JP7037513B2 - 描画装置および描画方法 - Google Patents

Description

本実施形態は、描画装置および描画方法に関する。

マスク描画装置は、プレート（マスクブランクス）に荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを描画する装置である。マスク描画装置では、緊急地震速報を利用した緊急地震停止（以下ＥＱＳ:Emergency Quake Stop）機能を有する場合があり、地震発生時に描画処理を一時的に停止状態（以下、緊急一時停止状態ともいう）にする。

このような緊急一時停止状態からの復帰は、マスク描画装置の状態を人手で確認してから行われる。あるいは、マスク描画装置は、緊急一時停止の指示を受けてから所定時間後に自動復帰するように設定されている。

しかし、描画を実行するライティングチャンバ（Ｗチャンバ）は、高い真空状態に保たれているため、その内部を目視することができない。従って、操作者は、プレートがステージから大きくずれていたり、アース用の庇がプレートからずれていることを直接確認することはできない。このような状況で描画処理を続行すると、描画精度が低下したり、あるいは、プレートが接地されていないまま荷電粒子によって帯電してしまう場合がある。プレートがステージからずれていると、プレートがＷチャンバの内壁に衝突するおそれがある。また、プレートが帯電すると、プレートからの放電によってマスク描画装置が破損するおそれもある。

特開２０１６－００１７６１号公報 特開２０１３－０３８３９７号公報 特開２０１２－２０８１４０号公報

描画精度を維持しつつ、緊急一時停止状態から安全に自動復帰することができる描画装置を提供する。

本実施形態による描画装置は、処理対象を収容するチャンバと、荷電粒子ビームで処理対象に所定のパターンを描画する描画部と、チャンバ内において処理対象を接地させるアース部材を介して、処理対象の抵抗値を測定する抵抗測定部と、地震情報を受信する受信部と、受信部が地震情報を受信したときにチャンバ内の描画処理を停止する制御部と、抵抗測定部からの抵抗値に基づいて処理対象が接地されているか否かを判断する演算処理部とを備え、制御部は、描画処理の停止後、処理対象が接地されていると判断された場合に、描画処理を再開する。

描画装置は、チャンバ内におけるアース部材の位置を測定する第１位置測定部をさらに備え、演算処理部は、描画前に測定されたアース部材の第１基準位置と描画処理の停止後に測定されたアース部材の第１位置との差に基づいてアース部材の位置の異常を判断してもよい。

制御部は、第１基準位置と第１位置との差の分だけ、処理対象に対する描画位置を移動させてもよい。

描画装置は、処理対象に設けられたアライメントマークを用いて該処理対象の位置を測定する第２位置測定部をさらに備え、演算処理部は、描画前に測定されたアライメントマークの第２基準位置と描画処理の停止後に測定されたアライメントマークの第２位置との差に基づいて処理対象の位置の異常を判断してもよい。

描画装置は、当該描画装置の加速度を検出する振動センサをさらに備え、演算処理部は、加速度が閾値以上である場合に描画処理の再開を不可とする信号を制御部へ送信し、所定期間経過後に再測された加速度が閾値未満である場合に描画処理の再開を可能とする信号を制御部へ送信してもよい。

第１実施形態に係る描画装置の模式図。 アース体の構成の一例を示す斜視図。 図２のアース体をマスク基板にセットした状態の側面図。 Ｗチャンバ内部の模式図。 抵抗測定部の構成図。 Ｗチャンバ内において、マスク基板の抵抗値を測定する様子を示す概略図。 描画装置の動作の一例を示すフロー図。 緊急地震情報を受信した場合の描画装置の動作の一例を示すフロー図。 第２実施形態による描画装置の構成例を示す断面模式図。 アライメントマークおよび照射部からのレーザ光のスポットを示す概念図。 アライメントマークをレーザ光のスポットで走査している様子を示す図。 第２実施形態による描画装置の動作の一例を示すフロー図。 緊急地震情報を受信した場合の第２実施形態による描画装置の動作の一例を示すフロー図。 第３実施形態による描画装置の動作の一例を示すフロー図。

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適
宜省略する。

（第１実施形態）
図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、第１実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置（以下、単に、描画装置ともいう）１０の模式図である。図１（Ａ）は、描画装置１０の水平方向の断面模式図である。図１（Ｂ）は、描画装置１０の鉛直方向の断面模式図である。以下、図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、描画装置１０の構成について説明する。なお、荷電粒子ビームは、特に限定しないが、例えば、電子ビーム、イオンビーム等である。以下の実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いて説明する。

図１（Ａ）に示すように、描画装置１０は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）１００と、搬入出（Ｉ／Ｏ）チャンバ２００と、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００と、ライティングチャンバ（Ｗチャンバ）４００と、電子ビーム鏡筒５００と、制御機構６００と、演算処理部７００と、受信部８００と、ゲートバルブＧ１～Ｇ３とを備える。なお、図１中の鎖線は、制御信号やデータ等の流れを示している。

Ｉ／Ｆ１００は、マスク基板（プレート）Ｗが収容された容器Ｃ（例えば、ＳＭＩＦＰｏｄ）を載置する載置台１１０と、マスク基板Ｗを搬送する搬送ロボット１２０とを備える。

