TWI737131B - 描繪裝置以及描繪方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的實施形態是有關於一種描繪裝置以及描繪方法。根據實施形態的描繪裝置包括：腔室，收容處理對象；描繪部，利用帶電粒子束對處理對象描繪規定的圖案；電阻測定部，於腔室內經由使處理對象接地的接地構件而測定處理對象的電阻值；接收部，接收地震資訊；控制部，於接收部接收到地震資訊時停止腔室內的描繪處理；以及運算處理部，基於來自電阻測定部的電阻值來判斷處理對象是否接地，且描繪處理停止後，於判斷為處理對象接地的情況下，控制部再開始描繪處理。

Description

描繪裝置以及描繪方法
本發明的實施形態是有關於一種描繪裝置以及描繪方法。
遮罩描繪裝置是對板(遮罩基板)照射帶電粒子束來描繪所期望的圖案的裝置。於遮罩描繪裝置中，有時具有利用緊急地震快報的緊急地震停止(以下為EQS：Emergency Quake Stop)功能，於地震發生時將描繪處理設為暫時停止狀態(以下亦稱為緊急暫時停止狀態)。
自此種緊急暫停狀態的復歸是藉由人工確認遮罩描繪裝置的狀態後進行。或者，遮罩描繪裝置設定為接收到緊急暫停指令的指示後於規定時間後自動復歸。
但是，由於執行描繪的書寫腔室(W腔室)保持為高真空狀態，因此無法目視其內部。因此，操作者無法直接確認板自載台大幅偏離，或接地用的簷自板偏離。若於此種狀況下繼續進行描繪處理，則有時描繪精度下降，或者板會於未接地的狀態下藉由帶電粒子而帶電。若板自載台偏離，則板有可能與W腔室的內壁碰撞。另外，若板帶電，則遮罩描繪裝置亦有可能會因來自板的放電而破損。
實施形態提供一種可以維持描繪精度並且安全地自緊急暫停狀態自動復歸的描繪裝置以及描繪方法。
根據本實施形態的描繪裝置包括：腔室，收容處理對象；描繪部，利用帶電粒子束對處理對象描繪規定的圖案；電阻測定部，於腔室內經由使處理對象接地的接地構件而測定處理對象的電阻值；接收部，接收地震資訊；控制部，於接收部接收到地震資訊時停止腔室內的描繪處理；以及運算處理部，基於來自電阻測定部的電阻值來判斷處理對象是否接地，且描繪處理停止後，於判斷為處理對象接地的情況下，控制部再開始描繪處理。
10:帶電粒子束描繪裝置(描繪裝置)
40:電阻測定部
40a、40b:端子
41:DC電源
42:控制器
42a:電流控制電路
42b:電壓測定電路
42c:電阻值計算電路
50:振動感測器(加速度感測器)
100:I/F
101:對準標記
110:載置台
120:搬送機器人
200、340:I/O腔室
210、310、410:真空泵
220:氣體供給系統
300:機器人腔室(R腔室)
320:對準腔室(ALN腔室)
330:接地體腔室(H腔室)
400:書寫腔室(W腔室)
420:X-Y載台(載台)
421:遮罩支撐部
500:電子束鏡筒
510:電子槍
520:光圈
530:偏轉器
540:透鏡
600:控制機構
601、701:MPU
602、702:記憶體
700:運算處理部
800:接收部
901:照射部
902:光接收部
430A、430B:雷射測位計
432:CCD相機
C:容器
Ca~Cc:連接器
CL:照明透鏡
Eb、Ec:接地彈簧
EQ:緊急地震資訊
G1~G3:閘閥
H:接地體
H1a~H1c:接地銷
H2:框體
Mb、Mc:測定銷
OL:物鏡
Pa~Pc:銷部
PL:投影透鏡
S10、S20、S30、S60、S70、S80、S81、S82、S85、S86、S87、S88、S90、S95、S100、S110、S120、S121、S122、S123、S130、S131、S132、S133、S134、S140、S150、S151、S160、S161、S162、S163、S164、S172、S173、S174、S175:步驟
SP:點
W:遮罩基板
Wa:玻璃基板(基材)
Wb:遮光膜
Wc:抗蝕劑膜
圖1的(A)及圖1的(B)是第一實施形態的描繪裝置的示意圖。
圖2是表示接地體的構成的一例的立體圖。
圖3是將圖2的接地體設置於遮罩基板的狀態的側視圖。
圖4是W腔室內部的示意圖。
圖5是電阻測定部的構成圖。
圖6是表示於W腔室內測定遮罩基板的電阻值的情況的概略圖。
圖7是表示描繪裝置的運作的一例的流程圖。
圖8是表示接收到緊急地震資訊時的描繪裝置的運作的一例 的流程圖。
圖9是表示根據第二實施形態的描繪裝置的構成例的剖面示意圖。
圖10的(A)及圖10的(B)是表示來自對準標記及照射部的雷射光的光點的概念圖。
圖11是表示利用雷射光的光點掃描對準標記的情況的圖。
圖12是表示根據第二實施形態的描繪裝置的運作的一例的流程圖。
圖13是表示接收到緊急地震資訊時的根據第二實施形態的描繪裝置的運作的一例的流程圖。
圖14是表示根據第三實施形態的描繪裝置的運作的一例的流程圖。
以下，一面參照附圖一面對實施形態進行說明。再者，實施形態並不限定本發明。
(第一實施形態)
圖1的(A)及圖1的(B)是第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置(以下亦僅稱為描繪裝置)10的示意圖。圖1的(A)是描繪裝置10的水平方向的剖面示意圖。圖1的(B)是描繪裝置10的鉛垂方向的剖面示意圖。以下，參照圖1的(A)及圖1的(B)對描繪裝置10的構成進行說明。再者，帶電粒子束無特別限定，例如為電子束、離子束等。於以下的實施形態中，使用電 子束作為帶電粒子束的一例進行說明。
如圖1的(A)所示，描繪裝置10包括：接口(I/F)100、搬入搬出(I/O)腔室200、機器人腔室(R腔室)300、書寫腔室(W腔室)400、電子束鏡筒500、控制機構600、運算處理部700、接收部800、及閘閥G1~閘閥G3。再者，圖1的(A)中的鏈線表示控制訊號或資料等的流動。
I/F 100包括：載置收容有遮罩基板(板)W的容器C(例如標準機械介面盒(Standard Mechanical Interface Pod，SMIF Pod))的載置台110、及搬送遮罩基板W的搬送機器人120。
