JPH0254544A - プロービング方法 - Google Patents
プロービング方法Info
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- JPH0254544A JPH0254544A JP20545788A JP20545788A JPH0254544A JP H0254544 A JPH0254544 A JP H0254544A JP 20545788 A JP20545788 A JP 20545788A JP 20545788 A JP20545788 A JP 20545788A JP H0254544 A JPH0254544 A JP H0254544A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
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- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 14
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 241000478345 Afer Species 0.000 description 2
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- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
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- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、プロービング方法に関する。
(従来の技術)
半導体装置の製造工程においては、ウェハ上にウェハチ
ップが完成すると、電極パッドにプローブ針を接触させ
てウェハチップの電気的特性検査を実行している。
ップが完成すると、電極パッドにプローブ針を接触させ
てウェハチップの電気的特性検査を実行している。
ところで、一般に半導体ウェハー1は、第9図に示すよ
うにオリエンテーションフラット1aを有した略円形で
あり、その中に多数の矩形状のチップ2が形成されてい
る。
うにオリエンテーションフラット1aを有した略円形で
あり、その中に多数の矩形状のチップ2が形成されてい
る。
従って、その最周縁部のチップ2は、場合によってウェ
ハ1の外形によって完全な矩形状を確保できず、一部が
欠けた形状となる場合が多い、そして、この欠は部分の
大きさによっては、半導体チップ2を良品として扱えな
いようになっている。
ハ1の外形によって完全な矩形状を確保できず、一部が
欠けた形状となる場合が多い、そして、この欠は部分の
大きさによっては、半導体チップ2を良品として扱えな
いようになっている。
ここで、このような欠は部分の大きい半導体チップ2を
、他のチップ2と同様に検査した場合、これらは良品の
電気的特性を備えることができないため、確実に不良と
判定され、一般にはこのような不良チップに対して、イ
ンキングまたは針によるスクラッチによりマーキングを
施し、良品のチップ2と区別できるようにしている。
、他のチップ2と同様に検査した場合、これらは良品の
電気的特性を備えることができないため、確実に不良と
判定され、一般にはこのような不良チップに対して、イ
ンキングまたは針によるスクラッチによりマーキングを
施し、良品のチップ2と区別できるようにしている。
そして、このような欠落部分が大きいチップ2は本来電
気的特性検査が不要であり、万−欠は部分の太き・いチ
ップ2を検査し、これにマーキングを施すと、f!端な
場合にはそのマーキングがウェハ1より外のウェハチャ
ックに対して実行されることが生ずる恐れがある。
気的特性検査が不要であり、万−欠は部分の太き・いチ
ップ2を検査し、これにマーキングを施すと、f!端な
場合にはそのマーキングがウェハ1より外のウェハチャ
ックに対して実行されることが生ずる恐れがある。
そこで、このような欠は部分の大きな半導体チップ2は
、予め検査対象から除外する必要がある。
、予め検査対象から除外する必要がある。
このため、従来は第10図(A)に示す周縁のチップ2
の4点A、B、C,Dの座標位置(座標中心を例えばウ
ェハ1の中心xo 、yoとする)を求め、中心までの
X、Y方向の距ia、b、c。
の4点A、B、C,Dの座標位置(座標中心を例えばウ
ェハ1の中心xo 、yoとする)を求め、中心までの
X、Y方向の距ia、b、c。
dを利用して、各点A、B、C,Dがウェハ1上に存在
しているか否かを下記の判別式により判定していた。
しているか否かを下記の判別式により判定していた。
A点 R2>a2+b2ON WAFEBB点 R2>
a2+d2ON WAFEBC点 R2くb2+d2
OFF誓AFERD点 R2〉b2+C2ON誓^r
EIllそして、例えば上記のように3点以上の点が0
NWAFEBの場合に該チップ2が有効と判断し、2点
以下がON WAFERの場合には検査が不必要である
旨の判定を行っていた。
a2+d2ON WAFEBC点 R2くb2+d2
OFF誓AFERD点 R2〉b2+C2ON誓^r
