JP3201619B2 - 半導体検査方法 - Google Patents
半導体検査方法Info
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Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体検査方法に関す
る。
る。
【０００３】
【従来の技術】半導体製品の製造工程においては、一般
に、半導体ウエハ上に多数のICチップ等が形成されてい
る段階で行うプロ―ブテスト（一次検査）と、例えばパ
ッケ―ジングされて製品化された段階で行うファイナル
テスト（二次検査）とが行われている。
に、半導体ウエハ上に多数のICチップ等が形成されてい
る段階で行うプロ―ブテスト（一次検査）と、例えばパ
ッケ―ジングされて製品化された段階で行うファイナル
テスト（二次検査）とが行われている。
【０００４】ところで、ICチップやLSI チップ（以下、
チップと記す）等を個別にパッケ―ジングしたQFP ，SO
P 等に代表される半導体製品の二次検査については、測
定部に設けたプロ―ブピンユニット等を交換することに
より 1台の装置で多くの形状の半導体素子の測定が可能
な検査装置（ICハンドラ）、いわゆるユニバ―サルハン
ドラ等が開発されており、検査工数の短縮化や検査精度
の向上が図られている。 しかし、最近の半導体分野に
おいては、各種検査処理の高速化や複雑化等に対応する
ために、内部配線が施された多層セラミックス基板上等
に機能の異なる複数のチップを塔載し、モジュ―ル化し
チップアレイとして直接利用することが徐々に増加しつ
つあるため、このような半導体モジュ―ルの二次検査へ
の対応が強く望まれている。
チップと記す）等を個別にパッケ―ジングしたQFP ，SO
P 等に代表される半導体製品の二次検査については、測
定部に設けたプロ―ブピンユニット等を交換することに
より 1台の装置で多くの形状の半導体素子の測定が可能
な検査装置（ICハンドラ）、いわゆるユニバ―サルハン
ドラ等が開発されており、検査工数の短縮化や検査精度
の向上が図られている。 しかし、最近の半導体分野に
おいては、各種検査処理の高速化や複雑化等に対応する
ために、内部配線が施された多層セラミックス基板上等
に機能の異なる複数のチップを塔載し、モジュ―ル化し
チップアレイとして直接利用することが徐々に増加しつ
つあるため、このような半導体モジュ―ルの二次検査へ
の対応が強く望まれている。
【０００５】このような半導体モジュ―ルの二次検査
は、個々のチップのボンディング状態や多層セラミック
ス基板内の配線状態等の検査、さらにはモジュ―ルとし
ての動作特性の検査の他に、個々のチップの基本性能や
入力から出力までの中間過程における動作特性等の検査
も必要とされる。
は、個々のチップのボンディング状態や多層セラミック
ス基板内の配線状態等の検査、さらにはモジュ―ルとし
ての動作特性の検査の他に、個々のチップの基本性能や
入力から出力までの中間過程における動作特性等の検査
も必要とされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、規格
の異なる複数のチップ、例えば個々のチップの基本性能
や半導体モジュ―ルの中間過程における動作特性等の検
査を行う場合には、各チップの電極パッドに対して個々
にプロ―ブピンを接触させる必要がある。
の異なる複数のチップ、例えば個々のチップの基本性能
や半導体モジュ―ルの中間過程における動作特性等の検
査を行う場合には、各チップの電極パッドに対して個々
にプロ―ブピンを接触させる必要がある。
【０００７】しかし、セラミック基板等には反り、捩れ
あるいは収縮したものがあり、さらには各電極パッド位
置はランダムであるため、現状の基板検査装置では数十
μmピッチで形成されている電極パッドに対して高精度
にプロ―ブピンを接触させることは非常に困難であっ
た。
あるいは収縮したものがあり、さらには各電極パッド位
置はランダムであるため、現状の基板検査装置では数十
μmピッチで形成されている電極パッドに対して高精度
にプロ―ブピンを接触させることは非常に困難であっ
た。
【０００８】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、高精度な電気的接触を可能とし、検
査精度および検査効率の向上を図ることができる半導体
検査方法を提供することを目的とする。
になされたもので、高精度な電気的接触を可能とし、検
査精度および検査効率の向上を図ることができる半導体
検査方法を提供することを目的とする。
【０００９】［発明の構成］
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体検査方法
は、上記目的を達成するために、Χ−Ｙ−Ｚ−θ方向に
移動可能なステージにより検査端子と基板とを相対的に
位置決めし、この検査端子を基板に設けられた複数の被
検査体の電極端子に接触させて検査を行う際、前記被検
査体を撮像する上アライメント用カメラと、前記検査端
子を撮像するピンブロックアライメント用カメラと、ア
ライメントゲージとを設け、前記ステージの移動量を、
前記基板および各被検査体に特有の位置データから得ら
れるパラメータに基づいて決定し、かつ、前記基板およ
び各被検査体に特有の位置データは、前記上アライメン
ト用カメラおよび前記ピンブロックアライメント用カメ
ラにより前記アライメントゲージ位置を検出し、上アラ
イメント用カメラ視野中心とピンブロックアライメント
用カメラ視野中心が一致するステージの座標を計測し、
この座標にもとづいて設定されるとともに、検査を行う
位置に配置された前記基板の熱膨張補正用ターゲットを
撮像する下アライメントカメラを設け、前記熱膨張補正
用ターゲットの初期位置からのずれに応じて、前記検査
端子と前記被検査体との接触位置の補正を行うことを特
徴とする。
は、上記目的を達成するために、Χ−Ｙ−Ｚ−θ方向に
移動可能なステージにより検査端子と基板とを相対的に
位置決めし、この検査端子を基板に設けられた複数の被
検査体の電極端子に接触させて検査を行う際、前記被検
査体を撮像する上アライメント用カメラと、前記検査端
子を撮像するピンブロックアライメント用カメラと、ア
ライメントゲージとを設け、前記ステージの移動量を、
前記基板および各被検査体に特有の位置データから得ら
れるパラメータに基づいて決定し、かつ、前記基板およ
び各被検査体に特有の位置データは、前記上アライメン
ト用カメラおよび前記ピンブロックアライメント用カメ
ラにより前記アライメントゲージ位置を検出し、上アラ
イメント用カメラ視野中心とピンブロックアライメント
用カメラ視野中心が一致するステージの座標を計測し、
この座標にもとづいて設定されるとともに、検査を行う
位置に配置された前記基板の熱膨張補正用ターゲットを
