JP2021052065A - 検査装置の制御方法および検査装置 - Google Patents

検査装置の制御方法および検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021052065A
JP2021052065A JP2019173443A JP2019173443A JP2021052065A JP 2021052065 A JP2021052065 A JP 2021052065A JP 2019173443 A JP2019173443 A JP 2019173443A JP 2019173443 A JP2019173443 A JP 2019173443A JP 2021052065 A JP2021052065 A JP 2021052065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
inspection
aligner
control unit
inspection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019173443A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7458161B2 (ja
Inventor
朋也 遠藤
Tomoya Endo
朋也 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019173443A priority Critical patent/JP7458161B2/ja
Priority to US17/018,128 priority patent/US11385286B2/en
Priority to CN202010959217.0A priority patent/CN112635341A/zh
Priority to KR1020200118336A priority patent/KR102480524B1/ko
Publication of JP2021052065A publication Critical patent/JP2021052065A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7458161B2 publication Critical patent/JP7458161B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/3185—Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
    • G01R31/318505—Test of Modular systems, e.g. Wafers, MCM's
    • G01R31/318511—Wafer Test
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G01R31/2867—Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2862—Chambers or ovens; Tanks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2893—Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31903—Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
    • G01R31/31907—Modular tester, e.g. controlling and coordinating instruments in a bus based architecture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】コンタクト精度を向上する検査装置の制御方法及び検査装置を提供する。【解決手段】基板を検査するテスタを収容する検査室を配列した検査室列を複数段有する検査部と、前記検査室列に少なくとも１つ設けられ、前記テスタに対して基板をコンタクトさせる複数のアライナと、前記アライナを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナの動作を制限する、検査装置の制御方法。【選択図】図５