I/O腔室200是用於在將R腔室300內保持為真空(低氣壓)的狀態下將遮罩基板W搬入搬出的所謂載入鎖定腔室(load lock chamber)。於I/O腔室200與I/F 100之間設置有閘閥G1。於I/O腔室200設置有真空泵210與氣體供給系統220。真空泵210將I/O腔室200內抽真空。氣體供給系統220於使I/O腔室200成為大氣壓時向I/O腔室200內供給通氣(vent)用氣體。
R腔室300包括：真空泵310、對準(alignment)腔室(ALN腔室)320、接地體腔室(H腔室)330、及搬送機器人340。R腔室300經由閘閥G2而與I/O腔室200連接。
真空泵310與R腔室300連接，對R腔室300內進行抽真空而保持高真空。
H腔室330收容用於使遮罩基板W接地的接地體H。接地體H將遮罩基板W的外緣被覆，抑制電子束(例如電子束)的 電荷蓄積於遮罩基板W的外緣。即，接地體H作為相對於遮罩基板W的外緣而言的“簷”發揮功能。另外，接地體H是為了將蓄積於遮罩基板W的電子束的電荷釋放於接地而設置。
ALN腔室320是用於對遮罩基板W進行定位(對準)的腔室。於ALN腔室320，進行遮罩基板W的對準。
搬送機器人340於I/O腔室200、ALN腔室320、H腔室330及W腔室400之間搬送遮罩基板W。
W腔室400包括真空泵410、X-Y載台420、及雷射測位計430A、雷射測位計430B，並經由閘閥G3而與R腔室300連結。W腔室400為了利用電子束對遮罩基板W描繪規定的圖案而能夠收容遮罩基板W。
真空泵410與W腔室400連接，對W腔室400內進行抽真空而保持高真空。X-Y載台420能夠載置遮罩基板W。雷射測位計430A、雷射測位計430B測量X-Y載台420的X-Y面(大致水平面)內的位置。另外，雷射測位計430A、雷射測位計430B亦測定X-Y載台420上的遮罩基板W及接地體H中的任一者或兩者的位置。再者，遮罩基板W及接地體H的位置可藉由與雷射測位計430A、雷射測位計430B不同的雷射測位計來測定。另外，遮罩基板W及接地體H的位置亦可藉由圖1的(B)所示的電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)相機432拍攝載置於X-Y載台420上的遮罩基板W及接地體H的圖像來測定。
於W腔室400內設置有接地彈簧(參照圖4的Eb、Ec)。 接地彈簧被接地，並構成為當於X-Y載台420上載置有遮罩基板W時，與接地體H接觸。藉此，於描繪時，遮罩基板W經由接地體H及接地彈簧而接地。另外，於W腔室400設置有電阻測定部40。電阻測定部40於W腔室400內經由使遮罩基板W接地的接地體H及接地彈簧測定遮罩基板W的電阻值。
圖1的(B)的電子束鏡筒500(描繪部)包括由電子槍510、光圈520、偏轉器530、透鏡540(照明透鏡(CL)、投影透鏡(PL)、物鏡(OL))等構成的電子束照射部件，對載置於X-Y載台420上的遮罩基板W照射電子束，並對遮罩基板W描繪規定的圖案。
控制機構600例如為電腦等，包括：微處理機單元(Micro-Processing Unit，MPU)601、記憶體602(例如，固態驅動機(Solid State Drive，SSD)、硬磁碟驅動機(Hard Disk Drive，HDD))等。控制機構600控制描繪裝置10的運作。
運算處理部700例如為與控制機構600分開設置的電腦等，包括：MPU 701、記憶體702(例如SSD、HDD)等。運算處理部700亦可與控制機構600為相同的電腦。運算處理部700接收來自電阻測定部40的遮罩基板W的電阻值，進行遮罩基板W是否接地的接地檢查。關於接地檢查，於後文詳細說明。
接收部800接收自氣象廳等獲得的緊急地震資訊EQ。緊急地震資訊EQ一般可由氣象廳等機關或企業提供。或者，緊急地震資訊EQ亦可為來自檢測描繪裝置10自身的擺動的振動感測器 (加速度感測器)50的振動檢測訊號。振動感測器50可配置於描繪裝置10的內部或外部中的任一者。例如，於緊急地震資訊EQ表示規定震度或規定震度以上的擺動的情況下，控制機構600藉由EQS功能自動停止W腔室400內的描繪處理。藉此，可以抑制因地震的擺動，描繪的精度劣化。
(接地體H的構成)
圖2是表示接地體H的構成的一例的立體圖。圖3是將圖2的接地體H設置於遮罩基板W的狀態的側視圖。再者，於圖3中，簡略化地表示接地體H。另外，如圖3所示，遮罩基板W具有於玻璃基板Wa上積層有遮光膜Wb(例如鉻(Cr))與抗蝕劑膜Wc的構成。
如圖2所示，接地體H包括：三根接地銷H1a~H1c、及邊框形狀的框體H2。框體H2、接地銷H1a~接地銷H1c使用例如鈦、氧化鋯等導電性材料。接地銷H1a~接地銷H1c例如是夾著框體H2的內周與外周而固定的金屬構件。接地銷H1a~接地銷H1c於框體H2的內周側具有呈銳角變尖的銷部Pa~銷部Pc。藉此，當將接地體H設置於遮罩基板W時，如圖3所示，銷部Pa~銷部Pc刺破形成於遮罩基板W的玻璃基板Wa上的抗蝕劑膜Wc而與遮光膜Wb接觸。另外，接地銷H1a~接地銷H1c於框體H2的外周側具有連接器Ca~連接器Cc。連接器Ca~連接器Cc分別與銷部Pa~銷部Pc電性連接。連接器Cb及連接器Cc是為了將接地銷H1b及接地銷H1c與接地彈簧電性連接而設置。
接地銷H1a與框體H2電性連接，而不接地。接地銷H1b、接地銷H1c的其中一者與框體H2電性連接。接地銷H1b、接地銷H1c中的另一者經由絕緣體而設置於框體H2，與框體H2電性分離。接地銷H1b、接地銷H1c經由接地彈簧而接地。
如圖3所示，若將接地體H設置於遮罩基板W，則接地體H的接地銷H1a~接地銷H1c因自重而刺破抗蝕劑膜Wc，並與作為導電體的遮光膜Wb接觸。藉此，遮罩基板W的遮光膜Wb經由接地銷H1a~接地銷H1c而接地。因此，藉由電子束的照射而蓄積於遮罩基板W的電荷經由該接地體H被排出。另外，接地體H的框體H2經由接地銷H1a而接地。因此，蓄積於框體H2的電荷經由接地銷H1a被排出。