Ｉ／Ｏチャンバ２００は、Ｒチャンバ３００内を真空（低気圧）に保ったままマスク基板Ｗを搬入出するためのいわゆるロードロックチャンバである。Ｉ／Ｏチャンバ２００とＩ／Ｆ１００との間にはゲートバルブＧ１が設けられている。Ｉ／Ｏチャンバ２００には、真空ポンプ２１０およびガス供給系２２０が設けられている。真空ポンプ２１０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする。ガス供給系２２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００を大気圧とする際にＩ／Ｏチャンバ２００内へベント用ガスを供給する。

Ｒチャンバ３００は、真空ポンプ３１０と、アライメントチャンバ（ＡＬＮチャンバ）３２０と、アース体チャンバ（Ｈチャンバ）３３０と、搬送ロボット３４０とを備える。Ｒチャンバ３００は、ゲートバルブＧ２を介してＩ／Ｏチャンバ２００と接続されている。

真空ポンプ３１０は、Ｒチャンバ３００に接続されており、Ｒチャンバ３００内を真空引きして高真空を保つ。

Ｈチャンバ３３０は、マスク基板Ｗを接地するためのアース体Ｈを収容する。アース体Ｈは、マスク基板Ｗの外縁を被覆し、マスク基板Ｗの外縁に電子ビーム（例えば、電子ビーム）の電荷が蓄積することを抑制する。即ち、アース体Ｈは、マスク基板Ｗの外縁に対する“ひさし”として機能する。また、アース体Ｈは、マスク基板Ｗに蓄積される電子ビームの電荷をアースに逃がすために設けられている。

ＡＬＮチャンバ３２０は、マスク基板Ｗを位置決め（アライメント）するためのチャンバである。ＡＬＮチャンバ３２０において、マスク基板Ｗのアライメントが行われる。

搬送ロボット３４０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００、ＡＬＮチャンバ３２０、Ｈチャンバ３３０及びＷチャンバ４００間で、マスク基板Ｗを搬送する。

Ｗチャンバ４００は、真空ポンプ４１０と、Ｘ－Ｙステージ４２０と、レーザ測位計４３０Ａ，４３０Ｂと、を備え、ゲートバルブＧ３を介してＲチャンバ３００と連結されている。Ｗチャンバ４００は、電子ビームでマスク基板Ｗに所定のパターンを描画するためにマスク基板Ｗを収容可能である。

真空ポンプ４１０は、Ｗチャンバ４００に接続されており、Ｗチャンバ４００内を真空引きして高真空を保つ。Ｘ－Ｙステージ４２０は、マスク基板Ｗを載置可能となっている。レーザ測位計４３０Ａ、４３０Ｂは、Ｘ－Ｙステージ４２０のＸ―Ｙ面（略水平面）内の位置を計測する。また、レーザ測位計４３０Ａ、４３０Ｂは、Ｘ－Ｙステージ４２０上のマスク基板Ｗおよびアース体Ｈのいずれか一方または両方の位置も測定する。尚、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置は、レーザ測位計４３０Ａ，４３０Ｂとは別体のレーザ測位計で測定してもよい。また、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置は、図１（Ｂ）に示すＣＣＤカメラ４３２がＸ－Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの画像を撮像することによって測定してもよい。

Ｗチャンバ４００内には、アーススプリング（図４のＥｂ、Ｅｃ参照）が設けられている。アーススプリングは、接地されており、Ｘ－Ｙステージ４２０上にマスク基板Ｗを載置したときに、アース体Ｈと接触するように構成されている。これにより、描画の際に、マスク基板Ｗは、アース体Ｈおよびアーススプリングを介して接地される。また、Ｗチャンバ４００には、抵抗測定部４０が設けられている。抵抗測定部４０は、Ｗチャンバ４００内において、マスク基板Ｗを接地させるアース体Ｈおよびアーススプリングを介してマスク基板Ｗの抵抗値を測定する。

図１（Ｂ）の電子ビーム鏡筒（描画部）５００は、電子銃５１０、アパーチャ５２０、偏向器５３０、レンズ５４０（照明レンズ（ＣＬ）、投影レンズ（ＰＬ）、対物レンズ（ＯＬ））等から構成される電子ビーム照射手段を備え、Ｘ－Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗに電子ビームを照射し、マスク基板Ｗに所定のパターンを描画する。

制御機構６００は、例えば、コンピュータ等であり、ＭＰＵ６０１、メモリ６０２（例えば、Solid State Drive(ＳＳＤ)、Hard Disk Drive(ＨＤＤ)）等を備える。制御機構６００は、描画装置１０の動作を制御する。

演算処理部７００は、例えば、制御機構６００とは別に設けられたコンピュータ等であり、ＭＰＵ７０１、メモリ７０２（例えば、 ＳＳＤ、ＨＤＤ）等を備える。演算処理部７００は、制御機構６００と同一コンピュータであっても構わない。演算処理部７００は、抵抗測定部４０からのマスク基板Ｗの抵抗値を受け取り、マスク基板Ｗが接地されているか否かのアースチェックを行う。アースチェックについては、後で詳細に説明する。

受信部８００は、気象庁等から得られる緊急地震情報ＥＱを受信する。緊急地震情報ＥＱは、気象庁等の機関や企業から一般に提供されているものでもよい。あるいは、緊急地震情報ＥＱは、描画装置１０自体の揺れを検出する振動センサ（加速度センサ）５０からの振動検出信号であってもよい。振動センサ５０は、描画装置１０の内部または外部のいずれに配置されてもよい。例えば、緊急地震情報ＥＱが所定震度以上の揺れを示している場合、制御機構６００は、ＥＱＳ機能により、Ｗチャンバ４００内における描画処理を自動停止する。これにより、地震の揺れにより、描画の精度が劣化することを抑制できる。

