JPH07159496A - 集積回路の検査のための装置及びその方法 - Google Patents

集積回路の検査のための装置及びその方法

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JPH07159496A
JPH07159496A JP6243543A JP24354394A JPH07159496A JP H07159496 A JPH07159496 A JP H07159496A JP 6243543 A JP6243543 A JP 6243543A JP 24354394 A JP24354394 A JP 24354394A JP H07159496 A JPH07159496 A JP H07159496A
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JP
Japan
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cells
circuit
current
scanning
integrated circuit
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JP6243543A
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Andres R Teene
アール.ティーン アンドレス
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NCR Voyix Corp
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AT&T Global Information Solutions International Inc
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
    • G01R31/3004Current or voltage test

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、集積回路の検査のための装置なら
びにその方法を提供し、より特定すれば、検査しようと
する集積回路内に検査回路を直接埋め込み、検査を実行
しつつ当該回路の連続動作を可能にするような装置なら
びにその方法を提供する。 【構成】 電流監視セルをチップ内部の電力供給線上の
選択した位置に配置する。それぞれのセルは所定の時刻
に流れる電流を基準と比較する。電流が基準を超過して
いる場合には、チップ内部の障害を表わす信号を提供す
る。セル内のフリップフロップは障害状態の表示を維持
するように設定する。2つの実施例において、セルはそ
れぞれのセルについて検査結果を順次アクセスするため
に用いる走査チェーンへ接続してある。第3の実施例は
走査チェーンを含まない。電流分流器をそれぞれのセル
に含めることで機能回路から障害検出器の電圧降下を分
離し、障害検出を目的とした電流の測定による影響を最
小限に抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
【0002】本発明は一般に集積回路の検査のための装
置ならびにその方法に関し、より特定すれば、検査しよ
うとする集積回路内に検査回路を直接埋め込み、検査を
実行しつつ当該回路の連続動作を可能にするような装置
ならびにその方法に関する。
【技術的背景】CMOS(相補型金属酸化物半導体)集
積回路用製造検査プログラムの開発は開発作業に時間が
かかり高価である。CMOS集積回路の回路設計が複雑
になり、製造検査開発は設計サイクルの大きな部分とな
っている。現在、検査プログラム開発のための技術の大
半は「スタック・アト・フォールト(Stuck-at-faul
t)」方式の使用に基いている。「スタック・アト・フ
ォールト」モデルは障害シミュレーション、ATPG
(自動検査パターン生成)、スキャン検査、BIST
(内蔵自己検査技術)、および幾つかの埋め込み型検査
構造の基本である。「スタック・アト・フォールト」モ
デルは考え得る製造時の欠陥の過半数を識別する上で不
十分であることが示されている。
【0003】Iddq(静的または静止型電力供給電
流)検査はスタティック型CMOS回路製造時の欠陥を
検出する一層正確な方法として提案された。Iddq検
査は静止Idd電流の監視に基づくものである。静止I
dd電流の変化は障害のある回路を示し得る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は標準セル及び
ゲートアレイ集積回路用として、セルのアレイ内に直接
Iddq検査回路を埋め込むことにより、内部Iddq
電流検査能力を提供するための装置及びその方法を目的
としている。Iddq電流はセルのアレイ内部の様々な
点で監視され、標準セル、ゲートアレイ、及び多数ゲー
トCMOS集積回路に実現可能である。これによって高
価な検査用機器またはさらなる検査パターンの生成を必
要とせずにチップそれ自体で製造時検査を行なうことが
できるようになる。Iddq検査は機能パターンと使用
可能である。これはJTAG規格(JTAG1149.