如此，於W腔室400內，接地銷H1a~接地銷H1c經由接地彈簧使遮罩基板W的遮光膜Wb接地。藉此，於描繪中，可將藉由電子束的照射而蓄積於遮光膜Wb的電荷向接地放電。
(W腔室400的內部的構成)
圖4是配置於W腔室400內部的X-Y載台420的示意圖。W腔室400內的X-Y載台420包括：支撐遮罩基板W的多個遮罩支撐部421、及使遮罩基板W接地的接地彈簧Eb、接地彈簧Ec。圖4表示於X-Y載台420上載置有遮罩基板W的狀態。遮罩支撐部421自下方支撐載置於X-Y載台420上的遮罩基板W及接地體H。接地彈簧Eb、接地彈簧Ec與接地銷H1b、接地銷H1c彈性接觸，經由接地銷H1b、接地銷H1c使遮罩基板W的遮光膜Wb接地。 如此，於W腔室400，將遮罩基板W載置於X-Y載台420上，於利用接地彈簧Eb、接地彈簧Ec而接地的狀態下執行描繪。
(電阻測定部40的構成)
圖5是電阻測定部40的構成圖。電阻測定部40包括：配置於W腔室400的外部的直流(direct current，DC)電源41、及與DC電源41連接的控制器42。控制器42包括電流控制電路42a、電壓測定電路42b、及電阻值計算電路42c，並測定端子40a、端子40b之間的電阻。端子40a、端子40b設置於W腔室400內，可分別與所述接地彈簧Eb、接地彈簧Ec連接。
電阻測定部40於接地體H被設置於遮罩基板W的狀態下，測定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec與遮罩基板W之間的接觸電阻值(電阻值)。具體而言，電流控制電路42a使一定值的電流於端子40a、端子40b之間流動，電壓測定電路42b測定端子40a、端子40b之間的電壓。然後，電阻值計算電路42c根據於端子40a、端子40b之間流動的電流值及所測定的電壓值，計算端子40a、端子40b之間的電阻值。再者，當測定電阻值時，電阻測定部40的端子40a、端子40b與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec成為分別經電性連接的狀態。例如，電阻測定部40包括分別連接於端子40a、端子40b的多個測定銷(未圖示)，使該測定銷與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸即可。
如上所述，接地銷H1b或接地銷H1c經由絕緣體而設置於框體H2。因此，由電流控制電路42a施加的電流經由接地彈簧 Eb、接地彈簧Ec、接地銷H1b、接地銷H1c以及遮罩基板W的遮光膜Wb而於端子40a、端子40b之間流動。此處，端子40a、端子40b與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的連接電阻值非常小，幾乎可忽略。因此，電阻測定部40可以於接地彈簧Eb與接地彈簧Ec之間測定例如接地彈簧Eb、接地彈簧Ec、接地銷H1b、接地銷H1c及遮罩基板W的遮光膜Wb的電阻值。
(測定遮罩基板W的電阻值)
圖6是表示於W腔室400內測定遮罩基板W的電阻值的情況的概略圖。遮罩基板W的電阻值經由接地彈簧Eb、接地彈簧Ec來測定。例如，如參照圖4所說明般，於W腔室400內，當將遮罩基板W載置於X-Y載台420上時，接地銷H1b、接地銷H1c分別與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸。接地銷H1b、接地銷H1c的連接器Cb、連接器Cc與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸，並與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec電性導通。
如參照圖4所說明般，於描繪中，經由接地銷H1b、接地銷H1c使遮罩基板W的遮光膜Wb接地。另一方面，於執行描繪之前及緊急暫停後的復原序列中，如參照圖5所說明般，電阻測定部40測定接地彈簧Eb與接地彈簧Ec之間的電阻值，並進行接地檢查。例如，連接於電阻測定部40的端子40a、端子40b的測定銷Mb、測定銷Mc與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸。藉此，電阻測定部40經由接地銷H1b、接地銷H1c及接地彈簧Eb、接地彈簧Ec測定遮罩基板W的遮光膜Wb的電阻值。若連接器Cb、 連接器Cc自接地彈簧Eb、接地彈簧Ec脫離，或者接地銷H1b、接地銷H1c自遮光膜Wb脫離，則電阻值顯示異常值。
(描繪裝置10的運作)
繼而，對描繪裝置10的運作進行說明。
圖7是表示描繪裝置10的運作的一例的流程圖。再者，描繪裝置10由控制機構600控制。另外，接地體H及遮罩基板W的異常由運算處理部700判定。R腔室300及W腔室400內設為被抽真空的狀態。
首先，將收容有遮罩基板W的容器C載置於圖1的載置台110。搬送機器人120自容器C中取出遮罩基板W，並載置於I/O腔室200內(S10)。I/O腔室200內被抽真空至規定的壓力後，搬送機器人340自I/O腔室200內取出遮罩基板W，並將遮罩基板W搬送至ALN腔室320。於ALN腔室320，進行遮罩基板W的對位(對準)(S20)。對準後，搬送機器人340將遮罩基板W搬送至H腔室330，並將載置於H腔室330的接地體H設置於遮罩基板W上(S30)。繼而，搬送機器人340將遮罩基板W載置於W腔室400內的X-Y載台420上(S60)。藉由將遮罩基板W載置於X-Y載台420上，從而接地銷H1b、接地銷H1c的連接器Cb、連接器Cc與設置於W腔室400內的接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸。
繼而，執行接地檢查。於接地檢查中，W腔室400的電阻測定部40使端子40a、端子40b與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec 接觸，經由接地彈簧Eb、接地彈簧Ec及接地銷H1b、接地銷H1c測定遮罩基板W的遮光膜Wb的電阻值(S70)。繼而，運算處理部700的MPU 701將所述電阻值與預先設定的規定範圍進行比較(S80)。
