JP3696352B2 - ライフタイム評価用teg - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板内のキャリアのライフタイムを評価する為に用いられるライフタイム評価用TEGに関する。
【0002】
【従来の技術】
電子又は正孔であるキャリアのライフタイム値は、パワーデバイスの種々の特性に直接結びつく重要な要素である。従来の技術においては、製品用のウェーハとは別にライフタイム評価用のウェーハを製造して評価を行うという方法を採っていた。
【0003】
図29は、従来技術に従うTEG(Test Element Group)が形成されたウェーハWを示す平面図である。同図に示されるように、TEGはウェーハWに複数個形成されている。図30は、図29に示されるTEGの断面図である。TEGは、N+であるエミッタ領域E、N-であるベース層Ba及びP+であるコレクタ領域Cがこの順に積層された構造からなるダイオードである。
【0004】
従来のキャリアのライフタイム値の評価方法とは、図30に示されるダイオードを流れる電流の値の時間変化を観察するものである。図31は、従来の評価方法に用いられる回路の模式的な構成を示す回路図である。パルス電源PSに対して、TEGであるダイオードと、負荷抵抗とが直列に接続されている。パルス電源PSは矩形波を与える。負荷抵抗の両端における電圧差をオシロスコープOsによって測定すればダイオードを流れる電流量がいくらであるかわかり、キャリアのライフタイム値と相関のある、ダイオードの経時的な特性の変化が観察される。
【0005】
図32は、図31に示される回路の構成を具体的に示す回路図である。ファンクションジェネレータFG、プラス電源G1及びマイナス電源G2からの出力は、波形生成回路PGCへと同軸ケーブルを介して入力される。波形生成回路PGCは同軸ケーブルからの微小な信号を、電源として要求される振幅にて出力端子から与える回路である。ホルダHに固定された図示されないチップと、抵抗体Rとは、波形生成回路PGCの+端子及び−端子に対して直列に接続されている。抵抗体Rの両端にはプローブ針PNが固定されており、プローブ針PNが検知した電圧はオシロスコープOsへと入力され、コンピュータCMによって解析される。
【0006】
図33は、オシロスコープOsに表示されている、ダイオードであるTEGを流れる電流を示す波形図である。縦軸は電流量であり、横軸は時間である。図31に示される回路構成において矩形電圧が順方向の設定値から逆方向の設定値へと時間Taにおいて変化した際に、電流値は負の極小値を時間Tbにてとった後に漸近的に0へと近づく。極小値を100パーセントとした場合の10パーセントの電流値が与えられる時間を時間Tcとして定義する。90パーセント減少するために要した時間(Tc−Tb)が逆回復時間Trrである。
【0007】
逆回復時間Trrはキャリアのライフタイム値によって影響を受ける。従って、逆回復時間Trrを得ることによってTEG内のライフタイム値を推定することが可能である。しかし、逆回復時間Trrを実測するのみでは足りず、TEG内のライフタイム値を推定するためには逆回復時間Trrに関するシミュレーションを行う必要がある。シミュレーションの結果と実測値とを対比することによって、TEG内のライフタイム値を推定することが可能となる。
【0008】
TEGに備えられる電極を流れる電流の密度に関して、電子及び正孔のそれぞれのライフタイム値τn,τpをパラメータとしてシミュレーションを行う。シミュレーションの結果として得られるのは、逆回復時間Trr(Sim)である。ここで、“(Sim)”は、シミュレーションによって得られた数値であることを表す添え字である。簡便のために、ライフタイム値τn,τpは互いに等しいものとしてシミュレーションを行う。
【0009】
図34は、実物のTEGのライフタイム値τを得る方法を示す模式図である。同図に示されるように、シミュレーションによって得られた逆回復時間Trr(Sim)を縦軸とし、ライフタイム値τを横軸としてシミュレーションの結果をプロットする。このようにして特定の電流密度に関する特性線Lを得る。この特性線Lと電流密度を同じくする実際の計測によって得られた逆回復時間Trrに対してこの特性線Lが与えるライフタイム値(図34において矢印にて示されている)が、図29に示されるウェーハWにおけるキャリアのライフタイム値τである。
