JPH07161787A - 半導体装置及びその特性測定方法 - Google Patents
半導体装置及びその特性測定方法Info
- Publication number
- JPH07161787A JPH07161787A JP5311432A JP31143293A JPH07161787A JP H07161787 A JPH07161787 A JP H07161787A JP 5311432 A JP5311432 A JP 5311432A JP 31143293 A JP31143293 A JP 31143293A JP H07161787 A JPH07161787 A JP H07161787A
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- Japan
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- semiconductor
- probe
- reference pattern
- electrode pad
- semiconductor chip
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップ１の品種によらずに、相対的同一
場所に半導体検査位置基準パターン３を設け、最初に測
定する半導体検査部２ａを視覚的にさがす事なくプロー
ブカード探針との位置決めを行う。 【構成】電気的特性の測定を行う半導体検査部２ａの電
極パッドと同一の電極パッドからなり、使用するプロー
ブカード探針とその電極パッドが同一座標にある半導体
検査位置基準パターン３を半導体チップ１の品種によら
ず同一場所に配置する。この位置基準パターン３を用い
る事により、異品種であっても作業間違え無く、作業工
数をかける異なく検査用電極パッドとプローブカード探
針を合わせる事が出来る。
場所に半導体検査位置基準パターン３を設け、最初に測
定する半導体検査部２ａを視覚的にさがす事なくプロー
ブカード探針との位置決めを行う。 【構成】電気的特性の測定を行う半導体検査部２ａの電
極パッドと同一の電極パッドからなり、使用するプロー
ブカード探針とその電極パッドが同一座標にある半導体
検査位置基準パターン３を半導体チップ１の品種によら
ず同一場所に配置する。この位置基準パターン３を用い
る事により、異品種であっても作業間違え無く、作業工
数をかける異なく検査用電極パッドとプローブカード探
針を合わせる事が出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体検査部が形成され
た半導体装置に関し、半導体検査部の測定方法に関す
る。
た半導体装置に関し、半導体検査部の測定方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造過程において、半導体
基板（ウェーハ）上に各半導体チップが形成されると同
時に半導体基板上に形成された半導体検査部を用いてそ
の電気的特性の測定を行い、これによって半導体チップ
の代用特性として評価、管理する事は重要である。その
ため半導体チップ内又はスクライブ線内に半導体検査部
が形成されている。
基板（ウェーハ）上に各半導体チップが形成されると同
時に半導体基板上に形成された半導体検査部を用いてそ
の電気的特性の測定を行い、これによって半導体チップ
の代用特性として評価、管理する事は重要である。その
ため半導体チップ内又はスクライブ線内に半導体検査部
が形成されている。
【０００３】図４はこの種の半導体装置の部分平面図で
あり、４種の半導体検査部２ａ〜２ｄを半導体チップ１
内に有する場合を示している。ここで半導体チップ１は
半導体基板上に複数個存在し、かつ全ての半導体チップ
１が同一の半導体検査部２ａ〜２ｄを有する。
あり、４種の半導体検査部２ａ〜２ｄを半導体チップ１
内に有する場合を示している。ここで半導体チップ１は
半導体基板上に複数個存在し、かつ全ての半導体チップ
１が同一の半導体検査部２ａ〜２ｄを有する。
【０００４】次に、実際の測定方法を、図５のフロー図
により説明する。図５においては、オートプローバ測定
器を制御装置により制御し、自動測定を行う場合を示
す。まず、ステップＳ１ａで、制御装置に最初に測定を
行う半導体検査部２ａ（座標＝（０，０））を基準とし
て測定を行う他の各半導体検査部２ｂ〜２ｄの相対座標
を入力し、測定以前に登録をしておく。ステップＳ２
で、測定を開始すると、自動的にオートプローバが半導
体基板ロード、アライメント、ステージ高さ調整まで行
う。
により説明する。図５においては、オートプローバ測定
器を制御装置により制御し、自動測定を行う場合を示
す。まず、ステップＳ１ａで、制御装置に最初に測定を
行う半導体検査部２ａ（座標＝（０，０））を基準とし
て測定を行う他の各半導体検査部２ｂ〜２ｄの相対座標
を入力し、測定以前に登録をしておく。ステップＳ２
で、測定を開始すると、自動的にオートプローバが半導
体基板ロード、アライメント、ステージ高さ調整まで行
う。
【０００５】次にステップＳ３ａで、手動にて最初に測
定を行う半導体検査部２ａの電極パッドにプローブカー
ドの探針を合わせる必要がある。この場合、半導体チッ
プ１が同一品種でない限り、半導体検査部２ａ〜２ｄの
配置場所は半導体チップにより異なる。従って、最初に