撮像する下アライメントカメラを設け、前記熱膨張補正
用ターゲットの初期位置からのずれに応じて、前記検査
端子と前記被検査体との接触位置の補正を行うことを特
徴とする。
【００１１】
【作用】すなわち、検査端子の位置決めを行う際のステ
ージの移動量は、被検査体の電極端子位置を認識した
後、この認識データから得られるパラメータに基づいて
位置合せ距離を決定するようにしたので、各種アライメ
ントやプロービング時における位置合せを正確かつ簡潔
に行うことができる。
ージの移動量は、被検査体の電極端子位置を認識した
後、この認識データから得られるパラメータに基づいて
位置合せ距離を決定するようにしたので、各種アライメ
ントやプロービング時における位置合せを正確かつ簡潔
に行うことができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の半導体検査方法を、半導体モ
ジュールの半導体検査に適用した一実施例について図を
参照して説明する。
ジュールの半導体検査に適用した一実施例について図を
参照して説明する。
【００１３】半導体検査装置の装置本体１は、図１に示
すように非導電性不活性液体中の被検査体、例えばモジ
ュ―ル（セラミック板にＩＣ製品をマウントした被検査
体）２をワ―ク３の載置検査部まで搬送し、所定の検査
を行う検査部１０と、モジュ―ル２上に塔載された複数
の半導体素子（以下、チップという）に対応した複数の
検査端子、例えば検査用接触端子を収容し、これら端子
の交換および位置合せを行う接触端子供給部２０とから
構成されている。
すように非導電性不活性液体中の被検査体、例えばモジ
ュ―ル（セラミック板にＩＣ製品をマウントした被検査
体）２をワ―ク３の載置検査部まで搬送し、所定の検査
を行う検査部１０と、モジュ―ル２上に塔載された複数
の半導体素子（以下、チップという）に対応した複数の
検査端子、例えば検査用接触端子を収容し、これら端子
の交換および位置合せを行う接触端子供給部２０とから
構成されている。
【００１４】なお、装置本体１の検査部１０側の端部に
は、上記ワ―ク３をロ―ド・アンロ―ドするためのワ―
クロ―ダ―部３０が着脱自在に設置されている。また、
装置本体１およびワ―クロ―ダ―部３０上には、それぞ
れワ―クロ―ダ―部３０、検査部１０、接触端子供給部
２０の並列方向（以下、Ｘ方向という）に沿って移動可
能なワ―ク搬送機構４０と接触端子移動機構５０とが塔
載されている。
は、上記ワ―ク３をロ―ド・アンロ―ドするためのワ―
クロ―ダ―部３０が着脱自在に設置されている。また、
装置本体１およびワ―クロ―ダ―部３０上には、それぞ
れワ―クロ―ダ―部３０、検査部１０、接触端子供給部
２０の並列方向（以下、Ｘ方向という）に沿って移動可
能なワ―ク搬送機構４０と接触端子移動機構５０とが塔
載されている。
【００１５】上記ワ―ク３は、図３に示すように、内部
配線を有する多層セラミックス基板２ｂ上に複数例えば
36個のチップ２ａがボンディングされたモジュ―ル２
と、この下部にモジュ―ル２の図示省略の各入出力ピン
に電気的に接続されたソケット４およびソケットボ―ド
５と、サポ―トボ―ド８とから構成されている。
配線を有する多層セラミックス基板２ｂ上に複数例えば
36個のチップ２ａがボンディングされたモジュ―ル２
と、この下部にモジュ―ル２の図示省略の各入出力ピン
に電気的に接続されたソケット４およびソケットボ―ド
５と、サポ―トボ―ド８とから構成されている。
【００１６】また、上記チップ２ａの周囲には測定用電
極パッドが、多層セラミックス基板２ｂの上面の 3隅に
はアライメント用タ―ゲットが、下面には対角線上の 2
隅に熱膨脹補正用タ―ゲットがそれぞれ設けられてお
り、さらにサポ―トボ―ド８の4隅には位置決め孔が設
けられている。
極パッドが、多層セラミックス基板２ｂの上面の 3隅に
はアライメント用タ―ゲットが、下面には対角線上の 2
隅に熱膨脹補正用タ―ゲットがそれぞれ設けられてお
り、さらにサポ―トボ―ド８の4隅には位置決め孔が設
けられている。
【００１７】上記検査部１０は、装置本体１の基台１ａ
上の検査部基台１１の上面側に突設された槽外壁１１ａ
および槽内壁１１ｂと、例えばネオプレンゴム等によっ
て形成されたロ字状のシ―ル部を有するワ―ク載置台１
２およびワ―ク３自体とによって形成される液槽１３を
有しており、ワ―ク３はクランプ１４によってワ―ク載
置台１２に対し、液密シ―ルを形成するように密着固定
される。そして、液槽１３内に注入された非導電性不活
性液体１５中にワ―ク３を浸漬し、その状態で検査が行
われる。
上の検査部基台１１の上面側に突設された槽外壁１１ａ
および槽内壁１１ｂと、例えばネオプレンゴム等によっ
て形成されたロ字状のシ―ル部を有するワ―ク載置台１
２およびワ―ク３自体とによって形成される液槽１３を
有しており、ワ―ク３はクランプ１４によってワ―ク載
置台１２に対し、液密シ―ルを形成するように密着固定
される。そして、液槽１３内に注入された非導電性不活
性液体１５中にワ―ク３を浸漬し、その状態で検査が行
われる。
【００１８】なお、検査部基台１１内には、槽外壁１１
ａと槽内壁１１ｂとの間にオ―バ―フロ―した非導電性
不活性液体１５の排出管１６ａと、ワ―ク交換時の排出
管１６ｂとが設けられており、それぞれ図示を省略した
冷却機構に接続されている。また、上記ロ字状のワ―ク
載置台１２の開口部下方には、ワ―ク３のソケットボ―
ド５に差込まれ電気的な接続を行う図示省略の多数のポ
ゴピンが突設されたワ―クセットベ―スユニット１７
が、またワ―ク３のセラミックス基板２ｂの下面に設け
られた一対の熱膨脹補正用タ―ゲットの形成位置に応じ
て下アライメントカメラ１８ａ、１８ｂが配置されてお
り、さらにワ―ク搬送機構４０およびワ―ク載置台１２
間におけるワ―ク３の移載を行う昇降可能なワ―ク移載
ピン１８が設けられている。
ａと槽内壁１１ｂとの間にオ―バ―フロ―した非導電性
不活性液体１５の排出管１６ａと、ワ―ク交換時の排出
管１６ｂとが設けられており、それぞれ図示を省略した
冷却機構に接続されている。また、上記ロ字状のワ―ク
載置台１２の開口部下方には、ワ―ク３のソケットボ―
ド５に差込まれ電気的な接続を行う図示省略の多数のポ
ゴピンが突設されたワ―クセットベ―スユニット１７
が、またワ―ク３のセラミックス基板２ｂの下面に設け
られた一対の熱膨脹補正用タ―ゲットの形成位置に応じ
て下アライメントカメラ１８ａ、１８ｂが配置されてお
り、さらにワ―ク搬送機構４０およびワ―ク載置台１２
間におけるワ―ク３の移載を行う昇降可能なワ―ク移載
ピン１８が設けられている。
【００１９】上記接触端子供給部２０は、半導体モジュ
―ル２に塔載されるチップ２の周囲に形成された測定用
電極パッドの形状およびピッチに応じてプロ―ブピンが
植設された複数のピンブロック２１を個々に保持する複