Description

本開示は、検査装置の制御方法および検査装置に関する。
半導体デバイスが形成されたウエハを載置装置に載置し、半導体デバイスに対し、テスタからプローブ等を介して電流を供給することで、半導体デバイスの電気的特性を検査する検査装置が知られている。
特許文献１には、多段の検査室を有する検査システムが開示されている。
特開２０１９−０２９６２７号公報
一の側面では、本開示は、コンタクト精度を向上する検査装置の制御方法及び検査装置を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板を検査するテスタを収容する検査室を配列した検査室列を複数段有する検査部と、前記検査室列に少なくとも１つ設けられ、前記テスタに対して基板をコンタクトさせる複数のアライナと、前記アライナを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナの動作を制限する、検査装置の制御方法が提供される。
一の側面によれば、コンタクト精度を向上する検査装置の制御方法及び検査装置を提供することができる。
本実施形態に係る基板検査装置の概略図。 本実施形態に係る基板検査装置の概略図。 本実施形態に係る基板検査装置のテスタ及び搬送ステージの説明図の一例。 ウエハをプローブカードにコンタクトさせる処理の一例を示すフローチャート。 高精度モードにおける処理の一例を示すフローチャート。 高精度モードにおけるウエハをプローブカードにコンタクトさせる処理の一例を示すフローチャート。 高精度モードにおける処理の一例を示すフローチャート。 高精度モードにおけるウエハをプローブカードにコンタクトさせる処理の一例を示すフローチャート。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〔基板検査装置〕
本発明の実施形態に係る基板検査装置について説明する。本発明の実施形態に係る基板検査装置は、複数セルを搭載し、複数セルの各々が独立して同時に基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という。）を検査することが可能な装置である。なお、基板検査装置は、これに限定されず、例えば１枚のウエハを検査する装置であってもよい。
図１及び図２は、本発明の実施形態に係る基板検査装置の概略図である。図１は基板検査装置の水平断面を示し、図２は図１における一点鎖線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面を示す。
図１及び図２に示されるように、基板検査装置１０は、検査室１１を備える。検査室１１は、検査領域１２と、搬出入領域１３と、搬送領域１４とを有する。
検査領域１２は、ウエハＷに形成された各半導体デバイスの電気的特性の検査を行う領域である。検査領域１２には、複数のウエハ検査用のインターフェースとしてのテスタ１５が配置される。具体的には、検査領域１２は水平に配列された複数のテスタ１５からなるテスタ列の多段構造、例えば３段構造を有し、テスタ列の各々に対応して１つのテスタ側カメラ（上カメラ）１６が配置される。各テスタ側カメラ１６は対応するテスタ列に沿って水平に移動し、テスタ列を構成する各テスタ１５の前に位置して搬送ステージ（アライナ）１８が搬送するウエハＷ等の位置や後述するチャックトップ５０の傾斜の程度を確認する。
搬出入領域１３は、検査室１１に対するウエハＷの搬出入を行う領域である。搬出入領域１３は、複数の収容空間１７に区画されている。各収容空間１７には、ポート１７ａ、アライナ１７ｂ、ローダ１７ｃ、及びコントローラ１７ｄが配置される。ポート１７ａは、複数のウエハＷを収容する容器であるＦＯＵＰを受け入れる。アライナ１７ｂは、ウエハＷの位置合わせを行う。ローダ１７ｃは、プローブカードの搬出入を行う。コントローラ１７ｄは、基板検査装置１０の各部の動作を制御する。
搬送領域１４は、検査領域１２及び搬出入領域１３の間に設けられた領域である。搬送領域１４には、搬送領域１４だけでなく検査領域１２や搬出入領域１３へも移動自在な搬送ステージ１８が配置される。搬送ステージ１８は、各ステージ列に対応して１つずつ設けられている。搬送ステージ１８は、搬出入領域１３のポート１７ａからウエハＷを受け取って各テスタ１５へ搬送する。また、搬送ステージ１８は、半導体デバイスの電気的特性の検査が終了したウエハＷを各テスタ１５からポート１７ａへ搬送する。また、搬送ステージ１８には、ステージ側カメラ（下カメラ）５４が配置されている。ステージ側カメラ５４は、ポゴフレーム２０の下部に装着されたプローブカード１９の位置を確認する。
基板検査装置１０では、各テスタ１５が搬送されたウエハＷの各半導体デバイスの電気的特性を検査するが、搬送ステージ１８が一のテスタ１５へ向けてウエハＷを搬送している間に他のテスタ１５は他のウエハＷの各半導体デバイスの電気的特性を検査できる。そのため、ウエハＷの検査効率が向上する。
図３は、本実施形態に係る基板検査装置１０のテスタ１５及び搬送ステージ１８の説明図の一例である。図３は、搬送ステージ１８がウエハＷをテスタ１５のプローブカード１９へ当接させた状態を示す。
図３に示されるように、テスタ１５は、装置フレーム（図示しない）に固定されるポゴフレーム２０上に設置される。ポゴフレーム２０の下部には、プローブカード１９が装着される。ポゴフレーム２０に対して上下方向に移動自在なフランジ２２がポゴフレーム２０に係合される。ポゴフレーム２０及びフランジ２２の間には円筒状のベローズ２３が介在する。
プローブカード１９は、円板形状を有する本体２４と、本体２４の上面のほぼ一面に配置される多数の電極（図示しない）と、本体２４の下面から図中下方へ向けて突出するように配置される多数のコンタクトプローブ２５（接触端子）とを有する。各電極は対応する各コンタクトプローブ２５と接続され、各コンタクトプローブ２５は、プローブカード１９へウエハＷが当接した際、ウエハＷに形成された各半導体デバイスの電極パッドや半田バンプと電気的に接触する。多数のコンタクトプローブ２５は、例えばウエハＷの全面に一括して接触可能に構成されている。これにより、多数の半導体デバイスの電気的特性を同時に検査することができるので、検査時間を短縮できる。
