TWI757124B

TWI757124B - 設備校準方法、設備維護方法及半導體處理方法

Info

Publication number: TWI757124B
Application number: TW110110022A
Authority: TW
Inventors: 范致中; 吳昇穎; 林明賢
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2021-03-19
Filing date: 2021-03-19
Publication date: 2022-03-01
Also published as: TW202238774A

Abstract

一種設備校準方法包含：將校準零件之本體抵靠設置於靜電卡盤上之遮護板之頂面。校準零件進一步包含連接本體且相對於本體彎折之第一延伸部，以及連接第一延伸部且相對於第一延伸部彎折之第二延伸部。本體與第二延伸部位於第一延伸部之同一側。設備校準方法進一步包含：調整遮護板相對於靜電卡盤之相對位置，致使沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部在第一延伸部分別抵靠遮護板之側面之第一位置與第二位置時不接觸環繞靜電卡盤之沉積環，其中第一位置、第二位置與遮護板之中央在第一軸向上排列。

Description

設備校準方法、設備維護方法及半導體處理方法

本揭露係有關於一種設備校準方法、設備維護方法及半導體處理方法。

在半導體製程中，可利用物理氣相沉積(PVD)製程沉積金屬於晶圓上表面，同時金屬也沉積在沉積環上。通常在進行上述半導體製程之前執行預防性維護(preventive maintenance，PM)檢查，以防止在進行上述半導體製程的過程中產生晶圓電弧(wafer arcing)。

在本揭露之一些實施方式中，一種設備校準方法包含：將校準零件之本體抵靠設置於靜電卡盤上之遮護板之頂面。校準零件進一步包含連接本體且相對於本體彎折之第一延伸部，以及連接第一延伸部且相對於第一延伸部彎折之第二延伸部，且本體與第二延伸部位於第一延伸部之同一側。設備校準方法進一步包含：調整遮護板相對於靜電卡盤之相對位置，致使沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部在第一延伸部分別抵靠遮護板之側面之第一位置與第二位置時不接觸環繞靜電卡盤之沉積環，其中第一位置、第二位置與遮護板之中央在第一軸向上排列。

在本揭露之一些實施方式中，一種設備維護方法包含：將校準零件之本體抵靠設置於靜電卡盤上之遮護板之頂面，其中校準零件進一步包含連接本體且相對於本體彎折之第一延伸部以及連接第一延伸部且相對於第一延伸部彎折之第二延伸部，且本體與第二延伸部位於第一延伸部之同一側；以第一延伸部沿著第一軸向朝向遮護板之側面之第一位置移動，直至沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸環繞靜電卡盤之沉積環，其中第一軸向通過遮護板之中央；將校準零件自遮護板之第一位置的一側移至第二位置的一側，其中第一位置與第二位置沿著第一軸向排列；以第一延伸部沿著第一軸向朝向第二位置移動，直至沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸沉積環；以及當第二延伸部接觸沉積環且第一延伸部未抵靠到第二位置時，更換遮護板。

在本揭露之一些實施方式中，一種半導體處理方法包含：校準遮護板相對於下方之靜電卡盤之相對位置，包含：將校準零件之本體抵靠遮護板之頂面，其中校準零件進一步包含連接本體且相對於本體彎折之第一延伸部以及連接第一延伸部且相對於第一延伸部彎折之第二延伸部，且本體與第二延伸部位於第一延伸部之同一側；以第一延伸部沿著第一軸向朝向遮護板之側面之第一位置推動遮護板，直到沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸環繞靜電卡盤之沉積環，第一軸向通過遮護板之中央；將校準零件自遮護板之第一位置的一側移至第二位置的一側，其中第一位置與第二位置沿著第一軸向排列；以及以第一延伸部沿著第一軸向朝向第二位置推動遮護板，並在沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸沉積環前停止。半導體處理方法進一步包含：將包覆於靶材外之氧化材料沉積於遮護板上；將沉積有氧化材料之遮護板置換為半導體基板；以及將靶材沉積於半導體基板上。

應當理解，以下揭露內容提供了用於實現本揭露的不同特徵的許多不同的實施方式或實施例。下面描述組件和佈置的特定實施方式或實施例以簡化本揭露。當然，這些僅是舉例，並不意欲進行限制。例如，元件的尺寸不限於所揭露的範圍或值，而是可以取決於製程條件和/或裝置的期望特性。為了簡單和清楚起見，可以以不同比例任意繪製各種特徵。在附圖中，為了簡化，可以省略一些層/特徵。此外，本揭露可在各種實例中重複參照數字和/或字母。此重複係為了簡單及清楚的目的，且本身並不決定所討論之各種實施例及/或組態之間的關係。

此外，為了便於描述，本文中可以使用像是「在......下方」、「在......之下」、「下部」、「在......上方」、「上部」及類似的空間相對術語，以便於描述以描述一個元素或特徵與如圖所示的另一個或多個元件或特徵。除了在圖中描述的方位之外，空間相對術語還意圖涵蓋設備在使用或操作中的不同方位。可以以其他方式定向設備（旋轉90度或其他方向），並且在此使用的空間相對描述語也可以相應地解釋。此外，在隨後的製造過程中，在所描述的操作之間可以存在一個或多個附加操作，並且可以改變操作的順序。在以下實施方式中，可以在其他實施方式中採用關於一個實施方式所描述的材料、配置、尺寸、製程和/或操作（例如，一個或多個附圖），並且可以省略其詳細描述。

