がステップS5に進められる。
第2の実施形態について図5乃至図7を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点について説明し、第1の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
2 描画部
2a 描画室
2b 光学鏡筒
3 制御部
11 ステージ
12 ステージ移動部
13 撮像部
14 振動センサ
21 電子銃
22 照明レンズ
23 第1の成形アパーチャ
24 投影レンズ
25 成形偏向器
26 第2の成形アパーチャ
27 対物レンズ
28 副偏向器
29 主偏向器
31 描画データ記憶部
32 ショットデータ生成部
33 描画制御部
33a 描画精度レベル情報記憶部
33b 中断位置情報記憶部
33c 退避距離レベル情報記憶部
34 震度受信部
35 位置ずれ量検出部
36 ドリフト量検出部
A1 主偏向領域
B 電子ビーム
D1 描画進行方向
D2 描画進行方向の逆方向
R1 ストライプ領域
R1a 描画済領域
R1b 未描画領域
R2 サブ領域
W 試料
Claims (10)
- 試料に描画する描画パターンに基づいて荷電粒子ビームによる描画を行う描画部と、
地震の震度に関する震度情報を受信する震度受信部と、
前記震度受信部により前記震度情報が受信された場合、前記描画部による描画中の描画パターンの描画精度と、前記震度受信部により受信された前記震度情報の震度とに応じて、前記描画部による前記描画を中止する描画制御部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記描画制御部は、前記描画パターンを複数のストライプ領域に分割し、前記ストライプ領域を複数のサブ領域に分割し、前記ストライプ領域毎に前記描画部による前記描画を行い、前記震度受信部により前記震度情報が受信された場合、描画途中の前記サブ領域の描画を完了させてから前記描画部による前記描画を中止することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記描画制御部は、前記描画部による前記描画が中止された前記ストライプ領域及び前記サブ領域を特定する情報を記憶することを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記試料の位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出部を備え、
前記描画制御部は、前記位置ずれ量検出部により検出された前記試料の位置ずれ量に応じて、前記描画部による前記描画を再開することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記荷電粒子ビームのドリフト量を検出するドリフト量検出部を備え、
前記描画制御部は、前記ドリフト量検出部により検出された前記荷電粒子ビームのドリフト量を補正するドリフト補正量を求め、前記描画部による前記描画を再開することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 試料を支持するステージと、
前記ステージを平面方向に移動させるステージ移動部と、
前記ステージ上の試料に荷電粒子ビームを偏向照射して描画を行う描画部と、
緊急地震速報を受信する速報受信部と、
前記ステージ移動部により前記ステージを平面方向に移動させながら前記描画部により前記ステージ上の試料に荷電粒子ビームを偏向照射して描画を行う描画制御部であって、前記速報受信部により前記緊急地震速報が受信された場合、前記ステージ移動部による前記ステージの移動を停止し、停止した前記ステージ上の試料における前記荷電粒子ビームが偏向照射される偏向領域内の全描画を完了させる描画制御部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記描画制御部は、前記ステージ移動部による前記ステージの移動を停止した場合、前記描画を行う場合の前記ステージの移動方向と逆方向に前記ステージ移動部により前記ステージを退避させることを特徴とする請求項6に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記描画制御部は、前記ステージ移動部による前記ステージの退避距離を地震の震度に応じて変更することを特徴とする請求項7に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記描画制御部は、前記ステージ移動部による前記ステージの移動を停止した場合、前記描画部による前記試料に対する前記荷電粒子ビームの照射を停止することを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 試料を支持するステージを平面方向に移動させながら、前記ステージ上の試料に荷電粒子ビームを偏向照射して描画を行うステップと、
緊急地震速報を受信するステップと、
前記緊急地震速報を受信した場合、前記ステージの移動を停止し、停止した前記ステージ上の試料における前記荷電粒子ビームが偏向照射される偏向領域内の全描画を完了させるステップと、
を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2020136353A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置および描画方法 |
US11756766B2 (en) | 2021-04-05 | 2023-09-12 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6032050A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS6469011A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
JP2002535719A (ja) * | 1999-01-21 | 2002-10-22 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | レーザー記録方法およびシステム |
JP2003255549A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Konica Corp | 描画システム、情報処理装置、電子ビーム描画装置、基材の検査方法、その方法を実行するためのプログラム、プログラムを記録した記録媒体、描画方法、及び基材の製造方法 |
JP2007043083A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Nuflare Technology Inc | 電子ビームのビームドリフト補正方法及び電子ビームの描画方法 |
JP2010027781A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Nikon Corp | 露光装置、露光システム、露光方法及びデバイス製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6032050A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS6469011A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
JP2002535719A (ja) * | 1999-01-21 | 2002-10-22 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | レーザー記録方法およびシステム |
JP2003255549A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Konica Corp | 描画システム、情報処理装置、電子ビーム描画装置、基材の検査方法、その方法を実行するためのプログラム、プログラムを記録した記録媒体、描画方法、及び基材の製造方法 |
JP2007043083A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Nuflare Technology Inc | 電子ビームのビームドリフト補正方法及び電子ビームの描画方法 |
JP2010027781A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Nikon Corp | 露光装置、露光システム、露光方法及びデバイス製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020136353A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置および描画方法 |
JP7037513B2 (ja) | 2019-02-14 | 2022-03-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置および描画方法 |
US11556114B2 (en) | 2019-02-14 | 2023-01-17 | Nuflare Technology, Inc. | Drawing apparatus and drawing method |
US11756766B2 (en) | 2021-04-05 | 2023-09-12 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
TWI831161B (zh) * | 2021-04-05 | 2024-02-01 | 日商紐富來科技股份有限公司 | 帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法 |
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