ポゴフレーム２０は、略平板状の本体２６と、本体２６の中央部近辺に穿設された複数の貫通穴であるポゴブロック挿嵌穴２７とを有する。各ポゴブロック挿嵌穴２７には、多数のポゴピンが配列されて形成されるポゴブロック２８が挿嵌される。ポゴブロック２８は、テスタ１５が有する検査回路（図示しない）に接続されると共に、ポゴフレーム２０へ装着されたプローブカード１９における本体２４の上面の多数の電極へ接触する。ポゴブロック２８は、電極に接続されるプローブカード１９の各コンタクトプローブ２５へ電流を流すと共に、ウエハＷの各半導体デバイスの電気回路から各コンタクトプローブ２５を介して流れてきた電流を検査回路へ向けて流す。
フランジ２２は、円筒状の本体２２ａと、本体２２ａの下部に形成された円環状部材からなる当接部２２ｂとを有し、プローブカード１９を囲むように配される。フランジ２２は、チャックトップ５０が当接するまでは、自重によって当接部２２ｂの下面がプローブカード１９の各コンタクトプローブ２５の先端よりも下方に位置するように下方へ移動する。
ベローズ２３は、金属製の蛇腹構造体であり、上下方向に伸縮自在に構成される。ベローズ２３の下端及び上端は、それぞれフランジ２２の当接部２２ｂの上面及びポゴフレーム２０の下面に密着する。
テスタ１５では、ポゴフレーム２０及びベース２１の間の空間がシール部材３０で封止され、空間が真空引きされることによってポゴフレーム２０がベース２１に装着される。プローブカード１９及びポゴフレーム２０の間の空間もシール部材３１で封止され、空間が真空引きされることによってプローブカード１９がポゴフレーム２０に装着される。
搬送ステージ１８は、載置装置の一例であり、厚板部材のチャックトップ５０と、ボトムプレート５２とを有する。チャックトップ５０はボトムプレート５２に載置され、チャックトップ５０の上面にはウエハＷが載置される。チャックトップ５０はボトムプレート５２に真空吸着され、ウエハＷはチャックトップ５０に真空吸着される。したがって、搬送ステージ１８が移動する際、ウエハＷが搬送ステージ１８に対して相対的に移動するのを防止することができる。なお、チャックトップ５０やウエハＷの保持方法は真空吸着に限られず、チャックトップ５０やウエハＷのボトムプレート５２に対する相対的な移動を防止できる方法であればよく、例えば、電磁吸着やクランプによる保持であってもよい。なお、チャックトップ５０の上面の外周部にはシール部材３３が配置される。
搬送ステージ１８は移動自在であるため、テスタ１５のプローブカード１９の下方へ移動してチャックトップ５０に載置されたウエハＷをプローブカード１９へ対向させることができると共に、テスタ１５へ向けて移動させることができる。チャックトップ５０がフランジ２２の当接部２２ｂへ当接し、ウエハＷがプローブカード１９へ当接した際に、プローブカード１９、ポゴフレーム２０、フランジ２２、及びチャックトップ５０によって囲まれる空間Ｓが形成される。空間Ｓは、ベローズ２３及びシール部材３３によって封止され、空間Ｓが真空引きされることによってチャックトップ５０がプローブカード１９に保持され、チャックトップ５０に載置されるウエハＷがプローブカード１９へ当接する。このとき、ウエハＷの各半導体デバイスにおける各電極パッドや各半田バンプと、プローブカード１９の各コンタクトプローブ２５とが当接する。なお、基板検査装置１０では、搬送ステージ１８の移動はコントローラ１７ｄによって制御され、コントローラ１７ｄは搬送ステージ１８の位置や移動量を把握する。
本実施形態に係る基板検査装置１０は、ウエハＷを検査する検査モードとして、通常モード（第１の動作モード）及び高精度モード（第２の動作モード）を有する。ここで、通常モードとは、ウエハＷの検査のスループットを重視する検査モードである。高精度モードとは、ウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を重視する検査モードである。コントローラ１７ｄは、検査対象に応じて、通常モードまたは高精度モードを選択して、ウエハＷを検査することができる。
＜通常モード＞
通常モードにおける基板検査装置１０の動作の一例について、図４を用いて説明する。図４は、通常モードにおけるウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる処理の一例を示すフローチャートである。
ステップＳ１０１において、ウエハＷを搬送する。具体的には、コントローラ１７ｄは、チャックトップ５０にウエハＷを載置した搬送ステージ１８を移動させる。
ステップＳ１０２において、プローブアライメントを行う。具体的には、コントローラ１７ｄは、搬送ステージ１８に設けられたステージ側カメラ５４をプローブカード１９の下方に配置して、プローブカード１９の位置を取得する。例えば、プローブカード１９の下面には、４つのマーカが設けられている。コントローラ１７ｄは、搬送ステージ１８を動かして、ステージ側カメラ５４でプローブカード１９のマーカの位置を撮像し、マーカの座標を取得する。なお、ステージ側カメラ５４でプローブカード１９のマーカの位置を撮像する際には、まず、粗補正モードにより位置合わせを行い、次に、精補正モードで位置合わせを行う。ここで、粗補正モードとは、ステージ側カメラ５４をマクロ撮影として、搬送ステージ１８を動かすモードある。精補正モードとは、ステージ側カメラ５４をマイクロ撮影として、粗補正モードよりも高精度に搬送ステージ１８を動かすモードある。
である。
ステップＳ１０３において、上下カメラ合わせを行う。具体的には、コントローラ１７ｄは、テスタ側カメラ１６を所定の位置に移動させる。また、コントローラ１７ｄは、搬送ステージ１８を動かして、テスタ側カメラ１６とステージ側カメラ５４との軸を合せる。これにより、テスタ側カメラ１６の座標と、ステージ側カメラ５４の座標との対応を取得する。なお、テスタ側カメラ１６とステージ側カメラ５４との軸を合せる際には、まず、粗補正モードにより位置合わせを行い、次に、精補正モードで位置合わせを行う。
ステップＳ１０４において、ウエハアライメントを行う。具体的には、コントローラ１７ｄは、テスタ側カメラ１６で搬送ステージ１８上のウエハＷの位置を取得する。例えば、ウエハＷの上面には、４つのマーカが設けられている。コントローラ１７ｄは、搬送ステージ１８を動かして、テスタ側カメラ１６でウエハＷのマーカの位置を撮像し、マーカの座標を取得する。なお、テスタ側カメラ１６でウエハＷのマーカの位置を撮像する際には、まず、粗補正モードにより位置合わせを行い、次に、精補正モードで位置合わせを行う。
ステップＳ１０５において、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせるための座標を算出する。具体的には、コントローラ１７ｄは、ステップＳ１０２において取得したプローブカード１９の位置（座標）、ステップＳ１０４において取得したウエハＷの位置（座標）、ステップＳ１０３において取得したテスタ側カメラ１６とステージ側カメラ５４との関係に基づいて、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせるための座標を算出する。