如本文中所使用，「左右」、「約」、「近似」或「實質上」一般應意指與給定值或範圍相差在20%內、10%內，或5%內。本文給定的數值量係近似的，即意指在無明確表述之情況下可推論術語「左右」、「約」、「近似」或「實質上」。

本揭露是有關於一種設備校準方法、設備維護方法及半導體處理方法。具體來說，本揭露是關於執行半導體元件的沉積製程時，欲解決因沉積不均勻造成晶圓損壞的問題。本文所揭露的一些實施方式可用於物理氣相沉積或任何與其相關的製程。

第1圖繪示在一些實施方式的校準零件100的剖面圖。校準零件100包含本體110、第一延伸部120以及第二延伸部130。第一延伸部120連接本體110且相對於本體110彎折。第二延伸部130連接第一延伸部120且相對於第一延伸部120彎折。本體110與第二延伸部130位於第一延伸部120之同一側。

在一些實施方式中，校準零件100可為用於校準有關物理氣相沉積的設備之零件。

在一些實施方式中，本體110的長度與第二延伸部130的長度可以相同或不相同。

第2A圖至第2D圖分別繪示根據本揭露之一些實施方式的設備校準方法300之不同校準階段的剖面圖。在一些實施方式中，校準零件100應用於半導體製造設備200。半導體製造設備200包含靜電卡盤210、設置於靜電卡盤210上之遮護板220以及環繞靜電卡盤210之沉積環230。本體110配置以抵靠遮護板220之頂面220a。第一延伸部120連接本體110且相對於本體110彎折。第一延伸部120配置以抵靠遮護板220之側面。第二延伸部130連接第一延伸部120且相對於第一延伸部120彎折。第二延伸部130配置以抵靠沉積環230的側面230a，其中本體110與第二延伸部130位於第一延伸部120之同一側。

在一些實施方式中，本體110具有底面110a配置以抵靠遮護板220之頂面220a。第一延伸部120具有抵靠面120a配置以抵靠遮護板220之側面，且本體110之底面110a與第一延伸部120之抵靠面120a相互垂直。藉此，可以使得當校準零件100透過本體110以及第一延伸部120分別抵靠遮護板220之頂面220a以及側面時，可以產生平穩抵靠的功效。

第2E圖至第2H圖繪示根據本揭露之一些實施方式的分別對應於第2A圖至第2D圖的設備校準方法300之校準階段的俯視圖。遮護板220的側面包含第一位置A、第二位置B、第三位置C以及第四位置D。

如第2A圖、第2B圖、第2E圖以及第2F圖所示，在一些實施方式中，校準零件100配置以使本體110抵靠遮護板220之頂面220a，以調整遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置，致使第二延伸部130在第一延伸部120分別抵靠遮護板220之側面之第一位置A與第二位置B時不接觸沉積環230，其中第一位置A與第二位置B沿著通過遮護板220之中央之第一軸向D1排列。

在一些實施方式中，舉例來說，第一軸向D1可以是X軸向。

第3圖繪示根據本揭露之一些實施方式的利用校準零件100校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置之設備校準方法300的流程圖。第3圖中所繪示的方法可應用於半導體製造設備200。請同時參照第2A圖、第2B圖、第2E圖、第2F圖以及第3圖，本實施方式的方法可適用於第2A圖以及第2B圖的製造設備，以下即搭配半導體製造設備200中各元件之間的作動關係來說明本揭露實施方式之設備校準方法300的詳細步驟。

如第3圖所示，本實施方式揭露一種利用校準零件100校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置之設備校準方法300。具體來說，校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置以使遮護板220相對於靜電卡盤210置中。設備校準方法300包含操作310至操作340。

在操作310中，參考第3圖，以本體110抵靠遮護板220之頂面220a。具體來說，操作者將校準零件100之本體110抵靠遮護板220之頂面220a。

在操作320中，參考第2A圖、第2E圖以及第3圖，以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向第一位置A推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230。具體來說，操作者可手持校準零件100，使本體110之底面110a抵靠在遮護板220之頂面220a上。接著，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第一軸向D1朝向第一位置A推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a時，停止以第一延伸部120推動遮護板220。

在操作330中，將校準零件100自遮護板220之第一位置A的一側移至第二位置B的一側。具體來說，當操作者手持校準零件100以第一延伸部120推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230時，停止以第一延伸部120推動遮護板220（即操作320完成）。接著，操作者將校準零件100自遮護板220之第一位置A的一側移至第二位置B的一側。

在操作340中，參考第2B圖、第2F圖以及第3圖，以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向第二位置B推動遮護板220並在第二延伸部130接觸沉積環230前停止。具體來說，操作者可手持校準零件100，使本體110之底面110a抵靠在遮護板220之頂面220a上。接著，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第一軸向D1朝向第二位置B推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120推動遮護板220時，同時不使第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a。在執行操作310至操作340之後，即可確保第二延伸部130在第一延伸部120分別抵靠遮護板220之側面之第一位置A與第二位置B時不接觸沉積環230，此亦代表遮護板220相對於靜電卡盤210在第一軸向D1上的相對位置已完成校準。