1は境界走査に関するIEEE規格の1つ)を支持し集
積回路の回路内検査を可能にする。埋め込み型内蔵Id
dq検査回路も電流のリアルタイム監視、電流流量分析
及び障害の識別に用いることができる。
【0005】よって本発明は高価な検査用機器または時
間のかかる検査パターン生成なしでチップ内電流の内部
的監視を提供するものである。電流監視セルも検査パタ
ーンと組み合わせて使用して障害の識別のために電流の
リアルタイム監視を提供することができる。
【0006】従って、本発明の目的は集積回路用埋め込
み型内蔵静電流検査のための装置ならびにその方法を提
供することである。
【0007】本発明の別の目的は検査を実行しつつ検査
している集積回路の連続動作を可能にするような埋め込
み型内蔵静電流検査を行なえるような装置及びその方法
を提供することである。
【0008】本発明の別の目的は高価な検査用機器また
は時間のかかる検査パターンを生成せずにチップ内の電
流を監視するための装置及びその方法を提供することで
ある。
【0009】本発明の別の目的は検査結果を読み出すた
めの走査チェーンに接続してある複数の電流監視セルを
用いる静電流検査を行なうための装置を提供することで
ある。
【0010】以上の目的は、集積回路内の障害を検査す
るための装置であって、前記集積回路内部に埋め込まれ
てこれの障害を検出する能力を有する複数の電流監視セ
ルと、前記電流監視セルに結合してあり前記電流監視セ
ルを順次走査するための走査回路とを含むことを特徴と
する装置を提供することによって達成される。
【0011】
【実施例】本発明のさらなる特徴と利点は以下に示す好
適実施例についての説明と付随の請求項を添付してある
図面と併せて熟読することにより、本発明に関連の当業
者には明らかとなろう。
【0012】ここで図1を参照すると、内蔵Iddq検
査回路を有する集積回路10が図示してある。検査回路
は電力分布と電流検出の両方に用いる複数のIddq電
流監視セル12を含む。セル12は図示した実施例にお
いては縦方向の行と横方向の列に配置してあり、内部の
電力バス14が電力をこれらのセルに分配する。電力は
図示した実施例では内部電力バス14と直交して走る供
給バス16により内部電力バス14へ分配される。回路
10が設計された特定の機能を実行するための標準また
はゲートアレイ・セル18は電流監視セル12の間に配
置され、電力は内部電力バス14によりこれらのセル1
8へ提供される。
【0013】Iddq電流監視セル12を、電力分布及
びIddq電流監視の両方のために供給バス16と内部
バス14の間の全てのまたは選択したグリッド接続点に
用い得ることが理解できよう。Iddq電流監視セル1
2の各々はアレイ内の所望の点でIddq電流を検査で
きる。Iddq電流監視セル12はそれぞれのセル12
におけるIddq検査結果を順次アクセスするために用
いる走査チェーンに接続する。1つのセル12の走査出
力(Scan Out)接続に関しては隣接するセル12の走査
入力(Scan In)位置に接続し、これを繰り返す。走査
出力接続は検査制御論理回路22内部で終わり、検査結
果はここで受信分析される。基準電圧は検査制御論理回
路22が供給し導電性経路24上の各種セル12に印加
する。
【0014】各々のIddq電流監視セル12は、集積
回路10の電力グリッドにおける様々な接続点で静止I
ddq電流を監視するために使用する電力グリッド分配
の部分を成している。それぞれのセル12は電力の分配
と電流の監視双方に使用する。図2に図示したようなセ
ル12には次のような3種類の主要部材が含まれる:I
ddq電流を電流の関数である電圧降下V(Iddq)
に変換する電流検出器26、電圧降下を基準電圧と比較
するコンパレータ28、結果の走査とラッチに使用する
走査フリップフロップ30である。電流検出器26は、
エミッタを導体32及びノード34経由でVSS供給1
6へ結合してあり、コレクタをノード36と導体38経
由で内部電力バス14へ結合してあり、ベースを導体4
0経由でノード36へ結合してあるトランジスタを有す
る。前記トランジスタ26は通常の回路動作中に、ノー
ド34と内部電力バス14の間に接続してあり前記トラ
ンジスタのゲートへバイパス線46から信号を印加する
ことで導通させることができるMOSトランジスタ44
を含むバイパス回路42を作動させることで、電流検出
器内の電圧降下により発生し得る性能に対する影響を回
避するため、回路から任意に切り放すことができる。
【0015】図2の基準電圧VREFは障害のない回路
での最大Iddq電流を検査するように設定する。最大
Iddq電流より大きな電流は回路に障害があることを
示す。電圧VREFも、電力グリッド内の電流の流れを
分析するために使用可能な異なる電流レベルを測定する
ために変化させることができる。
【0016】通常の動作において、電流検出器はIdd
q電流をV(Iddq)電圧レベルに変換し、これをコ
ンパレータの正の端子に印加し、コンパレータの負の端
子には基準電圧VREFを配線24経由で印加する。2
つの電圧をコンパレータ28で比較し、比較の結果回路
内に障害が存在することが示された場合、適当なレベル
の信号を走査フリップフロップのデータ端子Dに印加す
ることで、フリップフロップをセットする。フリップフ
ロップの状態は、フリップフロップ30の走査データ端
子SDに接続した走査入力線と出力Qに接続した走査出
力線を経由して、走査チェーン20により続けて確定さ
れる。フリップフロップ30がとり得る2つの状態のう
ちの所定の1つであれば、これは回路内に障害がないこ
とを示し、また他方の状態であれば、これは障害が存在
することを示す。
【0017】本発明のIddq電流監視の第2の実施を
図3に図示した。この実施は、電流検出器50と、コン
パレータ52と、走査フリップフロップ54を含むこと
において図2の実施と類似している。しかし、2つのM
OSトランジスタ58、60を含む電流分流器56を含
む点で異なっている。この回路は電流測定の影響を最小
限に抑えるためのものである。電圧VDDをトランジス
タ58、60の各々のゲートに印加する。トランジスタ
58はソースをVSS供給源16に接続してあり、また
ドレインを内部バス14に接続するノード62に接続し
てある。トランジスタ60はドレインをノード64経由
でコンパレータ52の正の端子へ接続してある。コンパ