（アース体Ｈの構成）
図２は、アース体Ｈの構成の一例を示す斜視図である。図３は、図２のアース体Ｈをマスク基板Ｗにセットした状態の側面図である。なお、図３には、アース体Ｈを簡略化して示している。また、図３に示すように、マスク基板Ｗは、ガラス基板Ｗａ上に遮光膜Ｗｂ（例えば、クロム（Ｃｒ））と、レジスト膜Ｗｃとが積層された構成を有する。

図２に示すように、アース体Ｈは、３本のアースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃと、額縁形状の枠体Ｈ２とを備える。枠体Ｈ２、アースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃには、例えば、チタン、ジルコニア等の導電性材料を用いている。アースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃは、例えば、枠体Ｈ２の内周と外周とを挟んで固定される金属部材である。アースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃは、枠体Ｈ２の内周側に鋭角に尖ったピン部Ｐａ～Ｐｃを有する。これにより、アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットしたときに、図３に示すように、ピン部Ｐａ～Ｐｃがマスク基板Ｗの基材Ｗａ上に形成されたレジスト膜Ｗｃを突き破って遮光膜Ｗｂと接触する。また、アースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃは、枠体Ｈ２の外周側にコネクタＣａ～Ｃｃを有する。コネクタＣａ～Ｃｃは、それぞれピン部Ｐａ～Ｐｃと電気的に接続されている。コネクタＣｂおよびＣｃは、アースピンＨ１ｂおよびＨ１ｃをアーススプリングに電気的に接続するために設けられている。

アースピンＨ１ａは、枠体Ｈ２に電気的に接続されているが、接地されない。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃの一方は、枠体Ｈ２に電気的に接続されている。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃの他方は絶縁体を介して枠体Ｈ２に設けられており枠体Ｈ２から電気的に分離されている。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃは、アーススプリングを介して接地される。

図３に示すように、アース体Ｈをマスク基板Ｗにセットすると、アース体ＨのアースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃが自重によりレジスト膜Ｗｃを突き破って導電体である遮光膜Ｗｂと接触する。これにより、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂは、アースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃを介して接地される。このため、電子ビームの照射によりマスク基板Ｗへ蓄積される電荷は、このアース体Ｈを介して排出される。また、アース体Ｈの枠体Ｈ２は、アースピンＨ１ａを介して接地される。このため、枠体Ｈ２に蓄積される電荷は、アースピンＨ１ａを介して排出される。

このように、Ｗチャンバ４００内において、アースピンＨ１ａ～Ｈ１ｃは、アーススプリングを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを接地する。これにより、描画中に、電子ビームの照射により遮光膜Ｗｂに蓄積される電荷をアースへ放電することができる。

（Ｗチャンバ４００内部の構成）
図４は、Ｗチャンバ４００内部に配置されるＸ－Ｙステージ４２０の模式図である。Ｗチャンバ４００内のＸ－Ｙステージ４２０は、マスク基板Ｗを支持する複数のマスク支持部４２１と、マスク基板Ｗを接地するアーススプリングＥｂ、Ｅｃとを備える。図４は、Ｘ－Ｙステージ４２０上にマスク基板Ｗを載置した状態を示している。マスク支持部４２１は、Ｘ－Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗおよびアース体Ｈを下方から支持する。アーススプリングＥｂ、Ｅｃは、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃと弾性的に接触し、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを接地する。このように、Ｗチャンバ４００では、マスク基板ＷをＸ－Ｙステージ４２０上に載置し、アーススプリングＥｂ、Ｅｃで接地した状態で描画を実行する。

（抵抗測定部４０の構成）
図５は、抵抗測定部４０の構成図である。抵抗測定部４０は、Ｗチャンバ４００の外部に配置されたＤＣ電源４１と、ＤＣ電源４１に接続されたコントローラ４２とを備える。コントローラ４２は、電流制御回路４２ａと、電圧測定回路４２ｂと、抵抗値算出回路４２ｃとを備え、端子４０ａ，４０ｂ間の電気抵抗を測定する。端子４０ａ、４０ｂは、Ｗチャンバ４００内に設けられ、上述したアーススプリングＥｂ，Ｅｃとそれぞれ接続可能となっている。

抵抗測定部４０は、アース体Ｈがマスク基板Ｗにセットされた状態で、アーススプリングＥｂ、Ｅｃとマスク基板Ｗとの間の接触抵抗値（抵抗値）を測定する。具体的には、電流制御回路４２ａが端子４０ａ，４０ｂ間に一定値の電流を流し、電圧測定回路４２ｂが端子４０ａ，４０ｂ間の電圧を測定する。そして、抵抗値算出回路４２ｃが端子４０ａ，４０ｂ間を流れる電流値と測定される電圧値から端子４０ａ，４０ｂ間の抵抗値を算出する。なお、抵抗値を測定する際は、抵抗測定部４０の端子４０ａ，４０ｂとアーススプリングＥｂ，Ｅｃとはそれぞれ電気的に接続された状態となっている。例えば、抵抗測定部４０は、端子４０ａ、４０ｂのそれぞれに接続された複数の測定ピン（図示せず）を備え、その測定ピンをアーススプリングＥｂ，Ｅｃに接触させればよい。