於電阻值為規定範圍外的情況下(S80的否(NO))，MPU 701判定為接地錯誤。可認為接地錯誤是由於接地彈簧Eb、接地彈簧Ec與接地銷H1b、接地銷H1c的接觸，或者接地銷H1b、接地銷H1c與遮光膜Wb的接觸等的不良而產生。於發生了接地錯誤的情況下，再次對遮光膜Wb施加電壓，再次實施接地檢查(S70、S80、S81的否)。於即便執行規定次數的接地檢查(S70、S80)，仍成為接地錯誤的情況下(S81的是(YES))，不執行描繪處理(S90)，處理結束。於此情況下，遮罩基板W返回到容器C並根據需要執行維護(S95)。
於電阻值為規定範圍內的情況下(S80的是)，MPU 701判定為遮罩基板W正常地接地，並將其電阻值作為基準電阻值儲存於記憶體702(S82)。
於執行描繪開始前的接地檢查(S70、S80)的同時或其前後，雷射測位計430A、雷射測位計430B測定載置於X-Y載台420上的遮罩基板W及接地體H的位置。或者，CCD相機432拍攝載置於X-Y載台420上的遮罩基板W及接地體H的圖像，並測定其位置(S85)。於本實施形態中，遮罩基板W及接地體H的位置是於接地檢查後測定。於描繪開始前所測定的遮罩基板W及接 地體H的位置作為第一基準位置預先儲存於記憶體702(S86)。再者，運算處理部700亦可與接地檢查同樣地，判斷遮罩基板W及接地體H的位置是否正常。於此情況下，於判斷為遮罩基板W及接地體H的位置正常的情況下，將該位置作為第一基準位置儲存於記憶體702，並執行描繪處理。另一方面，於判斷為遮罩基板W及接地體H的位置異常的情況下，可不執行描繪處理(S90)，結束處理。
當開始描繪處理時，於W腔室400，電子束照射至遮罩基板W，於遮罩基板W的遮光膜Wb描繪所期望的圖案(S90)。蓄積於遮罩基板W的電荷經由接地銷H1b、接地銷H1c以及接地彈簧Eb、接地彈簧Ec流向接地。因此，可以抑制遮罩基板W於描繪中帶電。
若對遮罩基板W進行的描繪結束，則搬送機器人340自W腔室400取出遮罩基板W，並將遮罩基板W搬送至H腔室330內。搬送機器人340以與將接地體H設置於遮罩基板W時相反的順序將接地體H收容至H腔室330內。搬送機器人340將遮罩基板W載置於I/O腔室200內。
繼而，將閘閥G2關閉，自氣體供給系統220供給通氣用氣體，I/O腔室200內升壓至大氣壓後，閘閥G1打開。搬送機器人120自I/O腔室200內取出遮罩基板W，並將遮罩基板W收容於容器C內(S95)。如此，描繪裝置10進行遮罩基板W的接地檢查，執行描繪處理。
此處，對描繪中接收部800接收到緊急地震資訊EQ的情況進行說明。
圖8是表示接收到緊急地震資訊EQ時的描繪裝置10的運作的一例的流程圖。於步驟S90的描繪處理中，當接收部800接收到緊急地震資訊EQ時(S100)，控制機構600中斷描繪處理(S110)。於此種由地震引起的緊急停止後，描繪裝置10如以下般執行復原序列。
首先，電阻測定部40及運算處理部700再次進行接地檢查(S120)。接地檢查的運作與步驟S70、步驟S80的運作相同。與圖7的步驟S80同樣地，電阻測定部40經由端子40a、端子40b、接地彈簧Eb、接地彈簧Ec以及接地銷H1b、接地銷H1c對遮罩基板W的遮光膜Wb施加電壓，並測定該些的電阻值(第一電阻值)(S121)。運算處理部700基於在步驟S121中由電阻測定部40所測定的第一電阻值來判斷遮罩基板W的遮光膜Wb是否接地。例如，運算處理部700將於步驟S121中所測定的第一電阻值與於步驟S80中所測定的基準電阻值進行比較(S122)。
於第一電阻值與基準電阻值的差為預先設定的臨限值或臨限值以上的情況下(S122的否)，運算處理部700判斷為遮罩基板W的遮光膜Wb未接地。接地檢查的臨限值預先儲存於記憶體702即可。
再者，接地檢查及第一電阻值與基準電阻值的比較可重覆規定次數。儘管如此，於第一電阻值與基準電阻值的差為臨限 值或臨限值以上的情況下，運算處理部700亦可判斷為遮罩基板W的遮光膜Wb未接地。藉此，可以可靠地檢測接地不良。
於判斷為遮罩基板W的遮光膜Wb未接地的情況下，運算處理部700向控制機構600發送不能再開始描繪處理的訊號(不可再開始訊號)。控制機構600基於不可再開始訊號而不再開始描繪處理(S90)，執行錯誤處理並結束(S151)。錯誤處理是與步驟S95同樣地將遮罩基板W返回到容器C，並且於外部顯示器(未圖示)等顯示錯誤通知的處理。
另一方面，於第一電阻值與基準電阻值的差小於預先設定的臨限值的情況下(S122的是)，運算處理部700判斷為遮罩基板W的遮光膜Wb接地(S123)。可於此階段再開始描繪。於本實施形態中，運算處理部700進一步檢查遮罩基板W及接地體H相對於載台420的偏離量(S130)。偏離量的檢查是使用設置於W腔室400的作為第一位置測定部的雷射測位計430A、雷射測位計430B或CCD相機432(參照圖1)來執行。
於偏離量的檢查中，雷射測位計430A、雷射測位計430B或CCD相機432再次測定遮罩基板W及接地體H的位置(第一位置)(S131)。
繼而，運算處理部700基於描繪前的遮罩基板W及接地體H的第一基準位置與描繪處理停止後的遮罩基板W及接地體H的第一位置的差來判斷遮罩基板W及接地體H的位置的異常(S132)。例如，於第一基準位置與第一位置的差未滿預先設定的 臨限值的情況下(S132的是)，運算處理部700判斷為遮罩基板W及接地體H相對於載台420不怎麼偏離(S133)。於此情況下，運算處理部700向控制機構600發送第一基準位置與第一位置的差，並且向控制機構600發送允許再開始描繪處理的訊號(允許再開始訊號)。再者，遮罩基板W及接地體H的偏離的臨限值設定於能夠藉由後述的拍攝位置的調整而修正的範圍內，並預先儲存於記憶體702即可。