レータ52の出力は図2の実施例の場合と同様にフリッ
プフロップ54のデータ入力Dへ接続してある。電流検
出器50のエミッタは電圧供給源VSOURCEへ接続
してあり、またコレクタはノード66経由でノード64
へ接続し、ベースもノード66へ接続してある。
【0018】前述のように、2つのトランジスタ58、
60は電流分流器として作用し、全電流の比較的小さな
部分を検査機能に使用するように相互の大きさが決めて
ある。これは集積回路10の通常の連続動作中に検査を
行なうことの影響を最小限に抑えるためである。量W/
Lはトランジスタの大きさに関係する幅対長さの比であ
る。トランジスタの相対的な大きさは2つのトランジス
タが流す電流に比例する。項Nは2つのトランジスタの
相対的な大きさの比である。つまりトランジスタ58の
大きさがトランジスタ60の大きさのN倍であり、全電
流量のうちのわずかな部分だけがトランジスタ60を通
過して検査機能を実行するのに使用されるということが
理解されよう。このような構成によって、電流検出器を
流れる電流はIddq/(N−1)であり、電流検出器
における電圧降下はV(Iddq)、トランジスタ58
を流れる電流はIddq*N/(N−1)となる。
【0019】図3の回路の動作は基本的に図2の回路と
同様であるが、全電流量の比較的小さい部分だけが比較
の目的に使用される点で異なっている。この比率は電流
検出器50によってV(Iddq)電圧へ変換され、こ
の電圧レベルをコンパレータ52で基準電圧レベルVR
EFと比較し、比較の結果をあらわす信号を走査フリッ
プフロップ54へ印加する。フリップフロップの状態が
走査入力と走査出力導線を介して走査演算中に走査され
ることは前述の通りである。
【0020】本発明によるIddq電流監視の第3の実
施を図4に図示してある。本実施において、電流検出器
とコンパレータを検査制御論理回路へ移動することによ
って簡略化を達成している。これらはブロック70で図
示したように全ての電流監視セルが共有し、図1の検査
制御論理回路22に含まれると見なすことができる。図
4では単一の行に配置した2個の類似したIddq電流
監視セル72、74を図示しているが、図1に示した構
成と同様に複数の行と列に配置してある複数のこのよう
なセルを集積回路に容易に組み込むことができるものと
考えられる。セル72は図3の実施例におけるトランジ
スタ58、60と同様の一対のMOSトランジスタ7
6、78を含む。トランジスタ76はVSS供給源16
とノード80の間に接続し、トランジスタ78はノード
80と導体82の間に接続する。ノード80は、行
(I)列(J)に位置するセル内の電流をあらわす電流
Iddq(I,J)をノード80とトランジスタ76、
78へ供給するVSS内部バス14へ接続する。トラン
ジスタ76のゲートは電圧供給源VDDへ接続し、一方
トランジスタ78のゲートは選択線82へ接続し、ここ
に選択信号SELECT(I,J)を印加することがで
きる。
【0021】セル74は同様の構成で、トランジスタ8
6をVSS供給源16とノード90の間に接続し、トラ
ンジスタ88をノード90と導体82の間に接続する。
ノード90はVSS内部バス14に接続する。トランジ
スタ86のゲートは電圧供給源VDDへ接続し、トラン
ジスタ88のゲートは選択線92へ接続して、ここに選
択信号SELECT(I,K)を印加することができ
る。
【0022】導体82は第1と第2のノード94、96
を経由して検査論理回路ブロック70内の電流検出トラ
ンジスタ98のコレクタへ接続する。前記トランジスタ
のエミッタは電圧VSOURCEの供給源へ接続し、ベ
ースはノード96へ接続する。
【0023】電流検出トランジスタ98のコレクタへ電
気的に結合してあるノード94はコンパレータ100の
正の入力へ接続し、コンパレータ100の負の入力は基
準電圧VREFへ接続する。コンパレータの出力は線1
02へ流れる。検査論理回路70で測定した電流は選択
したセル全部の(N−1)で除算したIddq電流の和
である。
【0024】セル72などのそれぞれのセルはトランジ
スタ78のゲートへ接続した導線82へ、例えばSEL
ECT(I,J)などの適切な選択信号を印加すること
によって、個別に問合せすることができる。図3との関
連において前述したように、2つのトランジスタ76と
78は電圧分圧回路として作用するので、セル72を含
む集積回路に通常動作を継続させつつ検査を実行するこ
とができる。トランジスタ78のゲートへの信号SEL
ECT(I,J)の印加によって、コンパレータ100
の正の入力に信号を印加することになり、セル72が監
視している集積回路の一部に障害が存在するか否かを示
す論理値を有する出力信号が出力線102に現われるこ
とになる。コンパレータ100の出力は、障害の存在を
あらわすセルがもし存在するならどれなのかを特定する
ために、SELECT(I,J)などの各種選択信号の
印加の時刻に対応する時刻にサンプリングすることがで
きる。
【0025】
【発明の効果】本発明は一般に集積回路の検査のための
装置ならびにその方法を提供し、より特定すれば、検査
しようとする集積回路内に検査回路を直接埋め込み、検
査を実行しつつ当該回路の連続動作を可能にするような
装置ならびにその方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 埋め込み型内蔵Iddq検査能力を含む集積
回路の略図である。
【図2】 Iddq電流監視セルの回路図である。
【図3】 図2と動揺の回路図であるが、電流分流回路
を含むIddq電流監視セルを示す。
【図4】 共通電流検出付きの複数の電流監視セルを示
す回路図である。
【符号の説明】
10 集積回路 12 セル 14 電力バス 22 検査制御論理回路 24 導電性経路 26 電流検出器 28 コンパレータ 30 走査フリップフロップ 32 導体 34 ノード 36 ノード 38 導体 40 導体 42 バイパス回路 44 MOSトランジスタ 50 電流検出器 52 コンパレータ 54 走査フリップフロップ 56 電流分流器 58 MOSトランジスタ 60 MOSトランジスタ 62 ノード 64 ノード 66 ノード 70 検査論理回路 72 電流監視セル 74 電流監視セル 76 トランジスタ 78 トランジスタ 80 ノード 82 選択線 86 トランジスタ 88 トランジスタ 90 ノード 92 選択線 94 ノード 96 ノード 98 電流検出トランジスタ 100 コンパレータ 102 出力線