上述したように、アースピンＨ１ｂ又はＨ１ｃは、絶縁体を介して枠体Ｈ２に設けられている。このため、電流制御回路４２ａにより印加される電流は、アーススプリングＥｂ，Ｅｃ、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃ及びマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを介して端子４０ａ，４０ｂ間を流れる。ここで、端子４０ａ，４０ｂとアーススプリングＥｂ，Ｅｃとの接続抵抗値は非常に小さく、ほぼ無視できる。このため、抵抗測定部４０は、アーススプリングＥｂとアーススプリングＥｃとの間において、例えば、アーススプリングＥｂ，Ｅｃ、アースピンＨ１ｂ，Ｈ１ｃ及びマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの抵抗値を測定することができる。

（マスク基板Ｗの抵抗値の測定）
図６は、Ｗチャンバ４００内において、マスク基板Ｗの抵抗値を測定する様子を示す概略図である。マスク基板Ｗの抵抗値は、アーススプリングＥｂ、Ｅｃを介して測定する。例えば、図４を参照して説明したように、Ｗチャンバ４００内において、マスク基板ＷがＸ－Ｙステージ４２０上に載置されたときに、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃは、それぞれアーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触する。アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃのコネクタＣｂ、Ｃｃは、アーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触し、アーススプリングＥｂ、Ｅｃと電気的に導通する。

図４を参照して説明したように、描画中においては、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂを接地する。一方、描画を実行する前および緊急一時停止後の復帰シーケンスにおいて、抵抗測定部４０は、図５を参照して説明したように、アーススプリングＥｂとアーススプリングＥｃとの間の抵抗値を測定し、アースチェックを行う。例えば、抵抗測定部４０の端子４０ａ、４０ｂに接続された測定ピンＭｂ、Ｍｃを、アーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触させておく。これにより、抵抗測定部４０は、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃおよびアーススプリングＥｂ、Ｅｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの抵抗値を測定する。コネクタＣｂ、ＣｃがアーススプリングＥｂ、Ｅｃから外れていたり、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃが遮光膜Ｗｂから外れていると、抵抗値は異常値を示すことになる。

（描画装置１０の動作）
次に、描画装置１０の動作について説明する。

図７は、描画装置１０の動作の一例を示すフロー図である。なお、描画装置１０は、制御機構６００により制御される。また、アース体Ｈおよびマスク基板Ｗの異常は、演算処理部７００にて判定される。Ｒチャンバ３００およびＷチャンバ４００内は、真空引きされた状態であるものとする。

まず、マスク基板Ｗを収容した容器Ｃを図１の載置台１１０に載置する。搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃから取り出し、Ｉ／Ｏチャンバ２００内に載置する（Ｓ１０）。Ｉ／Ｏチャンバ２００内が所定の圧力まで真空引きされた後、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内から取り出し、ＡＬＮチャンバ３２０にマスク基板Ｗを搬送する。ＡＬＮチャンバ３２０では、マスク基板Ｗの位置合わせ（アライメント）が行われる（Ｓ２０）。アライメント後、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＨチャンバ３３０に搬送し、Ｈチャンバ３３０に載置されているアース体Ｈをマスク基板Ｗにセットする（Ｓ３０）。次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＷチャンバ４００内のＸ－Ｙステージ４２０上に載置する（Ｓ６０）。マスク基板ＷがＸ－Ｙステージ４２０上に載置されることによって、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃのコネクタＣｂ、Ｃｃは、Ｗチャンバ４００内に設けられたアーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触する。

次に、アースチェックを実行する。アースチェックでは、Ｗチャンバ４００の抵抗測定部４０が端子４０ａ，４０ｂをアーススプリングＥｂ、Ｅｃに接触させ、アーススプリングＥｂ、ＥｃおよびアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの抵抗値を測定する（Ｓ７０）。次に、演算処理部７００のＭＰＵ７０１が、その抵抗値と予め設定された所定範囲とを比較する（Ｓ８０）。

抵抗値が所定範囲外である場合（Ｓ８０のＮＯ）、ＭＰＵ７０１はアースエラーと判定する。アースエラーは、アーススプリングＥｂ、ＥｃとアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃとの接触、あるいは、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃと遮光膜Ｗｂとの接触等の不良により生じると考えられる。アースエラーが発生した場合、遮光膜Ｗｂに電圧を再度印加し、アースチェックを再度実施する（Ｓ７０、Ｓ８０、Ｓ８１のＮＯ）。アースチェック（Ｓ７０、Ｓ８０）を所定回数実行しても、アースエラーとなる場合（Ｓ８１のＹＥＳ）には、描画処理（Ｓ９０）を実行することなく、処理は終了する。この場合、マスク基板Ｗは、容器Ｃへもどされ、必要に応じてメンテナンスを行う（Ｓ９５）。

抵抗値が所定範囲内である場合（Ｓ８０のＹＥＳ）、ＭＰＵ７０１は、マスク基板Ｗが正常に接地されていると判定し、その抵抗値を基準抵抗値としてメモリ７０２に格納する（Ｓ８２）。