測定を行う半導体検査部２ａの電極パッドにプローブカ
ードの探針を合せるには、光学顕微鏡等を用いて視覚的
に確認し、場所指定を行う。
定を行う半導体検査部２ａの電極パッドにプローブカー
ドの探針を合わせる必要がある。この場合、半導体チッ
プ１が同一品種でない限り、半導体検査部２ａ〜２ｄの
配置場所は半導体チップにより異なる。従って、最初に
測定を行う半導体検査部２ａの電極パッドにプローブカ
ードの探針を合せるには、光学顕微鏡等を用いて視覚的
に確認し、場所指定を行う。
【０００６】更にステップＳ４で、最初に測定を行う半
導体チップ１に移動させてその位置を認識させた後に、
ステップＳ６で自動測定を開始する。各半導体検査部２
ｂ以降は、先に入力した相対座標に従って自動的に移動
し測定する。尚、半導体チップ１内の半導体検査部２ａ
〜２ｄは同一のプローブカードを用いて測定を行なうた
め、同一の電極パッド配置となっている。
導体チップ１に移動させてその位置を認識させた後に、
ステップＳ６で自動測定を開始する。各半導体検査部２
ｂ以降は、先に入力した相対座標に従って自動的に移動
し測定する。尚、半導体チップ１内の半導体検査部２ａ
〜２ｄは同一のプローブカードを用いて測定を行なうた
め、同一の電極パッド配置となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の測定方
法のうち最初に測定を行う半導体検査部２ａの電極パッ
ドにプローブカードの探針を合せるときの場所指定は、
半導体チップ１の品種毎に半導体検査部の配置がことな
る為、品種が変わる毎に視覚的に確認を行う必要があ
り、従って作業工数がかかるという問題点があった。
法のうち最初に測定を行う半導体検査部２ａの電極パッ
ドにプローブカードの探針を合せるときの場所指定は、
半導体チップ１の品種毎に半導体検査部の配置がことな
る為、品種が変わる毎に視覚的に確認を行う必要があ
り、従って作業工数がかかるという問題点があった。
【０００８】更に、この半導体装置内の半導体検査部
は、同一のプローブカードを用いて連続測定を行う為に
同一の電極パッド配置を有しており、最初に測定を行う
半導体検査部と他の半導体検査部とは外観上非常に似て
いる。従って、最初に測定を行う半導体検査部を間違え
て指定してしまった場合、電気的特性の測定が出来ない
ばかりか、半導体チップをプローブカードの探針で破壊
してしまうという問題点があった。
は、同一のプローブカードを用いて連続測定を行う為に
同一の電極パッド配置を有しており、最初に測定を行う
半導体検査部と他の半導体検査部とは外観上非常に似て
いる。従って、最初に測定を行う半導体検査部を間違え
て指定してしまった場合、電気的特性の測定が出来ない
ばかりか、半導体チップをプローブカードの探針で破壊
してしまうという問題点があった。
【０００９】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
各半導体チップの確認を容易にし、かつ半導体チップの
位置決めを簡単にできるようにした半導体装置およびそ
の特定測定方法を提供することにある。
各半導体チップの確認を容易にし、かつ半導体チップの
位置決めを簡単にできるようにした半導体装置およびそ
の特定測定方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の構
成は、半導体基板上に形成された各半導体チップの電気
的測定を行う半導体検査部の電極パッドと同一形状の電
極パッドからなり、かつその測定を行うプローブカード
の探針座標に対して相対的に同一個所となるように前記
各電極パッド座標を設定した半導体検査装置基準パター
ンを、前記半導体チップ上あるいはそのスクライブ線上
に備えた事を特徴とする。
成は、半導体基板上に形成された各半導体チップの電気
的測定を行う半導体検査部の電極パッドと同一形状の電
極パッドからなり、かつその測定を行うプローブカード
の探針座標に対して相対的に同一個所となるように前記
各電極パッド座標を設定した半導体検査装置基準パター
ンを、前記半導体チップ上あるいはそのスクライブ線上
に備えた事を特徴とする。
【００１１】また、本発明の半導体装置の特性測定方法
の構成は、半導体検査位置基準パターンを用いて測定用
プローブカード探針と各半導体チップの検査用電極パッ
ドとの位置合せを行って各電気的特性測定を行うことを
特徴とする。
の構成は、半導体検査位置基準パターンを用いて測定用
プローブカード探針と各半導体チップの検査用電極パッ
ドとの位置合せを行って各電気的特性測定を行うことを
特徴とする。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例の部分平面図で
あり、半導体チップ１内に、基準（０，０）となる半導
体検査位置基準パターン３を接地した場合を示してい
る。半導体検査チップ位置基準パターン３の半導体チッ
プ１内での配置は品種によらず同一となっている。この
半導体検査位置基準パターン３は、半導体検査部２ａ〜
２ｄの有する電極パッドと同一形状で、その配置はプロ
ーブカードの探針座標と同一となっている。
あり、半導体チップ１内に、基準（０，０）となる半導
体検査位置基準パターン３を接地した場合を示してい
る。半導体検査チップ位置基準パターン３の半導体チッ
プ１内での配置は品種によらず同一となっている。この
半導体検査位置基準パターン３は、半導体検査部２ａ〜