在一些實施方式中，如第2A圖所示，在操作320中，當操作者手持校準零件100以第一延伸部120朝向第一位置A推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a時，遮護板220被推動一個第一距離。如第2B圖所示，在操作340中，當操作者手持校準零件100以第一延伸部120朝向第二位置B推動遮護板220，而不使第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a時，遮護板220又被推動一個第二距離。上述第二距離小於上述第一距離。操作者藉此使遮護板220在第一軸向D1上相對於靜電卡盤210有置中的效果。

在一些實施方式中，第一位置A以及第二位置B為分別位於遮護板220之第一軸向D1上的相反兩側之區域。

在一些實施方式中，經過設備校準方法300校準後的遮護板220的側面在第一軸向D1上突出沉積環230的側面230a的距離在約0.8 mm至約1.0 mm 的範圍內。

如第2C圖、第2D圖、第2G圖以及第2H圖所示，在一些實施方式中，校準零件100還配置以使本體110抵靠遮護板220之頂面220a，以調整遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置，致使第二延伸部130在第一延伸部120分別抵靠遮護板220之側面之第三位置C與第四位置D時不接觸沉積環230，其中第三位置C與第四位置D沿著通過遮護板220之中央之第二軸向D2排列。

在一些實施方式中，第二軸向D2垂直於第一軸向D1。舉例來說，第二軸向D2可以是Y軸向。

在一些實施方式中，可繼續利用如第3圖所示的設備校準方法300的操作350至操作380在第二軸向D2上校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置。

在操作350中，參考第3圖，將校準零件100自遮護板220之第二位置B的一側移至第三位置C的一側。具體來說，操作者將校準零件100移離遮護板220之第二位置B的一側，再將校準零件100之本體110抵靠遮護板220的第三位置C之頂面220a。

在操作360中，參考第2C圖、第2G圖以及第3圖，以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向第三位置C推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230。具體來說，操作者可手持校準零件100，使本體110之底面110a抵靠在遮護板220之頂面220a上。接著，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第二軸向D2朝向第三位置C推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a時，停止以第一延伸部120推動遮護板220。

在操作370中，將校準零件100自遮護板220之第三位置C的一側移至第四位置D的一側。具體來說，當操作者手持校準零件100以第一延伸部120推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230時，停止以第一延伸部120推動遮護板220（即操作360完成）。接著，操作者將校準零件100自遮護板220之第三位置C的一側移至第四位置D的一側。

在操作380中，參考第2D圖、第2H圖以及第3圖，以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向第四位置D推動遮護板220並在第二延伸部130接觸沉積環230前停止。具體來說，操作者可手持校準零件100，使本體110之底面110a抵靠在遮護板220之頂面220a上。接著，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第二軸向D2朝向第四位置D推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120推動遮護板220時，同時不使第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a。

在一些實施方式中，如第2C圖所示，在操作360中，當操作者手持校準零件100以第一延伸部120朝向第三位置C推動遮護板220直到第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a時，遮護板220被推動一個第三距離。如第2B圖所示，在操作380中，當操作者手持校準零件100以第一延伸部120朝向第四位置D推動遮護板220，而不使第二延伸部130接觸沉積環230的側面230a時，遮護板220又被推動一個第四距離。上述第四距離小於上述第三距離。操作者藉此使遮護板220在第二軸向D2上相對於靜電卡盤210有置中的效果。

在一些實施方式中，第三位置C以及第四位置D為分別位於遮護板220之第二軸向D2上的相反兩側之區域。

在一些實施方式中，經過設備校準方法300校準後的遮護板220的側面在第二軸向D2上突出沉積環230的側面230a的距離在約0.8 mm至約1.0 mm 的範圍內。

在一些實施方式中，操作者可以在第一軸向D1、第二軸向D2、或更多軸向上以設備校準方法300校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置。舉例來說，操作者可以在與第一軸向D1相差約45度的第三軸向上之第五位置以及第六位置以設備校準方法300校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置，其中第五位置以及第六位置位於遮護板220之對角位置(圖未示)。

在一些實施方式中，舉例來說，操作者可以在與第三軸向相互垂直的第四軸向上之第七位置以及第八位置以設備校準方法300校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置，其中第七位置以及第八位置位於遮護板220之對角位置(圖未示)。

需要說明的是，操作者可依據不同需求在遮護板220的多個軸向上重複執行上述設備校準方法300，以使遮護板220相對於靜電卡盤210置中。

第2I圖繪示根據本揭露之一些實施方式之須更換遮護板之狀況的剖面示意圖。

第4圖繪示根據本揭露之一些實施方式之設備維護方法的流程圖。

在一些實施方式中，也可以利用如第4圖所示的設備維護方法400在第一軸向D1上判斷遮護板220是否必須更換，其中執行操作410至操作440之後，接著執行操作440A。

以下將參考第2I圖以及第4圖詳細說明利用設備維護方法400判斷遮護板220是否必須更換的具體實施方式。

執行操作410，參考第2I圖以及第4圖，以本體110抵靠遮護板220之頂面220a。具體來說，操作者可手持校準零件100，使本體110之底面110a抵靠在遮護板220之頂面220a上。