描画開始前のアースチェック（Ｓ７０、Ｓ８０）の実行と同時またはその前後において、レーザ測位計４３０Ａ、４３０Ｂが、Ｘ－Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置を測定する。あるいは、ＣＣＤカメラ４３２が、Ｘ－Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの画像を撮像しその位置を測定する（Ｓ８５）。本実施形態では、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置は、アースチェック後に測定されている。描画開始前に測定されたマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置は、第１基準位置としてメモリ７０２に予め格納する（Ｓ８６）。尚、演算処理部７００は、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置についても正常か否かを、アースチェックと同様に判断してもよい。この場合、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置が正常と判断された場合に、その位置を第１基準位置としてメモリ７０２に格納し、描画処理を実行する。一方、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置が異常と判断された場合には、描画処理（Ｓ９０）を実行することなく、処理を終了してよい。

描画処理を開始すると、Ｗチャンバ４００において、電子ビームがマスク基板Ｗに照射され、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂに所望のパターンが描画される（Ｓ９０）。マスク基板Ｗに蓄積される電荷は、アースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃおよびアーススプリングＥｂ、Ｅｃを介してアースへ流れる。よって、マスク基板Ｗが描画中に帯電することを抑制することができる。

マスク基板Ｗへの描画が終了すると、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＷチャンバ４００から取り出し、マスク基板ＷをＨチャンバ３３０内へ搬送する。搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗにアース体Ｈをセットした時とは逆の手順で、アース体ＨをＨチャンバ３３０内へ収容する。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内へ載置する。

次に、ゲートバルブＧ２をＣｌｏｓｅし、ガス供給系２２０からベント用ガスが供給されＩ／Ｏチャンバ２００内が大気圧まで昇圧された後、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎする。搬送ロボット１２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００内からマスク基板Ｗを取り出し、マスク基板Ｗを容器Ｃ内へ収容する（Ｓ９５）。このように、描画装置１０は、マスク基板Ｗのアースチェックを行い、描画処理を実行する。

ここで、描画中に受信部８００が緊急地震情報ＥＱを受信した場合について説明する。

図８は、緊急地震情報ＥＱを受信した場合の描画装置１０の動作の一例を示すフロー図である。ステップＳ９０の描画処理中において、受信部８００が緊急地震情報ＥＱを受信すると（Ｓ１００）、制御機構６００は、描画処理を中断する（Ｓ１１０）。このような地震による緊急停止の後、描画装置１０は、復旧シーケンスを以下のように実行する。

まず、抵抗測定部４０および演算処理部７００がアースチェックを再度行う（Ｓ１２０）。アースチェックの動作は、ステップＳ７０、Ｓ８０の動作と同様である。抵抗測定部４０が、図７のステップＳ８０と同様に、端子４０ａ，４０ｂ、アーススプリングＥｂ、ＥｃおよびアースピンＨ１ｂ、Ｈ１ｃを介してマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂに電圧を印加し、それらの抵抗値（第１抵抗値）を測定する（Ｓ１２１）。演算処理部７００は、ステップＳ１２１において抵抗測定部４０で測定された第１抵抗値に基づいてマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されているか否かを判断する。例えば、演算処理部７００は、ステップＳ１２１で測定された第１抵抗値とステップＳ８０で測定された基準抵抗値と比較する（Ｓ１２２）。

第１抵抗値と基準抵抗値との差が予め設定された閾値以上である場合（Ｓ１２２のＮＯ）、演算処理部７００は、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されていないと判断する。アースチェックの閾値は、メモリ７０２に予め格納しておけばよい。

尚、アースチェックおよび第１抵抗値と基準抵抗値との比較は所定回数繰り返してもよい。それでも第１抵抗値と基準抵抗値との差が閾値以上である場合に、演算処理部７００は、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されていない、と判断するようにしてもよい。これにより、アース不良を確実に検出することができる。

マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されていないと判断された場合、演算処理部７００は、描画処理の再開を不可とする信号（再開不可信号）を制御機構６００へ送信する。制御機構６００は、再開不可信号に基づいて描画処理（Ｓ９０）を再開することなく、エラー処理を実行し終了する（Ｓ１５１）。エラー処理は、ステップＳ９５と同様にマスク基板Ｗを容器Ｃへ戻すとともに、エラー通知を外部ディスプレイ（図示せず）等に表示する処理である。

一方、第１抵抗値と基準抵抗値との差が予め設定された閾値よりも小さい場合（Ｓ１２２のＹＥＳ）、演算処理部７００は、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されていると判断する（Ｓ１２３）。この段階で描画を再開してもよい。本実施形態においては、演算処理部７００は、さらに、ステージ４２０に対するマスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれ量をチェックする（Ｓ１３０）。ずれ量のチェックは、Ｗチャンバ４００に設けられた第１位置測定部としてのレーザ測位計４３０Ａ、４３０ＢまたはＣＣＤカメラ４３２（図１参照）を用いて実行される。

ずれ量のチェックにおいては、レーザ測位計４３０Ａ、４３０ＢまたはＣＣＤカメラ４３２がマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置（第１位置）を再度測定する（Ｓ１３１）。

次に、演算処理部７００は、描画前のマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの第１基準位置と描画処理停止後のマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの第１位置との差に基づいてマスク基板Ｗおよびアース体Ｈの位置の異常を判断する（Ｓ１３２）。例えば、第１基準位置と第１位置との差が予め設定された閾値未満である場合（Ｓ１３２のＹＥＳ）、演算処理部７００は、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈがステージ４２０に対してあまりずれていないと判断する（Ｓ１３３）。この場合、演算処理部７００は、第１基準位置と第１位置との差を制御機構６００へ送信するとともに、描画処理の再開を許可する信号（再開許可信号）を制御機構６００へ送信する。尚、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれの閾値は、後述するショット位置の調整によって補正可能な範囲内で設定され、メモリ７０２に予め格納しておけばよい。