【0010】
上述の計測及びシミュレーションを他の電流密度に関しても行うことによって、ウェーハW内のキャリアのライフタイム値τの信頼性を高めることが可能である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
以上にて例示されるように、評価用のウェーハにTEGを形成してライフタイム値の評価を行っているので、実際に製品として用いられるチップ内のキャリアのライフタイム値が評価されているわけではなかった。即ち、製品に対する評価が直接的ではなく間接的であるという問題点がある。
【0012】
また、従来の評価方法においては図32に示されるように、ファンクションジェネレータFG、プラス電源G1及びマイナス電源G2、波形生成回路PGC、ホルダH、抵抗体R、プローブ針PN、オシロスコープOsを用意しなければならない。従って、簡易な方法であるとは言い難いという問題点がある。
【0013】
本発明は、以上の問題点に鑑み、製品用のウェーハにおけるキャリアのライフタイムを評価することが直接的に可能であるライフタイム評価用TEGを提供することを目的とする。更に、ライフタイムの評価を簡易に行える方法に関して、評価の精度を向上する構造を有するライフタイム評価用TEGを提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明のライフタイム評価用TEGは、第1及び第2の主面を備える半導体基板に形成された、該半導体基板内のキャリアのライフタイムの評価に用いられるライフタイム評価用TEGであって、それぞれ互いに異なる第1及び第2の導電型である第1及び第2の導電層は、前記第1及び第2の主面をそれぞれ与え、前記第1の導電層は、前記第1の主面側の表面部に選択的に形成されており、不純物の濃度が比較的高い電極用領域と、前記電極用領域と前記第2の導電層とを接続する、前記不純物の濃度が比較的低い接続領域とを含んでなり、前記電極用領域は、前記半導体基板のスクライブラインに形成されていることを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
本実施の形態においては、製品用のウェーハのキャリアのライフタイムを直接的に評価することを可能とするライフタイム評価用TEGを示す。従来技術と同一の構成、構造には同一の参照符号を付す。
【0021】
図1は、TEGが配置されている、製品用のウェーハWの構造を例示する平面図である。TEGは図1に示される平面において正方形状である。ウェーハWにはIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が集積素子として形成されているが、図示は省略されている。
【0022】
図2は、図1に示されるTEGの構造を例示する断面図である。図2に示されるように、本発明のTEGは、一方の表面から他方の表面へと向かってN-であるベース領域Ba、N+であるバッファ領域Bu及びP+であるコレクタ領域Cが順に積層された構造を有している。即ち、本発明のTEGはダイオードである構造を有している。更に、ベース領域Baのうち表面部には部分的にN+であるエミッタ領域Eが形成されている。
【0023】
図3は、ウェーハWの構造の一例を示す断面図である。ウェーハWは、IGBT素子の形成された領域と、これに隣接するTEGとを有する。TEGのエミッタ領域E上にはエミッタ電極が形成されている。ウェーハWの下面に形成されている、IGBT素子用のコレクタ電極は、TEG用のコレクタ電極としても作用する。図3を参照すると理解されるように、図2に示されるTEGの構造は、ウェーハWにIGBT素子が形成された際に自身も同時に形成されることによって得られたものである。
【0024】
図4は、図3において矢印にて示される向きでのTEGの深さに対する不純物濃度を示す模式図である。縦軸には不純物濃度C(imp)が、横軸には深さDがとられている。同図においては、TEGの不純物濃度C(imp)のプロファイルは、図3に示されているバッファ領域Buを有する場合については実線にて、参考としてバッファ領域Buを有しない場合については点線にて示されている。