執行操作420，參考第2I圖以及第4圖，以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向遮護板220之側面之第一位置A移動，直至沿著第一軸向D1朝向遮護板220延伸之第二延伸部130接觸環繞靜電卡盤210之沉積環230。具體來說，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第一軸向D1朝向第一位置A推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向第一位置A移動直到第二延伸部130接觸沉積環230時，停止以第一延伸部120推動遮護板220。

執行操作430，參考第2I圖以及第4圖，將校準零件100自遮護板220之第一位置A的一側移至第二位置B的一側。具體來說，操作者將校準零件100自遮護板220之第一位置A的一側移至第二位置B的一側。在一些實施方式中，第一位置A以及第二位置B位於遮護板220之對角位置。接著，操作者可手持校準零件100，使本體110之底面110a抵靠在遮護板220之頂面220a上。

執行操作440，參考第2I圖以及第4圖，以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向遮護板220之側面之第二位置B移動，直至沿著第一軸向D1朝向遮護板220延伸之第二延伸部130接觸環繞靜電卡盤210之沉積環230。具體來說，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第一軸向D1朝向第二位置B推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向第二位置B移動直到第二延伸部130接觸沉積環230時，停止以第一延伸部120推動遮護板220。

執行操作440A，當第二延伸部130沿著第一軸向D1移動而接觸沉積環230但第一延伸部120未抵靠到第二位置B時，更換遮護板220。具體來說，當操作者手持校準零件100想要以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向第二位置B推動遮護板220的過程中，第二延伸部130首先沿著第一軸向D1移動而接觸沉積環230但第一延伸部120未抵靠到第二位置B時，操作者據此判斷必須更換遮護板220。

在一些實施方式中，遮護板220因為在製程中重複使用而造成尺寸變小，致使當操作者手持校準零件100想要以第一延伸部120沿著第一軸向D1朝向第二位置B推動遮護板220的過程中，第二延伸部130沿著第一軸向D1移動而接觸沉積環230但第一延伸部120未抵靠到第二位置B。藉此，操作者可利用校準零件100透過操作440A來評估遮護板220是否需更換。

第2J圖繪示根據本揭露之一些實施方式之須更換遮護板之另一狀況的剖面示意圖。在本實施方式中，遮護板220相對於靜電卡盤210置中，使得遮護板220之兩側皆部接觸第一延伸部120的抵靠面120a。

以下將參考第2J圖詳細描述利用設備維護方法400判斷遮護板220是否必須更換的具體另一些實施方式。在一些實施方式中，第2I圖以及第2J圖的差異在於，在操作420中第一延伸部120是否有推動遮護板220，但操作步驟都是同樣執行操作410至操作440A。亦即，在第2I圖所繪示的一些實施方式中，第一延伸部120在執行操作420的過程中有推動遮護板220。相反地，在第2J圖所繪示的一些實施方式中，第一延伸部120在執行操作420的過程中未推動遮護板220。

在一些實施方式中，當遮護板220的側面在第一軸向D1上突出沉積環230的側面230a小於約0.8mm時，操作者將遮護板220更換。

在本揭露的一些實施方式中，也可以利用如第4圖所示的設備維護方法400在第二軸向D2上判斷遮護板220是否必須更換。操作者除了可藉由如第2I圖所示在第一軸向D1上判斷遮護板220是否必須更換，還可在第二軸向D2上判斷遮護板220是否必須更換。其中執行操作410至操作480之後，接著執行操作480A。

以下參考第2I圖以及第4圖詳細說明利用設備維護方法400判斷遮護板220是否必須更換的具體實施方式。

在執行設備維護方法400的操作410至操作440之後，若第一延伸部120抵靠到第二位置B，則代表遮護板200在第一軸向D1上符合標準而不需更換。根據設備維護方法400可接著在第二軸向D2上判斷遮護板220是否必須更換，其執行操作450至操作480之後，接著執行操作480A。

執行操作450，將校準零件100自遮護板200之第二位置B的一側移至第三位置C的一側。換言之，即操作者將校準零件100移離遮護板220之第二位置B的一側，再將校準零件100之本體110抵靠遮護板220的第三位置C之頂面220a。

執行操作460，參考第4圖，並配合參考第2G圖以及第2H圖，以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向遮護板220之側面之第三位置C移動，直至沿著第二軸向D2朝向遮護板220延伸之第二延伸部130接觸環繞靜電卡盤210之沉積環230。具體來說，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第二軸向D2朝向第三位置C推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向第三位置C移動直到第二延伸部130接觸沉積環230時，停止以第一延伸部120推動遮護板220。

執行操作470。參考第4圖，並配合參考第2G圖以及第2H圖，將校準零件100自遮護板220之第三位置C的一側移至第四位置D的一側。具體來說，操作者將校準零件100自遮護板220之第三位置C的一側移至第四位置D的一側。在一些實施方式中，第三位置C以及第四位置D位於遮護板220之對角位置。接著，操作者可手持校準零件100，使本體110之底面110a抵靠在遮護板220之頂面220a上。