制御機構６００は、第１基準位置と第１位置との差の分だけ、マスク基板Ｗに対する描画位置（ショット位置）を補正する（Ｓ１４０）。例えば、制御機構６００は、第１基準位置と第１位置との差を、電子ビーム鏡筒５００からの電子ビームのショット位置をデータ上で調整することにより補正することができる。あるいは、制御機構６００は、第１基準位置と第１位置との差を、ステージ４２０の位置調整により補正してもよい。これにより、電子ビーム鏡筒５００は、描画処理を停止した位置から描画処理を再開することができ、描画精度を維持することができる。そして、制御機構６００は、再開許可信号に基づいて描画処理を再開する（Ｓ１５０）。描画処理は、図７のステップＳ９０以降を実行すればよい。

一方、第１基準位置と第１位置との差が閾値よりも大きい場合（Ｓ１３２のＮＯ）、演算処理部７００は、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈがステージ４２０に対して大きくずれており、それらの位置が異常であると判断する（Ｓ１３４）。この場合、演算処理部７００は、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれをショット位置の調整では補正できないと判断し、描画処理の再開を不可とする信号（再開不可信号）を制御機構６００へ送信する。制御機構６００は、再開不可信号に基づいて描画処理（Ｓ９０）を再開することなく、エラー処理を実行し終了する（Ｓ１５１）。

以上のように、第１実施形態による描画装置１０によれば、緊急地震情報等によって描画処理が緊急停止した後、復旧シーケンスにおいて、抵抗測定部４０および演算処理部７００がアースチェックを行う。アースチェックは、描画開始前のステップＳ７０、Ｓ８０において測定された基準抵抗値と復旧シーケンスのステップＳ１２１において測定された第１抵抗値とを比較することにより実行される。これにより、演算処理部７００は、復旧シーケンスにおいて測定された抵抗値が基準抵抗値から所定範囲内に入っているか否かを判断し、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの接地状態を確認することができる。

さらに、本実施形態によれば、演算処理部７００は、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれ量をチェックする。マスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれ量を確認し、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈが描画開始前のステージ４２０上の元の位置から大きくずれていないと判断した場合に、制御機構６００は、描画処理を再開可能とする。マスク基板Ｗおよびアース体Ｈが描画開始前のステージ４２０上の元の位置から大きくずれている場合には、制御機構６００は、描画処理を再開しない。

制御機構６００は、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれ量の分だけショット位置を補正し、描画処理を再開する。これにより、緊急停止後、停止した位置から描画処理を再開することができ、描画精度を維持することができる。尚、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれ量の補正は、描画位置の補正やステージ４２０の機械的な動作が伴う。一方、アースチェックは電気的なチェックのみで実施できる。従って、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈのずれ量の測定および補正は、アースチェック後に実行されることが好ましい。

尚、本実施形態において、演算処理部７００は、緊急停止後に、アースチェックおよびアース体Ｈ（マスク基板Ｗ）のずれ量チェックの両方を実行している。しかし、演算処理部７００は、緊急停止後に、アースチェックを実行し、アース体Ｈ（マスク基板Ｗ）のずれ量チェックを省略してもよい。この場合、図８のステップＳ１３０は省略され、ステップＳ１２３においてマスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂの接地が確認され、安全性を確保した後、制御機構６００は、ステップＳ１５０の描画を再開することができる。

（第２実施形態）
図９は、第２実施形態による描画装置の構成例を示す断面模式図である。第２実施形態の描画装置１０は、位相シフトマスク（ＰＳＭ（Phase-Shifting Mask））の描画に用いられる描画装置である。位相シフトマスク用のマスク基板Ｗは、複数回の描画処理を行うため、かつ、描画精度を高めるためにアライメントマークを有する。位相シフトマスクを用いた場合、マスク基板Ｗ上のアライメントマークを用いて位置合わせを行うため、マスク基板を正確に位置付けることができ、描画精度が向上する。

描画装置１０は、マスク基板Ｗに設けられたアライメントマークを用いてマスク基板Ｗの位置を測定する第２位置測定部として照射部９０１および受光部９０２をさらに備えている。照射部９０１は、レーザ光をマスク基板Ｗの表面に斜め上方から収束して照射する。受光部９０２は、マスク基板Ｗからの反射光を受光して反射光の光量を検出する。演算処理部７００は、照射部９０１にレーザ光の照射を指示し、受光部９０２からの反射光の光量に基づいてマスク基板Ｗ上のアライメントマークの位置を測定する。尚、演算処理部７００は、照射部９０１および受光部９０２を用いてマスク基板Ｗの高さを測定してもよい。第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。

図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）は、アライメントマークおよび照射部９０１からのレーザ光のスポットＳＰを示す概念図である。

図１０（Ａ）に示すように、アライメントマーク１０１は、例えば、互いに直交するＸ－Ｙ方向に延伸する線状の２本のラインパターンまたはスペースパターンで十字形に構成されている。マスク基板Ｗがステージ４２０上に載置されたときに、アライメントマーク１０１は、Ｘ方向およびＹ方向に略平行になる。尚、図１０（Ａ）に示すようなアライメントマーク１０１は、例えば、マスク基板Ｗの四隅に設けられている。