【0025】
図4に示されるように、バッファ領域Buを有しないTEGは、エミッタ領域Eからコレクタ領域Cにかけて両端の濃度は高く中間の濃度は低いという対称な構成を有している。一方、図3に示されているTEGは、バッファ領域Buによって非対称な構成を有している。TEGの構成に関する説明を行い終えたので、本発明のTEGを用いてウェーハW内のキャリアのライフタイム値を評価する方法について以下に説明する。
【0026】
本発明の評価方法とは、実物のTEGの計測及びシミュレーションによって各々与えられるオン電圧値同士を比較するものである。まず、評価の為に要する設備について説明を行う。図5は本発明の評価方法に関する測定回路を例示する回路図であり、図6は図5に示される測定回路を実現するために要する機器を例示する模式図である。
【0027】
図5においては、電圧源10と電流計とダイオード構造を有するTEGとが直列に接続されている。図6に示されるカーブトレーサ20は所望の電圧を与え電流量を記録することができるものであり、図5の電圧源10及び電流計の機能を有する。ホルダHには、TEGを有するチップが固定される。
【0028】
図7は、チップが固定されているホルダHの構成を詳細に示す斜視図である。ホルダHにはTEGのコレクタ電極及びエミッタ電極にそれぞれ接続される引き出し電極30,40が備えられている。引き出し電極30はTEGのコレクタ電極にダイボンドされており、引き出し電極40は配線を介してTEGのエミッタ電極に接続されている。ホルダHに固定されているTEGは、図6のカーブトレーサ20を用いる、I−V特性に関する測定を為される。
【0029】
図6及び図32にそれぞれ示されている機器構成を比較すれば理解されるように、図6に示される本発明の評価方法に要する機器は、図32に示される従来の評価方法に要する機器よりも少なくて済む。これは、従来の評価方法が経時的に変化する特性(動特性)を扱っているのに対し、本発明の評価方法は後述の如く時間変化とは関係のない特性(静特性)を扱うためである。
【0030】
次に、本発明の評価方法の手順について説明を行う。図8は、実物のTEGを用いて計測を行うことによって実際のオン電圧値Vfを得る手順の一例を示すフローチャートである。
【0031】
まず、計測を自動的に行う制御手段によって制御が開始される(SA0)。制御手段は本発明のTEGに対して計測を行い、図9に示されるようなI−V特性のプロファイルを獲得する(ステップSA1)。具体的には、制御手段は、TEGのエミッタ電極とコレクタ電極とに印加された電圧値と、これらの間を流れる電流値との相関を得る。
【0032】
次に、獲得されたプロファイルに基づき、図9に示されるように、制御手段は基準電流値I0を与える電圧値であるオン電圧値Vfを獲得する(ステップSA2)。基準電流値I0は、使用者が任意に制御手段に設定しておけば良い。ステップSA3にて制御は終了する。
【0033】
次に、シミュレーションに関する手順について説明を行う。図10は、シミュレーションの手順を示すフローチャートである。まず、ステップSB0において処理が開始される。使用者は、ステップSB1においてデバイスシミュレータにTEGの構造の設計条件(大きさ、不純物濃度等)を入力する。次に、ステップSB2において、シミュレーションの際にパラメータとなる、キャリアのライフタイム値を複数種ほど設定する。
【0034】
ステップSB3においてデバイスシミュレータは、TEGのI−V特性に関するシミュレーションを行う。具体的には、設定された複数種のキャリアのライフタイム値のうちの1つに関して、入力された設計条件のTEG内部の様子をシミュレーションする。これによって、用いられたライフタイム値に固有である、図9と同様なI−V特性のプロファイルが得られる。
【0035】
ステップSB4においては、ステップSB2において設定された全てのライフタイム値に対してステップSB3のシミュレーションが行われたか、即ちシミュレーションが終了しているかを判断する。“YES”と判断された場合にはステップSB5へと進み、“NO”と判断された場合にはステップSB3へと進み残るライフタイム値のうちの1つに対してシミュレーションを行う。