執行操作480，參考第4圖，並配合參考第2G圖以及第2H圖，以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向遮護板220之側面之第四位置D移動，直至沿著第二軸向D2朝向遮護板220延伸之第二延伸部130接觸環繞靜電卡盤210之沉積環230。具體來說，操作者手持校準零件100使第一延伸部120的抵靠面120a抵靠遮護板220的側面，並施力沿著第二軸向D2朝向第四位置D推動遮護板220。在施力的過程中，第一延伸部120的抵靠面120a面向遮護板220的中央。當操作者手持校準零件100以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向第四位置D移動直到第二延伸部130接觸沉積環230時，停止以第一延伸部120推動遮護板220。

執行操作480A，當第二延伸部130沿著第二軸向D2移動而接觸沉積環230但第一延伸部120未抵靠到第四位置D時，更換遮護板220。具體來說，當操作者手持校準零件100想要以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向第四位置D推動遮護板220的過程中，第二延伸部130首先沿著第二軸向D2移動而接觸沉積環230但第一延伸部120未抵靠到第四位置D時，操作者據此判斷必須更換遮護板220。

在一些實施方式中，遮護板220因為在製程中重複使用而造成尺寸變小，致使當操作者手持校準零件100想要以第一延伸部120沿著第二軸向D2朝向第四位置D推動遮護板220的過程中，第二延伸部130沿著第二軸向D2移動而接觸沉積環230但第一延伸部120未抵靠到第四位置D時，操作者將遮護板220更換。

在一些實施方式中，第一延伸部120在執行操作420的過程中有推動遮護板220。在其他一些實施方式中，第一延伸部120在執行操作420的過程中未推動遮護板220。

在一些實施方式中，操作者可以在第一軸向D1、第二軸向D2、或更多軸向上以設備維護方法400判斷遮護板220是否必須更換。舉例來說，操作者可以在與第一軸向D1相差約45度的第三軸向上之第五位置以及第六位置以設備維護方法400判斷遮護板220是否必須更換，其中第五位置以及第六位置位於遮護板220之對角位置(圖未示)。

在一些實施方式中，舉例來說，操作者可以在與第三軸向相互垂直的第四軸向上之第七位置以及第八位置以設備維護方法400判斷遮護板220是否必須更換，其中第七位置以及第八位置位於遮護板220之對角位置(圖未示)。

需要說明的是，操作者可依據不同需求在遮護板220的多個軸向上重複執行上述設備維護方法400，以判斷遮護板220是否必須更換。

需要說明的是，上述提及的第一位置A、第二位置B、第三位置C、第四位置D、或其他在多個軸向上之多個成對的不同位置可以互換。舉例來說，上述提及的第一位置可以是指第二位置，而上述提及的第二位置可以是指第一位置。更具體來說，第一位置並不限定位於第2A圖、第2B圖以及第2E圖至第2H圖的右方，亦可位於左方，第二位置並不限定位於第2A圖、第2B圖以及第2E圖至第2H圖的左方，亦可位於右方。

第5A圖、第5B圖、第5C圖以及第5D圖繪示根據本揭露之一些實施方式的半導體處理方法600的各個階段。在一些實施方式中，半導體製造設備200還包含靶材240以及包覆在靶材240外的氧化材料240A。靶材240以及氧化材料240A位在靜電卡盤210、遮護板220以及沉積環230上方。在一些實施方式中，氧化材料240A是由於靶材240的外圍與空氣接觸氧化而形成。

在一些實施方式中，在靶材240以及氧化材料240A下方的腔室空間中產生電漿P。電漿P的離子用以撞擊靶材240以及氧化材料240A以濺鍍金屬在遮護板220以及沉積環230上。

第6圖繪示根據本揭露的實施方式的半導體處理方法600的各個階段的流程圖。第6圖中所繪示的方法可應用於半導體製造設備200。請同時參照第5A圖、第5B圖、第5C圖、第5D圖以及第6圖，本實施方式的方法可適用於第5A圖、第5B圖、第5C圖以及第5D圖的製造設備，以下即搭配製造設備中各元件之間的作動關係來說明本揭露實施方式之半導體處理方法600的詳細步驟。

如第6圖所示，本實施方式揭露一種半導體處理方法600。半導體處理方法600包含操作610、操作620、操作630以及操作640。

在操作610中，參考第5A圖以及第6圖，校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置。具體來說，操作者以設備校準方法300校準遮護板220相對於靜電卡盤210之相對位置，以使遮護板220相對於靜電卡盤210置中。

前面已詳細說明設備校準方法300及其操作310至操作380，故此處不再詳述。

在操作620中，參考第5B圖以及第6圖，將包覆於靶材240外之氧化材料240A沉積於遮護板220上。具體來說，當操作者手持校準零件100以設備校準方法300使遮護板220相對於靜電卡盤210置中之後，移除校準零件100。接著，使腔室空間進入真空狀態。執行加溫烘烤(baking)，以去除腔室空間中的水氣以及有機物質。再來，導入氣體至腔室空間中。在一些實施方式中，氣體可以是例如氬氣(Ar)等其他適合用以產生電漿P的氣體。加熱腔室空間以產生電漿P。電漿P的離子撞擊上方的氧化材料240A，以濺鍍氧化材料240A至遮護板220之頂面220a上以及沉積環230的表面上。在一些實施方式中，氧化材料240A可以是金屬氧化物，例如：氧化鋁(Al _xO _y)等金屬氧化物，但不限於此。