図１０（Ｂ）に示すように、アライメントマーク１０１は、遮光膜Ｗｂを除去した部分で構成され、アライメントマーク１０１における光の反射率は他の部分より低くなる。従って、受光部９０２がレーザ光の反射光の光量を検出することによって、演算処理部７００は、アライメントマーク１０１とマスク基板Ｗのその他の領域とを区別することができる。

図１１は、アライメントマークをレーザ光のスポットＳＰで走査している様子を示す図である。ステージ４２０を移動させながら照射部９０１からのレーザ光でマスク基板Ｗ上を走査する。レーザ光のスポットＳＰがアライメントマーク１０１にさしかかると、受光部９０２で検出される反射光の光量が低下する。これにより、演算処理部７００は、アライメントマーク１０１の位置を精度良く測定することができる。

図１２は、第２実施形態による描画装置１０の動作の一例を示すフロー図である。第２実施形態による描画処理の基本的な動作は、図７に示す動作と同様である。ただし、第２実施形態では、描画開始前のアースチェック（Ｓ７０、Ｓ８０）の実行と同時またはその前後において、照射部９０１および受光部９０２が、アライメントマーク１０１の位置を予め測定しておく（Ｓ８７）。第２実施形態では、アライメントマーク１０１の位置は、アースチェック後に測定されている。描画開始前に測定されたアライメントマーク１０１の位置は、第２基準位置としてメモリ７０２に予め格納する（Ｓ８８）。その後、ステップＳ９０以降の描画処理等を実行する。

描画中に受信部８００が緊急地震情報ＥＱを受信した場合について説明する。

図１３は、緊急地震情報ＥＱを受信した場合の第２実施形態による描画装置１０の動作の一例を示すフロー図である。ステップＳ９０の描画処理中において、受信部８００が緊急地震情報ＥＱを受信すると（Ｓ１００）、制御機構６００は、Ｗチャンバ４００および電子ビーム鏡筒５００を停止し、描画処理を停止する（Ｓ１１０）。このような地震による緊急停止の後、描画装置１０は、復旧シーケンスを以下のように実行する。

まず、抵抗測定部４０および演算処理部７００がアースチェックを再度行う（Ｓ１２０）。アースチェックの動作は、図８のステップＳ１２０と同様である。尚、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されていないと判断された場合についての動作は、第１実施形態の動作（図８におけるステップＳ１２２のＮＯ）と同様でよい。

一方、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されていると判断された場合（Ｓ１２３）、演算処理部７００は、さらに、アライメントマーク１０１の位置をチェックする（Ｓ１６０）。
アライメントマーク１０１の位置のチェックでは、まず、アライメントマーク１０１は、上述の通り、受光部９０２によって検出された反射光の光量によって検出される（Ｓ１６１）。

次に、演算処理部７００は、上記第２基準位置と緊急停止後に検出されたアライメントマーク１０１の位置（第２位置）とを比較し、第２基準位置と第２位置との差に基づいてマスク基板Ｗの位置の異常を判断する（Ｓ１６２）。例えば、第２基準位置と第２位置との差が予め設定された閾値未満である場合（Ｓ１６２のＹＥＳ）、演算処理部７００は、マスク基板Ｗおよびアース体Ｈがステージ４２０に対してあまりずれていないと判断する（Ｓ１６３）。この場合、演算処理部７００は、第２基準位置と第２位置との差を制御機構６００へ送信するとともに、描画処理の再開を許可する信号（再開許可信号）を制御機構６００へ送信する。

制御機構６００は、第２基準位置と第２位置との差の分だけ、ショット位置を補正する。ショット位置の補正は、ステップＳ１４０と同様でよい。その後、ステップＳ１５０と同様に、制御機構６００は、描画処理の再開許可信号に基づいて描画処理を再開する。

一方、第２基準位置と第２位置との差が閾値よりも大きい場合（Ｓ１６２のＮＯ）、演算処理部７００は、マスク基板Ｗがずれており、マスク基板Ｗの位置が異常であると判断する（Ｓ１６４）。この場合、演算処理部７００は、描画処理の再開を不可とする信号（再開不可信号）を制御機構６００へ送信する。制御機構６００は、描画処理（Ｓ９０）を再開することなく、ステップＳ１５１と同様に、エラー処理を実行し終了する。エラー処理は、ステップＳ９５と同様にマスク基板Ｗを容器Ｃへ戻すとともに、エラー通知を外部ディスプレイ等に表示する処理である。

以上のように、位相シフトマスクを描画する場合、描画装置１０は、復旧シーケンスにおいて、アライメントマーク１０１を用いてマスク基板Ｗの位置をチェックすることができる。緊急停止後に測定されたアライメントマーク１０１の第２位置は、描画開始前に測定された第２基準位置と比較することにより実行される。これにより、演算処理部７００は、復旧シーケンスにおいて測定されたアライメントマーク１０１の位置を判断し、マスク基板Ｗが描画可能か否かを確認することができる。第２実施形態のその他の構成および動作は、第１実施形態と同様である。従って、第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果も得ることができる。

（第３実施形態）
図１４は、第３実施形態による描画装置の動作の一例を示すフロー図である。尚、第３実施形態の描画装置は、図１に示すものと同じでよい。従って、第３実施形態の構成については、その詳細な説明を省略する。

