TWI734141B - 異常判定方法以及描繪裝置 - Google Patents

異常判定方法以及描繪裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI734141B
TWI734141B TW108125052A TW108125052A TWI734141B TW I734141 B TWI734141 B TW I734141B TW 108125052 A TW108125052 A TW 108125052A TW 108125052 A TW108125052 A TW 108125052A TW I734141 B TWI734141 B TW I734141B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ground
grounding member
chamber
resistance
resistance value
Prior art date
Application number
TW108125052A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202011445A (zh
Inventor
金澤駿
Original Assignee
日商紐富來科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商紐富來科技股份有限公司 filed Critical 日商紐富來科技股份有限公司
Publication of TW202011445A publication Critical patent/TW202011445A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI734141B publication Critical patent/TWI734141B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/20—Investigating the presence of flaws
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/041—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70653—Metrology techniques
    • G03F7/70658—Electrical testing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/204—Means for introducing and/or outputting objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
    • H01J2237/31754—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques using electron beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明的實施形態是有關於一種異常判定方法以及描繪裝置。本實施形態的異常判定方法包括：於第一腔室內將第一接地構件安裝於處理對象時，經由第一接地構件測定處理對象的第一電阻值，於第二腔室內使第一接地構件與經接地的第二接地構件接觸，經由第一接地構件及第二接地構件測定處理對象的第二電阻值，基於多個處理對象的第一電阻值與第二電阻值的電阻差的動向，來進行第二接地構件的異常判定。

Description

異常判定方法以及描繪裝置
本發明的實施形態是有關於一種異常判定方法以及描繪裝置。
遮罩描繪裝置是對包含基板(主要為玻璃基板)及成膜於該基板上的遮光膜(例如鉻(Cr))的遮罩基板(空白基板)照射帶電粒子束來描繪所期望的圖案的裝置。於遮罩基板的表面形成有抗蝕劑膜，利用帶電粒子束使該抗蝕劑膜感光，從而描繪所期望的圖案。利用帶電粒子束實施的描繪是於使遮罩基板接地的狀態下進行。其原因在於，若藉由帶電粒子束而於遮罩基板上蓄積電荷，則帶電粒子束的軌道會彎曲，或者帶電粒子束擴散而產生模糊。
為了使遮罩基板接地，於遮罩描繪裝置中，將接地用的接地體設置於遮罩基板上，使接地體與接地彈簧接觸，利用帶電粒子束進行描繪。藉由帶電粒子束而蓄積於遮罩基板上的電荷經由接地體及接地彈簧被排出，因此可防止遮罩基板帶電。
但是，若接地體與接地彈簧的接觸電阻值(以下為電阻值)變高，則無法使遮罩基板充分接地，從而發生接地錯誤。
作為此種電阻值上升的原因，考慮到接地彈簧的表面發 生變質或劣化。先前，於發生接地錯誤後調查其原因，於判明原因是接地彈簧的變質或劣化的情況下，為了改變接地體與接地彈簧的接觸點，而將接地彈簧上的遮罩基板的位置錯開，或者更換接地體。另外，有時亦更換接地彈簧本身。
本發明的實施形態提供一種能夠早期發現接地構件的異常，並減少遮罩描繪裝置的停止時間的異常判定方法以及描繪裝置。
本實施形態的異常判定方法為描繪裝置中的異常判定方法，所述描繪裝置包括：將第一接地構件安裝於處理對象的第一腔室；對處理對象描繪圖案的第二腔室；以及判定處理對象的電阻值的運算處理部，且所述異常判定方法包括：於第一腔室內將第一接地構件安裝於處理對象時，經由第一接地構件測定處理對象的第一電阻值，於第二腔室內使第一接地構件與經接地的第二接地構件接觸，經由第一接地構件及第二接地構件測定處理對象的第二電阻值，基於多個處理對象的第一電阻值與第二電阻值的電阻差的動向，來進行第二接地構件的異常判定。
運算處理部可基於電阻差超過第一臨限值的次數，判定第二接地構件的異常。
運算處理部可於次數超過第二臨限值時，判定為第二接地構件存在異常。
運算處理部可基於電阻差超過第一臨限值的頻度，判定 第二接地構件的異常。
異常判定方法可進而包括：於判定為第二接地構件不存在異常的情況下，於第二腔室內，利用帶電粒子束對處理對象描繪規定的圖案，於判定為第二接地構件存在異常的情況下，將第一接地構件相對於第二接地構件的接觸位置錯開。
本實施形態的描繪裝置包括：第一腔室，為了將使處理對象接地的第一接地構件安裝於該處理對象、或者使處理對象對位，而能夠收容處理對象；第二腔室，為了利用帶電粒子束對處理對象描繪規定的圖案，而能夠收容處理對象；第一電阻測定部，於第一腔室內，當進行處理對象的對位時、或者將使處理對象接地的第一接地構件安裝於該處理對象時，經由第一接地構件測定處理對象的第一電阻值；第二電阻測定部，於第二腔室內，當對處理對象進行描繪時，使第一接地構件與經接地的第二接地構件接觸，經由第一接地構件及第二接地構件測定載置於第二接地構件上的處理對象的第二電阻值；以及運算處理部，基於與多個處理對象有關的第一電阻值與第二電阻值的電阻差的動向，判定第二接地構件的異常。
運算處理部可基於電阻差超過第一臨限值的次數，判定第二接地構件的異常。
運算處理部可於次數超過第二臨限值時，判定為第二接地構件存在異常。
運算處理部可基於電阻差超過第一臨限值的頻度，判定 第二接地構件的異常。
可於判定為第二接地構件不存在異常的情況下，於第二腔室內，利用所述帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的圖案，於判定為第二接地構件存在異常的情況下，將第一接地構件相對於第二接地構件的接觸位置錯開。