【0036】
ステップSB5においては、ステップSB3においてライフタイム値毎に得られた複数のI−V特性のプロファイルそれぞれに関して、基準電流値I0が得られるオン電圧Vf(Sim)を獲得する。全てのオン電圧Vf(Sim)が獲得されると、ステップSB6において処理は終了する。
【0037】
シミュレーションの際には、図11に示されるような円筒形のモデルを正方形である実物のTEGの代わりに用いる。図12は、実物のTEGとモデルであるTEGとの関係を例示する平面図である。同図に示されるように、モデルのTEGの構成要素の外縁は、対応する実物のTEGの構成要素それぞれに内接する円によって定まっている。例えば、モデルのエミッタ領域Eは、実物のTEGのエミッタ領域Eの外縁に内接する外縁を有する。それ故、実物のTEGの構成要素が一辺2rの正方形である場合には、モデルのTEGの構成要素は半径rの円である。
【0038】
円筒形のモデルは、自身の底面に平行な断面においては中心点に関して対称である。従って、シミュレーションの際に座標成分を1つ減らすことが可能であり、円筒形のモデルを用いることによってシミュレーションの高速化が図られる。また、電子のライフタイム値τeと正孔のライフタイム値τpとは実際には異なるが、同じであると仮定してシミュレーションを行っている。この仮定による誤差は無視できる程度のものである。
【0039】
I−V特性のプロファイルを得ることによってオン電圧Vf(Sim)を求めているので、図12に示されているように各構成要素の面積が実物とモデルとにおいて異なることに関して、調整を行う必要がある。そこでシミュレーションにおいては、図10に示されるステップSB5においてオン電圧Vf(Sim)を獲得する際に、シミュレーションの際の電流値に4/πをかけたものを用いている。4/πがかけられているのは、正方形とこれに内接する円との面積の比が4:πであるためである。
【0040】
図13は、TEGの実測値とシミュレーション値とに関するI−V特性のプロファイルを例示するグラフである。同図においては、シミュレーションにおける電流値は4/πがかけられてプロットされている。白丸はTEGの実測値を表している。黒丸及び黒三角等はライフタイム値毎のシミュレーションの結果を示しており、これらの点とライフタイム値との関係は同図に示されている。同図に示されている実物のTEGは、自身の正方形のエミッタ領域の一辺が100μmの長さである。
【0041】
例えば、基準電流値I0が6mAである場合を考える。図13を参照すれば理解されるように、I−V特性のプロファイルと電流値が6mAである横線との交点の電圧値が、オン電圧Vf,Vf(Sim)となる。同図においては、ライフタイム値が20μsであるシミュレーションの結果である黒四角と、10μsの結果である黒丸とのそれぞれのオン電圧Vf(Sim)の間に、実測値である白丸のオン電圧Vfが存在している。従って、実物のTEG内部のキャリアのライフタイムは10〜20μsの範囲に存在すると評価される。
【0042】
更に詳細に比較を行うことも勿論可能である。白丸と黒丸とのそれぞれのオン電圧は共に1.2(V)であり近いので、TEG内部のキャリアのライフタイム値は10μsであると評価しても良い。
【0043】
このようにオン電圧同士の比較によってライフタイム値を推測することを、簡便のために「推測行為」と後に呼称する。
【0044】
上述の方法によって得られたライフタイム値が信頼できるかを調べるには、従来の方法を本発明のTEGに用いてライフタイム値を得て、両者を比較すれば良い。比較の結果は実施の形態5において示す。
【0045】
本発明のライフタイム評価用TEGは実際に製品として用いられる半導体基板に形成されているので、キャリアのライフタイムの評価を直接的に行えるという利点が得られる。これによって、ライフタイムの評価が信頼性の高いものとなる。
【0046】
また、本実施の形態において示したライフタイムの評価の方法は、従来のものよりも必要とする機器が少なくて済むという利点を有する。
【0047】
以上の説明においては正方形のTEGが用いられていたが、これはシミュレーション等の簡便のためであり、三角形等、どのような形のTEGを用いることも可能である。
【0050】
実施の形態2.
