JPS58164236U - 半導体ウエ−ハ特性測定装置 - Google Patents

半導体ウエ−ハ特性測定装置

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JPS58164236U
JPS58164236U JP6242982U JP6242982U JPS58164236U JP S58164236 U JPS58164236 U JP S58164236U JP 6242982 U JP6242982 U JP 6242982U JP 6242982 U JP6242982 U JP 6242982U JP S58164236 U JPS58164236 U JP S58164236U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
measurement equipment
characteristic measurement
wafer characteristic
probe needle
Prior art date
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Pending
Application number
JP6242982U
Other languages
English (en)
Inventor
手戸　義典
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は半導体ウェーハ特性測定装置の従来
例を示す平面図及び側面図、第３図及び第４図は第１図
の要部２箇所の拡大断面図、第５図及び第６図は本考案
の一実施例を示すプローブカード中央部分の断面図及び
底面図である。　　　　　−１・・・・・・半導体ウェ
ーハ、２・・・・・；半導体素子、１３・・・・・・７
’Ｃ７−ブカード、１６・・・・・・圧電素子、１７・
・・・・・プローブニードル。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハに形成された半導体素子の特性をプロー
    ブカードより突出するプローブニードルの先端を半導体
    素子の表面電極に接触させて測定する装置であって、前
    記プローブカードとプローブニードルの間に圧電素子を
    介在させ、当該圧電素子の電圧測定でプローブニードル
    と半導体素子の接触状態を検知するようにしたことを特
    徴とする半導体ウェーハ特性測定装置。
JP6242982U 1982-04-27 1982-04-27 半導体ウエ−ハ特性測定装置 Pending JPS58164236U (ja)

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JPS58164236U true JPS58164236U (ja) 1983-11-01

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JP6242982U Pending JPS58164236U (ja) 1982-04-27 1982-04-27 半導体ウエ−ハ特性測定装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63184349A (ja) * 1986-09-08 1988-07-29 テクトロニックス・インコーポレイテッド 集積回路試験ステーション用圧力検知装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54145482A (en) * 1978-01-30 1979-11-13 Texas Instruments Inc Ic test probe

Patent Citations (1)

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