ステップＳ１０６において、搬送ステージ１８を移動させる。具体的には、コントローラ１７ｄは、ステップＳ１０５で算出した座標に基づいて、ウエハＷを載置した搬送ステージ１８を移動させる。これにより、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる。
なお、図２に示すように、基板検査装置１０は、各段ごとに搬送ステージ１８（１８ａ〜１８ｃ）が設けられている。通常モードにおいて、コントローラ１７ｄは、各段の搬送ステージ１８ａ〜１８ｃを、それぞれ独立して制御する。これにより、例えば、１つの段の搬送ステージ１８（例えば、１８ａ）でアライメント、搬送等の処理を行っている際にも、他の段の搬送ステージ１８（例えば、１８ｂ，１８ｃ）でアライメント、搬送等の処理を行うことができ、ウエハＷの検査のスループットを向上させることができる。
＜高精度モード＞
高精度モードにおける基板検査装置１０の動作の一例について説明する。高精度モードにおいても、図４のフローチャートに示す処理によって、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる。また、高精度モードにおいては、通常モードと比較して、搬送ステージ１８の動作に制限を設ける。搬送ステージ１８の動作の制限について、第１の動作例から第６の動作例に基づいて説明する。
＜第１の動作例＞
高精度モードの第１の動作例について、図５を用いて説明する。図５は、高精度モードにおける処理の一例を示すフローチャートである。なお、以下の説明において、搬送ステージ１８ａに載置されたウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる場合を例に説明する。
ステップＳ２０１において、コントローラ１７ｄは、搬送ステージ１８ａがアライメント中であるか否かを判定する。ここで、アライメント中とは、ステップＳ１０２のプローブアライメント、ステップＳ１０３の上下カメラ合わせ、ステップＳ１０４のウエハアライメントをいう。アライメント中でない場合（Ｓ２０１・Ｎｏ）、コントローラ１７ｄはステップＳ２０１の処理を繰り返す。アライメント中である場合（Ｓ２０２・Ｙｅｓ）、コントローラ１７ｄの処理はステップＳ２０２に進む。
ステップＳ２０２において、コントローラ１７ｄは、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの動作を制限する。具体的には、第１の動作例においては、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃをその場で静止させる。
ステップＳ２０３において、コントローラ１７ｄは、搬送ステージ１８ａにおけるアライメントが終了したか否かを判定する。アライメントが終了していない場合（Ｓ２０３・Ｎｏ）、コントローラ１７ｄはステップＳ２０３の処理を繰り返す。アライメントが終了した場合（Ｓ２０３・Ｙｅｓ）、コントローラ１７ｄの処理はステップＳ２０４に進む。
ステップＳ２０４において、コントローラ１７ｄは、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの動作の制限を解除する。そして、コントローラ１７ｄの処理は、ステップＳ２０１に戻る。
高精度モードの第１の動作例によれば、搬送ステージ１８ａのアライメント中において、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃを静止させる。これにより、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが動作することにより生じる振動の影響を抑制して、搬送ステージ１８ａを精度よくアライメントすることができる。よって、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
なお、搬送ステージ１８ａのアライメント中において、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃを静止させることにより、ウエハＷの検査のスループットが低下する。しかしながら、アライメントの時間は、アライメント以外の時間（例えば、ウエハＷを基板検査装置１０に搬送する時間、ウエハＷを検査する時間等）と比較して短い。このため、検査のスループットの低下の影響は小さい。また、ウエハＷを検査する時間が長いほど、スループットの低下の影響は小さくなる。
また、搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの自重によって基板検査装置１０のフレームに歪みが生じる。搬送ステージ１８ａをアライメントする際に、搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの位置が異なると、基板検査装置１０のフレームの歪みの状態も異なる。このため、基板検査装置１０のフレームの歪みの状態によって、ウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度に影響を及ぼすおそれがある。
コントローラ１７ｄは、搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの静止する位置（セル）と、アライメントしている搬送ステージ１８ａの位置（セル）と、に基づいて、フレームの歪みによるオフセット量を求め、ステップＳ１０５で算出する座標を補正してもよい。これにより、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
＜第２の動作例＞
高精度モードの第２の動作例について説明する。前述の第１の動作例では搬送ステージ１８ａのアライメント中に他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの動作を制限する。これに対し、第２の動作例では搬送ステージ１８ａのアライメント中の精補正モードにおいて他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの動作を制限する。具体的には、第２の動作例においては、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃをその場で静止させる。