EIllそして、例えば上記のように3点以上の点が0
NWAFEBの場合に該チップ2が有効と判断し、2点
以下がON WAFERの場合には検査が不必要である
旨の判定を行っていた。
(発明が解決しようとする課題)
上述した従来の有効チップか否かの判定によれば、チッ
プ2の4隅のうちの3点がON WAFEBとすると、
少なくともチップ2の50%以上はONU八FへBであ
る事が判別されるが、例えば第10図(B)に示すよう
に、チップ2の場所によっては2点のみがON WAF
EBであっても、第10図(A)の場合のように3点が
ON−八FEBである場合よりも有効面積が大きい場合
もあり、上記のような判定によれば本来良品となる可能
性のあるチップ2もが検査対象から除外されるという恐
れがあり、この場合にはウェハ外周付近を有効に活用で
きないという問題があった。
プ2の4隅のうちの3点がON WAFEBとすると、
少なくともチップ2の50%以上はONU八FへBであ
る事が判別されるが、例えば第10図(B)に示すよう
に、チップ2の場所によっては2点のみがON WAF
EBであっても、第10図(A)の場合のように3点が
ON−八FEBである場合よりも有効面積が大きい場合
もあり、上記のような判定によれば本来良品となる可能
性のあるチップ2もが検査対象から除外されるという恐
れがあり、この場合にはウェハ外周付近を有効に活用で
きないという問題があった。
また、ユーザーによっては、例えば8’O%以上などの
より精度の高い判定値を基準として有効チップか否かを
判定したいニーズもあり、このようにさらに正確な有効
チップの判定を行うことが従来では不可能であった。
より精度の高い判定値を基準として有効チップか否かを
判定したいニーズもあり、このようにさらに正確な有効
チップの判定を行うことが従来では不可能であった。
そこで、本発明の目的とするところは、上述した従来の
問題点を解消し、任意に指定された有効面積以上の面積
を有するチップのみを検査対象とすることができ、以て
検査の必要がないチップを確実に検査対象から除外して
検査スピードを向上でき、しかも、判定精度を向上する
ことでチップ外周付近の有効活用を図ることができるる
プロービング方法を提供することにある。
問題点を解消し、任意に指定された有効面積以上の面積
を有するチップのみを検査対象とすることができ、以て
検査の必要がないチップを確実に検査対象から除外して
検査スピードを向上でき、しかも、判定精度を向上する
ことでチップ外周付近の有効活用を図ることができるる
プロービング方法を提供することにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明は、ウェハ上の各チップの電気的特性検査を行う
にあたり、 半導体ウェハに形成された少なくとも予め定められたチ
ップの有効面積を測定し、 この測定されたチップの有効面積と、予め設定された検
査対象の限界チップ面積とを比較し、該チップを検査対
象とするか否かを判別する工程を含むことで、プロービ
ング方法構成している。
にあたり、 半導体ウェハに形成された少なくとも予め定められたチ
ップの有効面積を測定し、 この測定されたチップの有効面積と、予め設定された検
査対象の限界チップ面積とを比較し、該チップを検査対
象とするか否かを判別する工程を含むことで、プロービ
ング方法構成している。
(作 用)
発明では、ウェハ上の少なくとも予め定められたチップ
の有効面積を計算し、この計算された面積と、検査対象
とするのに不可欠な限界チップ面積とを比較し、この限
界チップ面積以上のものを検査対象とするように判定し
ている。
の有効面積を計算し、この計算された面積と、検査対象
とするのに不可欠な限界チップ面積とを比較し、この限
界チップ面積以上のものを検査対象とするように判定し
ている。
この結果、具体的数値によってよりきめの細かい限界チ
ップ面積を指定しても、正確に検査対象か否かの判定を
行うことができ、従って不要な検査を予め除外して検査
スピードを向上することができ、しかも、正確な判定の
確保により、従来検査対象外とせざるを得なかったウェ
ハ外周付近のチップの有効利用を図ることができる。
ップ面積を指定しても、正確に検査対象か否かの判定を
行うことができ、従って不要な検査を予め除外して検査
スピードを向上することができ、しかも、正確な判定の
確保により、従来検査対象外とせざるを得なかったウェ
ハ外周付近のチップの有効利用を図ることができる。
(実施例)
以下、本発明を適用した一実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
的に説明する。
まず、本実施例のプローブ装置には、第3図に示すよう
に、ウェハ1を載置保持して、上下方向であるZ方向及
びX、Y方向に移動可能なウェハチャック10が設けら
れ、かつ、プローブ位置にはプローブ手段の一例である
例えばプローブカード12が設けられている。そして、
上記ウェハチャック10を移動することで、ウェハ1上
の各チップ2の電極パッドにプローブカード12のプロ
−プ針を接触させ、図示しないテスタによってその電気
的特性検査を実行可能となっている。
に、ウェハ1を載置保持して、上下方向であるZ方向及
びX、Y方向に移動可能なウェハチャック10が設けら
れ、かつ、プローブ位置にはプローブ手段の一例である