２ｄの有する電極パッドと同一形状で、その配置はプロ
ーブカードの探針座標と同一となっている。
【００１３】次に、この半導体検査部２ａ〜２ｄの測定
方法について、図２のフロー図を用いて説明する。これ
は、半導体検査部の位置基準パターン３を用いた場合の
測定フローであるが、測定フローについては従来技術と
はとんど同じである。
方法について、図２のフロー図を用いて説明する。これ
は、半導体検査部の位置基準パターン３を用いた場合の
測定フローであるが、測定フローについては従来技術と
はとんど同じである。
【００１４】まずステップＳ１で、制御装置に半導体検
査位置基準パターン３（座標＝（０，０））を基準とし
て、測定を行う半導体検査部２ａ〜２ｄの相対座標を入
力し、測定以前に登録しておく。ステップＳ２で測定を
開始すると、自動にてオートプローバが半導体基板ロー
ド，アライメント，ステージ高さ調整まで行う。次にス
テップＳ３で、手動にて半導体検査位置基準パターン３
の電極パッドにプローブカードの探針を合わせる。この
時品種によらず半導体検査位置基準パターン３は同一の
接地場所であるため迷う異なくプローブカードの探針と
合わせる事が出来る。
査位置基準パターン３（座標＝（０，０））を基準とし
て、測定を行う半導体検査部２ａ〜２ｄの相対座標を入
力し、測定以前に登録しておく。ステップＳ２で測定を
開始すると、自動にてオートプローバが半導体基板ロー
ド，アライメント，ステージ高さ調整まで行う。次にス
テップＳ３で、手動にて半導体検査位置基準パターン３
の電極パッドにプローブカードの探針を合わせる。この
時品種によらず半導体検査位置基準パターン３は同一の
接地場所であるため迷う異なくプローブカードの探針と
合わせる事が出来る。
【００１５】更にステップＳ４で、最初に測定を行う半
導体チップ１に移動させてその位置を認識させた後に自
動測定を開始する。ステップＳ５で、各半導体検査部２
ａ〜２ｄは先に入力した相対座標に従って自動的に移動
する。ここで将来的に半導体検査位置基準パターン３及
び最初に測定を行う半導体チップの自動認識が可能とな
れば、ステップＳ６で全ての作業を自動にて行なえる。
導体チップ１に移動させてその位置を認識させた後に自
動測定を開始する。ステップＳ５で、各半導体検査部２
ａ〜２ｄは先に入力した相対座標に従って自動的に移動
する。ここで将来的に半導体検査位置基準パターン３及
び最初に測定を行う半導体チップの自動認識が可能とな
れば、ステップＳ６で全ての作業を自動にて行なえる。
【００１６】図３は本発明の第２の実施例の部分平面図
であり、スクライブ線４内に半導体検査位置基準パター
ン３を設置した例を示している。この場合の測定のフロ
ーは第１の実施例と同一である。
であり、スクライブ線４内に半導体検査位置基準パター
ン３を設置した例を示している。この場合の測定のフロ
ーは第１の実施例と同一である。
【００１７】第１の実施例では、半導体検査位置基準パ
ターン３が半導体チップ１内に設置されていたのに対し
第２の実施例ではスクライブ線４の線内にその基準パタ
ーン３が設置されるため、半導体チップ１の設計上の制
約を受けない。この事から異なる品種であっても同一場
所に設置する事が容易に出来る。
ターン３が半導体チップ１内に設置されていたのに対し
第２の実施例ではスクライブ線４の線内にその基準パタ
ーン３が設置されるため、半導体チップ１の設計上の制
約を受けない。この事から異なる品種であっても同一場
所に設置する事が容易に出来る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した用に本発明は、電気的特性
の測定時半導体検査部の電極パッドにプローブカード探
針を合せるための半導体検査位置基準パターンを品種に
よらず半導体チップ内もしくはスクライブ線内の同一位
置に設置することにより、品種毎に最初に測定を行う半
導体検査部を毎回さがす事なく位置決めすることが出
来、作業効率向上、作業間違いに伴なう半導体装置破壊
の防止に非常に効果を有する。又、自動認識による半導
体検査部の電極パッドとプローブカード探針合わせも認
識場所が品種によらず同一な為、将来的に容易に実現可
能となる。
の測定時半導体検査部の電極パッドにプローブカード探
針を合せるための半導体検査位置基準パターンを品種に
よらず半導体チップ内もしくはスクライブ線内の同一位
置に設置することにより、品種毎に最初に測定を行う半
導体検査部を毎回さがす事なく位置決めすることが出
来、作業効率向上、作業間違いに伴なう半導体装置破壊
の防止に非常に効果を有する。又、自動認識による半導
体検査部の電極パッドとプローブカード探針合わせも認
識場所が品種によらず同一な為、将来的に容易に実現可
能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置を示す部分
平面図。
平面図。
【図２】本実施例の操作手順を説明するフロー図。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体装置の示す部分
平面図。
平面図。
【図４】従来の半導体装置を示す部分平面図。
【図５】図４の操作説明するフロー図。
１ 半導体チップ ２ａ〜２ｄ 半導体検査部 ３ 半導体検査位置基準パターン ４ スクライブ線 Ｓ１〜Ｓ６ 処理ステップ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された各半導体チッ