数例えば 9個のピンブロックチェンジャ２２と、接触端
子移動機構５０側に受け渡されたピンブロック２１の位
置確認を行うピンブロック補正用カメラ２３とによって
構成されている。
―ル２に塔載されるチップ２の周囲に形成された測定用
電極パッドの形状およびピッチに応じてプロ―ブピンが
植設された複数のピンブロック２１を個々に保持する複
数例えば 9個のピンブロックチェンジャ２２と、接触端
子移動機構５０側に受け渡されたピンブロック２１の位
置確認を行うピンブロック補正用カメラ２３とによって
構成されている。
【００２０】上記ピンブロックチェンジャ２２は、ピン
ブロック２１を挟持する保持部２４と、この保持部２４
を接触端子移動機構５０側に上昇させる例えばシリンダ
機構２５とによって構成されており、検査プログラムに
応じて使用ピンブロック２１を個別に上昇させ、接触端
子移動機構５０に供給する。
ブロック２１を挟持する保持部２４と、この保持部２４
を接触端子移動機構５０側に上昇させる例えばシリンダ
機構２５とによって構成されており、検査プログラムに
応じて使用ピンブロック２１を個別に上昇させ、接触端
子移動機構５０に供給する。
【００２１】ワ―クロ―ダ―部３０は、装置本体１の基
台１ａに対して着脱自在に配置されたワ―ク通過孔３１
ａを有するロ―ダ―部基台３１と、このロ―ダ―部基台
３１の下方に配置され、ワ―ク３を収容しつつワ―ク交
換位置とワ―ク通過孔３１ａの下方位置との間を移動可
能とされたワ―クセットテ―ブル３２と、ワ―ク通過孔
３１ａの下方に配置され、ワ―ク３をワ―ク搬送機構４
０へと受渡すワ―ク昇降機構３３とにより構成されてい
る。また、ロ―ダ―部基台３１の上面は、装置本体１の
基台１ａの上面と面一とされており、これらロ―ダ―部
基台３１および装置本体１の基台１ａ上面には、Ｘ方向
に連結されたステ―ジ用ガイド３０ａ、１ｂが設けられ
ている。
台１ａに対して着脱自在に配置されたワ―ク通過孔３１
ａを有するロ―ダ―部基台３１と、このロ―ダ―部基台
３１の下方に配置され、ワ―ク３を収容しつつワ―ク交
換位置とワ―ク通過孔３１ａの下方位置との間を移動可
能とされたワ―クセットテ―ブル３２と、ワ―ク通過孔
３１ａの下方に配置され、ワ―ク３をワ―ク搬送機構４
０へと受渡すワ―ク昇降機構３３とにより構成されてい
る。また、ロ―ダ―部基台３１の上面は、装置本体１の
基台１ａの上面と面一とされており、これらロ―ダ―部
基台３１および装置本体１の基台１ａ上面には、Ｘ方向
に連結されたステ―ジ用ガイド３０ａ、１ｂが設けられ
ている。
【００２２】ワ―ク搬送機構４０は、上記ステ―ジ用ガ
イド３０ａ、１ｂ上をＸ方向に沿って移動可能とされて
おり、上記ワ―ク昇降機構３３によって上昇したワ―ク
３を保持する保持部４１を有している。この保持部４１
は、ワ―ク３の下面を支持するＸ方向に進退自在の一対
のつめ４２によって構成されている。
イド３０ａ、１ｂ上をＸ方向に沿って移動可能とされて
おり、上記ワ―ク昇降機構３３によって上昇したワ―ク
３を保持する保持部４１を有している。この保持部４１
は、ワ―ク３の下面を支持するＸ方向に進退自在の一対
のつめ４２によって構成されている。
【００２３】また、接触端子移動機構５０は、ワ―ク搬
送機構４０と同様に、上記ステ―ジ用ガイド１ｂ上に塔
載されたロ字形状を有するＸステ―ジ５１、このＸステ
―ジ上に配置された同様の開口面積を有するロ字形状の
Ｙステ―ジ５２および上記Ｘステ―ジ５１およびＹステ
―ジ５２の開口部内に配置されたＺステ―ジ５３を備え
て構成されている。Ｚステ―ジ５３には、ピンブロック
２１のチャック部５４と上アライメント用カメラ５５と
を有する測定部５６が取付けられている。また図示を省
略したθ駆動機構によってチャック部５４が回転自在と
されている。
送機構４０と同様に、上記ステ―ジ用ガイド１ｂ上に塔
載されたロ字形状を有するＸステ―ジ５１、このＸステ
―ジ上に配置された同様の開口面積を有するロ字形状の
Ｙステ―ジ５２および上記Ｘステ―ジ５１およびＹステ
―ジ５２の開口部内に配置されたＺステ―ジ５３を備え
て構成されている。Ｚステ―ジ５３には、ピンブロック
２１のチャック部５４と上アライメント用カメラ５５と
を有する測定部５６が取付けられている。また図示を省
略したθ駆動機構によってチャック部５４が回転自在と
されている。
【００２４】そして、上記チャック部５４に保持された
ピンブロック２１は、Ｚステ―ジ５３によって検査部１
０の液槽１３内まで下降し、液槽１３内に浸漬されてい
るワ―ク３との接触が行われる。
ピンブロック２１は、Ｚステ―ジ５３によって検査部１
０の液槽１３内まで下降し、液槽１３内に浸漬されてい
るワ―ク３との接触が行われる。
【００２５】測定部５６には、上記チャック部５４に近
接して図示省略の冷却機構に接続された非導電性不活性
液体導入管５７が配設されており、またチャック部５４
の上部にはピンブロック２１と図示を省略したテスタに
接続されたタッチプレ―トが配置されており、このタッ
チプレ―トによってピンブロック２１とテスタとの電気
的な接続が行われている。
接して図示省略の冷却機構に接続された非導電性不活性
液体導入管５７が配設されており、またチャック部５４
の上部にはピンブロック２１と図示を省略したテスタに
接続されたタッチプレ―トが配置されており、このタッ
チプレ―トによってピンブロック２１とテスタとの電気
的な接続が行われている。
【００２６】次に、上記構成の半導体検査装置における
検査手順について説明する。
検査手順について説明する。
【００２７】まず第１のステップは、第４図に示すよう
に、(1) セラミック基板２ｂの原点からその 3点のアラ
イメントマ―クの座標（Ｘai，Ｙai，Ｚai： i＝ 1，
2， 3）を計測する。
に、(1) セラミック基板２ｂの原点からその 3点のアラ
イメントマ―クの座標（Ｘai，Ｙai，Ｚai： i＝ 1，
2， 3）を計測する。
【００２８】(2) セラミック基板２ｂの原点から各チッ
プ２ａの 4隅の 4点のマ―ク座標（Ｘli，Ｙli，Ｚli：
i＝ 1， 2， 3， 4）を計測する。
プ２ａの 4隅の 4点のマ―ク座標（Ｘli，Ｙli，Ｚli：
i＝ 1， 2， 3， 4）を計測する。
【００２９】なお、(1) および(2) のデ―タは、製造装
置等において事前に計測されているものとし、これらの
デ―タは半導体検査装置へのコマンドのパラメ―タとし
て引渡される。
置等において事前に計測されているものとし、これらの
デ―タは半導体検査装置へのコマンドのパラメ―タとし
て引渡される。
【００３０】続いて、第２のステップは、図５に示すよ
うに、（３）ピンブロック（コンタクタ）のアライメン
トマークを認識することにより求まるピンブロック中心
と各ピンの位置を測定することにより求まるピンブロッ
ク中心との相対的な座標（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｑｐ）を計測す