控制機構600以和第一基準位置與第一位置的差對應的量來修正相對於遮罩基板W的描繪位置(拍攝位置)(S140)。例如，控制機構600可以藉由於資料上調整來自電子束鏡筒500的電子束的拍攝位置來修正第一基準位置與第一位置的差。或者，控制機構600亦可藉由載台420的位置調整來修正第一基準位置與第一位置的差。藉此，電子束鏡筒500可以自停止描繪處理的位置再開始描繪處理，並可以維持描繪精度。然後，控制機構600基於允許再開始訊號而再開始描繪處理(S150)。描繪處理執行圖7的步驟S90以後即可。
另一方面，於第一基準位置與第一位置的差大於臨限值的情況下(S132的否)，運算處理部700判斷為遮罩基板W及接地體H相對於載台420大幅度偏離，該些的位置異常(S134)。於此情況下，運算處理部700判斷為無法藉由拍攝位置的調整來修正遮罩基板W及接地體H的偏離，並向控制機構600發送不能再開始描繪處理的訊號(不可再開始訊號)。控制機構600基於不可 再開始訊號而不再開始描繪處理(S90)，執行錯誤處理並結束(S151)。
如上所述，根據第一實施形態的描繪裝置10，於根據緊急地震資訊等使描繪處理緊急停止之後，於復原序列中，電阻測定部40及運算處理部700進行接地檢查。接地檢查是藉由將於描繪開始前的步驟S70、步驟S80中所測定的基準電阻值與於復原序列的步驟S121中所測定的第一電阻值進行比較來執行。藉此，運算處理部700可以判斷於復原序列中所測定的電阻值是否自基準電阻值進入規定範圍內，並確認遮罩基板W的遮光膜Wb的接地狀態。
進而，根據本實施形態，運算處理部700檢查遮罩基板W及接地體H的偏離量。於確認遮罩基板W及接地體H的偏離量，並判斷為遮罩基板W及接地體H自描繪開始前的載台420上的原本的位置未大幅偏離的情況下，控制機構600能夠再開始描繪處理。於遮罩基板W及接地體H自描繪開始前的載台420上的原本的位置大幅偏離的情況下，控制機構600不再開始描繪處理。
控制機構600以與遮罩基板W及接地體H的偏離量對應的量來修正拍攝位置，並再開始描繪處理。藉此，緊急停止後，可以自停止的位置再開始描繪處理，並可以維持描繪精度。再者，遮罩基板W及接地體H的偏離量的修正伴隨描繪位置的修正或載台420的機械性運作。另一方面，接地檢查可以僅藉由電氣檢查來實施。因此，遮罩基板W及接地體H的偏離量的測定及修正較 佳為於接地檢查後執行。
再者，於本實施形態中，運算處理部700於緊急停止後執行接地檢查及接地體H(遮罩基板W)的偏離量檢查此兩者。然而，運算處理部700亦可於緊急停止後，執行接地檢查，省略接地體H(遮罩基板W)的偏離量檢查。於此情況下，圖8的步驟S130省略，於步驟S123中確認遮罩基板W的遮光膜Wb的接地，確保安全性後，控制機構600可以再開始步驟S150的描繪。
(第二實施形態)
圖9是表示根據第二實施形態的描繪裝置的構成例的剖面示意圖。第二實施形態的描繪裝置10是用於描繪相移遮罩(Phase-Shifting Mask，PSM)的描繪裝置。相移遮罩用的遮罩基板W為了進行多次描繪處理並且為了提高描繪精度而具有對準標記。於使用相移遮罩的情況下，由於使用遮罩基板W上的對準標記進行對位，因此可以準確地對遮罩基板進行定位，從而提高描繪精度。
描繪裝置10更包括照射部901及光接收部902，作為使用設置於遮罩基板W的對準標記測定遮罩基板W的位置的第二位置測定部。照射部901自斜上方聚集雷射光並照射至遮罩基板W的表面。光接收部902接收來自遮罩基板W的反射光並檢測反射光的光量。運算處理部700指示照射部901照射雷射光，並基於來自光接收部902的反射光的光量來測定遮罩基板W上的對準標記的位置。再者，運算處理部700亦可使用照射部901及光接收 部902來測定遮罩基板W的高度。第二實施形態的其他構成可與第一實施形態的對應構成相同。
圖10的(A)及10的(B)是表示來自對準標記及照射部901的雷射光的光點SP的概念圖。
如圖10的(A)所示，對準標記101例如由彼此正交的於X-Y方向上延伸的線狀的兩根線圖案或空格圖案構成為十字形。於將遮罩基板W載置於載台420上時，對準標記101與X方向及Y方向大致平行。再者，如圖10的(A)所示般的對準標記101例如設置於遮罩基板W的四角。
如圖10的(B)所示，對準標記101包括去除了遮光膜Wb的部分，對準標記101的光的反射率低於其他部分。因此，藉由光接收部902檢測雷射光的反射光的光量，運算處理部700可以對對準標記101與遮罩基板W的其他區域進行區分。
圖11是表示利用雷射光的光點SP掃描對準標記的情況的圖。一邊移動載台420，一邊藉由來自照射部901的雷射光於遮罩基板W上掃描。當雷射光的光點SP靠近對準標記101時，由光接收部902所檢測的反射光的光量下降。藉此，運算處理部700可以精度良好地測定對準標記101的位置。
圖12是表示根據第二實施形態的描繪裝置10的運作的一例的流程圖。根據第二實施形態的描繪處理的基本的運作與圖7所示的運作相同。但是，於第二實施形態中，於執行描繪開始前的接地檢查(S70、S80)的同時或其前後，照射部901及光接收 部902預先測定對準標記101的位置(S87)。於第二實施形態中，對準標記101的位置是於接地檢查後測定。於描繪開始前所測定的對準標記101的位置作為第二基準位置預先儲存於記憶體702(S88)。其後，執行步驟S90以後的描繪處理等。
對於描繪中接收部800接收到緊急地震資訊EQ的情況進行說明。
圖13是表示接收到緊急地震資訊EQ時的根據第二實施形態的描繪裝置10的運作一例的流程圖。於步驟S90的描繪處理中，當接收部800接收到緊急地震資訊EQ時(S100)，控制機構600停止W腔室400及電子束鏡筒500，並停止描繪處理(S110)。於此種由地震引起的緊急停止後，描繪裝置10如以下般執行復原序列。
首先，電阻測定部40及運算處理部700再次進行接地檢查(S120)。接地檢查的運作與圖8的步驟S120相同。再者，於判斷為遮罩基板W的遮光膜Wb未接地的情況下的運作可與第一實施形態的運作(圖8的步驟S122的否)相同。
另一方面，於判斷為遮罩基板W的遮光膜Wb接地的情況下(S123)，運算處理部700進一步檢查對準標記101的位置(S160)。