10、11:遮罩描繪裝置
20:載置架
30:旋轉機構
31、110:載置台
32:旋轉軸
33:避讓槽
40、50:電阻測定部
40a、40b:端子
41:DC電源
42:控制器
42a:電流控制電路
42b:電壓測定電路
42c:電阻值計算電路
100:I/F
120、340:搬送機器人
200:I/O腔室
210:真空泵
220:氣體供給系統
300:R腔室
310、410:真空泵
320:ALN腔室
330:H腔室
341:臂
342:末端執行器
400:W腔室
420:X-Y載台
421:遮罩支撐部
430A、430B:驅動機構
500:電子束鏡筒
510:電子槍
520:光圈
530:偏轉器
540:透鏡(CL、PL、OL)
600:控制機構
601、701:MPU
602、702:記憶體
700:運算處理部
C:容器
Ca~Cc:連接器
Eb、Ec:接地彈簧
G1~G3:閘閥
H:接地體
H1a~H1c:接地銷
H2:框體
Mb、Mc:測定銷
Pa~Pc:銷部
R1~R13:電阻差
Rth:第一臨限值
S10~S90、S110~S130:步驟
W:遮罩基板
Wa:玻璃基板
Wb:遮光膜
Wc:抗蝕劑膜
X、Y:方向
圖1(A)及圖1(B)是第一實施形態的遮罩描繪裝置的示意圖。
圖2(A)及圖2(B)是接地體的示意圖。
圖3是更詳細地表示接地體的構成的立體圖。
圖4是更詳細地表示接地銷及接地彈簧的構成的立體圖。
圖5(A)及圖5(B)是H腔室內部的示意圖。
圖6是W腔室內部的示意圖。
圖7是電阻測定部的構成圖。
圖8(A)及圖8(B)是表示於H腔室內測定遮罩基板的第一電阻值的情況的概略圖。
圖9是表示於W腔室內測定遮罩基板的第二電阻值的情況的概略圖。
圖10是表示遮罩描繪裝置的動作的一例的流程圖。
圖11是表示判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常的方法的一例的流程圖。
圖12是用於說明接地彈簧的異常判定的圖表。
圖13是第二實施形態的遮罩描繪裝置11的示意圖。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行說明。對於圖式中的同一部分，標註同一符號並適當省略其詳細說明，對不同的部分進行說明。
(第一實施形態)
圖1(A)及圖1(B)是第一實施形態的遮罩描繪裝置10的示意圖。圖1(A)是遮罩描繪裝置10的平面示意圖。圖1(B)是遮罩描繪裝置10的剖面示意圖。以下，參照圖1(A)及圖1(B)對遮罩描繪裝置10的構成進行說明。再者，圖1(A)中省略了電子束鏡筒500的圖示。
如圖1(A)所示，遮罩描繪裝置10包括：接口(I/F)100、搬入搬出(I/O)腔室200、機器人腔室(R腔室)300、書寫腔室(W腔室)400、電子束鏡筒500、控制機構600、運算處理部700、及閘閥G1~閘閥G3。再者，圖1(A)中的鏈線表示控制訊號或資料等的流動。
I/F 100包括：載置收容有遮罩基板W的容器C(例如標準機械介面盒(Standard Mechanical Interface Pod，SMIF Pod))的載置台110、及搬送遮罩基板W的搬送機器人120。
I/O腔室200是用於在將R腔室300內保持為真空(低氣壓)的狀態下將遮罩基板W搬入搬出的所謂載入鎖定腔室(load lock chamber)。於I/O腔室200，於與I/F 100之間設置有閘閥G1，且包括真空泵210與氣體供給系統220。真空泵210例如為乾式泵或渦輪分子泵(turbomolecular pump)等，將I/O腔室200內抽真空。氣體供給系統220於使I/O腔室200成為大氣壓時向I/O腔室200內供給通氣(vent)用氣體(例如氮氣或清潔乾燥空氣(clean dry air，CDA))。
於將I/O腔室200內抽真空時，使用與I/O腔室200連接的真空泵210進行抽真空。另外，於將I/O腔室200內恢復為大氣壓時，自氣體供給系統220供給通氣用氣體，從而I/O腔室200內成為大氣壓。再者，於將I/O腔室200內抽真空時以及使I/O腔室200內成為大氣壓時，閘閥G1、閘閥G2被關閉(Close)。
R腔室300包括：真空泵310、對準(alignment)腔室(ALN腔室)320、接地體腔室(H腔室)330、及搬送機器人340。
R腔室300經由閘閥G2而與I/O腔室200連接。
真空泵310例如為低溫泵(Cryo-pump)或渦輪分子泵等。真空泵310與R腔室300連接，對R腔室300內進行抽真空而保持高真空。
H腔室330收容用於使遮罩基板W接地的接地體H。接地體H將遮罩基板W的外緣被覆，抑制帶電粒子束(例如電子束)的電荷蓄積於遮罩基板W的外緣。即，接地體H作為相對於遮罩基板W的外緣而言的簷發揮功能。另外，接地體H是為了將蓄積於遮罩基板W上的帶電粒子束的電荷釋放於接地而設置。H 腔室330為了將接地體H安裝於遮罩基板W而能夠收容遮罩基板W。另外，於H腔室330設置有電阻測定部40。電阻測定部40於接地體H被設置於遮罩基板W上的狀態下，經由接地體H測定遮罩基板W的電阻值。
例如，電阻測定部40具有多個測定銷，使該多個測定銷與接地體H接觸來測定該測定銷之間的電阻值。藉此，電阻測定部40經由接地體H測定遮罩基板W的電阻值(第一電阻值)。之後參照圖8(A)及圖8(B)對遮罩基板W的電阻值的測定進行說明。
ALN腔室320是用於對遮罩基板W進行定位(對準)的腔室。於ALN腔室320，進行遮罩基板W的對準。
於ALN腔室320內的對準中，亦可使接地體H於升降載台(stage)上待機，對準完成後，於ALN腔室320內將接地體H搭載於遮罩基板W上。於該情況下，於ALN腔室320，與H腔室330同樣地設置有電阻測定部40，同樣地，可於接地體H被設置於遮罩基板W上的狀態下，經由接地體H測定遮罩基板W的電阻值。
搬送機器人340包括：臂341、及設置於臂341末端的末端執行器(end effector)342。搬送機器人340於I/O腔室200、ALN腔室320、H腔室330及W腔室400之間搬送遮罩基板W。
W腔室400包括真空泵410、X-Y載台420、及驅動機構430A、驅動機構430B，並經由閘閥G3而與R腔室300連接。 W腔室400為了利用帶電粒子束對遮罩基板W描繪規定的圖案而能夠收容遮罩基板W。
真空泵410例如為低溫泵或渦輪分子泵等。真空泵410與W腔室400連接，對W腔室400內進行抽真空而保持高真空。X-Y載台420是用於載置遮罩基板W的台。驅動機構430A於X方向上驅動X-Y載台420。驅動機構430B於Y方向上驅動X-Y載台420。
於W腔室400內設置有作為第二接地構件的接地彈簧(參照圖4)。接地彈簧被接地，並構成為當於X-Y載台420上載置有遮罩基板W時，與接地體H接觸。藉此，於描繪時，遮罩基板W經由接地體H及接地彈簧而接地。另外，於W腔室400設置有電阻測定部50。電阻測定部50經由接地體H及接地彈簧測定遮罩基板W的電阻值(第二電阻值)。
圖1(B)的電子束鏡筒500包括由電子槍510、光圈520、偏轉器530、透鏡540(照明透鏡(CL)、投影透鏡(PL)、物鏡(OL))等構成的帶電粒子束照射部件，對載置於X-Y載台420上的遮罩基板W照射帶電粒子束。
控制機構600例如為電腦等，包括：微處理機單元(micro processor unit，MPU)601、記憶體602(例如，固體狀態驅動機(solid state drive，SSD)、硬磁碟驅動機(hard disk drive，HDD))等。控制機構600控制遮罩描繪裝置10的動作。