以下、既に説明の行われたものと同一の構成、構造には同一の参照符号を付し、説明は省略する。
【0051】
図14は、チップTが配置されたウェーハWを例示する平面図である。本実施の形態においては、チップTのスクライブラインに実施の形態1のTEGを形成する場合について示す。図15は、図14において点線で囲まれている部分を拡大して示す平面図である。簡便のため、同図に向かって右上のチップから順に時計まわりに“T1”〜“T4”の参照符号を付す。
【0052】
厳密には、ウェーハ内部の位置によってキャリアのライフタイム値は異なることがわかっている。従って、複数のTEGをスクライブラインの様々な場所に形成することによって、ライフタイム値を厳密に推定することが可能となる。例えば、図15に向かって上側のTEGによってチップT1,T4におけるキャリアのライフタイム値を推定することができる。同様に、向かって下側のTEGによってチップT2,T3におけるキャリアのライフタイム値を推定することができる。
【0053】
製品として使用するために図14のウェーハWをチップTへと切り出した際には、スクライブラインに形成されたTEGの痕跡は当然チップTには残らない。従って、チップTを使用する際にTEGによって集積回路に影響が与えられるという問題は生じない。また、製品となるチップTにTEGを配置する領域を確保する必要もない。
【0054】
実施の形態3.
実施の形態2においてはスクライブラインにTEGを形成したが、試験用のチップ内にTEGを形成しても良い。図16は、試験用のチップ内にTEGが形成されたウェーハを例示する平面図であり、図15に示される構成に代わるものである。
【0055】
図16に示されるチップT4は製品としてではなく、製品として用いられるチップT1〜T3の試験用として用いられる。試験用のチップT4にTEGを配置することによって、チップT1〜T3内のキャリアのライフタイムを推定することが可能となる。また、実施の形態2の構成と同様に、製品たるチップT1〜T3にTEGの痕跡が残ることが回避される。
【0056】
また、チップT1〜T4が切り出された際にも、チップT4にはTEGが残存する。従って、スクライブラインのTEGが消失する実施の形態2とは異なり、製品化した後にライフタイムの評価を行うことが可能である。
【0057】
実施の形態4.
本実施の形態においては、製品として用いられるチップ内にTEGを形成する場合について示す。図17は、製品として用いられるチップT1にTEGが形成された構成を例示する平面図である。TEGは、チップT1内のうち、素子として機能する領域RG以外の部分に形成されている。
【0058】
製品として用いられるチップT1内のキャリアのライフタイム値を直接的に評価することに加え、ウェーハの切り出しの前後を問わずいつでも評価を行うことが可能であるという利点が得られる。勿論、チップT2〜T4にもTEGを形成しても良い。
【0059】
実施の形態2〜実施の形態4のそれぞれのTEGの配置の方法は互いに排他的であるものではなく、例えば試験用のチップT4とスクライブラインとにそれぞれTEGを配置することも可能である。
【0060】
実施の形態5.
図18は、互いに面積が異なる複数のTEGがスクライブラインに形成されている構成を例示する平面図である。図19は、図18に示されるXIX-XIX線における断面を例示する断面図である。同図に示されるように、複数のTEGを与えるようにエミッタ領域Eが複数個形成されている。
【0061】
互いに面積が異なる複数のTEGを用いて評価を行うことによって、実施の形態1の推測行為における比較を行う際に、TEGのエミッタ領域Eの面積がバリエーションとして加えられる。
【0062】
図20は、オン電圧Vfを縦軸に、エミッタ領域Eに関する長さLを横軸にするグラフである。エミッタ領域Eに関する長さLとは、実物のTEGでは正方形の一辺の半分の長さであり、モデルのTEGでは円の半径である。周知のように面積は長さの2乗に比例するので、同図においてはライフタイム値とエミッタ領域Eの面積とオン電圧Vfとの関係が示されているといえる。
【0063】
実施の形態1においては、推測行為を行う際に、TEGの面積にバリエーションがない。しかし、本実施の形態においてはバリエーションがあるので、図20に示されているようにデータは点ではなく線として表される。従って、推測行為における信頼性が実施の形態1の場合よりも高まる。