第１および第２実施形態において、演算処理部７００が描画処理を再開できないと判断した場合、エラー処理を実行している。しかし、復旧シーケンスの項目によっては、時間の経過によって描画処理が再開可能となる場合がある。例えば、図１に示すように、振動を検出可能な振動センサとして加速度センサ５０が描画装置１０に設けられている場合がある。第３実施形態による演算処理部７００は、加速度センサ５０からの加速度）に基づいて、描画処理の再開を許可するか否かを判断する。なお、振動センサは加速度センサ５０に限定されるものではなく、検出される振動としては加速度以外に震度等が挙げられる。

例えば、ステップＳ１００～Ｓ１２０の実行後、マスク基板Ｗの遮光膜Ｗｂが接地されていると判断された場合（Ｓ１２３）、演算処理部７００は、描画装置１０やチャンバ４００の加速度に基づいて、描画処理の再開を許可するか否かを判断する（Ｓ１７０）。加速度センサ５０で測定された加速度が予め設定された閾値未満である場合（Ｓ１７２のＹＥＳ）、演算処理部７００は、地震による描画装置１０の揺れが小さいと判断する（Ｓ１７３）。この場合、演算処理部７００は、再開許可信号を制御機構６００へ送信する（Ｓ１５０）。

一方、加速度センサ５０で測定された加速度が閾値よりも大きい場合（Ｓ１７２のＮＯ）、演算処理部７００は、地震による描画装置１０の揺れがまだ大きいと判断する（Ｓ１７４）。この場合、演算処理部７００は、再開不可信号を制御機構６００へ送信するとともに、所定時間だけ待機する（Ｓ１７５）。

演算処理部７００は、ステップＳ１７４の判断後、所定時間経過したときに、加速度センサ５０で揺れを再度測定する。これにより、加速度が予め設定された閾値未満となれば（Ｓ１７２のＹＥＳ）、演算処理部７００は、描画処理の再開を許可する信号を制御機構６００へ送信する。

加速度センサ５０で測定された加速度が閾値よりも大きい場合（Ｓ１７２のＮＯ）、演算処理部７００は、ステップＳ１７０を繰り返す。これにより、復旧シーケンスの項目が加速度センサ５０の加速度であるような場合、演算処理部７００は、描画装置１０の揺れが治まるまで待機する。描画装置１０の揺れが治まると、演算処理部７００は、描画処理の再開を許可する信号を制御機構６００へ送信する。

第３実施形態のその他の構成および動作は、第１または第２実施形態と同様でよい。従って、アースチェック、アース体Ｈの位置ずれチェック、あるいは、アライメントマーク１０１のチェックは、加速度のチェックとともに実行してよい。

このように、第３実施形態では、時間の経過によって回復するチェック項目（例えば、加速度）とそれ以外のチェック項目（例えば、アースチェック）とを区別し、時間の経過によって回復可能なチェック項目がエラーの場合については、演算処理部７００は、所定期間待機する。これにより、無用なエラー処理（Ｓ１５１）の実行を回避することができる。

本実施形態による描画装置の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、描画方法の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ－ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。また、描画方法の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０ 描画装置、１００ インターフェース、２００ Ｉ／Ｏチャンバ、３００ Ｒチャンバ、４００ Ｗチャンバ、５００ 電子ビーム鏡筒、６００ 制御機構、７００ 演算処理部、８００ 受信部、Ｇ１～Ｇ３ ゲートバルブ、Ｈ アース体、Ｈ１ａ～Ｈ１ｃ アースピン、Ｅａ～Ｅｃ アーススプリング、４０ 抵抗測定部、５０ 振動センサ、ＥＱ 緊急地震情報

Claims (5)

1. 処理対象を収容するチャンバと、
   荷電粒子ビームで前記処理対象に所定のパターンを描画する描画部と、
   前記チャンバ内において前記処理対象を接地させるアース部材を介して、前記処理対象の抵抗値を測定する抵抗測定部と、
   地震情報を受信する受信部と、
   前記受信部が前記地震情報を受信したときに前記チャンバ内の描画処理を停止する制御部と、
   前記抵抗測定部からの前記抵抗値に基づいて前記処理対象が接地されているか否かを判断する演算処理部とを備え、
   前記制御部は、前記描画処理の停止後、前記処理対象が接地されていると判断された場合に前記描画処理を再開する、描画装置。
2. 前記チャンバ内における前記アース部材の位置を測定する第１位置測定部をさらに備え、
   前記演算処理部は、描画前に測定された前記アース部材の第１基準位置と前記描画処理の停止後に測定された前記アース部材の第１位置との差に基づいて前記アース部材の位置の異常を判断する、請求項１に記載の描画装置。
3. 前記制御部は、前記第１基準位置と前記第１位置との差の分だけ、前記処理対象に対する描画位置を移動させる、請求項２に記載の描画装置。
4. 前記処理対象に設けられたアライメントマークを用いて該処理対象の位置を測定する第２位置測定部をさらに備え、
   前記演算処理部は、描画前に測定された前記アライメントマークの第２基準位置と前記描画処理の停止後に測定された前記アライメントマークの第２位置との差に基づいて前記処理対象の位置の異常を判断する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の描画装置。
5. 当該描画装置の加速度を検出する振動センサをさらに備え、
   前記演算処理部は、前記加速度が閾値以上である場合に前記描画処理の再開を不可とする信号を前記制御部へ送信し、所定期間経過後に再測された前記加速度が閾値未満である場合に前記描画処理の再開を可能とする信号を前記制御部へ送信する、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の描画装置。

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