運算處理部700例如為與控制機構600分開設置的電腦 等，包括：MPU 701、記憶體702(例如SSD、HDD)等。運算處理部700亦可與控制機構600為相同的電腦。運算處理部700接收來自電阻測定部40、電阻測定部50的遮罩基板W的第一電阻值及第二電阻值，為了判定接地彈簧的異常而存儲第一電阻值及第二電阻值，並進行運算處理。關於接地彈簧的異常判定及運算處理，於後文詳細說明。
(接地體H的構成)
圖2(A)及圖2(B)是接地體H的示意圖。圖2(A)是接地體H的平面圖。圖2(B)是圖2(A)的線段L-L處的剖面圖。再者，圖2(A)及圖2(B)中示出了設置於遮罩基板W上的狀態的接地體H。
如圖2(A)及圖2(B)所示，接地體H包括：3根接地銷H1a~接地銷H1c、及邊框形狀的框體H2。框體H2、接地銷H1a~接地銷H1c使用例如鈦、氧化鋯等導電性材料。接地銷H1a與框體H2電連接，而不接地。接地銷H1b、接地銷H1c的其中一者與框體H2電連接。接地銷H1b、接地銷H1c中的另一者經由絕緣體而設置於框體H2，與框體H2電分離。接地銷H1b、接地銷H1c經由接地彈簧而接地。另外，遮罩基板W具有於玻璃基板Wa上積層有遮光膜Wb(例如鉻(Cr))與抗蝕劑膜Wc的構成。
若將接地體H設置於遮罩基板W上，則接地體H的接地銷H1a~接地銷H1c因自重而刺破抗蝕劑膜Wc，並與作為導電體的遮光膜Wb接觸。藉此，遮罩基板W的遮光膜Wb經由接地 銷H1a~接地銷H1c而接地。因此，藉由帶電粒子束的照射而蓄積於遮罩基板W上的電荷經由該接地體H被排出。另外，接地體H的框體H2經由接地銷H1a而接地。因此，蓄積於框體H2中的電荷經由接地銷H1a被排出。
圖3是更詳細地表示接地體H的構成的立體圖。例如，接地銷H1a~接地銷H1c是夾著框體H2的內周與外周而固定的金屬構件。接地銷H1a~接地銷H1c於框體H2的內周側具有呈銳角變尖的銷部Pa~銷部Pc。如上所述，當將接地體H設置於遮罩基板W上時，銷部Pa~銷部Pc刺破遮罩基板W的抗蝕劑膜Wc而與遮光膜Wb接觸。另外，接地銷H1a~接地銷H1c於框體H2的外周側具有連接器Ca~連接器Cc。連接器Ca~連接器Cc分別與銷部Pa~銷部Pc電連接。連接器Cb及連接器Cc是為了將接地銷H1b及接地銷H1c與接地彈簧電連接而設置。
圖4是更詳細地表示接地銷H1b及接地彈簧Eb的構成的立體圖。接地銷H1a、接地銷H1c的構成與接地銷H1b的構成相同，因此，此處對接地銷H1b的構成進行說明。其中，接地銷H1a配置於具有與接地彈簧Eb相同的構成的彈簧構件上，但該彈簧構件未接地。接地銷H1a與接地銷H1b或接地銷H1c電連接，並成為大致相同的電壓。因此，於描繪中，接地銷H1b、接地銷H1c接地，接地銷H1a經由接地銷H1b或接地銷H1c而接地。
作為第二接地構件的接地彈簧Eb設置於W腔室400內，於描繪中經由接地銷H1b、接地銷H1c使遮罩基板W的遮光膜 Wb接地。
接地彈簧Eb的一端與遮罩描繪裝置10的主體等的接地連接，另一端如圖4所示沿大致水平方向延伸，並與連接器Cb接觸。接地彈簧Eb使用例如鈦等導電性材料。
若將遮罩基板W及接地體H載置於接地彈簧上，則接地銷H1b的連接器Cb與接地彈簧Eb接觸，並與接地彈簧Eb電導通。藉此，接地銷H1b經由接地彈簧Eb而接地，遮罩基板W經由接地銷H1b及接地彈簧Eb而接地。
此處雖未圖示，但接地銷H1c的連接器Cc接觸與其對應的接地彈簧，並與該接地彈簧電導通。藉此，遮罩基板W經由接地銷H1c及與其對應的接地彈簧而接地。
如此，於W腔室400內，接地銷H1a~接地銷H1c經由接地彈簧使遮罩基板W的遮光膜Wb接地。藉此，於描繪中，可將藉由帶電粒子束的照射而蓄積於遮光膜Wb中的電荷向接地放電。
(H腔室330內部的構成)
圖5(A)及圖5(B)是H腔室330內部的示意圖。圖5(A)是H腔室330的側面圖。圖5(B)是H腔室330的平面圖。
以下，參照圖5(A)及圖5(B)對H腔室330的構成進行說明。
如圖5(A)所示，於H腔室330內設置有載置接地體H的載置架20、及使遮罩基板W旋轉的旋轉機構30。
旋轉機構30包括載置遮罩基板W的載置台31、及一端與載置台31連接的旋轉軸32。載置台31於四個方向上設置有用於使搬送機器人340的末端執行器342避讓的避讓槽33。另外，旋轉軸32的另一端側與未圖示的馬達連接，並構成為可使載置台31以90°為單位旋轉。
載置架20使接地體H上下移動，將接地體H載置於遮罩基板W上。
此時，接地體H的接地銷H1a~接地銷H1c因接地體H的自重而刺破抗蝕劑膜Wc，並與作為導電體的遮光膜Wb接觸。藉此，成為圖2(B)所示的狀態。
(W腔室400內部的構成)
圖6是W腔室400內部的示意圖。W腔室400內的X-Y載台420包括：支撐遮罩基板W的多個遮罩支撐部421、及使遮罩基板W接地的接地彈簧Eb、接地彈簧Ec。圖6表示於X-Y載台420上載置有遮罩基板W的狀態。遮罩支撐部421自下方支撐載置於X-Y載台420上的遮罩基板W及接地體H。接地彈簧Eb、接地彈簧Ec與接地銷H1b、接地銷H1c彈性接觸，經由接地銷H1b、接地銷H1c使遮罩基板W的遮光膜Wb接地。如此，於W腔室400，將遮罩基板W載置於X-Y載台420上，於利用接地彈簧Eb、接地彈簧Ec而接地的狀態下執行描繪。
(電阻測定部40或電阻測定部50的構成)
圖7是電阻測定部40或電阻測定部50的構成圖。電阻測定 部50的構成基本上與電阻測定部40的構成相同，因此，此處對電阻測定部40的構成進行說明。
電阻測定部40包括：配置於H腔室330外部的直流(direct current，DC)電源41、及與DC電源41連接的控制器42。控制器42包括電流控制電路42a、電壓測定電路42b、及電阻值計算電路42c，並測定端子40a、端子40b之間的電阻。端子40a、端子40b設置於H腔室330內，可與所述接地體H的接地銷H1b、接地銷H1c連接。
電阻測定部40於接地體H被設置於遮罩基板W上的狀態下，測定接地體H與遮罩基板W的接觸電阻值(電阻值)。具體而言，於接地體H被設置於遮罩基板W上的狀態下，電流控制電路42a使一定值的電流於端子40a、端子40b之間流動，電壓測定電路42b測定端子40a、端子40b之間的電壓。然後，電阻值計算電路42c根據於端子40a、端子40b之間流動的電流值及所測定的電壓值，計算端子40a、端子40b之間的電阻值。再者，當測定電阻值時，電阻測定部40的端子40a、端子40b與接地體H的接地銷H1b、接地銷H1c成為經連接的狀態。例如，電阻測定部40包括分別連接於端子40a、端子40b的多個測定銷(參照圖8(A)及圖8(B))，使該測定銷與接地銷H1b、接地銷H1c接觸即可。
如上所述，接地銷H1b或接地銷H1c經由絕緣體而設置於框體H2上。因此，由電流控制電路42a施加的電流經由接地銷H1b、接地銷H1c以及遮罩基板W的遮光膜Wb而於端子40a、 端子40b之間流動。此處，端子40a、端子40b與接地銷H1b、接地銷H1c的連接電阻值非常小，幾乎可忽略。因此，可測定接地銷H1b與接地銷H1c之間、例如接地銷H1b、接地銷H1c及遮罩基板W的遮光膜Wb之間的電阻值。
電阻測定部50亦與電阻測定部40同樣地具有圖7所示的構成。但是，電阻測定部50的端子40a、端子40b分別與不同的接地彈簧連接，經由接地彈簧而分別與接地銷H1b、接地銷H1c連接。藉此，電阻測定部50可測定接地彈簧、接地銷H1b、接地銷H1c及遮罩基板W的遮光膜Wb的電阻值。