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路内の障害を検査するための装置
    であって、 前記集積回路内部に埋め込まれてこれの障害を検出する
    能力を有する複数の電流監視セルと、 前記電流監視セルに結合してあり前記電流監視セルを順
    次走査するための走査回路とを含むことを特徴とする装
    置。
  2. 【請求項2】 集積回路の障害を検査するための方法で
    あって、 (a)検査すべき集積回路内に複数の電流監視セルを埋
    め込む段階と、 (b)前記セル内部の電流検出回路を用いて電流を検出
    し、障害の存在を調べる段階と、 (c)前記検出した電流から求めた電圧を基準電圧と比
    較する段階と、 (d)このような比較の結果を保存する段階と、 (e)前記セルを順次走査して、障害の存在を示すセル
    がもしあればどれなのかを特定する段階とを含むことを
    特徴とする方法。
JP6243543A 1993-10-12 1994-10-07 集積回路の検査のための装置及びその方法 Pending JPH07159496A (ja)

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US13478893A 1993-10-12 1993-10-12
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3018996B2 (ja) * 1996-07-29 2000-03-13 日本電気株式会社 故障個所特定化方法
US5757203A (en) * 1996-10-16 1998-05-26 Hewlett-Packard Company Multiple on-chip IDDQ monitors
CN1171092C (zh) * 1997-11-20 2004-10-13 株式会社爱德万测试 Ic测试装置
JP3669836B2 (ja) * 1998-03-19 2005-07-13 株式会社リコー Iddqテスト用サイクルの選択抽出装置
US6278956B1 (en) * 1998-04-30 2001-08-21 International Business Machines Corporation Method of locating a failed latch in a defective shift register
FR2785992B1 (fr) * 1998-11-13 2000-12-22 Centre Nat Etd Spatiales Procede et installation de localisation rapide d'un defaut dans un circuit integre
JP2001208803A (ja) * 2000-01-24 2001-08-03 Advantest Corp 半導体集積回路の故障シミュレーション方法および故障シミュレータ
JP4174167B2 (ja) * 2000-04-04 2008-10-29 株式会社アドバンテスト 半導体集積回路の故障解析方法および故障解析装置
US6469538B1 (en) * 2000-06-09 2002-10-22 Stmicroelectronics, Inc. Current monitoring and latchup detection circuit and method of operation
US6765403B2 (en) 2001-02-22 2004-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Test circuit and test method for protecting an IC against damage from activation of too many current drawing circuits at one time
US6590412B2 (en) 2001-06-26 2003-07-08 Logicvision, Inc. Circuit and method for detecting transient voltages on a dc power supply rail
DE10255665B4 (de) * 2002-11-28 2008-05-08 Qimonda Ag Schaltung und Verfahren zur Bestimmung wenigstens eines Spannungs-, Strom- und/oder Leistungswerts einer integrierten Schaltung
US7073106B2 (en) * 2003-03-19 2006-07-04 International Business Machines Corporation Test method for guaranteeing full stuck-at-fault coverage of a memory array
US7240265B1 (en) * 2003-04-28 2007-07-03 Corelis, Inc. Apparatus for use in detecting circuit faults during boundary scan testing
US6831494B1 (en) * 2003-05-16 2004-12-14 Transmeta Corporation Voltage compensated integrated circuits
JP2007500356A (ja) 2003-05-28 2007-01-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シグナルインテグリティ自己テストアーキテクチャ
US6930500B2 (en) * 2003-08-01 2005-08-16 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College IDDQ testing of CMOS mixed-signal integrated circuits
