JPH07109851B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH07109851B2 JPH07109851B2 JP63296653A JP29665388A JPH07109851B2 JP H07109851 B2 JPH07109851 B2 JP H07109851B2 JP 63296653 A JP63296653 A JP 63296653A JP 29665388 A JP29665388 A JP 29665388A JP H07109851 B2 JPH07109851 B2 JP H07109851B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- collector
- probe pad
- probe pads
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程における素子の良否判定
の技術に関し、特に素子に探針するときの探針用パッド
に関する。
の技術に関し、特に素子に探針するときの探針用パッド
に関する。
従来の技術としては、半導体装置の製造工程の途中で素
子の動作や特性を判定する場合、トランジスタ素子を例
にあげて説明すると、内部回路で使用しているトランジ
スタ素子と同じ形状、同じ製造方法によるトランジスタ
素子を判定用としてチップ内または付近に設置し、この
判定用素子の特性を測定し、この特性から内部回路素子
の特性を推定している。第６図に示すとおり、この種の
動作特性判定用のトランジスタ素子41は、テスト棒によ
って探針するためパッドとして、ベース探針パッド38、
エミッタ探針パッド39およびコレクタ探針パッド40を有
しており、それぞれベース配線35、エミッタ配線36、コ
レクタ配線37によりトランジスタ素子のベース電極32、
エミッタ電極33、コレクタ電極34に接続されている。こ
こで、これらの探針パッドは一般には、一辺が50μｍ程
度の方形に形成されている。
子の動作や特性を判定する場合、トランジスタ素子を例
にあげて説明すると、内部回路で使用しているトランジ
スタ素子と同じ形状、同じ製造方法によるトランジスタ
素子を判定用としてチップ内または付近に設置し、この
判定用素子の特性を測定し、この特性から内部回路素子
の特性を推定している。第６図に示すとおり、この種の
動作特性判定用のトランジスタ素子41は、テスト棒によ
って探針するためパッドとして、ベース探針パッド38、
エミッタ探針パッド39およびコレクタ探針パッド40を有
しており、それぞれベース配線35、エミッタ配線36、コ
レクタ配線37によりトランジスタ素子のベース電極32、
エミッタ電極33、コレクタ電極34に接続されている。こ
こで、これらの探針パッドは一般には、一辺が50μｍ程
度の方形に形成されている。
このような構成により、それぞれの探針パッドにテスト
棒を接触させ、種々の特性の測定が行われていた。
棒を接触させ、種々の特性の測定が行われていた。
上述した従来の動作特性判定用のトランジスタ素子41の
各探針パッド38,39および40は、第６図に示すように方
形をしていて、トランジスタの各電極に対応して並列に
設置されている。二探針用テスターを使用してNPN型の
トランジスタの電流電圧特性を測定する場合を例にとっ
て説明する。第７図，第８図および第９図は、トランジ
スタ素子41のそれぞれベース−コレクタ間，ベースエミ
ッタ間，エミッタ−コレクタ間の電流電圧特性を測定す
るときの図である。
各探針パッド38,39および40は、第６図に示すように方
形をしていて、トランジスタの各電極に対応して並列に
設置されている。二探針用テスターを使用してNPN型の
トランジスタの電流電圧特性を測定する場合を例にとっ
て説明する。第７図，第８図および第９図は、トランジ
スタ素子41のそれぞれベース−コレクタ間，ベースエミ
ッタ間，エミッタ−コレクタ間の電流電圧特性を測定す
るときの図である。
ベース−コレクタ間の順方向特性を測定するとき、テス
ト棒42,43は、第７図に示すようにエミッタ探針パッド3
9を挟んでベース探針パッド38とコレクタ探針パッド40
にそれぞれ第２のテスト棒43,第１のテスト棒42が接触
され、第１のテスト棒42に正電位をかけ、第２のテスト
棒43をグランドへ接続し、電流値を測定する。そのた
め、ベース−コレクタ間の特性を測定する場合のテスト
棒42および43の間隔は、第８図に示すベース−エミッタ
間あるいは第９図に示すエミッタ−コレクタ間の特性を
測定する場合に比べて広くとらなければならない。
ト棒42,43は、第７図に示すようにエミッタ探針パッド3
9を挟んでベース探針パッド38とコレクタ探針パッド40
にそれぞれ第２のテスト棒43,第１のテスト棒42が接触
され、第１のテスト棒42に正電位をかけ、第２のテスト