(遮罩基板W的第一電阻值及第二電阻值的測定)
圖8(A)及圖8(B)是表示於H腔室330內測定遮罩基板W的電阻值(第一電阻值)的情況的概略圖。測定銷Mb、測定銷Mc分別與電阻測定部40的端子40a、端子40b連接。電阻測定部40使測定銷Mb、測定銷Mc分別與接地銷H1b、接地銷H1c接觸，測定接地銷H1b與接地銷H1c之間的第一電阻值。測定銷Mb、測定銷Mc以低電阻與接地銷H1b、接地銷H1c接觸。因此，第一電阻值與遮罩基板W的遮光膜Wb的電阻值大致相等。
圖9是表示於W腔室400內測定遮罩基板W的電阻值(第二電阻值)的情況的概略圖。遮罩基板W的第二電阻值經由接地彈簧Eb、接地彈簧Ec來測定。例如，如參照圖6所說明般，於W腔室400內，當將遮罩基板W載置於X-Y載台420上時，接地銷H1b、接地銷H1c分別與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸。 接地銷H1b、接地銷H1c的連接器Cb、連接器Cc與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸，並與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec電導通。
如參照圖4所說明般，於描繪中，經由接地銷H1b、接地銷H1c使遮罩基板W的遮光膜Wb接地。另一方面，於執行描繪之前及/或之後，電阻測定部50測定接地彈簧Eb與接地彈簧Ec之間的電阻值。藉此，經由作為第一接地構件的接地銷H1b、接地銷H1c及作為第二接地構件的接地彈簧Eb、接地彈簧Ec測定遮罩基板W的遮光膜Wb的電阻值。此時，第二電阻值與第一電阻值不同，包括連接器Cb、連接器Cc與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的接觸電阻。因此，於W腔室400內測定的第二電阻值雖然比於H腔室330內測定的第一電阻值高一些，但於連接器Cb、連接器Cc與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec以充分低的電阻接觸的情況下，應該成為與第一電阻值接近的值。但是，於發生了連接器Cb、連接器Cc與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的接觸不良的情況下，第二電阻值與第一電阻值相比，電阻值變得相當高。因此，第一電阻值與第二電阻值的電阻差可用作表示連接器Cb、連接器Cc與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的接觸狀態的參數。因此，本實施形態的遮罩描繪裝置10基於第一電阻值與第二電阻值的電阻差的動向來判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常。
(遮罩描繪裝置10的動作)
繼而，對遮罩描繪裝置10的動作進行說明。圖10是表示遮罩描繪裝置10的動作的一例的流程圖。再者，遮罩描繪裝置10由 控制機構600控制。另外，接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常由運算處理部700判定。
首先，將收容有遮罩基板W的容器C載置於載置台110上。搬送機器人120自容器C中取出遮罩基板W。繼而，I/O腔室200成為大氣壓，閘閥G1打開(Open)。
搬送機器人120於將遮罩基板W載置於I/O腔室200內之後，自I/O腔室200內退避(S10)。繼而，閘閥G1關閉。
I/O腔室200內被抽真空至規定的壓力後，閘閥G2打開。繼而，搬送機器人340自I/O腔室200內取出遮罩基板W。其後，閘閥G2關閉。
繼而，搬送機器人340將遮罩基板W搬送至ALN腔室320。然後，於ALN腔室320，進行遮罩基板W的對位(對準)(S20)。
對準後，搬送機器人340將遮罩基板W搬送至H腔室330，並將載置於H腔室330的載置架20上的接地體H設置於遮罩基板W上(S30)。H腔室330的電阻測定部40使測定銷Mb、測定銷Mc與接地銷H1b、接地銷H1c接觸，經由接地銷H1b、接地銷H1c測定遮罩基板W的遮光膜Wb的第一電阻值(S40)。運算處理部700將由電阻測定部40測定的第一電阻值存儲於記憶體702中。
運算處理部700的MPU 701使用第一電阻值進行接地檢查(S50)。接地檢查是針對接地銷H1b、接地銷H1c與遮罩基 板W的遮光膜Wb已電連接，並能夠使遮罩基板W接地進行確認的處理。MPU 701將第一電阻值與規定值進行比較。於第一電阻值為規定值以上的情況下，MPU 701判定為接地錯誤(S50的否(NO))。於發生了接地錯誤的情況下，進行測定銷Mb、測定銷Mc的升降動作，再次實施第一電阻值的測定(S40、S50)。
於第一電阻值小於規定值的情況下，MPU 701判定為遮罩基板W的電阻值正常，為可接地狀態(S50的是(YES))。
繼而，閘閥G3打開，搬送機器人340將遮罩基板W載置於W腔室400內的X-Y載台420上(S60)。搬送機器人340自W腔室400內退避後，閘閥G3關閉。藉由將遮罩基板W載置於X-Y載台420上，從而接地銷H1b、接地銷H1c的連接器Cb、連接器Cc與設置於W腔室400內的接地彈簧Eb、接地彈簧Ec接觸。
繼而，W腔室400的電阻測定部50經由接地彈簧Eb、接地彈簧Ec及接地銷H1b、接地銷H1c測定遮罩基板W的遮光膜Wb的第二電阻值(S70)。控制機構600將由電阻測定部50測定的第二電阻值存儲於記憶體702中。
繼而，運算處理部700的MPU 701使用第二電阻值進行接地檢查(S80)。接地檢查是經由接地銷H1b、接地銷H1c以及接地彈簧Eb、接地彈簧Ec對遮罩基板W的遮光膜Wb施加電壓，並確認遮光膜Wb已接地的處理。MPU 701將第二電阻值與規定值進行比較。於第二電阻值為規定值以上的情況下(S80的 否)，MPU 701判定為接地錯誤。於發生了接地錯誤的情況下，再次對遮光膜Wb施加電壓，再次實施接地檢查(S70、S80)。
於即便執行了規定次數的步驟S50、步驟S80的接地檢查仍成為接地錯誤的情況下，不執行描繪處理(S90)，處理結束。於該情況下，如參照圖11後述般，執行接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常檢測等。
於第二電阻值小於規定值的情況下(S80的是(YES))，MPU 701判定為遮罩基板W的電阻值正常，遮罩基板W為接地狀態。於該情況下，於W腔室400，帶電粒子束照射至遮罩基板W上，於遮罩基板W的遮光膜Wb上描繪所期望的圖案(S90)。此時，蓄積於遮罩基板W上的電荷經由接地銷H1b、接地銷H1c以及接地彈簧Eb、接地彈簧Ec流向接地。因此，可抑制遮罩基板W於描繪中帶電。
若對遮罩基板W進行的描繪結束，則驅動機構430A、驅動機構430B使X-Y載台420移動至規定的位置。繼而，閘閥G3打開，搬送機器人340自W腔室400取出遮罩基板W。繼而，閘閥G3關閉。搬送機器人340將遮罩基板W搬送至H腔室330內，並以與將接地體H設置於遮罩基板W上時相反的順序將接地體H收容至H腔室330內。
繼而，閘閥G2打開，搬送機器人340將遮罩基板W載置於I/O腔室200內之後，自I/O腔室200內退避。繼而，閘閥G2關閉。自氣體供給系統220供給通氣用氣體，I/O腔室200內 升壓至大氣壓後，閘閥G1打開。