【0064】
図20に示されている場合には、白丸にて示されている実物のTEG内部のキャリアのライフタイム値は、黒丸にて示されているライフタイム値が10μsであるシミュレーションの結果と非常に近い。従って、実物のTEG内部のキャリアのライフタイム値は10μs程度であると推測される。
【0065】
図8及び図10にそれぞれ示される手順によって得られた実物のTEG及びモデルのTEGのそれぞれのデータ(パラメータはライフタイム値τ、長さL及びオン電圧Vfである)を取り込みつつ自動的に図20に示されているようにグラフ上にプロットして表示する表示手段を用いることによって、解析者の負担は軽減される。
【0066】
実施の形態1において記載したように、上述の方法によって得られたライフタイム値が信頼するに足ることを調べるには、従来の方法を本発明のTEGに用いてライフタイム値を得て、両者を比較すれば良い。
【0067】
図21及び図22はそれぞれ、図33及び図34に相当するグラフである。図21においては左側の縦軸にはTEGを流れる電流値Iが、右側の縦軸には電流密度が、横軸には矩形電圧が印加される際の時間tがとられている。実物のTEG(エミッタ領域Eの正方形の一辺が100μmの場合)は白丸にて、シミュレーション(ライフタイム値τ=2μsの場合)の結果は黒い三角にてそれぞれ例示されている。このようにして得られた値を用いて、図22に示されるような関係を得る。
【0068】
図22は、シミュレーションの結果を矩形電圧の設定値が与える電流値毎に線で結ぶことによって得られたグラフである。縦軸は逆回復時間Trrであり、横軸はライフタイム値τである。図21においては実物のTEGの逆回復時間Trrは5.85μsと読み取られ、図22においては矩形電圧の設定値によって与えられる電流値が±10mAの場合は黒い四角にて表されている。黒い四角を結ぶ線と逆回復時間5.85μsとの交点のライフタイム値は約8μsである。
【0069】
従って、本発明の方法及び従来の方法でそれぞれ得られたライフタイム値は10μs,8μsであるので、従来の方法がライフタイム値のおおよその値を得るものであることを考慮すると、本発明の方法を用いることによってライフタイム値を推定し得ていると言える。
【0070】
尚、図22においては、矩形電圧の設定値によってそれぞれ±20,±100mAが与えられる場合についても図示されている。±20,±100mAという電流値に対して逆回復時間Trrはそれぞれ4.17,2.29μsである。
【0071】
上述の説明においては複数のTEGはスクライブラインに形成されていたが、スクライブラインのみに限られるものではない。図23は、複数のTEGが配置された構成を例示する平面図である。同図に示されるチップT1,T2は製品として使用されるチップであり、チップT3,T4はチップT1,T2の評価用として使用されるチップである。
【0072】
チップT1には互いに面積が異なる複数のTEGが形成されている。チップT4にはその全面にわたって複数のTEGが形成されており、エミッタ領域Eの面積のサンプルを充実させるためにチップT3にはその全面を用いて1つのTEGが形成されている。
【0073】
本実施の形態においては、複数のTEGが形成されていることに対応して、図10に示されている手順に対してステップSB7を付け加えることが必要となる。図24は、ステップSB7を含むシミュレーションの手順を例示するフローチャートである。ステップSB7においては、図10に示されているステップSB4とステップSB5との間において、全てのTEGの面積に対してシミュレーションが行われたかが判断される。
【0074】
ステップSB7において“YES”と判断された際には、ステップSB5へと進み次の処理が行われる。“NO”と判断された際にはステップSB3へと進み、まだシミュレーションが行われていない面積を有するTEGに関してシミュレーションを行う。図8に示される手順に関しては、ステップSA0〜SA3を面積毎に行うことが必要となる。
【0075】
本実施の形態においては、エミッタ領域Eの面積が異なる複数のTEGをウェーハに形成することについて示した。これによって、キャリアのライフタイムの評価において信頼性が高まる。
【0076】
実施の形態6.