在一些實施方式中，請參考第5B圖以及第5D圖，以電漿P濺鍍氧化材料240A使其沉積在遮護板220上以及沉積環230上，是為了後段製程步驟欲以電漿P濺鍍靶材240在半導體基板W上以及沉積環230上時不濺鍍氧化材料240A。

在操作630中，參考第5C圖以及第6圖，將沉積有氧化材料240A之遮護板220置換為半導體基板W。具體來說，利用例如機械手臂（圖未示）將沉積有氧化材料240A之遮護板220移離腔室空間。接著，檢驗在沉積環230的氧化材料240A之剖面，以確認氧化材料240A是否均勻沉積在沉積環230上。

在一些實施方式中，若氧化材料240A均勻沉積在沉積環230上，將沉積有氧化材料240A的沉積環230更換為新的沉積環230。再來，利用例如機械手臂將半導體基板W移進腔室空間中，並將半導體基板W放置於靜電卡盤210上。在一些實施方式中，當機械手臂在將沉積有氧化材料240A的遮護板220移離腔室空間時，記憶沉積有氧化材料240A的遮護板220的位置參數，並且當機械手臂在將半導體基板W移入腔室空間時，根據已記憶的上述位置參數將半導體基板W放置於先前遮護板220所在的位置上。

在操作640中，參考第5D圖以及第6圖，將靶材240沉積於半導體基板W上。具體來說，當機械手臂將半導體基板W放置於靜電卡盤210上之後，使腔室空間進入真空狀態。執行加溫烘烤(baking)，以去除腔室空間中的水氣以及有機物質。再來，導入氣體至腔室空間中。在一些實施方式中，氣體可以是例如氬氣(Ar)等其他適合用以產生電漿P的氣體。加熱腔室空間以產生電漿P。電漿P的離子撞擊上方的靶材240，以濺鍍靶材240至半導體基板W之頂面上以及沉積環230的表面上。在一些實施方式中，靶材240可以是金屬或合金，例如：鋁銅合金(AlCu)等金屬或合金，但不限於此。

在一些實施方式中，操作610可視為執行設備校準方法300，並且操作610包含操作310至操作380。在一些實施方式中，操作者可依據不同需求在遮護板220的多個軸向上重複執行操作610，以使遮護板220相對於靜電卡盤210置中。

在一些實施方式中，在操作630中檢驗氧化材料240A是否均勻沉積之後，還可以利用測試用的半導體基板（圖未示）以及沉積環230沉積靶材240以檢驗沉積在沉積環230上的靶材240之剖面是否均勻沉積，再執行操作640。具體來說，利用例如機械手臂將測試用的半導體基板移進腔室空間中，並將測試用的半導體基板放置於靜電卡盤210上。導入氣體產生電漿P以濺鍍靶材240在測試用的半導體基板上以及沉積環230上。利用機械手臂將測試用的半導體基板移離腔室空間，再檢驗沉積在沉積環230上的靶材240之剖面是否均勻沉積。若靶材240之剖面均勻沉積，再執行操作640。

將理解的是，在本文中並非必須敘述所有優點，對於所有實施方式或實施例不需要特定的優點，並且其他實施方式或實施例可以提供不同的優點。

在一些實施方式中，一種設備校準方法包含：將校準零件之本體抵靠設置於靜電卡盤上之遮護板之頂面。校準零件進一步包含連接本體且相對於本體彎折之第一延伸部，以及連接第一延伸部且相對於第一延伸部彎折之第二延伸部，且本體與第二延伸部位於第一延伸部之同一側。設備校準方法進一步包含：調整遮護板相對於靜電卡盤之相對位置，致使沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部在第一延伸部分別抵靠遮護板之側面之第一位置與第二位置時不接觸環繞靜電卡盤之沉積環，其中第一位置、第二位置與遮護板之中央在第一軸向上排列。

在一些實施方式中，調整遮護板相對於靜電卡盤之相對位置進一步致使第二延伸部在第一延伸部分別抵靠遮護板之側面之第三位置與第四位置時不接觸沉積環，第三位置與第四位置沿著通過遮護板之中央之第二軸向排列。在一些實施方式中，調整遮護板相對於靜電卡盤之相對位置進一步包含以第一延伸部沿著第一軸向朝向第一位置推動遮護板，直到第二延伸部接觸沉積環，校準零件自該遮護板之第一位置的一側移至第二位置的一側，以及以第一延伸部沿著第一軸向朝向第二位置推動遮護板，並在第二延伸部接觸沉積環前停止。

在一些實施方式中，一種設備維護方法包含：將校準零件之本體抵靠設置於靜電卡盤上之遮護板之頂面，其中校準零件進一步包含連接本體且相對於本體彎折之第一延伸部以及連接第一延伸部且相對於第一延伸部彎折之第二延伸部，且本體與第二延伸部位於第一延伸部之同一側；以第一延伸部沿著第一軸向朝向遮護板之側面之第一位置移動，直至沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸環繞靜電卡盤之沉積環，其中第一軸向通過遮護板之中央；將校準零件自遮護板之第一位置的一側移至第二位置的一側，其中第一位置與第二位置沿著第一軸向排列；以第一延伸部沿著第一軸向朝向第二位置移動，直至沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸沉積環；以及當第二延伸部接觸沉積環且第一延伸部未抵靠到第二位置時，更換遮護板。