搬送機器人120自I/O腔室200內取出遮罩基板W，並自I/O腔室200內退避。繼而，閘閥G1關閉。繼而，搬送機器人120將遮罩基板W收容於容器C內。如此，遮罩描繪裝置10進行遮罩基板W的接地檢查，執行描繪處理。
此處，接地錯誤不僅是由於遮罩基板W本身的電阻值的異常，多數情況下亦由於接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常或其他原因而產生。另外，接地檢查是對各個遮罩基板W執行的處理，並不確認遍及多個遮罩基板W的遮罩基板W的電阻值的動向(變動或傾向)。因此，於接地檢查中，難以判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec逐漸劣化(氧化)。
圖11是表示接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常的判定方法的一例的流程圖。運算處理部700的MPU 701針對每個遮罩基板W的描繪處理，將於圖10的步驟S40及步驟S70中測定的第一電阻值與第二電阻值、或者該些電阻值的差(電阻差)儲存(存儲)於記憶體702中(S110)。若對多個遮罩基板W進行描繪處理，則得到該多個遮罩基板W的電阻差的動向(變動或傾向)。根據本實施形態，MPU 701基於多個遮罩基板W的電阻差的動向，判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常(S120)。
例如，圖12是用於說明接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常判定的圖表。該圖表的橫軸表示遮罩基板W的處理片數，縱軸表示第一電阻值與第二電阻值的電阻差。MPU 701針對各遮罩 基板W的描繪處理，將第一電阻值及第二電阻值、或者第一電阻值與第二電阻值的電阻差儲存(存儲)於記憶體702中。藉此，對於多個遮罩基板W，運算處理部700得到第一電阻值及第二電阻值的歷史記錄、或者第一電阻值與第二電阻值的電阻差的歷史記錄。
再次參照圖11。MPU 701將第一電阻值與第二電阻值的電阻差與第一臨限值Rth進行比較，於電阻差小於第一臨限值Rth的情況下，判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec正常(S120的否)。
但是，若反覆進行遮罩基板W的描繪處理，且接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的表面發生氧化，則例如氧化鈦等絕緣物形成於接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的表面。該情況下，接地銷H1b、接地銷H1c與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec之間的接觸電阻上升，第二電阻值變高。藉此，第一電阻值與第二電阻值的電阻差(例如，第二電阻值-第一電阻值)變大。但是，於某一個遮罩基板W中，即使第一電阻值與第二電阻值的電阻差過渡性地超過第一臨限值Rth，如上所述，亦有時因接地彈簧Eb、接地彈簧Ec以外的其他原因而產生。因此，即便一個遮罩基板W的電阻差超過第一臨限值Rth，MPU 701亦不判斷為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常。例如，圖12的電阻差R1超過第一臨限值Rth。但是，於該階段，MPU 701不判斷為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常。
MPU 701亦可藉由該電阻差超過第一臨限值Rth的次數 來掌握第一電阻值與第二電阻值的電阻差的動向。該情況下，MPU 701基於電阻差超過第一臨限值Rth的次數，判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常。例如，當電阻差超過第一臨限值Rth的次數超過了第二臨限值時，MPU 701亦可判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec存在異常。若將第二臨限值設為7，則當產生了圖12的R8時，MPU 701判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec存在異常。
接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常判定不限定於電阻差超過第一臨限值Rth的次數，亦可使用其他參數來進行。例如，MPU 701亦可基於電阻差超過第一臨限值的頻度(密度)來判定接地彈簧Eb，接地彈簧Ec的異常。於超過第一臨限值的頻度(密度)例如成為遮罩基板W的描繪片數的一半(50%)以上的情況下，MPU 701判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec存在異常。
例如，MPU 701亦可基於電阻差超過第一臨限值的連續次數來判定接地彈簧Eb，接地彈簧Ec的異常。於超過第一臨限值的現象的連續次數成為第三臨限值以上的情況下，MPU 701判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec存在異常。
MPU 701將第一電阻值與第二電阻值的電阻差與第一臨限值Rth進行比較，於電阻差為第一臨限值Rth以上的情況下(S120的是(YES))，判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec異常。於判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec存在異常的情況下，為了降低接地彈簧Eb、接地彈簧Ec與接地銷H1b、接地銷H1c的接觸電阻，運算處理部700向控制機構600發送指令，對接地體H或接 地彈簧Eb、接地彈簧Ec執行保護處理(S130)。例如，將接地體H的接觸位置錯開，或更換接地體H。或者，亦可更換接地彈簧Eb、接地彈簧Ec本身。
此種接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常檢測可於在圖10所示的步驟S40、步驟S70中獲得第一電阻值及第二電阻值之後的任意時間點執行。
再者，於所述實施形態中，於W腔室400內，於描繪處理之前測定第二電阻值。但是，亦可於描繪處理之後測定第二電阻值。亦有於描繪處理前後兩者測定第二電阻值的情況。於此種情況下，亦可使用描繪處理前後的任一者的第二電阻值、或者兩者的第二電阻值。於使用描繪處理前後兩者的第二電阻值的情況下，電阻差亦可為描繪處理前後的第二電阻值的平均值與第一電阻值的差。或者，於使用描繪處理前後兩者的第二電阻值的情況下，運算處理部700亦可使用描繪處理前後的第二電阻值中與第一電阻值的差大的第二電阻值。