例えばプローブカード12が設けられている。そして、
上記ウェハチャック10を移動することで、ウェハ1上
の各チップ2の電極パッドにプローブカード12のプロ
−プ針を接触させ、図示しないテスタによってその電気
的特性検査を実行可能となっている。
一方、上記ウェハチャック10の移動領域内であって、
この10一ブ位置から外れた位置には、例えば浮遊容量
を検出することで物体の検知が可能なハイドセンサ14
が設けられ、本実施例の場合、ウェハチャック10のセ
ンター位置、ウェハ1のセンター位置及びウェハ1の半
径の検出に使用するようになっている。
この10一ブ位置から外れた位置には、例えば浮遊容量
を検出することで物体の検知が可能なハイドセンサ14
が設けられ、本実施例の場合、ウェハチャック10のセ
ンター位置、ウェハ1のセンター位置及びウェハ1の半
径の検出に使用するようになっている。
次に、各チップ2の面積を測定し、その面積値に応じて
該チップ2を検査対象とするか否かの判定を行う制御系
について、第2図を参照して説明する。
該チップ2を検査対象とするか否かの判定を行う制御系
について、第2図を参照して説明する。
本実施例のプローブ装置は、チップ面積の演算機能、有
効面積か否かの判定機能を備えたCPU20によって制
御が司どられていて、このCPU20には上記ハイドセ
ンサ14.ウェハチャック10の駆動部22の他、チッ
プ2の面積計算に必要な情報例えばウェハ1のセンター
座標、ウェハ1の半径、チップ2の大きさ等を記憶する
メモリ24と、検査対象とするために不可欠な限界チッ
プ面積等を操作入力するための入力部26と、ウェハチ
ャック10を駆動入力するためのジョイスティック28
などが接続されている。
効面積か否かの判定機能を備えたCPU20によって制
御が司どられていて、このCPU20には上記ハイドセ
ンサ14.ウェハチャック10の駆動部22の他、チッ
プ2の面積計算に必要な情報例えばウェハ1のセンター
座標、ウェハ1の半径、チップ2の大きさ等を記憶する
メモリ24と、検査対象とするために不可欠な限界チッ
プ面積等を操作入力するための入力部26と、ウェハチ
ャック10を駆動入力するためのジョイスティック28
などが接続されている。
次に、上記実施例装置で実施される本発明方法の一例に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、第1図のステップ1〜ステツプ6を実行すること
で、アライメント動作を行う。
で、アライメント動作を行う。
すなわち、ステップ1では、ウェハチャック10上にウ
ェハ1を載置しない状態で、ハイドセンサ14によりウ
ェハチャック10のセンターを求、ぬる、なお、この方
法は後述するステップ3でのウェハ1のセンター検出と
同様であるので、ここではその説明を省略する。
ェハ1を載置しない状態で、ハイドセンサ14によりウ
ェハチャック10のセンターを求、ぬる、なお、この方
法は後述するステップ3でのウェハ1のセンター検出と
同様であるので、ここではその説明を省略する。
次に、ウェハチャック10上にウェハ1をaWする(ス
テップ2)、そして、ハイドセンサ14を使用してウェ
ハ1のセンター座標及び半径を検出する(ステップ3)
。
テップ2)、そして、ハイドセンサ14を使用してウェ
ハ1のセンター座標及び半径を検出する(ステップ3)
。
すなわち、第4図に示すようにハイドセンサ14のl方
でウェハ1をX方向に移動させることで、容量の相違に
より、あるXライン(Y=n)上でのウェハ1の外周の
2点(Xi 、 X2 )がCPtJ20によって検出
される。同様にY方向の2点(Yl 、 Y2 )が求
められる。この情報より、ウェハ1のセンター座標はそ
れぞれxo = (xi+X2 )/2.yO= (y
l +Y2 )/2として求めら、CPU20はこの座
標位置をメモリ24に記憶する。
でウェハ1をX方向に移動させることで、容量の相違に
より、あるXライン(Y=n)上でのウェハ1の外周の
2点(Xi 、 X2 )がCPtJ20によって検出
される。同様にY方向の2点(Yl 、 Y2 )が求
められる。この情報より、ウェハ1のセンター座標はそ
れぞれxo = (xi+X2 )/2.yO= (y
l +Y2 )/2として求めら、CPU20はこの座
標位置をメモリ24に記憶する。
なお、上記と同様にしてステップ1でのウェハチャック
10のセンター位置も検出できる。
10のセンター位置も検出できる。
また、上記の情報から、ウェハ1の半径Rを求める。
すなわち、第4図においてx=Xo −X2 、3’=
YO−nであるから、R=5とじて 求められる。この半径Rも同様にメモリ24に記憶され
る。
YO−nであるから、R=5とじて 求められる。この半径Rも同様にメモリ24に記憶され
る。
次に、ウェハチャック10のセンター位置と、ウェハ1
のセンター位置とのずれ(第5図のΔX。
のセンター位置とのずれ(第5図のΔX。
Δy)をCPU20で検出しくステップ4)、この後に
プローブカード12の真下にウェハチャック10のセン
ターを設定するようにウェハチャック10を移動する(
ステップ5)、この状態では、上記ずれ(ΔX、Δy)
だけウェハ1のセンターがずれていることがCPtJ2
0によって認識され。る。
プローブカード12の真下にウェハチャック10のセン