DE60328727D1 (de) * 2003-11-05 2009-09-17 Ibm Heiss umschaltbarer spannungsbus für iddq-strommessungen
US7102357B2 (en) * 2004-03-22 2006-09-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Determination of worst case voltage in a power supply loop
US7193410B2 (en) * 2004-05-04 2007-03-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor monitor for a multiphase circuit
GB0425800D0 (en) 2004-11-24 2004-12-22 Koninkl Philips Electronics Nv Montoring physical operating parameters of an integrated circuit
JP2008538863A (ja) * 2005-04-25 2008-11-06 エヌエックスピー ビー ヴィ 電源電圧の監視
US7219022B2 (en) * 2005-06-30 2007-05-15 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for detecting failure of an isolation device
KR20090002849A (ko) * 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 비트라인 누설 전류를 검출하는 메모리 장치
DE102007047024A1 (de) * 2007-10-01 2009-04-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Testen
JP4877397B2 (ja) * 2010-01-22 2012-02-15 株式会社デンソー 電流センサの異常診断装置、およびセンサの異常診断装置
TWI418816B (zh) * 2011-03-02 2013-12-11 Nat Univ Chung Hsing 高解析度高頻之影像處理晶片的驗證系統
US10139448B2 (en) * 2016-08-31 2018-11-27 Nxp Usa, Inc. Scan circuitry with IDDQ verification

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4347540A (en) * 1981-04-27 1982-08-31 Westinghouse Electric Corp. Solid-state load protection system having ground fault sensing
US4581672A (en) * 1983-08-31 1986-04-08 National Semiconductor Corporation Internal high voltage (Vpp) regulator for integrated circuits
US4597080A (en) * 1983-11-14 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and method for testing VLSI processors
US4642784A (en) * 1984-04-26 1987-02-10 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit manufacture
US4625162A (en) * 1984-10-22 1986-11-25 Monolithic Memories, Inc. Fusible link short detector with array of reference fuses
US4720758A (en) * 1985-07-26 1988-01-19 Tektronix, Inc. Load dependent current limiter for the power supply of a multi-module electronic system
US4739250A (en) * 1985-11-20 1988-04-19 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device with test circuit
US4749947A (en) * 1986-03-10 1988-06-07 Cross-Check Systems, Inc. Grid-based, "cross-check" test structure for testing integrated circuits
KR950008676B1 (ko) * 1986-04-23 1995-08-04 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 메모리 장치 및 그의 결함 구제 방법
US5068603A (en) * 1987-10-07 1991-11-26 Xilinx, Inc. Structure and method for producing mask-programmed integrated circuits which are pin compatible substitutes for memory-configured logic arrays
NL8801835A (nl) * 1988-07-20 1990-02-16 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het testen van meervoudige voedingsverbindingen van een geintegreerde schakeling op een printpaneel.