高精度モードの第２の動作例によれば、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが動作することにより生じる振動の影響を抑制して、搬送ステージ１８ａを精度よくアライメントすることができる。よって、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
また、第２の動作例によれば、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃを静止させる時間を短くすることができるので、スループットの低下を抑制することができる。
＜第３の動作例＞
高精度モードの第３の動作例について説明する。第３の動作例では、ステップＳ２０２における他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの動作の制限として、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃをホーム位置で静止させる。ここで、ホーム位置とは、あらかじめ定められる位置である。
高精度モードの第３の動作例によれば、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが動作することにより生じる振動の影響を抑制して、搬送ステージ１８ａを精度よくアライメントすることができる。よって、ウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
また、第３の動作例によれば、アライメント時における他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの位置をホーム位置とすることにより、フレームの歪みの影響を一定にすることができる。これにより、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を更に向上することができる。
＜第４の動作例＞
高精度モードの第４の動作例について説明する。第４の動作例では、ステップＳ２０２における他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの動作の制限として、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃを駆動する際の加減速度を制限する。具体的には、通常モードにおける搬送ステージ１８ａ〜１８ｃの加減速度の制限値よりも、高精度モードにおける他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの加減速度の制限値を小さくする。
高精度モードの第４の動作例によれば、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが動作することにより生じる振動の影響を抑制して、搬送ステージ１８ａを精度よくアライメントすることができる。よって、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
＜第５の動作例＞
高精度モードの第５の動作例について説明する。第５の動作例では、ステップＳ２０２における他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの動作の制限として、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃを駆動する際の加減速度を制限する。具体的には、通常モードにおける搬送ステージ１８ａ〜１８ｃの加減速度の制限値よりも、高精度モードにおける他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃの加減速度の制限値を小さくする。また、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃにおけるセル間の移動を禁止する。
高精度モードの第５の動作例によれば、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが動作することにより生じる振動の影響を抑制して、搬送ステージ１８ａを精度よくアライメントすることができる。よって、ウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
また、第５の動作例によれば、セル間の移動を制限することにより、フレームの歪みの変動による影響を低減することができる。これにより、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を更に向上することができる。
＜第６の動作例＞
高精度モードの第６の動作例について説明する。第６の動作例では、搬送ステージ１８ａ〜１８ｃを駆動する際の加減速度を、通常モードと比較して常時落とす。
高精度モードの第６の動作例によれば、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが動作することにより生じる振動の影響を抑制して、搬送ステージ１８ａを精度よくアライメントすることができる。よって、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
また、高精度モードにおける搬送ステージ１８ａの動作は、図４のフローチャートに示す処理によって行われるものとして説明したが、これに限られるものではない。アライメントを行う搬送ステージ１８ａの動作について、第７の動作例から第９の動作例に基づいて説明する。
＜第７の動作例＞
高精度モードの第７の動作例について、図６を用いて説明する。図６は、高精度モードにおけるウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる処理の一例を示すフローチャートである。
ステップＳ３０１において、ステップＳ１０１と同様に、ウエハＷを搬送する。
ステップＳ３０２において、上下カメラ合わせを行う。なお、ステップＳ３０２における上下カメラ合わせは、ステップＳ１０３における上下カメラ合わせと同様である。
ステップＳ３０３において、プローブアライメントを行う。なお、ステップＳ３０３におけるプローブアライメントは、ステップＳ１０２におけるプローブアライメントと同様である。
ステップＳ３０４において、ウエハアライメントを行う。なお、ステップＳ３０４におけるウエハアライメントは、ステップＳ１０４におけるウエハアライメントと同様である。