る。（４）ピンブロック（コンタクタ）の下面からピン
先までの長さ（針圧の余圧分を含む）の座標（Ｚｐ）を
計測する。
うに、（３）ピンブロック（コンタクタ）のアライメン
トマークを認識することにより求まるピンブロック中心
と各ピンの位置を測定することにより求まるピンブロッ
ク中心との相対的な座標（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｑｐ）を計測す
る。（４）ピンブロック（コンタクタ）の下面からピン
先までの長さ（針圧の余圧分を含む）の座標（Ｚｐ）を
計測する。
【００３１】なお、(3) および(4) のデ―タは、ピンブ
ロック（コンタクタ）の製作時に測定される固有の補正
値として予め入力されるものである。
ロック（コンタクタ）の製作時に測定される固有の補正
値として予め入力されるものである。
【００３２】第３のステップは、図６および図７に示す
ように、(5) 上アライメント用カメラおよびピンブロッ
クアライメント用カメラによりアライメントゲ―ジ位置
を検出し、上アライメント用カメラ（視野）中心とピン
ブロックアライメント用カメラ（視野）中心が一致する
ステ―ジの座標（Ｘg ，Ｙg ，Ｚg ）を計測する。
ように、(5) 上アライメント用カメラおよびピンブロッ
クアライメント用カメラによりアライメントゲ―ジ位置
を検出し、上アライメント用カメラ（視野）中心とピン
ブロックアライメント用カメラ（視野）中心が一致する
ステ―ジの座標（Ｘg ，Ｙg ，Ｚg ）を計測する。
【００３３】なお、(5) のデ―タは、半導体検査装置側
で装置イニシャル時に計測されるものである。
で装置イニシャル時に計測されるものである。
【００３４】第４のステップは、図８および図９に示す
ように、(6) θステ―ジの回転中心と上アライメント用
カメラ（視野）の中心との相対距離（Ｘt ，Ｙt ）を計
測する。
ように、(6) θステ―ジの回転中心と上アライメント用
カメラ（視野）の中心との相対距離（Ｘt ，Ｙt ）を計
測する。
【００３５】(7) 各下アライメントカメラ（下カメラ１
と２）の相対距離（Ｘc ，Ｙc ）を計測する。
と２）の相対距離（Ｘc ，Ｙc ）を計測する。
【００３６】なお、(6) および(7) のデ―タは、半導体
検査装置の機械的な値であり、前もって計測されるもの
である。
検査装置の機械的な値であり、前もって計測されるもの
である。
【００３７】第５のステップは、図１０よび図１１に示
すように、(8) ピンブロック（コンタクタ）アライメン
ト用タ―ゲットマ―クの位置座標（Ｘqi，Ｙqi，Ｚqi：
i＝ 1， 2， 3， 4）および（θq ）を計測する。
すように、(8) ピンブロック（コンタクタ）アライメン
ト用タ―ゲットマ―クの位置座標（Ｘqi，Ｙqi，Ｚqi：
i＝ 1， 2， 3， 4）および（θq ）を計測する。
【００３８】なお、θq はピンブロック（コンタクタ）
アライメント終了時の座標値であり、ピンブロックアラ
イメント用タ―ゲットマ―クがステ―ジのＸ軸に対して
平行になったときである。また(8) のデ―タは半導体検
査装置での計測値である。
アライメント終了時の座標値であり、ピンブロックアラ
イメント用タ―ゲットマ―クがステ―ジのＸ軸に対して
平行になったときである。また(8) のデ―タは半導体検
査装置での計測値である。
【００３９】第６のステップは、図１２および図１３に
示すように、(9) 基板上面のアライメントマ―クの位置
座標（Ｘmi，Ｙmi，Ｚmi： i＝ 1，2， 3）を計測す
る。
示すように、(9) 基板上面のアライメントマ―クの位置
座標（Ｘmi，Ｙmi，Ｚmi： i＝ 1，2， 3）を計測す
る。
【００４０】ただし、Ｘ，Ｙは基板原点からの相対座標
とする。
とする。
【００４１】なお、(9) のデ―タは、半導体検査装置の
上アライメント用カメラにて計測した値である。
上アライメント用カメラにて計測した値である。
【００４２】第７のステップは、図１４および図１５に
示すように、(10)基板下面のアライメントマ―クの位置
座標（Ｘui，Ｙui： i＝ 1， 2，）を計測する。
示すように、(10)基板下面のアライメントマ―クの位置
座標（Ｘui，Ｙui： i＝ 1， 2，）を計測する。
【００４３】ただし、(10)のデ―タは、基板位置の変化
量を知るデ―タであるため、基板アライメント時に計測
した時のＸ，Ｙを基準（ 0， 0）とし、コンタクト直前
に再度計測する値を基準からのズレ量として用いる。
量を知るデ―タであるため、基板アライメント時に計測
した時のＸ，Ｙを基準（ 0， 0）とし、コンタクト直前
に再度計測する値を基準からのズレ量として用いる。
【００４４】続いて、プロ―ビングにおけるデ―タ処理
について説明する。
について説明する。
【００４５】ただし、ここでは、各タイミングにおける
Ｘ，Ｙ，θのデ―タを処理する場合について説明する。
（ａ）基板アライメント時（第８のステップ）(1) 1 事
前に計測されている座標の本装置の上アライメント用カ
メラ座標への変換係数Ｂを求める。……使用デ―タ
（(1) ，(9) ）
Ｘ，Ｙ，θのデ―タを処理する場合について説明する。
（ａ）基板アライメント時（第８のステップ）(1) 1 事
前に計測されている座標の本装置の上アライメント用カ
メラ座標への変換係数Ｂを求める。……使用デ―タ
（(1) ，(9) ）
【００４６】
【数１】
【００４７】（ｂ）ピンブロック（コンタクタ）アライ
メント時（第９のステップ） (2) 1 ピンブロックの中心位置を求める。……使用デ―
タ（(8) ） Ｘq ＝（Ｘq1＋Ｘq2＋Ｘq3＋Ｘq4）／ 4 Ｙq ＝（Ｙq1＋Ｙq2＋Ｙq3＋Ｙq4）／ 4 （ｃ）プロ―ビングコマンド実行開始時（第１０のステ
ップ） (3) 1 チップの中心および回転を求める。……使 用デ
―タ（(2) ） Ｘ1 ＝（Ｘ11＋Ｘ12＋Ｘ13＋Ｘ14）／ 4 Ｙ1 ＝（Ｙ11＋Ｙ12＋Ｙ13＋Ｙ14）／ 4 θ1 ベクトル＝（−Ｘ11＋Ｘ12＋Ｘ13−Ｘ14−Ｙ11−Ｙ
12＋Ｙ13＋Ｙ14）／（Ｘ11＋Ｘ12−Ｘ 13−Ｘ14−Ｙ11
＋Ｙ12＋Ｙ13−Ｙ14） (4) 1 上アライメントカメラ（視野）中心をチップの中
心に合せるための座標を求める。すなわち、事前に計測
されている座標系を本装置の座標系に変換する。……使
用デ―タ（(1) 1 ，(3) 1 ）
メント時（第９のステップ） (2) 1 ピンブロックの中心位置を求める。……使用デ―
タ（(8) ） Ｘq ＝（Ｘq1＋Ｘq2＋Ｘq3＋Ｘq4）／ 4 Ｙq ＝（Ｙq1＋Ｙq2＋Ｙq3＋Ｙq4）／ 4 （ｃ）プロ―ビングコマンド実行開始時（第１０のステ
ップ） (3) 1 チップの中心および回転を求める。……使 用デ