ターを設定するようにウェハチャック10を移動する(
ステップ5)、この状態では、上記ずれ(ΔX、Δy)
だけウェハ1のセンターがずれていることがCPtJ2
0によって認識され。る。
次に、第6図に示すように、ウェハ1のセンターチップ
2a及び左右端、上端の各チップ2b〜2dの4点での
ファインアライメントを実行する(ステップ6)。
2a及び左右端、上端の各チップ2b〜2dの4点での
ファインアライメントを実行する(ステップ6)。
まず、チャック10を上記ずれ量(ΔX、Δy)だ、け
移動することでセンターチップ2aをプローブカード1
4の真下に設定し、図示しないマイクロスコープで観察
しながら、もしずれている場合にはジョイスティック2
8を操作しながら位置合わせを行い、その電極パッドに
触針させてファインアライメントを実行する。このよう
に、予め検出されたずれX<ΔX、Δy)だけ移動して
も位置ずれが生じてしまう理由は、第8図に示すように
ウェハ1の端部はだれ1bを有する形状であるので、ハ
イドセンサ14での検出時にそのだれ1bのどの部分を
ウェハ1の端部と判定するかによって、ウェハ1のセン
ター座標が不正確に測定されるからである。
移動することでセンターチップ2aをプローブカード1
4の真下に設定し、図示しないマイクロスコープで観察
しながら、もしずれている場合にはジョイスティック2
8を操作しながら位置合わせを行い、その電極パッドに
触針させてファインアライメントを実行する。このよう
に、予め検出されたずれX<ΔX、Δy)だけ移動して
も位置ずれが生じてしまう理由は、第8図に示すように
ウェハ1の端部はだれ1bを有する形状であるので、ハ
イドセンサ14での検出時にそのだれ1bのどの部分を
ウェハ1の端部と判定するかによって、ウェハ1のセン
ター座標が不正確に測定されるからである。
次に、他の3点のチップ2b、2c、2dについては、
その一部が欠けたチップであるが、その有効面積は既知
とすることができるので、入力部26を介してその既知
の面積を入力すると共に、実際に測定される面積(この
方法については後述するものと同様であるので省略する
)と比較し、ずれている場合にはウェハーセンター位置
の補正等を実行する。
その一部が欠けたチップであるが、その有効面積は既知
とすることができるので、入力部26を介してその既知
の面積を入力すると共に、実際に測定される面積(この
方法については後述するものと同様であるので省略する
)と比較し、ずれている場合にはウェハーセンター位置
の補正等を実行する。
以上のようにしてアライメント動作が完了する。
次に、本発明方法の要部である被検査対象とするか否か
の判定動作について説明する。
の判定動作について説明する。
まず、判定されるチップ2の4隅の座標を求める(ステ
ップ7)、すなわち、判定されるチップ2のセンター位
置は、前記ウェハセンター(XOlYO)を基準として
、既知のチップ2の大きさの整数倍の位置となることか
ら求められ、かつ、その各チップ2のセンター位置が分
かれば、チップ2の大きさより4隅の座標A、B、C,
Dが検出できる。
ップ7)、すなわち、判定されるチップ2のセンター位
置は、前記ウェハセンター(XOlYO)を基準として
、既知のチップ2の大きさの整数倍の位置となることか
ら求められ、かつ、その各チップ2のセンター位置が分
かれば、チップ2の大きさより4隅の座標A、B、C,
Dが検出できる。
次に、各点A、B、C,DがON WAF[RかOFF
讐AFERかの判定を行う(ステップ8)、この判定は
ウェハ1のセンター(XO、YO)より各点までの距離
が、先に求められた半径Rよりも大きいか否かによって
判定可能であり、例えば第7図(A)の場合には、 A点 R>a +b 0NWAFER8点
R>a +d ONW八FへR0
点 R<b +d 0FFWAFER0点 R
>b +c 0NWAF[Rとなる。
讐AFERかの判定を行う(ステップ8)、この判定は
ウェハ1のセンター(XO、YO)より各点までの距離
が、先に求められた半径Rよりも大きいか否かによって
判定可能であり、例えば第7図(A)の場合には、 A点 R>a +b 0NWAFER8点
R>a +d ONW八FへR0
点 R<b +d 0FFWAFER0点 R
>b +c 0NWAF[Rとなる。
次に、上記の結果よりチップ2が有効面積を備えている
か否かの判定を行う。
か否かの判定を行う。
まず、4点が全てON−^)ERであれば(ステップ9
)、これは問題なく有効チップとして判定される(ステ
ップ16)。
)、これは問題なく有効チップとして判定される(ステ
ップ16)。
第7図(A)のように3点がON WAFEBである場
合には(ステップ10)、以下の■の手法によって、チ
ップ2の有効面積を算出する(ステップ11)。
合には(ステップ10)、以下の■の手法によって、チ
ップ2の有効面積を算出する(ステップ11)。
すなわち、この場合にはチップの本来有する全体の面積
より、同図(A)のウェハ1より外れた部分の三角形で
近似される面積S1を差し引くことで計算できる。ここ
で、ウェハセンター(XO9YO)を基準とした第7図
(A)のウェハ1の外周上のチップ2の座標(Xi 、
Yi )、 (Xj 。
より、同図(A)のウェハ1より外れた部分の三角形で