ステップＳ３０５において、搬送ステージ１８ａのアライメント中に多段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが駆動したか否かを判定する。駆動していない場合（Ｓ３０５・Ｎｏ）、コントローラ１７ｄの処理はステップＳ３０８に進む。駆動している場合（Ｓ３０５・Ｙｅｓ）、コントローラ１７ｄの処理はステップＳ３０６に進む。
ステップＳ３０６において、再度、上下カメラ合わせを行う。なお、ステップＳ３０６における上下カメラ合わせは、ステップＳ３０２における上下カメラ合わせと同様である。
ステップＳ３０７において、ステップＳ３０２における上下カメラ合わせとステップＳ３０６における上下カメラ合わせが一致するか否かを判定する。一致しない場合（Ｓ３０７・Ｎｏ）、コントローラ１７ｄの処理はステップＳ３０３に戻る。一致する場合（Ｓ３０７・Ｙｅｓ）、コントローラ１７ｄの処理はステップＳ３０８に進む。
ステップＳ３０８において、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせるための座標を算出する。なお、ステップＳ３０８における座標の算出は、ステップＳ１０５における座標の算出と同様である。
ステップＳ３０９において、搬送ステージ１８を移動させる。具体的には、コントローラ１７ｄは、ステップＳ３０８で算出した座標に基づいて、ウエハＷを載置した搬送ステージ１８を移動させる。これにより、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる。
高精度モードの第７の動作例によれば、搬送ステージ１８ａのアライメント中に他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃが駆動した場合、再度上下カメラ合わせを行い、その結果がアライメント開始時に行われた上下カメラ合わせと一致するか否かを判定する。一致した場合には、他段の搬送ステージ１８ｂ，１８ｃを駆動したことによるコンタクト精度の影響は小さいと判定することができる。これにより、搬送ステージ１８ａのアライメントのリトライを抑制して、スループットの低下を抑制することができる。また、一致しない場合には、再度アライメントをやり直すことにより、搬送ステージ１８ａのウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
＜第８の動作例＞
高精度モードの第８の動作例について、図７を用いて説明する。図７は、高精度モードにおける処理の一例を示すフローチャートである。なお、図７に示す処理は、プローブアライメント（Ｓ１０２，３０３等）の際に行われる。また、ウエハアライメント（Ｓ１０４，３０４等）の際に行われてもよい。
ステップＳ４０１において、プローブカード１９の下面に形成されたマーカのパターンを測定する。
ステップＳ４０２において、マーカのパターンのピッチ間距離を算出する。
ステップＳ４０３において、ステップＳ４０２で算出した今回のピッチ間距離と、前回のピッチ間距離との差分が所定の閾値以内であるか否かを判定する。所定の閾値以内でない場合（Ｓ４０３・Ｎｏ）、ステップＳ４０１に戻り、再度マーカのパターンを測定する。所定の閾値以内の場合（Ｓ４０３・Ｙｅｓ）、図７に示すフローを終了する。
プローブカード１９のマーカパターンは変化しないため、パターンのピッチ間距離が変動した場合、マーカのパターンの測定中に振動等の影響を受けたと推定することができる。このため、パターン測定をやり直す、即ち、プローブアラメントをやり直す。その結果、マーカの座標を好適に検出することができるので、ウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
＜第９の動作例＞
高精度モードの第９の動作例について、図８を用いて説明する。図８は、高精度モードにおけるウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる処理の一例を示すフローチャートである。
ステップＳ５０１において、ステップＳ１０１と同様に、ウエハＷを搬送する。
ステップＳ５０２において、プローブアライメントを行う。ステップＳ５０３において、上下カメラ合わせを行う。ステップＳ５０４において、ウエハアライメントを行う。ステップＳ５０５において、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせるための座標を算出する。なお、これらの処理は、図４のステップＳ１０１〜Ｓ１０５に示す処理と同様である。
ステップＳ５０６からステップＳ５０９において、ステップＳ５０２からステップＳ５０５と同様に、プローブアライメント、上下カメラ合わせ、ウエハアライメント、座標算出を行う。
ステップＳ５１０において、ステップＳ５０５で算出した１回目の座標と、ステップＳ５０９で算出した２回目の座標とが、一致するか否かを判定する。ここで、一致するとは、例えば、差分が所定の閾値以内をいう。一致しない場合（Ｓ５１０・Ｎｏ）、ステップＳ５０２に戻る。一致する場合（Ｓ５１０・Ｙｅｓ）、コントローラ１７ｄの処理はステップＳ５１１に進む。
ステップＳ５１１において、搬送ステージ１８を移動させる。具体的には、コントローラ１７ｄは、ステップＳ３０８で算出した座標に基づいて、ウエハＷを載置した搬送ステージ１８を移動させる。これにより、ウエハＷをプローブカード１９にコンタクトさせる。
高精度モードの第９の動作例によれば、プローブアライメント、上下カメラ合わせ、ウエハアライメント、座標算出を２回実施して、一致するか否かを判定する。これにより、一致しない場合には、アライメントをやり直す。その結果、座標を好適に検出することができるので、ウエハＷとプローブカード１９とのコンタクト精度を向上することができる。
以上、基板検査装置１０について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
第１の動作例から第６の動作例で説明した搬送ステージ１８の駆動と、第７の動作例から第９の動作例で説明した再検出の処理とを組み合わせてもよい。
Ｗ ウエハ
Ｓ 空間
１０ 基板検査装置
１１ 検査室
１２ 検査領域（検査部）
１３ 搬出入領域
１４ 搬送領域
１５ テスタ（検査ユニット）
１６ テスタ側カメラ（上カメラ）
１７ 収容空間
１７ｄ コントローラ（制御部）
１８ 搬送ステージ（アライナ）
１９ プローブカード
２０ ポゴフレーム（検査ユニット）
５４ ステージ側カメラ（下カメラ）