―タ（(2) ） Ｘ1 ＝（Ｘ11＋Ｘ12＋Ｘ13＋Ｘ14）／ 4 Ｙ1 ＝（Ｙ11＋Ｙ12＋Ｙ13＋Ｙ14）／ 4 θ1 ベクトル＝（−Ｘ11＋Ｘ12＋Ｘ13−Ｘ14−Ｙ11−Ｙ
12＋Ｙ13＋Ｙ14）／（Ｘ11＋Ｘ12−Ｘ 13−Ｘ14−Ｙ11
＋Ｙ12＋Ｙ13−Ｙ14） (4) 1 上アライメントカメラ（視野）中心をチップの中
心に合せるための座標を求める。すなわち、事前に計測
されている座標系を本装置の座標系に変換する。……使
用デ―タ（(1) 1 ，(3) 1 ）
【００４８】
【数２】
【００４９】(5) 1 θステ―ジ回転中心をチップ中心に
合せる ための座標Ｎを求める。……使用デ―タ（(6)
，(4) 1 ） Ｘn ＝Ｘw −Ｘt Ｙn ＝Ｙw −Ｙt （ｄ）下アライメント実行時（第１１のステップ） (6) 1 基板の移動および変形量を求める。……使用デ―
タ（(7) ，(10)）下カメラ１（下アライメントカメラ）
の座標原点は、基板アライメント座標の１と同じＸ，Ｙ
座標となることを利用して上カメラ（上アライメントカ
メラ）座標が基板の移動および変形により変化する量を
算出する（Ｘs ，Ｙs ，θs ) 。ここで、 θs ＝tan -1 （Ｘc ／Ｙc ）−tan -1［｛Ｙc −（Ｙ
u2−Ｙu1）｝／｛Ｘc −（Ｘu2−Ｘu1）｝］ Ｘs ＝（Ｘn cos θs −Ｙn sin θs ）−Ｘu1−Ｘn Ｙs ＝（Ｘn sin θs ＋Ｙn cos θs ）−Ｙu1−Ｙn (7) 1 ピンブロック（コンタクタ）中心をチップ中心に
合わせる座標を求める。……使用デ―タ（(3) ，(2)
1 ，(4) 1 ，(5) 1 ，(6) 1 ）(3) ，(2) 1 ，(4)
1 ，(5) 1 ，(6) 1 のデ―タを用いθの回転角度を求
める。このθを用いθの回転によるＸ，Ｙ動作量（Ｘv
，Ｙv ）を求めることができる。かつ、(3) ，(2)
1 ，(5) 1 ，(6) 1のＸ，Ｙデ―タと（Ｘv ，Ｙv ）か
らピンブロック（コンタクタ）中心がチップ中心にくる
位置決め（Ｘf ，Ｙf ，θf ）を行う。
合せる ための座標Ｎを求める。……使用デ―タ（(6)
，(4) 1 ） Ｘn ＝Ｘw −Ｘt Ｙn ＝Ｙw −Ｙt （ｄ）下アライメント実行時（第１１のステップ） (6) 1 基板の移動および変形量を求める。……使用デ―
タ（(7) ，(10)）下カメラ１（下アライメントカメラ）
の座標原点は、基板アライメント座標の１と同じＸ，Ｙ
座標となることを利用して上カメラ（上アライメントカ
メラ）座標が基板の移動および変形により変化する量を
算出する（Ｘs ，Ｙs ，θs ) 。ここで、 θs ＝tan -1 （Ｘc ／Ｙc ）−tan -1［｛Ｙc −（Ｙ
u2−Ｙu1）｝／｛Ｘc −（Ｘu2−Ｘu1）｝］ Ｘs ＝（Ｘn cos θs −Ｙn sin θs ）−Ｘu1−Ｘn Ｙs ＝（Ｘn sin θs ＋Ｙn cos θs ）−Ｙu1−Ｙn (7) 1 ピンブロック（コンタクタ）中心をチップ中心に
合わせる座標を求める。……使用デ―タ（(3) ，(2)
1 ，(4) 1 ，(5) 1 ，(6) 1 ）(3) ，(2) 1 ，(4)
1 ，(5) 1 ，(6) 1 のデ―タを用いθの回転角度を求
める。このθを用いθの回転によるＸ，Ｙ動作量（Ｘv
，Ｙv ）を求めることができる。かつ、(3) ，(2)
1 ，(5) 1 ，(6) 1のＸ，Ｙデ―タと（Ｘv ，Ｙv ）か
らピンブロック（コンタクタ）中心がチップ中心にくる
位置決め（Ｘf ，Ｙf ，θf ）を行う。
【００５０】θ5 ＝θq ＋θp ＋θs Ｘf ＝Ｘn ＋（Ｘq −Ｘθ）＋Ｘp ＋Ｘs ＋ｆx （θ5
） Ｙf ＝Ｙn ＋（Ｙq −Ｙθ）＋Ｙp ＋Ｙs ＋ｆy （θ5
） ただし、（Ｘθ，Ｙθ）はθ回転中心座標ｆx （θ5
），ｆy （θ5 ）は回転角θf によるＸ，Ｙの移動量
を示す。
） Ｙf ＝Ｙn ＋（Ｙq −Ｙθ）＋Ｙp ＋Ｙs ＋ｆy （θ5
） ただし、（Ｘθ，Ｙθ）はθ回転中心座標ｆx （θ5
），ｆy （θ5 ）は回転角θf によるＸ，Ｙの移動量
を示す。
【００５１】次に、Ｚ座標補正アルゴリズムについて説
明する。
明する。
【００５２】１．ピンブロックアライメント時の計測
（図１６および図１７）（第１２のステップ） [1] ピンブロックアライメント用マ―ク検出（ピンブロ
ック補正用カメラ２３計測）ピンブロックアライメント
用マ―ク４個を計測した時のＺ座標（ステ―ジ座標）を
Ｚp1，Ｚp2 Ｚp3，Ｚp4とする。
（図１６および図１７）（第１２のステップ） [1] ピンブロックアライメント用マ―ク検出（ピンブロ
ック補正用カメラ２３計測）ピンブロックアライメント
用マ―ク４個を計測した時のＺ座標（ステ―ジ座標）を
Ｚp1，Ｚp2 Ｚp3，Ｚp4とする。
【００５３】ピンブロックセンタでは、Ｚp ＝（Ｚp1＋
Ｚp2 ＋Ｚp3＋Ｚp4） [2] ゲ―ジの高さ検出（上アライメント用カメラ５５計
測）アライメントゲ―ジを検出した時のＺ座標をＺG と
する。
Ｚp2 ＋Ｚp3＋Ｚp4） [2] ゲ―ジの高さ検出（上アライメント用カメラ５５計
測）アライメントゲ―ジを検出した時のＺ座標をＺG と
する。
【００５４】２．ピンブロック（コンダクタ）補正値
（第１８図）（第１３のステップ）ピンブロック（コン
ダクタ）に固有のＺ補正デ―タをΔＺpkとする（数値デ
―タ）。
（第１８図）（第１３のステップ）ピンブロック（コン
ダクタ）に固有のＺ補正デ―タをΔＺpkとする（数値デ
―タ）。
【００５５】下マコ―ル板下面からピン先端までの距離
に相当する値。
に相当する値。
【００５６】針圧の余圧分も含んだものとする。
【００５７】３．基板アライメント時計測（上アライメ
ント用カメラ５５計測）（図１９〜図２１）（第１４の
ステップ）基板三隅タ―ゲットマ―ク(1) a ，(2) a ，
(3) a の 計測値をＺm1，Ｚm2，Ｚm3とする。
ント用カメラ５５計測）（図１９〜図２１）（第１４の
ステップ）基板三隅タ―ゲットマ―ク(1) a ，(2) a ，
(3) a の 計測値をＺm1，Ｚm2，Ｚm3とする。
【００５８】 M M マ―ク(1) を基準として、Ｚ1 ＝０，Ｚ2 ＝Ｚm2 −Ｚm1，Ｚ3 ＝Ｚm3−Ｚm1 とする。
【００５９】４．事前計測値（事前計測デ―タ）（第１
５のステップ） [1] 三隅タ―ゲットマ―ク マ―ク(1) ′a ，(2) ′a ，(3) ′aに対応してＺ1
＝Ｏ，Ｚ2 ，Ｚ3 とする（マ―ク(1) 基準）。
５のステップ） [1] 三隅タ―ゲットマ―ク マ―ク(1) ′a ，(2) ′a ，(3) ′aに対応してＺ1
＝Ｏ，Ｚ2 ，Ｚ3 とする（マ―ク(1) 基準）。
【００６０】[2] チップの四隅マ―ク n 番目のチップの四隅マ―ク、Ｚni，（i ＝ 1〜 4）と
する。
する。
【００６１】５．以上により n番目のチップに位置決め