根據本實施形態的異常判定方法，運算處理部700使用經由接地銷H1b、接地銷H1c測定的遮罩基板W的第一電阻值與經由接地銷H1b、接地銷H1c以及接地彈簧Eb、接地彈簧Ec測定的多個遮罩基板W的第二電阻值的電阻差來判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常。第一電阻差不包含接地銷H1b、接地銷H1c與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的接觸電阻，但第二電阻差包含接地銷H1b、接地銷H1c與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的接觸電阻。 因此，該電阻差可用於判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的劣化(例如氧化)。再者，接地銷H1b、接地銷H1c的連接器Cb、連接器Cc於每個描繪處理中得到維護(maintenance)，因此可不考慮連接器Cb、連接器Cc的劣化。
進而，根據本實施形態，與H腔室330及W腔室400中的接地檢查不同，利用第一電阻值與第二電阻值的電阻差的動向(變動或傾向)進行接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常判斷。因此，運算處理部700於發生由接地彈簧引起的接地錯誤之前，可藉由第一電阻值與第二電阻值的電阻差的動向而發現接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的變質或劣化。藉此，可早期發現接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常，從而可預先準備其他接地彈簧Eb、接地彈簧Ec或其他接地體H。其結果，可減少遮罩描繪裝置10的停止時間(停機時間(downtime))。
另外，運算處理部700利用多個遮罩基板W的電阻差的動向來判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常。若於接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的表面形成氧化膜，則接地銷H1b、接地銷H1c與接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的接觸電阻穩定地變高，因此電阻差亦隨之變大。藉此，運算處理部700可抑制將突發地發生的其他異常判定為接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常，可更準確地判定接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常。
(第二實施形態)
圖13是第二實施形態的遮罩描繪裝置11的示意圖。於第二 實施形態中，於ALN腔室(對準腔室)320設置有電阻測定部40。
第二實施形態的遮罩描繪裝置11於ALN腔室320內使接地體H於升降載台上待機，進行遮罩基板W的對位。電阻測定部40於對位完成後，於ALN腔室320，將接地體H安裝於遮罩基板W，測定遮罩基板W的遮光膜Wb的電阻值(第一電阻值)。此時，第一電阻值的測定方法可與第一實施形態中的第一電阻值的測定方法相同。第二實施形態的接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常的判定方法亦與第一實施形態的接地彈簧Eb、接地彈簧Ec的異常的判定方法相同。另外，第二實施形態的遮罩描繪裝置11的其它構成可與第一實施例的構成相同。藉此，第二實施形態可得到與第一實施形態同樣的效果。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態是作為例子而提出，並不意圖限定發明的範圍。該些新穎的實施形態能夠以其他各種形態來實施，於不脫離發明主旨的範圍內可進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形包含於發明的範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載的發明及其均等的範圍內。
10:遮罩描繪裝置
40、50:電阻測定部
100:I/F
110:載置台
120、340:搬送機器人
200:I/O腔室
210:真空泵
220:氣體供給系統
300:R腔室
310、410:真空泵
320:ALN腔室
330:H腔室
341:臂
342:末端執行器
400:W腔室
420:X-Y載台
430A、430B:驅動機構
600:控制機構
601、701:MPU
602、702:記憶體
700:運算處理部
C:容器
G1~G3:閘閥
H:接地體
W:遮罩基板
X、Y:方向

Claims (15)

  1. 一種異常判定方法，其為描繪裝置中的異常判定方法，所述描繪裝置包括：第一腔室，為了將使處理對象接地的第一接地構件安裝於所述處理對象、或者將處理對象對位，而能夠收容所述處理對象；第二腔室，為了利用帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的圖案，而能夠收容所述處理對象；以及運算處理部，判定所述處理對象的電阻值，且所述異常判定方法包括： 於所述第一腔室內，當將所述第一接地構件安裝於所述處理對象時、或者進行所述處理對象的對位時，經由所述第一接地構件測定所述處理對象的第一電阻值， 於所述第二腔室內，使所述第一接地構件與經接地的第二接地構件接觸，經由所述第一接地構件及所述第二接地構件測定所述處理對象的第二電阻值， 基於與多個所述處理對象有關的所述第一電阻值與所述第二電阻值的電阻差的動向，利用所述運算處理部判定所述第二接地構件的異常。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的異常判定方法，其中所述運算處理部基於所述電阻差超過第一臨限值的次數，判定所述第二接地構件的異常。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的異常判定方法，其中所述運算處理部於所述次數超過第二臨限值時，判定為所述第二接地構件存在異常。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的異常判定方法，其中所述運算處理部基於所述電阻差超過第一臨限值的頻度，判定所述第二接地構件的異常。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的異常判定方法，其中所述運算處理部基於所述電阻差超過所述第一臨限值的頻度，判定所述第二接地構件的異常。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的異常判定方法，其中所述運算處理部基於所述電阻差超過所述第一臨限值的頻度，判定所述第二接地構件的異常。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的異常判定方法，其進而包括：於判定為所述第二接地構件不存在異常的情況下，於所述第二腔室內，利用所述帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的所述圖案， 於判定為所述第二接地構件存在異常的情況下，將所述第一接地構件相對於所述第二接地構件的接觸位置錯開。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的異常判定方法，其進而包括：於判定為所述第二接地構件不存在異常的情況下，於所述第二腔室內，利用所述帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的所述圖案， 於判定為所述第二接地構件存在異常的情況下，將所述第一接地構件相對於所述第二接地構件的接觸位置錯開。