Claims (11)

  1. 基板を検査するテスタを収容する検査室を配列した検査室列を複数段有する検査部と、
    前記検査室列に少なくとも１つ設けられ、前記テスタに対して基板をコンタクトさせる複数のアライナと、
    前記アライナを制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナの動作を制限する、
    検査装置の制御方法。
  2. 前記制御部は、
    一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナを静止させる、
    請求項１に記載の検査装置の制御方法。
  3. 前記アライナによるアライメントは、粗補正モードと、精補正モードと、を有し、
    前記制御部は、
    一の前記アライナが前記精補正モードでアライメントをする際、他の前記アライナを静止させる、
    請求項１に記載の検査装置の制御方法。
  4. 前記アライナは、ホーム位置を有し、
    前記制御部は、
    一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナを前記ホーム位置で静止させる、
    請求項１に記載の検査装置の制御方法。
  5. 前記制御部は、
    一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナの加減速度を制限する、
    請求項１に記載の検査装置の制御方法。
  6. 前記制御部は、
    一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナの前記検査室間の移動を制限する、
    請求項５に記載の検査装置の制御方法。
  7. 基板を検査するテスタを収容する検査室を配列した検査室列を複数段有する検査部と、
    前記検査室列に少なくとも１つ設けられ、前記テスタに対して基板をコンタクトさせる複数のアライナと、
    前記アライナを制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    第１の動作モードと、第２の動作モードを有し、
    前記第２の動作モードにおける前記アライナの加減速度は、前記第１の動作モードにおける前記アライナの加減速度よりも、制限する、
    検査装置の制御方法。
  8. 前記アライメントは、
    上カメラと下カメラの軸を合わせる第１の上下カメラ合わせと、
    前記下カメラでプローブカードの位置を検出するプローブアライメントと、
    前記上カメラで基板の位置を検出する基板アライメントと、
    前記上カメラと前記下カメラの軸を合わせる第２の上下カメラ合わせと、を有し、
    前記制御部は、
    前記第１の上下カメラ合わせの結果と前記第２の上下カメラ合わせの結果とのずれが所定値以上の場合、再度アライメントを行う、
    請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の検査装置の制御方法。
  9. 前記アライメントは、
    検出対象に設けられたパターンの位置を検出して、前記パターンのピッチ間の距離を算出し、
    算出されたピッチ間距離と、記憶された前回のピッチ間距離とのずれが所定値以上の場合、再度アライメントを行う、
    請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の検査装置の制御方法。
  10. 前記アライメントは、
    下カメラでプローブカードの位置を検出するプローブアライメントと、
    上カメラと前記下カメラの軸を合わせる上下カメラ合わせと、
    前記上カメラで基板の位置を検出する基板アライメントと、を有し、
    前記制御部は、
    前記アライメントを２回行い、ずれが所定値以上の場合、再度アライメントを行う、
    請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の検査装置の制御方法。
  11. 基板を検査するテスタを収容する検査室を配列した検査室列を複数段有する検査部と、
    前記検査室列に少なくとも１つ設けられ、前記テスタに対して基板をコンタクトさせる複数のアライナと、
    前記アライナを制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    一の前記アライナがアライメントをする際、他の前記アライナの動作を制限する、
    検査装置。
JP2019173443A 2019-09-24 2019-09-24 検査装置の制御方法および検査装置 Active JP7458161B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019173443A JP7458161B2 (ja) 2019-09-24 2019-09-24 検査装置の制御方法および検査装置
US17/018,128 US11385286B2 (en) 2019-09-24 2020-09-11 Method for controlling test apparatus and test apparatus
CN202010959217.0A CN112635341A (zh) 2019-09-24 2020-09-14 检查装置的控制方法和检查装置
KR1020200118336A KR102480524B1 (ko) 2019-09-24 2020-09-15 검사 장치의 제어 방법 및 검사 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019173443A JP7458161B2 (ja) 2019-09-24 2019-09-24 検査装置の制御方法および検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021052065A true JP2021052065A (ja) 2021-04-01
JP7458161B2 JP7458161B2 (ja) 2024-03-29