する座標Ｚn は（第１６のステップ） 、 S S MM D Ｚn ＝（Ｚp −ＺG ）−ΔＺpk＋Ｚn ＋ΔＺn ただし、この値は、アライメン トゲ―ジの厚み（ＺA ）を無視した場合であり、無視しない場合はＺn からＺA 減じた値となる。
する座標Ｚn は（第１６のステップ） 、 S S MM D Ｚn ＝（Ｚp −ＺG ）−ΔＺpk＋Ｚn ＋ΔＺn ただし、この値は、アライメン トゲ―ジの厚み（ＺA ）を無視した場合であり、無視しない場合はＺn からＺA 減じた値となる。
【００６２】
【００６３】 MM M M M M Ｚn ＝ｋx ｘn ＋ｋy ｙn ・・・半導体検査装置のマ―ク三隅で張る平面の方 程式である。
【００６４】 M M ただし（ｘn ，ｙn ）はｎ番目のチップの半導体検査装置の座標値である。
【００６５】 M M M M M M M M M ｋx ＝（Ｙ3 Ｚ2 −Ｙ2 Ｚ3 ）／（Ｘ2 Ｙ3 −Ｘ3 Ｙ2 ）， M M M M M M M M M ｋy ＝−（Ｘ3 ＺM 2 −Ｘ2 Ｚ3 ）／（Ｘ2 Ｙ3 −Ｘ3 Ｙ2 ） M M M M ここで、（Ｘ2 ，Ｙ2 ）および（Ｘ3 ，Ｙ3 ）は三隅タ―ゲットマ―ク(2) ， (3) の半導体検査装置の計測値である。
【００６６】 D D DD ΔＺn ＝Ｚn4−Ｚn DD D D D D ただし、Ｚn ＝（ｋx ｘn ＋ｋy ｙn ）・・・事前計測時のマ―ク三隅で張る 平面の方程式である。
【００６７】 D D D D D Ｚn4＝1/4 （Ｚn1＋Ｚn2＋Ｚn3＋Ｚn4） D D （ｘn ，ｙn ）はｎ番目のチップのセンタの事前計測座標値である。
【００６８】 D D D D D D D D ｋx ＝（Ｙ3 Ｚ2 −Ｙ2 Ｚ3 ）／（Ｘ2 Ｙ3 −Ｘ3 Ｙ2 ）， D D D D D D D D ｋy ＝−（Ｘ3 Ｚ2 −Ｘ2 Ｚ3 ）／（Ｘ2 Ｙ3 −Ｘ3 Ｙ2 ） D D D D ここで、（Ｘ2 ，Ｙ2 ）および（Ｘ3 ，Ｙ3 ）は三隅タ―ゲットマ―ク(2) ， (3) の事前計測値である。
【００６９】このようにして得られたデ―タに基づき、
半導体検査装置は、次のような動作を行う。
半導体検査装置は、次のような動作を行う。
【００７０】まずワ―クロ―ダ―部３０におけるワ―ク
セットテ―ブル３２のワ―ク収容部３２ａ内にワ―ク３
を載置するとともに、ワ―クセットテ―ブル３２を駆動
してワ―ク３をワ―ク昇降機構３３の上方の受渡位置ま
で移動させる。次いで、ワ―ク昇降機構３３の昇降テ―
ブル３３ａによってワ―ク３を位置決めしつつワ―ク搬
送機構４０の保持部４１位置まで上昇させる。ワ―ク３
の上昇を確認した後、保持部４１の一対のつめ４２によ
ってワ―ク３は保持される（図２２−ａ）。
セットテ―ブル３２のワ―ク収容部３２ａ内にワ―ク３
を載置するとともに、ワ―クセットテ―ブル３２を駆動
してワ―ク３をワ―ク昇降機構３３の上方の受渡位置ま
で移動させる。次いで、ワ―ク昇降機構３３の昇降テ―
ブル３３ａによってワ―ク３を位置決めしつつワ―ク搬
送機構４０の保持部４１位置まで上昇させる。ワ―ク３
の上昇を確認した後、保持部４１の一対のつめ４２によ
ってワ―ク３は保持される（図２２−ａ）。
【００７１】次に、ワ―ク搬送機構４０を駆動して、ワ
―ク３を検査部１０のワ―ク載置台１２上方のワ―ク受
渡位置まで搬送する。この際、接触端子移動機構５０
は、接触端子供給部側へと移動する。
―ク３を検査部１０のワ―ク載置台１２上方のワ―ク受
渡位置まで搬送する。この際、接触端子移動機構５０
は、接触端子供給部側へと移動する。
【００７２】ワ―ク受渡位置まで搬送されたワ―ク３
は、検査部１０側から上昇したワ―ク移載ピン１８上に
移載される。この際にワ―ク移載ピン１８の先端部は、
ワ―ク３におけるサポ―トボ―ド８の 4角に設けられた
位置決め孔内に挿入され、ワ―ク３の位置決めが行われ
る。この後、ワ―ク移載ピン１９は下降し、ワ―ク載置
台１２上にワ―ク３が載置されクランプ１４によってワ
―ク載置台１２に対して液密に固定されると共に、ワ―
ク３のソケットボ―ド５と検査部１０側のワ―クセット
ベ―スユニット１７との電気的な接続が行われる（図２
２−ｂ）。またこの際に、下アライメントカメラ１８
ａ、１８ｂによって、ワ―ク３の多層セラミックス基板
２ｂの下面に設けられた熱膨脹補正用タ―ゲットの初期
位置が認識される。
は、検査部１０側から上昇したワ―ク移載ピン１８上に
移載される。この際にワ―ク移載ピン１８の先端部は、
ワ―ク３におけるサポ―トボ―ド８の 4角に設けられた
位置決め孔内に挿入され、ワ―ク３の位置決めが行われ
る。この後、ワ―ク移載ピン１９は下降し、ワ―ク載置
台１２上にワ―ク３が載置されクランプ１４によってワ
―ク載置台１２に対して液密に固定されると共に、ワ―
ク３のソケットボ―ド５と検査部１０側のワ―クセット
ベ―スユニット１７との電気的な接続が行われる（図２
２−ｂ）。またこの際に、下アライメントカメラ１８
ａ、１８ｂによって、ワ―ク３の多層セラミックス基板
２ｂの下面に設けられた熱膨脹補正用タ―ゲットの初期
位置が認識される。
【００７３】ワ―ク３のセッティングと相前後して、ピ
ンブロック２１の装着が行われる。ピンブロック２１の
装着は、まず検査プログラムに応じて自動的に、第１番
目に検査を行うチップ２ａに対応したピンブロック２１
が保持されたピンブロックチェンジャ２２上に接触端子
移動機構５０のチャック部５４が位置するように、Ｘス
テ―ジ５１およびＹステ―ジ５２が駆動される。チャッ
ク部５４がピンブロック２１の受渡し位置に到達する
と、ピンブロックチェンジャ２２のシリンダ機構２５が
上昇し、チャック部５４によって当該ピンブロック２１
が保持される（同図２２−ｂ）。
ンブロック２１の装着が行われる。ピンブロック２１の
装着は、まず検査プログラムに応じて自動的に、第１番
目に検査を行うチップ２ａに対応したピンブロック２１
が保持されたピンブロックチェンジャ２２上に接触端子
移動機構５０のチャック部５４が位置するように、Ｘス
テ―ジ５１およびＹステ―ジ５２が駆動される。チャッ
ク部５４がピンブロック２１の受渡し位置に到達する
と、ピンブロックチェンジャ２２のシリンダ機構２５が
上昇し、チャック部５４によって当該ピンブロック２１
が保持される（同図２２−ｂ）。
【００７４】この後、ピンブロック補正用カメラ２３に
よって、ピンブロック２１の保持状態を撮像し、上アラ
イメントカメラ５５との位置確認が行われた後、検査部
１０上方へと接触端子移動機構５０は移動する。
よって、ピンブロック２１の保持状態を撮像し、上アラ
イメントカメラ５５との位置確認が行われた後、検査部
１０上方へと接触端子移動機構５０は移動する。
【００７５】次に、検査部１０上方へと移動した接触端
子移動機構５０の測定部５６に配置された上アライメン
トカメラ５５によって、ワ―ク３とピンブロック２１と
のアライメントが行われる。このアライメントは、まず