棒43をグランドへ接続し、電流値を測定する。そのた
め、ベース−コレクタ間の特性を測定する場合のテスト
棒42および43の間隔は、第８図に示すベース−エミッタ
間あるいは第９図に示すエミッタ−コレクタ間の特性を
測定する場合に比べて広くとらなければならない。
以上のとおり、トランジスタ素子41の３種類の順方向特
性を測定するに当たっては、テスト棒42および43の間隔
を特性の測定の項目に応じて変更する必要がある。テス
ト棒の間隔を変更するには、探針用パッドへ探針できる
ようテスト棒位置を調整しなければならず、その位置調
整には、10ミクロン程度の精度が必要であり多くの時間
を要する。したがって多数のトランジスタ素子の電流電
圧特性を測定するに当たり作業効率が非常に低くなると
いう欠点がある。
性を測定するに当たっては、テスト棒42および43の間隔
を特性の測定の項目に応じて変更する必要がある。テス
ト棒の間隔を変更するには、探針用パッドへ探針できる
ようテスト棒位置を調整しなければならず、その位置調
整には、10ミクロン程度の精度が必要であり多くの時間
を要する。したがって多数のトランジスタ素子の電流電
圧特性を測定するに当たり作業効率が非常に低くなると
いう欠点がある。
本発明の目的は、上述したような欠点を取り除き、テス
ト棒間の間隔を変更することなく、一定のテスト棒間隔
で、すべての電極間の特性測定が行える半導体装置を提
供することにある。
ト棒間の間隔を変更することなく、一定のテスト棒間隔
で、すべての電極間の特性測定が行える半導体装置を提
供することにある。
〔課題を解決するための手段〕 本発明の第一の発明は、測定に必要な複数の電極を有す
る回路素子の各電極から個別に導出された複数の探針用
パッドを有し、前記複数の探針用パッド中の異なる探針
用パッド同士の全ての組み合わせで、前記回路素子の特
性測定を行う半導体装置において、各々の探針用パッド
のいずれかの辺が、残りの全ての探針用パッドの各いず
れかの辺と対向するように前記複数の探針用パッドを配
置し、前記対向する距離が測定に用いる探針の間隔以内
に設定されていることを特徴とするものであり、さらに
第二の発明は、前述した探針用パッドが配置を変えるこ
となく探針の極性を一定のまま測定できるように前記回
路素子の向きを異ならしめたことを特徴とするものであ
る。
る回路素子の各電極から個別に導出された複数の探針用
パッドを有し、前記複数の探針用パッド中の異なる探針
用パッド同士の全ての組み合わせで、前記回路素子の特
性測定を行う半導体装置において、各々の探針用パッド
のいずれかの辺が、残りの全ての探針用パッドの各いず
れかの辺と対向するように前記複数の探針用パッドを配
置し、前記対向する距離が測定に用いる探針の間隔以内
に設定されていることを特徴とするものであり、さらに
第二の発明は、前述した探針用パッドが配置を変えるこ
となく探針の極性を一定のまま測定できるように前記回
路素子の向きを異ならしめたことを特徴とするものであ
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図である。
第１図において本実施例の素子はNPN型トランジスタを
示し、そのトランジスタ端子はベース，エミッタ，コレ
クタの順に並んでいる。これらの電極4,5および６は、
それぞれベース配線7,エミッタ配線8,コレクタ配線９を
介して、ベース探針パッド10,エミッタ探針パッド11,コ
レクタ探針パッド12に接続されている。それぞれの探針
パッド10,11,12は、どの２組のパッドも等しい間隔とな
るように、たとえば長方形のベース探針パッド10に対し
て、エミッタ探針パッド11とコレクタ探針パッド12とが
それぞれ等間隔を有するように並列に設けられ、かつ、
エミッタ探針パッド11とコレクタ探針パッド12の間隔
も、ベース探針パッド10との間隔と等しくなるようにコ
レクタ探針パッド12はＬ字状に形成される。ベース−コ
レクタ間の順方向特性を測定する場合、第２図に示すよ
うにベース探針パッド10に第２のテスト棒15を、コレク
タ探針パッド12に第１のテスト棒14をそれぞれ接触さ
せ、第１のテスト棒14に正電位をかけ、第２のテスト棒
15をグランドに接続し電流値を測定する。同様にベース
−エミッタ間およびエミッタ−コレクタ間の測定は、そ
れぞれ第３図，第４図に示すように探針し、電流値を測
定する。この際それぞれの探針パッドはどの２組のパッ
ドも等しい間隔となるような形状に設けられているので
ベース探針パッド10,エミッタ探針パッド11,コレクタ探
針パッド12の３つの探針パッド間を一定のテスト棒間隔
で探針することができる。３種の順方向特性を測定する
ときは第１のテスト棒14と第２のテスト棒15の極性を切
り替える必要はない。また逆方向特性を測定するときに
も極性を一度設定し直せば極性切り替えなしに測定する
ことができる。