  9. 如申請專利範圍第3項所述的異常判定方法，其進而包括：於判定為所述第二接地構件不存在異常的情況下，於所述第二腔室內，利用所述帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的所述圖案， 於判定為所述第二接地構件存在異常的情況下，將所述第一接地構件相對於所述第二接地構件的接觸位置錯開。
  10. 如申請專利範圍第4項所述的異常判定方法，其進而包括：於判定為所述第二接地構件不存在異常的情況下，於所述第二腔室內，利用所述帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的所述圖案， 於判定為所述第二接地構件存在異常的情況下，將所述第一接地構件相對於所述第二接地構件的接觸位置錯開。
  11. 一種描繪裝置，包括： 第一腔室，為了將使處理對象接地的第一接地構件安裝於所述處理對象、或者將處理對象對位，而能夠收容所述處理對象； 第二腔室，為了利用帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的圖案，而能夠收容所述處理對象； 第一電阻測定部，於所述第一腔室內，當進行所述處理對象的對位時、或者將使所述處理對象接地的所述第一接地構件安裝於所述處理對象時，經由所述第一接地構件測定所述處理對象的第一電阻值； 第二電阻測定部，於所述第二腔室內，當對所述處理對象進行描繪時，使所述第一接地構件與經接地的第二接地構件接觸，經由所述第一接地構件及所述第二接地構件測定載置於所述第二接地構件上的所述處理對象的第二電阻值；以及 運算處理部，基於與多個所述處理對象有關的所述第一電阻值與所述第二電阻值的電阻差的動向，判定所述第二接地構件的異常。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的描繪裝置，其中所述運算處理部基於所述電阻差超過第一臨限值的次數，判定所述第二接地構件的異常。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的描繪裝置，其中所述運算處理部於所述次數超過第二臨限值時，判定為所述第二接地構件存在異常。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的描繪裝置，其中所述運算處理部基於所述電阻差超過第一臨限值的頻度，判定所述第二接地構件的異常。
  15. 如申請專利範圍第11項所述的描繪裝置，其中於判定為所述第二接地構件不存在異常的情況下，於所述第二腔室內，利用所述帶電粒子束對所述處理對象描繪規定的所述圖案， 於判定為所述第二接地構件存在異常的情況下，將所述第一接地構件相對於所述第二接地構件的接觸位置錯開。
TW108125052A 2018-08-31 2019-07-16 異常判定方法以及描繪裝置 TWI734141B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-163839 2018-08-31
JP2018163839A JP7034867B2 (ja) 2018-08-31 2018-08-31 異常判定方法および描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202011445A TW202011445A (zh) 2020-03-16
TWI734141B true TWI734141B (zh) 2021-07-21

Family

ID=69642133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108125052A TWI734141B (zh) 2018-08-31 2019-07-16 異常判定方法以及描繪裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11275044B2 (zh)
JP (1) JP7034867B2 (zh)
KR (1) KR102295314B1 (zh)
CN (1) CN110874023B (zh)
TW (1) TWI734141B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7037513B2 (ja) * 2019-02-14 2022-03-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置および描画方法
CN113126018B (zh) * 2021-04-19 2023-04-14 广东电网有限责任公司计量中心 一种电能计量装置检定设备启停参数预警方法及系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303093A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Hitachi Ltd 電子線描画装置
US20140001380A1 (en) * 2012-07-02 2014-01-02 Nuflare Technology, Inc. Mask drawing method, mask drawing apparatus
US20150303027A1 (en) * 2014-02-25 2015-10-22 Jeol Ltd. Charged-Particle Beam Lithographic System
US20160263625A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Nuflare Technology, Inc. Method of cleaning mask cover and cleaning board
TW201719269A (zh) * 2015-07-27 2017-06-01 信越化學工業股份有限公司 光罩基底及光罩之製造方法
TW201820044A (zh) * 2016-09-05 2018-06-01 日商紐富來科技股份有限公司 導通接點針以及帶電粒子束裝置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3373762B2 (ja) * 1997-08-22 2003-02-04 株式会社日立製作所 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置
JP4705484B2 (ja) 2006-02-03 2011-06-22 新日鉄ソリューションズ株式会社 性能監視装置、性能監視方法及びプログラム
JP2007258536A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 電子線応用装置
JP5103050B2 (ja) * 2007-04-06 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置