Family

ID=74880770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019173443A Active JP7458161B2 (ja) 2019-09-24 2019-09-24 検査装置の制御方法および検査装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11385286B2 (ja)
JP (1) JP7458161B2 (ja)
KR (1) KR102480524B1 (ja)
CN (1) CN112635341A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022201716A1 (ja) 2021-03-25 2022-09-29 サトーホールディングス株式会社 情報処理システム、情報処理装置、情報処理方法、及び、プログラム

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0922927A (ja) * 1995-07-05 1997-01-21 Tokyo Electron Ltd 位置決め装置および検査装置
JPH11150164A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd プローブ方法及びプローブ装置
JP2002151555A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Tokyo Electron Ltd 位置合わせ方法
JP2004200383A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd 位置合わせ方法
JP2004296921A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Canon Inc 位置検出装置
JP2010245508A (ja) * 2009-03-16 2010-10-28 Micronics Japan Co Ltd ウェハアライメント装置及びウェハアライメント方法
WO2011016096A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社アドバンテスト 試験装置および試験方法
JP2013055256A (ja) * 2011-09-05 2013-03-21 Canon Inc リソグラフィシステム及び物品の製造方法
JP2017069428A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査方法及びウエハ検査装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2501613B2 (ja) * 1988-03-08 1996-05-29 東京エレクトロン株式会社 ウエハプロ―バ
JPH0682738B2 (ja) * 1990-10-20 1994-10-19 トーワ株式会社 Ｉｃリードピンの外観検査方法および検査台
EP1339100A1 (en) * 2000-12-01 2003-08-27 Ebara Corporation Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it
JP4130101B2 (ja) * 2002-07-25 2008-08-06 株式会社東京精密 プローバ装置およびプローバ装置を備えた検査装置
CN1820346B (zh) * 2003-05-09 2011-01-19 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
US7349575B2 (en) * 2003-06-27 2008-03-25 Nippon Avionics Co., Ltd. Pattern inspection method and apparatus, and pattern alignment method
JP4383945B2 (ja) * 2004-04-06 2009-12-16 キヤノン株式会社 アライメント方法、露光方法、及び露光装置
JP4736821B2 (ja) * 2006-01-24 2011-07-27 株式会社日立製作所 パターン形成方法およびパターン形成装置
JP5137336B2 (ja) * 2006-05-29 2013-02-06 株式会社日本マイクロニクス 可動式プローブユニット機構及び電気検査装置
US7494830B2 (en) * 2007-04-06 2009-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and device for wafer backside alignment overlay accuracy
CN103258762B (zh) * 2007-08-10 2016-08-03 株式会社尼康 基板贴合装置及基板贴合方法
JP5456394B2 (ja) * 2009-07-09 2014-03-26 国立大学法人神戸大学 複合半透膜
JP2012204695A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd プローブカード検出装置、ウエハの位置合わせ装置及びウエハの位置合わせ方法
JP6652361B2 (ja) * 2015-09-30 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置及びウエハ検査方法
JP6827385B2 (ja) 2017-08-03 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 検査システム

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0922927A (ja) * 1995-07-05 1997-01-21 Tokyo Electron Ltd 位置決め装置および検査装置
JPH11150164A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd プローブ方法及びプローブ装置
JP2002151555A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Tokyo Electron Ltd 位置合わせ方法
JP2004200383A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd 位置合わせ方法
JP2004296921A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Canon Inc 位置検出装置
JP2010245508A (ja) * 2009-03-16 2010-10-28 Micronics Japan Co Ltd ウェハアライメント装置及びウェハアライメント方法
WO2011016096A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社アドバンテスト 試験装置および試験方法
JP2013055256A (ja) * 2011-09-05 2013-03-21 Canon Inc リソグラフィシステム及び物品の製造方法
JP2017069428A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査方法及びウエハ検査装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022201716A1 (ja) 2021-03-25 2022-09-29 サトーホールディングス株式会社 情報処理システム、情報処理装置、情報処理方法、及び、プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
KR102480524B1 (ko) 2022-12-22
CN112635341A (zh) 2021-04-09
JP7458161B2 (ja) 2024-03-29
KR20210035745A (ko) 2021-04-01
US11385286B2 (en) 2022-07-12
US20210088588A1 (en) 2021-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111742399B (zh) 接触精度保证方法、接触精度保证机构和检查装置
US9638745B2 (en) Wafer mounting method and wafer inspection device
TWI703655B (zh) 晶圓檢查裝置及晶圓檢查方法
KR20120110020A (ko) 프로브 카드 검출 장치, 웨이퍼의 위치 정렬 장치 및 웨이퍼의 위치 정렬 방법
US10928441B2 (en) Circuit device, tester, inspection device, and method of adjusting bending of circuit board
KR20190016695A (ko) 웨이퍼 정렬 방법 및 이를 이용하는 웨이퍼 검사 방법
WO2019017050A1 (ja) 検査システム
CN113874693A (zh) 载置台、检查装置和温度校正方法
KR102480524B1 (ko) 검사 장치의 제어 방법 및 검사 장치
KR102535099B1 (ko) 검사 장치 및 검사 장치 제어 방법
WO2018225384A1 (ja) 検査装置、検査システム、および位置合わせ方法
US11933839B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
KR101746292B1 (ko) 프로브 카드 정렬 방법
CN111312618B (zh) 检查装置和检查方法
JP7296825B2 (ja) 載置装置の制御方法、載置装置および検査装置
JP3201619B2 (ja) 半導体検査方法
WO2023189676A1 (ja) 検査方法及び検査装置
KR101218507B1 (ko) 프로브 장치
JP2021005686A (ja) プローバおよびプローブカードのプリヒート方法
JP2023152601A (ja) 検査方法及び検査装置
WO2023053968A1 (ja) 検査装置及び検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220610

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230623

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20231010

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231129

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20231206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240318

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7458161

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150