示し、そのトランジスタ端子はベース，エミッタ，コレ
クタの順に並んでいる。これらの電極4,5および６は、
それぞれベース配線7,エミッタ配線8,コレクタ配線９を
介して、ベース探針パッド10,エミッタ探針パッド11,コ
レクタ探針パッド12に接続されている。それぞれの探針
パッド10,11,12は、どの２組のパッドも等しい間隔とな
るように、たとえば長方形のベース探針パッド10に対し
て、エミッタ探針パッド11とコレクタ探針パッド12とが
それぞれ等間隔を有するように並列に設けられ、かつ、
エミッタ探針パッド11とコレクタ探針パッド12の間隔
も、ベース探針パッド10との間隔と等しくなるようにコ
レクタ探針パッド12はＬ字状に形成される。ベース−コ
レクタ間の順方向特性を測定する場合、第２図に示すよ
うにベース探針パッド10に第２のテスト棒15を、コレク
タ探針パッド12に第１のテスト棒14をそれぞれ接触さ
せ、第１のテスト棒14に正電位をかけ、第２のテスト棒
15をグランドに接続し電流値を測定する。同様にベース
−エミッタ間およびエミッタ−コレクタ間の測定は、そ
れぞれ第３図，第４図に示すように探針し、電流値を測
定する。この際それぞれの探針パッドはどの２組のパッ
ドも等しい間隔となるような形状に設けられているので
ベース探針パッド10,エミッタ探針パッド11,コレクタ探
針パッド12の３つの探針パッド間を一定のテスト棒間隔
で探針することができる。３種の順方向特性を測定する
ときは第１のテスト棒14と第２のテスト棒15の極性を切
り替える必要はない。また逆方向特性を測定するときに
も極性を一度設定し直せば極性切り替えなしに測定する
ことができる。
第５図は本発明の第２の実施例の平面図である。本実施
例の素子はNPN型トランジスタであり、トランジスタ端
子は、エミッタ，ベース，コレクタの順に並んでいる。
本実施例のトランジスタ素子では電極の順番が第１の実
施例と異なるため、第１の実施例をそのまま適用すると
３種の順方向特性を測定する際に、第１のテスト棒と第
２のテスト棒の極性を切り替えることが必要となる。本
実施例は、第５図に示すように、トランジスタ素子の向
きを90゜変えて配置した上で探針用パッドを引き出して
この欠点を解消している。本実施例も第１実施例と同様
にベース探針パッド25,エミッタ探針パッド26,コレクタ
探針パッド27のどの２組の探針パッドも等しい間隔とな
るような形状に設けられているため、３つの探針パッド
間を一定のテスト棒間隔で探針することができる。ま
た、順方向特性測定と逆方向特性測定ともに一度極性を
設定すれば、切り替えずに測定可能である。
例の素子はNPN型トランジスタであり、トランジスタ端
子は、エミッタ，ベース，コレクタの順に並んでいる。
本実施例のトランジスタ素子では電極の順番が第１の実
施例と異なるため、第１の実施例をそのまま適用すると
３種の順方向特性を測定する際に、第１のテスト棒と第
２のテスト棒の極性を切り替えることが必要となる。本
実施例は、第５図に示すように、トランジスタ素子の向
きを90゜変えて配置した上で探針用パッドを引き出して
この欠点を解消している。本実施例も第１実施例と同様
にベース探針パッド25,エミッタ探針パッド26,コレクタ
探針パッド27のどの２組の探針パッドも等しい間隔とな
るような形状に設けられているため、３つの探針パッド
間を一定のテスト棒間隔で探針することができる。ま
た、順方向特性測定と逆方向特性測定ともに一度極性を
設定すれば、切り替えずに測定可能である。
以上説明したように本発明は、探針パッドの形状を変え
ることにより、二探針用テスターの二本のテスト棒間隔
を変更をすることなく、トランジスタのベース−コレク
タ間、ベース−エミッタ間、エミッタ−コレクタ間の電
流電圧特性を測定することができる。これにより、多数
のトランジスタの特性を測定するにあたり容易に、高効
率で測定することができる効果がある。
ることにより、二探針用テスターの二本のテスト棒間隔
を変更をすることなく、トランジスタのベース−コレク
タ間、ベース−エミッタ間、エミッタ−コレクタ間の電
流電圧特性を測定することができる。これにより、多数
のトランジスタの特性を測定するにあたり容易に、高効
率で測定することができる効果がある。
第１図は、本発明の探針用パッドの第１の実施例を示す
平面図、第２図、第３図および第４図は、第１の実施例
を用いた場合の探針状態を示す平面図、第５図は、本発
明の第２の実施例を示す平面図、第６図は、従来例を示
す平面図、第７図，第８図および第９図は、従来例を用
いた場合の探針状態を示す平面図である。 1,16,29……ベース、2,17,30……エミッタ、3,18,31…
…コレクタ、4,19,32……ベース電極、5,20,33……エミ
ッタ電極、6,21,34……コレクタ電極、7,22,35……ベー
ス配線、8,23,36……エミッタ配線、9,24,37……コレク