在一些實施方式中，在以第一延伸部沿著第一軸向朝向第一位置移動期間，第一延伸部係推動遮護板，並且在以第一延伸部沿著第一軸向朝向第二位置移動期間，第一延伸部未接觸遮護板。在一些實施方式中，在以第一延伸部沿著第一軸向朝向第一位置移動期間以及在以第一延伸部沿著第一軸向朝向第二位置移動期間，第一延伸部未接觸遮護板。在一些實施方式中，校準方法進一步包含當第二延伸部沿著第一軸向移動而接觸沉積環但第一延伸部未抵靠到第二位置時，更換遮護板。在一些實施方式中，設備維護方法進一步包含以第一延伸部沿著第二軸向朝向遮護板之側面之第三位置移動，直至沿著第二軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸環繞靜電卡盤之沉積環，第二軸向通過遮護板之中央，將校準零件自遮護板之第三位置的一側移至第四位置的一側，第三位置與第四位置沿著第二軸向排列，以第一延伸部沿著第二軸向朝向第四位置移動，直至沿著第二軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸沉積環，以及當第二延伸部接觸沉積環且第一延伸部未抵靠到第四位置時，更換遮護板。

在一些實施方式中，一種半導體處理方法包含：校準遮護板相對於下方之靜電卡盤之相對位置，包含：將校準零件之本體抵靠遮護板之頂面，其中校準零件進一步包含連接本體且相對於本體彎折之第一延伸部以及連接第一延伸部且相對於第一延伸部彎折之第二延伸部，且本體與第二延伸部位於第一延伸部之同一側；以第一延伸部沿著第一軸向朝向遮護板之側面之第一位置推動遮護板，直到沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸環繞靜電卡盤之沉積環，第一軸向通過遮護板之中央；將校準零件自遮護板之第一位置的一側移至第二位置的一側，其中第一位置與第二位置沿著第一軸向排列；以及以第一延伸部沿著第一軸向朝向第二位置推動遮護板，並在沿著第一軸向朝向遮護板延伸之第二延伸部接觸沉積環前停止。半導體處理方法進一步包含：將包覆於靶材外之氧化材料沉積於遮護板上；將沉積有氧化材料之遮護板置換為半導體基板；以及將靶材沉積於半導體基板上。

在一些實施方式中，調整遮護板相對於靜電卡盤之相對位置進一步致使第二延伸部在第一延伸部分別抵靠遮護板之側面之第三位置與第四位置時不接觸沉積環，其中第三位置與第四位置沿著通過遮護板之中央之第二軸向排列。在一些實施方式中，第二軸向與第一軸向相互垂直。

前述概述了幾個實施方式或實施例的特徵，使得本領域技術人員可以更好地理解本揭露的各方面。本領域技術人員應當理解，他們可以容易地將本揭露內容用作設計或修改其他製程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式或實施例相同的目的和/或實現相同的優點。本領域技術人員還應該認識到，這樣的等效構造不脫離本揭露的精神和範圍，並且在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，它們可以進行各種改變、替換和變更。

100:校準零件 110:本體 110a:底面 120:第一延伸部 120a:抵靠面 130:第二延伸部 200:半導體製造設備 210:靜電卡盤 220:遮護板 220a:頂面 230:沉積環 230a:側面 240:靶材 240A:氧化材料 300:設備校準方法 310,320,330,340,350,360,370,380,410,420,430,440,440A,450,460,470,480,480A,610,620,630,640:操作 400:設備維護方法 600:半導體處理方法 A:第一位置 B:第二位置 C:第三位置 D:第四位置 D1:第一軸向 D2:第二軸向 P:電漿 W:半導體基板

當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述可以最好理解本揭露。要強調的是，根據本領域中的標準實施，各種特徵未按比例繪製，僅為了說明的目的。實際上，為了清楚敘述，各種特徵的尺寸可以任意增加或減小。第1圖是根據本揭露之一些實施方式繪示的校準零件的側視圖。第2A圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備之一校準階段的剖面示意圖。第2B圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備之一校準階段的剖面示意圖。第2C圖是根據本揭露之一些實施方式半導體製造設備之一階段的剖面示意圖。第2D圖是根據本揭露之一些實施方式半導體製造設備之一階段的剖面示意圖。第2E圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備於第2A圖之校準階段的俯視圖。第2F圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備於第2B圖之校準階段的俯視圖。第2G圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備於第2C圖之校準階段的俯視圖。第2H圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備於第2D圖之校準階段的俯視圖。第2I圖是根據本揭露之一些實施方式繪示須更換遮護板之狀況的剖面示意圖。第2J圖是根據本揭露之一些實施方式繪示須更換遮護板之另一狀況的剖面示意圖。第3圖是根據本揭露之一些實施方式繪示設備校準方法的流程圖。第4圖是根據本揭露之一些實施方式繪示設備維護方法的流程圖。第5A圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備之一處理階段的剖面示意圖。第5B圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備之一處理階段的剖面示意圖。第5C圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備之一處理階段的剖面示意圖。第5D圖是根據本揭露之一些實施方式繪示半導體製造設備之一處理階段的剖面示意圖。第6圖是根據本揭露的實施方式繪示半導體處理方法的流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:校準零件