図20を参照すれば理解されるように、シミュレーションの際のライフタイム値毎のオン電圧値Vfは、エミッタ領域Eの長さL(面積)が小さくなるにつれて互いから離れる。一方、エミッタ領域Eの面積が大きい場合、例えば長さLが3×103μm程度の場合に注目すればわかるように、シミュレーション毎の結果はこの部分においては互いに近接している。
【0077】
シミュレーションの結果が近接している場合には、これらの間に実物のTEGの実測値が存在しても、この実測値がどの結果にどれくらい近いかを判断することは困難である。しかし、結果が互いに離れている場合には容易である。そこで、エミッタ領域Eの面積をシミュレーションの結果が互いに離れる程度に小さく設定しておくことことが望ましい。この場合の“エミッタ領域Eの面積が小さい”とは、コレクタ領域Cの面積に対応して小さいの意味である。以下に、エミッタ領域Eの面積の、コレクタ領域Cの面積に対する比を小さくする場合のサイズの設定の目安について説明を行う。しかし、面積比を議論するためには基準となる面積を明確なものとする必要がある。そこで、前段階としてまずウェーハの構成要素の面積について説明を行う。
【0078】
図25は、ウェーハWを一点鎖線にて、ウェーハWが分割されて形成されたチップTを実線にて示す断面図である。同図を参照すれば明らかなように、ウェーハWがチップTへと分割された場合には、エミッタ領域Eと対であるコレクタ領域Cの面積は分割の前後において異なることになる。従って、エミッタ領域E及びコレクタ領域Cが互いに対となる面積をどのように考えれば良いかを明確としておくことに意義がある。
【0079】
図26に図示されるように、チップTの状態でのエミッタ領域E及びコレクタ領域Cは各々、上底面及び側面からなる6面を有する。エミッタ領域Eの面積とは、自身の有する6面のうち、チップTの表面として露出されているものの面積である。同様に、コレクタ領域Cの有する6面のうちチップTの下面として露出されているものの面積が、コレクタ領域Cの面積である。
【0080】
図27は、コレクタ領域Cのうち、1つのエミッタ領域Eに対応する部分がどの範囲であるかを例示する断面図である。エミッタ領域Eの中心を通る中心線とコレクタ領域Cとの交点から、ウェーハW(チップT)の高さhの5倍である5hの範囲内にある部分(左右合わせて10hの幅に存在する部分)がエミッタ領域Eと対となる部分であると考えることができる。この範囲にある部分がエミッタ領域Eに対して実際のコレクタ領域として機能し、図中コレクタ領域Cからエミッタ領域Eへと向かう矢印のように電流が流れると考えられる。
【0081】
そこで、以下においてはコレクタ領域Cのうち実際に機能する部分を機能領域WTとして参照する。また、エミッタ領域Eと機能領域WTとの面積比を面積比Ra(エミッタ領域Eの面積/機能領域WTの面積)として参照する。図28は、エミッタ領域Eと機能領域WTとを例示する斜視図である。
【0082】
次に、上述のようにエミッタ領域Eの面積をシミュレーションの結果が互いに離れる程度に小さく設定する事に関して説明を行う。図20に示される結果に関しては、同図に向かって最も右に位置するデータ(長さが3×103μm付近のもの)が、面積比Ra=1の場合に得られたものである。図を参照すれば明らかであるように、長さが102μm以下である範囲においてはデータ同士の間隔が十分保たれている。面積は長さの2乗に比例するので、面積比Raが1/1750000〜1/4500程度となるようにエミッタ領域Eを形成すれば十分であることがわかる。
【0083】
面積比を小さくすることによって、実測及びシミュレーションによってそれぞれ得られた結果が互いにどのような相関があるかを観察することが容易となる。また、評価の精度が向上され、信頼性が高まる。
【0087】
【発明の効果】
請求項1に記載の構成によれば、半導体基板のうち、実際に半導体装置として機能すべき製品用チップとなる部分には電極用領域が形成されない。これによって、余計な素子が形成されることによる製品用チップへの影響をなくすことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1に従うTEGの配置されたウェーハの構造の一例を示す平面図である。