タ配線、10,25,38……ベース探針パッド、11,26,39……
エミッタ探針パッド、12,27,40……コレクタ探針パッ
ド、13,28,41……トランジスタ素子、14,42……第１の
テスト棒、15,43……第２のテスト棒。
平面図、第２図、第３図および第４図は、第１の実施例
を用いた場合の探針状態を示す平面図、第５図は、本発
明の第２の実施例を示す平面図、第６図は、従来例を示
す平面図、第７図，第８図および第９図は、従来例を用
いた場合の探針状態を示す平面図である。 1,16,29……ベース、2,17,30……エミッタ、3,18,31…
…コレクタ、4,19,32……ベース電極、5,20,33……エミ
ッタ電極、6,21,34……コレクタ電極、7,22,35……ベー
ス配線、8,23,36……エミッタ配線、9,24,37……コレク
タ配線、10,25,38……ベース探針パッド、11,26,39……
エミッタ探針パッド、12,27,40……コレクタ探針パッ
ド、13,28,41……トランジスタ素子、14,42……第１の
テスト棒、15,43……第２のテスト棒。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/82 29/41 29/73 Ｈ０１Ｌ 21/82 Ｔ 29/72
Claims (2)
- 【請求項１】測定に必要な複数の電極を有する回路素子
の各電極から個別に導出された複数の探針用パッドを有
し、前記複数の探針用パッド中の異なる探針用パッド同
士の全ての組み合わせで、前記回路素子の特性測定を行
う半導体装置において、各々の探針用のパッドのいずれ
かの辺が、残りの全ての探針用のパッドの各いずれかの
辺と対向するように前記複数の探針用パッドを配置し、
前記対向する距離が測定に用いる探針の間隔以内に設定
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】測定に必要な複数の電極を有する回路素子
の各電極から個別に導出された複数の探針用パッドを有
し、前記複数の探針用のパッド中の異なる探針用パッド
同士の全ての組み合わせで、前記回路素子の特性測定を
行う半導体装置において、各々の探針用パッドのいずれ
かの辺が、残りの全ての探針用パッドの各いずれかの辺
と対向するように前記複数の探針用パッドを配置し、前
記対向する距離が測定に用いる探針の間隔以内に設定す
ると共に、これら複数の探針用パッドの配置を変えるこ
となく探針の極性を一定のまま測定できるように前記回
路素子の向きを異ならしめたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296653A JPH07109851B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296653A JPH07109851B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142185A JPH02142185A (ja) | 1990-05-31 |
| JPH07109851B2 true JPH07109851B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=17836330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63296653A Expired - Lifetime JPH07109851B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109851B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4018312B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2007-12-05 | 株式会社ルネサステクノロジ | 無線通信装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685407B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1994-10-26 | 日本電気株式会社 | 評価用ｆｅｔのマスクパタン |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63296653A patent/JPH07109851B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02142185A (ja) | 1990-05-31 |
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