於對準標記101的位置的檢查中，首先，如上所述，對準標記101是藉由由光接收部902檢測到的反射光的光量來檢測(S161)。
繼而，運算處理部700將所述第二基準位置與於緊急停止後檢測到的對準標記101的位置(第二位置)進行比較，並基於第二基準位置與第二位置的差來判斷遮罩基板W的位置的異常(S162)。例如，於第二基準位置與第二位置的差未滿預先設定的臨限值的情況下(S162的是)，運算處理部700判斷為遮罩基板W及接地體H相對於載台420不怎麼偏離(S163)。於此情況下，運算處理部700向控制機構600發送第二基準位置與第二位置的差，並且向控制機構600發送允許再開始描繪處理的訊號(允許再開始訊號)。
控制機構600以和第二基準位置與第二位置的差對應的量來修正拍攝位置。拍攝位置的修正可與步驟S140相同。其後，與步驟S150同樣地，控制機構600基於描繪處理的允許再開始訊號而再開始描繪處理。
另一方面，於第二基準位置與第二位置的差大於臨限值的情況下(S162的否)，運算處理部700判斷為遮罩基板W偏離，遮罩基板W的位置異常(S164)。於此情況下，運算處理部700向控制機構600發送不能再開始描繪處理的訊號(不可再開始訊號)。控制機構600不再開始描繪處理(S90)，而是與步驟S151同樣地執行錯誤處理並結束。錯誤處理是與步驟S95同樣地將遮罩基板W返回到容器C，並且於外部顯示器等顯示錯誤通知的處理。
如上所述，於描繪相移遮罩的情況下，描繪裝置10可以 於復原序列中，使用對準標記101來檢查遮罩基板W的位置。於緊急停止後所測定的對準標記101的第二位置是藉由與於描繪開始前所測定的第二基準位置進行比較來執行。藉此，運算處理部700可以判斷於復原序列中所測定的對準標記101的位置，並確認是否能夠描繪遮罩基板W。第二實施形態的其他構成及運作與第一實施形態相同。因此，第二實施形態亦可以獲得與第一實施形態相同的效果。
(第三實施形態)
圖14是表示根據第三實施形態的描繪裝置的運作的一例的流程圖。再者，第三實施形態的描繪裝置可與圖1所示者相同。因此，關於第三實施形態的構成，省略其詳細的說明。
於第一實施形態及第二實施形態中，於運算處理部700判斷為無法再開始描繪處理的情況下，執行錯誤處理。然而，根據復原序列的項目，有時隨著時間的經過，能夠再開始描繪處理。例如，如圖1所示，有時將加速度感測器50作為能夠檢測振動的振動感測器設置於描繪裝置10。根據第三實施形態的運算處理部700基於來自加速度感測器50的加速度來判斷是否允許再開始描繪處理。再者，振動感測器並不限定於加速度感測器50，作為所檢測的振動，除加速度以外可列舉震度等。
例如，於執行步驟S100~步驟S120後，於判斷為遮罩基板W的遮光膜Wb接地的情況下(S123)，運算處理部700基於描繪裝置10或W腔室400的加速度，來判斷是否允許再開始描繪 處理(S170)。於由加速度感測器50所測定的加速度未滿預先設定的臨限值的情況下(S172的是)，運算處理部700判斷為由地震引起的描繪裝置10的擺動小(S173)。於此情況下，運算處理部700向控制機構600發送允許再開始訊號(S150)。
另一方面，於由加速度感測器50所測定的加速度大於臨限值的情況下(S172的否)，運算處理部700判斷為由地震引起的描繪裝置10的擺動仍然大(S174)。於此情況下，運算處理部700向控制機構600發送不可再開始訊號，並且待機規定時間(S175)。
於步驟S174的判斷後經過規定時間時，運算處理部700藉由加速度感測器50再次測定擺動。藉此，若加速度未滿預先設定的臨限值(S172的是)，則運算處理部700向控制機構600發送允許再開始描繪處理的訊號。
於由加速度感測器50所測定的加速度大於臨限值的情況下(S172的否)，運算處理部700重覆步驟S170。藉此，於如復原序列的項目為加速度感測器50的加速度般的情況下，運算處理部700待機，直至描繪裝置10的擺動平息為止。當描繪裝置10的擺動平息時，運算處理部700向控制機構600發送允許再開始描繪處理的訊號。
第三實施形態的其他構成及運作可與第一實施形態或第二實施形態相同。因此，接地檢查、接地體H的位置偏離檢查、或者對準標記101的檢查亦可與加速度的檢查一起執行。
如此，於第三實施形態中，對隨著時間的經過而恢復的 檢查項目(例如加速度)與除此以外的檢查項目(例如接地檢查)進行區分，對於能夠隨著時間的經過而恢復的檢查項目錯誤的情況，運算處理部700待機規定時間。藉此，可以避免執行無用的錯誤處理(S151)。
根據本實施形態的描繪裝置的至少一部分可包含硬體，亦可包含軟體。於包含軟體的情況下，可將實現描繪方法的至少一部分功能的程式收納於軟碟或唯讀光碟記憶體(Compact Disc-Read Only Memory，CD-ROM)等記錄媒體，使電腦讀入並執行。記錄媒體不限定於磁碟或光碟等能裝卸的記錄媒體，亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄媒體。另外，亦可將實現描繪方法的至少一部分功能的程式經由網際網路等通訊線路(亦包括無線通訊)來發佈。進而，亦可於對該程式進行加密、調製、或壓縮的狀態下，經由網際網路等有線線路或無線線路，或者收納於記錄媒體來發佈。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態是作為例子而提出，並不意圖限定發明的範圍。該些新穎的實施形態能夠以其他各種形態來實施，於不脫離發明主旨的範圍內可進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形包含於發明的範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載的發明及其均等的範圍內。
S100、S110、S120、S121、S122、S123、S130、S131、S132、S133、S134、S140、S150、S151:步驟

Claims (17)