近似される面積S1を差し引くことで計算できる。ここ
で、ウェハセンター(XO9YO)を基準とした第7図
(A)のウェハ1の外周上のチップ2の座標(Xi 、
Yi )、 (Xj 。
YJ )は、
Xi= R−dl
Y+ =d
Xj=b
Yj=FP−31
となり、この座標位置を用いることで上記面積S1が計
算できるので、第7図(A)の場合の面積を算出するこ
とができる。
算できるので、第7図(A)の場合の面積を算出するこ
とができる。
そして、本実施例の場合、検査対象とする限界の面積が
、本来のチップ面積の80%以上として入力部26より
CPU20に設定されている場合には、計算された面積
が80%以上であるかを判別しくステップ14)、YE
Sであれば該チップ2を有効としくステップ16)、N
oで有れば無効とするくステップ15)。
、本来のチップ面積の80%以上として入力部26より
CPU20に設定されている場合には、計算された面積
が80%以上であるかを判別しくステップ14)、YE
Sであれば該チップ2を有効としくステップ16)、N
oで有れば無効とするくステップ15)。
次に、第7図(B)に示すように、2点のみがON W
AFERである場合にはくステップ12)、下記の■の
手法によりチップ2の面積を計算する。
AFERである場合にはくステップ12)、下記の■の
手法によりチップ2の面積を計算する。
この場合にはA、B、(X+ 、Yi )、(xYk
)で囲まれる四角内の面積S2と、(XYi )、
(Xk 、 Yk )、 (Xi 、 Yk )で囲
まれる三角形に近似される面積S3とを加算すれば良い
。
)で囲まれる四角内の面積S2と、(XYi )、
(Xk 、 Yk )、 (Xi 、 Yk )で囲
まれる三角形に近似される面積S3とを加算すれば良い
。
そして、Xi 、Yiについては上記と同様に座標が求
められ、また、Xk 、Ykについては、Xk= R
−cl Yk=c であるので、上記各座標を利用すれば面積S2゜S3を
容易に計算可能である。
められ、また、Xk 、Ykについては、Xk= R
−cl Yk=c であるので、上記各座標を利用すれば面積S2゜S3を
容易に計算可能である。
そして、この後は、上記と同様に、計算された面積が8
0%以上であるかを判別しくステップ14)1.、YE
Sであれば該チップ2を有効とし(ステップ16)、N
oで有れば無効とする(ステップ15)。
0%以上であるかを判別しくステップ14)1.、YE
Sであれば該チップ2を有効とし(ステップ16)、N
oで有れば無効とする(ステップ15)。
次に、第7図(C)に示すように1点のみが0NWAF
EBであるか、あるいはいずれの点も0FF−八[ER
である場合には(ステップ12)、本実施例の場合の限
界面積の基準である80%以上を満足することが有り得
ないので、この場合には即座にチップ無効と判定される
(ステップ15)。
EBであるか、あるいはいずれの点も0FF−八[ER
である場合には(ステップ12)、本実施例の場合の限
界面積の基準である80%以上を満足することが有り得
ないので、この場合には即座にチップ無効と判定される
(ステップ15)。
ここで、本実施例の場合には上記の判定を各チップ2が
プローブカード14の真下に設定される移動前に行って
いるので、以上の判定結果によってチップ有効と判定さ
れた場合(ステップ16)のみ、該チップ2をプローブ
カード14の真、下に移動して電気的特性の検査が実行
されることになる(ステップ17)。
プローブカード14の真下に設定される移動前に行って
いるので、以上の判定結果によってチップ有効と判定さ
れた場合(ステップ16)のみ、該チップ2をプローブ
カード14の真、下に移動して電気的特性の検査が実行
されることになる(ステップ17)。
そして、チップが有効の場合でも無効の場合でも、次の
ステップで全チップに対する判定が終了したか否かを調
べ(ステップ18)、Noであればチップ番号を一つ更
新してステップ7に戻り、該チップの検査の必要を判定
し、YESであれば最終チップに対する電気的特性検査
の終了を待って本動作が完結することになる。
ステップで全チップに対する判定が終了したか否かを調
べ(ステップ18)、Noであればチップ番号を一つ更
新してステップ7に戻り、該チップの検査の必要を判定
し、YESであれば最終チップに対する電気的特性検査
の終了を待って本動作が完結することになる。
なお1.同一品種に関する2枚目以降のウェハ1に対し
ては、例えば上記判別結果をメモリ24に記憶しておき
、この判別工程を省略することもできる。
ては、例えば上記判別結果をメモリ24に記憶しておき
、この判別工程を省略することもできる。
このように、本実施例ではON WAFER点が2点ま
たは3点の場合に、該チップ2の有効面積を測定し、判
定基準となる基準面積データと比較して、該デツプ2の
検査の必要性を判定しているので、ユーザーの希望に応
じて所望の面積を有するものを確実に検査対象とするこ
とができ、従来よりも判定の確実性が向上するので、無
駄な検査対象を確実に排除することができる。
たは3点の場合に、該チップ2の有効面積を測定し、判
定基準となる基準面積データと比較して、該デツプ2の
検査の必要性を判定しているので、ユーザーの希望に応
じて所望の面積を有するものを確実に検査対象とするこ