110:本體

120:第一延伸部

130:第二延伸部

Claims

一種設備校準方法，包含：將一校準零件之一本體抵靠設置於一靜電卡盤上之一遮護板之一頂面，其中該校準零件進一步包含連接該本體且相對於該本體彎折之一第一延伸部以及連接該第一延伸部且相對於該第一延伸部彎折之一第二延伸部，且該本體與該第二延伸部位於該第一延伸部之同一側；以及調整該遮護板相對於該靜電卡盤之相對位置，致使沿著一第一軸向朝向該遮護板延伸之該第二延伸部在該第一延伸部分別抵靠該遮護板之一側面之一第一位置與一第二位置時不接觸環繞該靜電卡盤之一沉積環，其中該第一位置、該第二位置與該遮護板之中央在該第一軸向上排列。
如請求項1所述之設備校準方法，其中調整該遮護板相對於該靜電卡盤之相對位置進一步致使該第二延伸部在該第一延伸部分別抵靠該遮護板之該側面之一第三位置與一第四位置時不接觸該沉積環，其中該第三位置與該第四位置沿著通過該遮護板之中央之一第二軸向排列。
如請求項1所述之設備校準方法，其中調整該遮護板相對於該靜電卡盤之相對位置進一步包含：以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第一位置推動該遮護板，直到該第二延伸部接觸該沉積環；將該校準零件自該遮護板之該第一位置的一側移至該第二位置的一側；以及以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第二位置推動該遮護板，並在該第二延伸部接觸該沉積環前停止。
一種設備維護方法，包含：將一校準零件之一本體抵靠設置於一靜電卡盤上之一遮護板之一頂面，其中該校準零件進一步包含連接該本體且相對於該本體彎折之一第一延伸部以及連接該第一延伸部且相對於該第一延伸部彎折之一第二延伸部，且該本體與該第二延伸部位於該第一延伸部之同一側；以該第一延伸部沿著一第一軸向朝向該遮護板之一側面之一第一位置移動，直至沿著該第一軸向朝向該遮護板延伸之該第二延伸部接觸環繞該靜電卡盤之一沉積環，其中該第一軸向通過該遮護板之中央；將該校準零件自該遮護板之該第一位置的一側移至一第二位置的一側，其中該第一位置與該第二位置沿著該第一軸向排列；以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第二位置移動，直至沿著該第一軸向朝向該遮護板延伸之該第二延伸部接觸該沉積環；以及當該第二延伸部接觸該沉積環且該第一延伸部未抵靠到該第二位置時，更換該遮護板。
如請求項4所述之設備維護方法，其中在以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第一位置移動期間，該第一延伸部係推動該遮護板，並且在以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第二位置移動期間，該第一延伸部未接觸該遮護板。
如請求項4所述之設備維護方法，其中在以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第一位置移動期間以及在以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第二位置移動期間，該第一延伸部未接觸該遮護板。
如請求項4所述之設備維護方法，進一步包含：以該第一延伸部沿著一第二軸向朝向該遮護板之該側面之一第三位置移動，直至沿著該第二軸向朝向該遮護板延伸之該第二延伸部接觸環繞該靜電卡盤之該沉積環，其中該第二軸向通過該遮護板之中央；將該校準零件自該遮護板之該第三位置的一側移至一第四位置的一側，其中該第三位置與該第四位置沿著該第二軸向排列；以該第一延伸部沿著該第二軸向朝向該第四位置移動，直至沿著該第二軸向朝向該遮護板延伸之該第二延伸部接觸該沉積環；以及當該第二延伸部接觸該沉積環且該第一延伸部未抵靠到該第四位置時，更換該遮護板。
一種半導體處理方法，包含：校準一遮護板相對於下方之一靜電卡盤之相對位置，包含：將一校準零件之一本體抵靠該遮護板之一頂面，其中該校準零件進一步包含連接該本體且相對於該本體彎折之一第一延伸部以及連接該第一延伸部且相對於該第一延伸部彎折之一第二延伸部，且該本體與該第二延伸部位於該第一延伸部之同一側；以該第一延伸部沿著一第一軸向朝向該遮護板之一側面之一第一位置推動該遮護板，直到沿著該第一軸向朝向該遮護板延伸之該第二延伸部接觸環繞該靜電卡盤之一沉積環，該第一軸向通過該遮護板之中央；將該校準零件自該遮護板之該第一位置的一側移至一第二位置的一側，其中該第一位置與該第二位置沿著該第一軸向排列；以及以該第一延伸部沿著該第一軸向朝向該第二位置推動該遮護板，並在沿著該第一軸向朝向該遮護板延伸之該第二延伸部接觸該沉積環前停止；將包覆於一靶材外之一氧化材料沉積於該遮護板上；將沉積有該氧化材料之該遮護板置換為一半導體基板；以及將該靶材沉積於該半導體基板上。
如請求項8所述之半導體處理方法，其中調整該遮護板相對於該靜電卡盤之相對位置進一步致使該第二延伸部在該第一延伸部分別抵靠該遮護板之該側面之一第三位置與一第四位置時不接觸該沉積環，其中該第三位置與該第四位置沿著通過該遮護板之中央之一第二軸向排列。
如請求項9所述之半導體處理方法，其中該第二軸向與該第一軸向相互垂直。