  1. 一種描繪裝置，包括： 腔室，收容處理對象； 描繪部，利用帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的圖案； 電阻測定部，於所述腔室內經由使所述處理對象接地的接地構件而測定所述處理對象的電阻值； 接收部，接收地震資訊； 控制部，於所述接收部接收到所述地震資訊時停止所述腔室內的描繪處理；以及 運算處理部，基於來自所述電阻測定部的所述電阻值來判斷所述處理對象是否接地，且 所述描繪處理停止後，在判斷為所述處理對象接地的情況下，所述控制部再開始所述描繪處理。
  2. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述運算處理部基於在描繪前所測定的所述處理對象的基準電阻值與在所述描繪處理停止後所測定的第一電阻值的差來判斷所述處理對象是否接地。
  3. 如請求項1所述的描繪裝置，更包括：第一位置測定部，測定所述腔室內的所述接地構件的位置， 所述運算處理部基於在描繪前所測定的所述接地構件的第一基準位置與在所述描繪處理停止後所測定的所述接地構件的第一位置的差來判斷所述接地構件的位置的異常。
  4. 如請求項3所述的描繪裝置，其中所述控制部以和所述第一基準位置與所述第一位置的差對應的量來使相對於所述處理對象的描繪位置移動。
  5. 如請求項1所述的描繪裝置，更包括：第二位置測定部，利用設置於所述處理對象的對準標記，測定所述處理對象的位置， 所述運算處理部基於在描繪前所測定的所述對準標記的第二基準位置與在所述描繪處理停止後所測定的所述對準標記的第二位置的差來判斷所述處理對象的位置的異常。
  6. 如請求項3所述的描繪裝置，更包括：第二位置測定部，利用設置於所述處理對象的對準標記，測定所述處理對象的位置， 所述運算處理部基於在描繪前所測定的所述對準標記的第二基準位置與在所述描繪處理停止後所測定的所述對準標記的第二位置的差來判斷所述處理對象的位置的異常。
  7. 如請求項4所述的描繪裝置，更包括：第二位置測定部，利用設置於所述處理對象的對準標記，測定所述處理對象的位置， 所述運算處理部基於在描繪前所測定的所述對準標記的第二基準位置與在所述描繪處理停止後所測定的所述對準標記的第二位置的差來判斷所述處理對象的位置的異常。
  8. 如請求項1所述的描繪裝置，更包括：振動感測器，檢測所述描繪裝置的加速度， 所述運算處理部於所述加速度為臨限值或所述臨限值以上的情況下，向所述控制部發送不能再開始所述描繪處理的訊號，於經過規定期間後再測定的所述加速度未滿臨限值的情況下，向所述控制部發送能夠再開始所述描繪處理的訊號。
  9. 如請求項3所述的描繪裝置，更包括：振動感測器，檢測所述描繪裝置的加速度， 所述運算處理部於所述加速度為臨限值或所述臨限值以上的情況下，向所述控制部發送不能再開始所述描繪處理的訊號，於經過規定期間後再測定的所述加速度未滿臨限值的情況下，向所述控制部發送能夠再開始所述描繪處理的訊號。
  10. 如請求項4所述的描繪裝置，更包括：振動感測器，檢測所述描繪裝置的加速度， 所述運算處理部於所述加速度為臨限值或所述臨限值以上的情況下，向所述控制部發送不能再開始所述描繪處理的訊號，於經過規定期間後再測定的所述加速度未滿臨限值的情況下，向所述控制部發送能夠再開始所述描繪處理的訊號。
  11. 如請求項5所述的描繪裝置，更包括：振動感測器，檢測所述描繪裝置的加速度， 所述運算處理部於所述加速度為臨限值或所述臨限值以上的情況下，向所述控制部發送不能再開始所述描繪處理的訊號，於經過規定期間後所再測定的所述加速度未滿臨限值的情況下，向所述控制部發送能夠再開始所述描繪處理的訊號。
  12. 一種描繪方法，是使用描繪裝置的描繪方法，所述描繪裝置包括：描繪部，利用帶電粒子束對處理對象描繪規定的圖案；電阻測定部，經由使所述處理對象接地的接地構件而測定所述處理對象的電阻值；接收部，接收地震資訊；控制部，控制所述處理對象的描繪處理；以及運算處理部，判斷所述處理對象是否接地，且所述描繪方法包括： 當在所述描繪處理中接收到所述地震資訊時，停止所述描繪處理， 所述描繪處理停止後，測定所述處理對象的電阻值， 基於所述電阻值來判斷所述處理對象是否接地， 在判斷為所述處理對象接地的情況下，於所述控制部中再開始所述描繪處理。
  13. 如請求項12所述的描繪方法，其中所述處理對象的接地狀態的判斷是基於在描繪前所測定的所述處理對象的基準電阻值與在所述描繪處理停止後所測定的第一電阻值的差來判斷。
  14. 如請求項12所述的描繪方法，其中所述描繪裝置更包括測定所述接地構件的位置的第一位置測定部，且所述描繪方法更包括： 於描繪前，將所述接地構件的位置作為第一基準位置來測定； 在所述描繪處理停止後，將所述接地構件的位置作為第一位置來測定；以及 基於所述第一基準位置與所述第一位置的差來判斷所述接地構件的位置的異常。
  15. 如請求項14所述的描繪方法，其中所述控制部以和所述第一基準位置與所述第一位置的差對應的量來使相對於所述處理對象的描繪位置移動。
  16. 如請求項12所述的描繪方法，其中所述描繪裝置更包括利用設置於所述處理對象的對準標記來測定所述處理對象的位置的第二位置測定部，且所述描繪方法更包括： 於描繪前，將所述對準標記的位置作為第二基準位置來測定； 在所述描繪處理停止後，將所述對準標記的位置作為第二位置來測定；以及 基於所述第二基準位置與所述第二位置的差來判斷所述處理對象的位置的異常。
  17. 如請求項12所述的描繪方法，其中所述描繪裝置更包括檢測所述描繪裝置的加速度的振動感測器，且所述描繪方法更包括： 測定所述描繪裝置的加速度； 於所述加速度為臨限值或所述臨限值以上的情況下，向所述控制部發送不能再開始所述描繪處理的訊號； 於經過規定期間後，再測定所述描繪裝置的加速度；以及 於再測定的所述加速度未滿臨限值的情況下，向所述控制部發送能夠再開始所述描繪處理的訊號。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022159786A (ja) * 2021-04-05 2022-10-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303093A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Hitachi Ltd 電子線描画装置