とができ、従来よりも判定の確実性が向上するので、無
駄な検査対象を確実に排除することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
上述した実施例において、面積測定等の基準をウェハ1
のセンター座標を基準として行ったが、通常CPU20
はウェハチャック10のイニシャルポイントを基準に制
御を行うので、この点を基準として制御を行うものであ
っても良い。
のセンター座標を基準として行ったが、通常CPU20
はウェハチャック10のイニシャルポイントを基準に制
御を行うので、この点を基準として制御を行うものであ
っても良い。
また、チップ2の面積計算についても上記実施例の他種
々の変形実施が可能である。さらに、この判別工程を実
施するタイミングとしては、少なくともチップ2の電気
的特性を実施するためのステップ駆動を行う前であれば
良く、例えば予め全チップ2について検査対象とするか
否かの測定を実施しておき、これをメモリなどに記憶し
、その後にこのメモリの情報に基づき対象となるチップ
2に対して検査を実施するようにウェハチャック10の
ステップ駆動するものであっても良い。
々の変形実施が可能である。さらに、この判別工程を実
施するタイミングとしては、少なくともチップ2の電気
的特性を実施するためのステップ駆動を行う前であれば
良く、例えば予め全チップ2について検査対象とするか
否かの測定を実施しておき、これをメモリなどに記憶し
、その後にこのメモリの情報に基づき対象となるチップ
2に対して検査を実施するようにウェハチャック10の
ステップ駆動するものであっても良い。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によればウェハの外形によ
って一部が欠落したチップの面積を計算し、検査対象と
する限界の面積値と比較して、該チップを検査対象とす
るか否かを判定しているので、上記判定の正確さが向上
し、無駄な検査対象を確実に除去できると共に、判定精
度が向上することでウェハ周縁のチップの有効利用をも
確保することができる。
って一部が欠落したチップの面積を計算し、検査対象と
する限界の面積値と比較して、該チップを検査対象とす
るか否かを判定しているので、上記判定の正確さが向上
し、無駄な検査対象を確実に除去できると共に、判定精
度が向上することでウェハ周縁のチップの有効利用をも
確保することができる。
第1図は、本発明方法の一実施例を示すフローチャート
、第2図は、有効チップを判定する制御系のブロック図
、第3図は、ウエハブローバの動作を説明するための概
略説明図、第4図は、ウェハーセンターの検出例を説明
するための概略説明図、第5図は、ウェハチャックとウ
ェハの両センターのずれを説明するための概略説明図、
第6図は、ウェハ上の4点チエツクを説明するための概
略説明図、第7図は、ウェハ外形によって一部が欠落し
たチップを説明するための概略説明図、第8図は、ウェ
ハ1の周縁部のだれを説明するための概略説明図、第9
図は、ウェハの平面図、第10図(A)、(B)は、従
来の判定方法による問題点を説明するための概略説明図
である。 1・・・ウェハ、 2・・・チップ、 10・・・ウェハチャック、 12、−・、プローブ手段、 14・・・ハイ ドセンサ、 20・・・CPU。
、第2図は、有効チップを判定する制御系のブロック図
、第3図は、ウエハブローバの動作を説明するための概
略説明図、第4図は、ウェハーセンターの検出例を説明
するための概略説明図、第5図は、ウェハチャックとウ
ェハの両センターのずれを説明するための概略説明図、
第6図は、ウェハ上の4点チエツクを説明するための概
略説明図、第7図は、ウェハ外形によって一部が欠落し
たチップを説明するための概略説明図、第8図は、ウェ
ハ1の周縁部のだれを説明するための概略説明図、第9
図は、ウェハの平面図、第10図(A)、(B)は、従
来の判定方法による問題点を説明するための概略説明図
である。 1・・・ウェハ、 2・・・チップ、 10・・・ウェハチャック、 12、−・、プローブ手段、 14・・・ハイ ドセンサ、 20・・・CPU。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハ上の各チップの電気的特性検査を行うにあ
たり、 半導体ウェハに形成された少なくとも予め定められたチ
ップの有効面積を測定し、 この測定されたチップの有効面積と、予め設定された検
査対象の限界チップ面積とを比較し、該チップを検査対
象とするか否かを判別する工程を含むことを特徴とする
プロービング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63205457A JP2607280B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | プロービング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63205457A JP2607280B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | プロービング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0254544A true JPH0254544A (ja) | 1990-02-23 |
