JPS58155839U - 半導体素子特性測定装置 - Google Patents

半導体素子特性測定装置

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JPS58155839U
JPS58155839U JP5253082U JP5253082U JPS58155839U JP S58155839 U JPS58155839 U JP S58155839U JP 5253082 U JP5253082 U JP 5253082U JP 5253082 U JP5253082 U JP 5253082U JP S58155839 U JPS58155839 U JP S58155839U
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JP
Japan
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semiconductor element
semiconductor
measurement equipment
measuring
characteristic measurement
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Application number
JP5253082U
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English (en)
Inventor
明 山岸
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来の半導体素子特性測定装置の平
面図及び側面区、第３図及び第４図は第１図の要部拡大
図及びＸ−Ｘ線に沿う断面図、第５図は第４図の動作時
の断面図、第６図は半導体ウェーハの部分平面図、第７
図及び第８図は本考案の一実施例を示す要部平面図及び
Ｙ−Ｙ線に沿う断面図、第９図は第７図の各センサ部の
配線例を示す配線図である。 １・・・・・・半導体ウェーハ、２．２’、２″・・・
・・・半導体素子、８・・・・・・測定針部、１３〜１
６・・・・・・センサ部、１７・・・・・・特性測定回
路、Ａ、　Ｂ、　Ｃ，Ｄ・・・・・・コーナ部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハに格子状に形成された複数の半導体素子
    を個々に特性測定する装置であって、特性測定を受ける
    半導体素子の４つのコーナ部の有無を夫々独立して検出
    する少くとも４つのセンサ部と、当該半導体素子の表面
    電極に当接して特性測定を実行させる測定針部と、前記
    各センサ部の全てが素子有りを検出した信号でもって測
    定針部を介して特性測定を行う特性測定回路とを具備し
    たことを特徴とする半導体素子特性測定装置。
JP5253082U 1982-04-10 1982-04-10 半導体素子特性測定装置 Pending JPS58155839U (ja)

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JP5253082U JPS58155839U (ja) 1982-04-10 1982-04-10 半導体素子特性測定装置

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JPS58155839U true JPS58155839U (ja) 1983-10-18

Family

ID=30063239

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JP5253082U Pending JPS58155839U (ja) 1982-04-10 1982-04-10 半導体素子特性測定装置

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JP (1) JPS58155839U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0254544A (ja) * 1988-08-18 1990-02-23 Tokyo Electron Ltd プロービング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0254544A (ja) * 1988-08-18 1990-02-23 Tokyo Electron Ltd プロービング方法

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