【図2】 実施の形態1に従うTEGの構造の一例を示す断面図である。
【図3】 実施の形態1に従うTEGの配置されたウェーハ構造の一例を示す断面図である。
【図4】 図3に示されるTEGの不純物濃度のプロファイルの一例を示すグラフである。
【図5】 実施の形態1に従う、TEGの特性を得るための計測系の構成の一例を示す回路図である。
【図6】 図5に示される構成を実現するための機器構成の一例を示す回路図である。
【図7】 図6に示されるホルダの構造の一例を示す斜視図である。
【図8】 実施の形態1に従う、TEGの特性を得る手順の一例を示すフローチャートである。
【図9】 I−V特性のプロファイルの一例を示すグラフである。
【図10】 実施の形態1に従うシミュレーションの手順の一例を示すフローチャートである。
【図11】 シミュレーションに用いられるモデルであるTEGの構造の一例を示す断面を表す斜視図である。
【図12】 実物のTEGと図11に示されるモデルのTEGとの関係を例示する平面図である。
【図13】 実測及びシミュレーションによって得られた結果の一例を示すグラフである。
【図14】 ウェーハにおけるチップの配置の一例を示す平面図である。
【図15】 実施の形態2に従う、スクライブラインにTEGが形成されている構造の一例を示す平面図である。
【図16】 実施の形態3に従う、試験用のチップ内にTEGが形成されている構造の一例を示す平面図である。
【図17】 実施の形態4に従う、製品用のチップ内にTEGが形成されている構造の一例を示す平面図である。
【図18】 実施の形態5に従う、スクライブラインに複数のTEGが形成されている構造の一例を示す平面図である。
【図19】 図18に示されるXIX-XIX切断線における構造を例示する断面図である。
【図20】 実施の形態5に従うTEGに関する解析結果の一例を示すグラフである。
【図21】 本発明のTEGを従来方法によって検証することによって得られた結果の一例を示すグラフである。
【図22】 図21に例示される結果の解析結果を例示するグラフである。
【図23】 実施の形態5に従う、試験用及び製品用のチップ内に複数のTEGが形成されている構造の一例を示す平面図である。
【図24】 実施の形態5に従う、複数のTEGの特性を得る手順の一例を示すフローチャートである。
【図25】 実施の形態6に従う構成を説明するために用意された断面図である。
【図26】 実施の形態6に従う構成を説明するために用意された斜視図である。
【図27】 実施の形態6に従う構成を説明するために用意された断面図である。
【図28】 実施の形態6に従う構成を説明するために用意された斜視図である。
【図29】 従来のライフタイム評価用TEGの配置を示す平面図である。
【図30】 従来のライフタイム評価用TEGの構造を示す断面図である。
【図31】 ライフタイム評価用TEGに適用される従来の評価方法を実現するための回路構成を示す回路図である。
【図32】 図31に示される回路構成を実現する機器構成を示す模式図である。
【図33】 逆回復時間Trrを説明する波形図である。
【図34】 従来のライフタイム評価方法を示す模式図である。
【符号の説明】
Ba ベース領域、Bu バッファ領域、C コレクタ領域、E エミッタ領域、I0 基準電流値、T,T1〜T4 チップ、Vf オン電圧、W ウェーハ、WT 機能領域、τ ライフタイム値。
Claims (1)
- 第1及び第2の主面を備える半導体基板に形成された、該半導体基板内のキャリアのライフタイムの評価に用いられるライフタイム評価用TEGであって、
それぞれ互いに異なる第1及び第2の導電型である第1及び第2の導電層は、前記第1及び第2の主面をそれぞれ与え、
前記第1の導電層は、
前記第1の主面側の表面部に選択的に形成されており、不純物の濃度が比較的高い電極用領域と、
前記電極用領域と前記第2の導電層とを接続する、前記不純物の濃度が比較的低い接続領域と
を含んでなり、
前記電極用領域は、前記半導体基板のスクライブラインに形成されていることを特徴とする、
ライフタイム評価用TEG。
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