プの電気的測定を行う半導体検査部の電極パッドと同一
形状の電極パッドからなり、かつその測定を行うプロー
ブカードの探針座標に対して相対的に同一個所となるよ
うに前記各電極パッド座標を設定した半導体検査装置基
準パターンを、前記半導体チップ上あるいはそのスクラ
イブ線上に備えた事を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体検査位置基準パターンを、各半導
体チップの品種によらずにこれら半導体チップ上の同一
座標位置に配置した請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体検査位置基準パターンを用いて測
定用プローブカード探針と各半導体チップの検査用電極
パッドとの位置決めを行って各電気的特性測定を行うこ
とを特徴とする半導体装置の特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311432A JPH07161787A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体装置及びその特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5311432A JPH07161787A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体装置及びその特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161787A true JPH07161787A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18017144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5311432A Pending JPH07161787A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体装置及びその特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6928375B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-08-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection condition setting program, inspection device and inspection system |
| JP2011061236A (ja) * | 2010-11-26 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194684A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Nec Home Electronics Ltd | テレビジヨン信号変換装置のフリツカ抑圧回路 |
| JPH0384945A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置 |
| JPH0442944A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| JPH04307950A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査方法 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5311432A patent/JPH07161787A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194684A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Nec Home Electronics Ltd | テレビジヨン信号変換装置のフリツカ抑圧回路 |
| JPH0384945A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置 |
| JPH0442944A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| JPH04307950A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6928375B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-08-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection condition setting program, inspection device and inspection system |
| JP2011061236A (ja) * | 2010-11-26 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970218 |