上アライメントカメラ５５によって多層セラミックス基
板２ｂの表面を撮像しつつその 3角に設けられたアライ
メント用タ―ゲットの位置を、接触端子移動機構５０側
のＸ−Ｙステ―ジにおける位置座標として認識し、予め
入力されたアライメント用タ―ゲット位置に基づいた各
チップ２ａ位置がＸ−Ｙステ―ジの位置座標として求め
られる。そして、チップ２ａの位置座標にしたがってピ
ンブロック２１の位置が決定され、Ｘステ―ジ５１、Ｙ
ステ―ジ５２および図示を省略したθ駆動機構を駆動し
てチップ２ａの周囲に形成された測定用電極パッドとピ
ンブロック２１に植設されたプロ―ブピンとのアライメ
ントが行われる。
子移動機構５０の測定部５６に配置された上アライメン
トカメラ５５によって、ワ―ク３とピンブロック２１と
のアライメントが行われる。このアライメントは、まず
上アライメントカメラ５５によって多層セラミックス基
板２ｂの表面を撮像しつつその 3角に設けられたアライ
メント用タ―ゲットの位置を、接触端子移動機構５０側
のＸ−Ｙステ―ジにおける位置座標として認識し、予め
入力されたアライメント用タ―ゲット位置に基づいた各
チップ２ａ位置がＸ−Ｙステ―ジの位置座標として求め
られる。そして、チップ２ａの位置座標にしたがってピ
ンブロック２１の位置が決定され、Ｘステ―ジ５１、Ｙ
ステ―ジ５２および図示を省略したθ駆動機構を駆動し
てチップ２ａの周囲に形成された測定用電極パッドとピ
ンブロック２１に植設されたプロ―ブピンとのアライメ
ントが行われる。
【００７６】また、このアライメント終了後、非導電性
不活性液体導入管５７から例えばフッ素系不活性液が液
槽１３内に供給され、ワ―ク３は非導電性不活性液体１
５内に浸漬された状態となる。
不活性液体導入管５７から例えばフッ素系不活性液が液
槽１３内に供給され、ワ―ク３は非導電性不活性液体１
５内に浸漬された状態となる。
【００７７】この後、非導電性不活性液体１５を測定対
象チップ２ａ上および周囲に供給しつつ、Ｚステ―ジ５
３を駆動することによって測定部５６を下降させ、ピン
ブロック２１のプロ―ブピンを非導電性不活性液体１５
中に浸漬しつつ、測定用電極パッドに当接させる。そし
て、半導体モジュ―ル２にテスト電圧を供給し当該チッ
プ２ａの検査を行う（図２２−ｃ）。
象チップ２ａ上および周囲に供給しつつ、Ｚステ―ジ５
３を駆動することによって測定部５６を下降させ、ピン
ブロック２１のプロ―ブピンを非導電性不活性液体１５
中に浸漬しつつ、測定用電極パッドに当接させる。そし
て、半導体モジュ―ル２にテスト電圧を供給し当該チッ
プ２ａの検査を行う（図２２−ｃ）。
【００７８】以上の動作により 1つのチップ２ａに対す
る検査は終了する。次に、半導体モジュ―ル２内に同一
規格のチップ２ａが存在する場合は、まず下アライメン
トカメラ１８ａ、１８ｂによって多層セラミックス基板
２ｂの初期位置からのずれの有無を確認し、必要に応じ
て位置補正を行った後、同様に次のチップ２ａの検査を
行う。
る検査は終了する。次に、半導体モジュ―ル２内に同一
規格のチップ２ａが存在する場合は、まず下アライメン
トカメラ１８ａ、１８ｂによって多層セラミックス基板
２ｂの初期位置からのずれの有無を確認し、必要に応じ
て位置補正を行った後、同様に次のチップ２ａの検査を
行う。
【００７９】同一規格のチップが終了した後、未検査の
チップ２ａが存在する場合は、一旦接触端子移動機構５
０を接触端子供給部２０の上方位置まで移動させ、ピン
ブロック２１の交換を行い、同様に当該チップ２ａの検
査を実施する。
チップ２ａが存在する場合は、一旦接触端子移動機構５
０を接触端子供給部２０の上方位置まで移動させ、ピン
ブロック２１の交換を行い、同様に当該チップ２ａの検
査を実施する。
【００８０】そして、以上の工程を繰返し行うことによ
って全チップ２ａの検査が終了した後、非導電性不活性
液体１５を排出し、検査部１０上方まで移動したワ―ク
搬送機構４０にワ―ク移載ピン１９によってワ―ク３を
移載する。そして、ワ―ク搬送機構４０をワ―クロ―ダ
―部３０まで移動して、ワ―ク３を搬出し、一連の検査
工程が終了する。
って全チップ２ａの検査が終了した後、非導電性不活性
液体１５を排出し、検査部１０上方まで移動したワ―ク
搬送機構４０にワ―ク移載ピン１９によってワ―ク３を
移載する。そして、ワ―ク搬送機構４０をワ―クロ―ダ
―部３０まで移動して、ワ―ク３を搬出し、一連の検査
工程が終了する。
【００８１】このように、本実施例では、基板に関する
座標デ―タを事前に計測し、このデ―タを半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タとして与えるようにしたの
で、半導体検査装置での各種アライメントおよびプロ―
ビングの際の位置合せ等を正確かつ簡潔に行うことがで
きる。
座標デ―タを事前に計測し、このデ―タを半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タとして与えるようにしたの
で、半導体検査装置での各種アライメントおよびプロ―
ビングの際の位置合せ等を正確かつ簡潔に行うことがで
きる。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体検
査方法によれば、半導体モジュール上に搭載された個々
のチップに対し、高精度な電気的接触を可能とし、検査
精度および検査効率の向上を図ることができる。
査方法によれば、半導体モジュール上に搭載された個々
のチップに対し、高精度な電気的接触を可能とし、検査
精度および検査効率の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体検査装置の構成を模
式的に示す図
式的に示す図
【図２】本発明の一実施例の半導体検査装置の構成を模
式的に示す図
式的に示す図
【図３】その半導体検査装置によって検査される半導体
モジュ―ルを搬送および検査可能に固定するワ―クを示
す断面図
モジュ―ルを搬送および検査可能に固定するワ―クを示
す断面図
【図４】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装置
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
【図５】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装置
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
【図６】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装置
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