TW201324028A (zh) * 2011-08-05 2013-06-16 Dainippon Printing Co Ltd 半導體製造系統
US20140001380A1 (en) * 2012-07-02 2014-01-02 Nuflare Technology, Inc. Mask drawing method, mask drawing apparatus
US20150303027A1 (en) * 2014-02-25 2015-10-22 Jeol Ltd. Charged-Particle Beam Lithographic System
US20160263625A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Nuflare Technology, Inc. Method of cleaning mask cover and cleaning board
TW201719269A (zh) * 2015-07-27 2017-06-01 信越化學工業股份有限公司 光罩基底及光罩之製造方法
TW201732223A (zh) * 2015-12-22 2017-09-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 形貌量測系統

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2993504B1 (ja) * 1999-01-11 1999-12-20 株式会社日立製作所 電子ビ―ム描画装置およびそれにより描画されたパタ―ンを有する半導体デバイス
KR20060128912A (ko) * 2004-01-15 2006-12-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
JP2009010233A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Canon Inc 製造装置およびデバイス製造方法
JP2010074059A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nuflare Technology Inc アースピン、アースプレート、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5062289B2 (ja) 2010-05-07 2012-10-31 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 エレベータの地震時復旧運転装置
JP2012208140A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Fujifilm Corp 電子線露光システムおよび電子線露光方法
JP6000695B2 (ja) * 2011-07-08 2016-10-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6123861B2 (ja) 2015-09-24 2017-05-10 大日本印刷株式会社 半導体製造システム
JP6982992B2 (ja) * 2016-09-05 2021-12-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 導通接点針
JP2018200988A (ja) * 2017-05-29 2018-12-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP7034867B2 (ja) * 2018-08-31 2022-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 異常判定方法および描画装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303093A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Hitachi Ltd 電子線描画装置
TW201324028A (zh) * 2011-08-05 2013-06-16 Dainippon Printing Co Ltd 半導體製造系統
US20140001380A1 (en) * 2012-07-02 2014-01-02 Nuflare Technology, Inc. Mask drawing method, mask drawing apparatus
US20150303027A1 (en) * 2014-02-25 2015-10-22 Jeol Ltd. Charged-Particle Beam Lithographic System
US20160263625A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Nuflare Technology, Inc. Method of cleaning mask cover and cleaning board
TW201719269A (zh) * 2015-07-27 2017-06-01 信越化學工業股份有限公司 光罩基底及光罩之製造方法
TW201732223A (zh) * 2015-12-22 2017-09-16 Ａｓｍｌ荷蘭公司 形貌量測系統

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