JP2607280B2 JP2607280B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=16507197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63205457A Expired - Lifetime JP2607280B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | プロービング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2607280B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5807624A (en) * | 1996-04-16 | 1998-09-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electrostatically charged imaging manifold |
JP2009283977A (ja) * | 2009-08-21 | 2009-12-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
US7733473B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-06-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
CN105224776A (zh) * | 2014-05-26 | 2016-01-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆测试结果比对方法和系统 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5520342B2 (ja) * | 2012-07-10 | 2014-06-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58155839U (ja) * | 1982-04-10 | 1983-10-18 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体素子特性測定装置 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63205457A patent/JP2607280B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58155839U (ja) * | 1982-04-10 | 1983-10-18 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体素子特性測定装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5807624A (en) * | 1996-04-16 | 1998-09-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electrostatically charged imaging manifold |
US7733473B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-06-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
US7999932B2 (en) | 2007-03-28 | 2011-08-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
US8525984B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-09-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
JP2009283977A (ja) * | 2009-08-21 | 2009-12-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
CN105224776A (zh) * | 2014-05-26 | 2016-01-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆测试结果比对方法和系统 |
CN105224776B (zh) * | 2014-05-26 | 2018-06-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆测试结果比对方法和系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2607280B2 (ja) | 1997-05-07 |
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