【図７】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装置
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
【図８】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装置
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
【図９】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装置
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順を
おって示す図
【図１０】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１１】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１２】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１３】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１４】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１５】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１６】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１７】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１８】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図１９】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図２０】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図２１】事前に計測した座標デ―タから半導体検査装
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
置側のコマンドのパラメ―タを得る際のデ―タ処理を順
をおって示す図
【図２２】図１の半導体検査装置の動作手順を示す図で
ある。
ある。
１………装置本体 １ａ……基台 ２………半導体モジュ―ル ２ａ……チップ ３………ワ―ク ４………ソケット ５………ソケットボ―ド ８………サポ―トボ―ド １０……検査部 １１……検査部基台 １２……ワ―ク載置台 １３……液槽 １４……クランプ １９……ワ―ク移載ピン ２０……接触端子供給部 ２１……ピンブロック ３０……ワ―クロ―ダ部 ４０……ワ―ク搬送機構 ４１……保持部 ５０……接触端子移動機構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−119036（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−58846（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (1)
- 【請求項１】 Χ−Ｙ−Ｚ−θ方向に移動可能なステー
ジにより検査端子と基板とを相対的に位置決めし、 この検査端子を基板に設けられた複数の被検査体の電極
端子に接触させて検査を行う際、 前記被検査体を撮像する上アライメント用カメラと、前
記検査端子を撮像するピンブロックアライメント用カメ
ラと、アライメントゲージとを設け、 前記ステージの移動量を、前記基板および各被検査体に
特有の位置データから得られるパラメータに基づいて決
定し、 かつ、前記基板および各被検査体に特有の位置データ
は、前記上アライメント用カメラおよび前記ピンブロッ
クアライメント用カメラにより前記アライメントゲージ
位置を検出し、上アライメント用カメラ視野中心とピン
ブロックアライメント用カメラ視野中心が一致するステ
ージの座標を計測し、この座標にもとづいて設定される
とともに、 検査を行う位置に配置された前記基板の熱膨張補正用タ
ーゲットを撮像する下アライメントカメラを設け、前記
熱膨張補正用ターゲットの初期位置からのずれに応じ
て、前記検査端子と前記被検査体との接触位置の補正を
行う ことを特徴とする半導体検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297291A JP3201619B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 半導体検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7297291A JP3201619B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 半導体検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307950A JPH04307950A (ja) | 1992-10-30 |
| JP3201619B2 true JP3201619B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=13504815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7297291A Expired - Lifetime JP3201619B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 半導体検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201619B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3509040B2 (ja) * | 1995-03-23 | 2004-03-22 | 日置電機株式会社 | 回路基板検査装置におけるプローブの移動制御方法 |
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-
1991
- 1991-04-05 JP JP7297291A patent/JP3201619B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04307950A (ja) | 1992-10-30 |
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