JP2010074046A (ja) 2008-09-22 2010-04-02 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP5257844B2 (ja) 2008-12-26 2013-08-07 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置、外部診断装置、診断システム、および診断プログラム
TWI497557B (zh) * 2009-04-29 2015-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統
JP5059084B2 (ja) 2009-11-17 2012-10-24 トヨタ自動車東日本株式会社 設計支援プログラムおよび設計支援装置
JP2012176832A (ja) 2011-02-28 2012-09-13 Mitsubishi Electric Corp エレベータシステムおよびその管理方法
JP6105367B2 (ja) 2013-04-24 2017-03-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法
US10234261B2 (en) * 2013-06-12 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Fast and continuous eddy-current metrology of a conductive film
US10826138B2 (en) 2014-12-10 2020-11-03 Datang Nxp Semiconductors Co., Ltd. Method and apparatus for contact detection in battery packs
US10620274B2 (en) 2014-12-10 2020-04-14 Datang NXP Semiconductor Co., Ltd. Method and apparatus for contact detection in battery packs
JP6396400B2 (ja) * 2016-12-20 2018-09-26 ファナック株式会社 異常判定装置および異常判定方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303093A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Hitachi Ltd 電子線描画装置
US20140001380A1 (en) * 2012-07-02 2014-01-02 Nuflare Technology, Inc. Mask drawing method, mask drawing apparatus
US20150303027A1 (en) * 2014-02-25 2015-10-22 Jeol Ltd. Charged-Particle Beam Lithographic System
US20160263625A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Nuflare Technology, Inc. Method of cleaning mask cover and cleaning board
TW201719269A (zh) * 2015-07-27 2017-06-01 信越化學工業股份有限公司 光罩基底及光罩之製造方法
TW201820044A (zh) * 2016-09-05 2018-06-01 日商紐富來科技股份有限公司 導通接點針以及帶電粒子束裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200072777A1 (en) 2020-03-05
TW202011445A (zh) 2020-03-16
CN110874023B (zh) 2022-04-15
JP2020035984A (ja) 2020-03-05
KR20200026069A (ko) 2020-03-10
CN110874023A (zh) 2020-03-10
JP7034867B2 (ja) 2022-03-14
KR102295314B1 (ko) 2021-08-31
US11275044B2 (en) 2022-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110690095B (zh) 处理边缘环的方法、基底处理系统和图像传感器
TWI734141B (zh) 異常判定方法以及描繪裝置
US7521687B2 (en) Static electricity deflecting device, electron beam irradiating apparatus, substrate processing apparatus, substrate processing method and method of manufacturing substrate
JP2016119337A (ja) 基板保持ステージ
JP2016127086A (ja) 基板吸着補助部材及び基板搬送装置
US10340175B2 (en) Substrate transfer teaching method and substrate processing system
TW201727538A (zh) 位移檢測裝置、位移檢測方法及基板處理裝置
JP2005322894A (ja) 基板用位置決めテーブル、基板用位置決め設備、基板の位置決め方法
US8742376B2 (en) Method and apparatus of mask drawing using a grounding body at lowest resistance value position of the mask
US11385283B2 (en) Chuck top, inspection apparatus, and chuck top recovery method
TWI737131B (zh) 描繪裝置以及描繪方法
TWI757124B (zh) 設備校準方法、設備維護方法及半導體處理方法
KR102277547B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 안착 상태 판단 방법
CN113808972B (zh) 基板处理装置、用于测量升降销之间高度差的方法及存储有处理程序的计算机可读记录介质
JP2010074046A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
KR20070084828A (ko) 정전기 방지형 웨이퍼 이송로봇
JP7320034B2 (ja) 基板搬送装置及び成膜装置
WO2020071212A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN113611644A (zh) 用于处理基板的基板处理系统
CN115116917A (zh) 设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法
KR20050024818A (ko) 웨이퍼 이송용 로봇의 핸들러 브레이드
JP2006351650A (ja) 半導体検査装置