US4937826A (en) * 1988-09-09 1990-06-26 Crosscheck Technology, Inc. Method and apparatus for sensing defects in integrated circuit elements
US5025344A (en) * 1988-11-30 1991-06-18 Carnegie Mellon University Built-in current testing of integrated circuits
NL8900050A (nl) * 1989-01-10 1990-08-01 Philips Nv Inrichting voor het meten van een ruststroom van een geintegreerde monolitische digitale schakeling, geintegreerde monolitische digitale schakeling voorzien van een dergelijke inrichting en testapparaat voorzien van een dergelijke inrichting.
JP2513904B2 (ja) * 1990-06-12 1996-07-10 株式会社東芝 テスト容易化回路
US5097206A (en) * 1990-10-05 1992-03-17 Hewlett-Packard Company Built-in test circuit for static CMOS circuits
US5299202A (en) * 1990-12-07 1994-03-29 Trw Inc. Method and apparatus for configuration and testing of large fault-tolerant memories
US5371457A (en) * 1991-02-12 1994-12-06 Lipp; Robert J. Method and apparatus to test for current in an integrated circuit
US5159516A (en) * 1991-03-14 1992-10-27 Fuji Electric Co., Ltd. Overcurrent-detection circuit
US5271019A (en) * 1991-03-15 1993-12-14 Amdahl Corporation Scannable system with addressable scan reset groups
DE59106548D1 (de) * 1991-03-28 1995-10-26 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Schutz des Bordnetzes eines Kraftfahrzeugs.
US5260946A (en) * 1991-06-03 1993-11-09 Hughes Missile Systems Company Self-testing and self-configuration in an integrated circuit
US5241266A (en) * 1992-04-10 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Built-in test circuit connection for wafer level burnin and testing of individual dies
US5332973A (en) * 1992-05-01 1994-07-26 The University Of Manitoba Built-in fault testing of integrated circuits
US5233287A (en) * 1992-05-05 1993-08-03 Space Systems/Loral Current limiting bilateral converter having a ground referenced current sensor
DE4305288A1 (de) * 1993-02-20 1994-08-25 Bosch Gmbh Robert Selbsttestverfahren für nicht-reguläre CMOS-Schaltstrukturen mit hoher Defekterfassung
US5392293A (en) * 1993-02-26 1995-02-21 At&T Corp. Built-in current sensor for IDDQ testing
US5459737A (en) * 1993-07-07 1995-10-17 National Semiconductor Corporation Test access port controlled built in current monitor for IC devices
US5483170A (en) * 1993-08-24 1996-01-09 New Mexico State University Technology Transfer Corp. Integrated circuit fault testing implementing voltage supply rail pulsing and corresponding instantaneous current response analysis
TW260788B (ja) * 1993-09-01 1995-10-21 Philips Electronics Nv
DE69516768T2 (de) * 1994-03-09 2000-11-23 Koninkl Philips Electronics Nv Prüfbarer i ddq- speicher durch kumulative wort-zeilen-aktivierung
US5570034A (en) * 1994-12-29 1996-10-29 Intel Corporation Using hall effect to monitor current during IDDQ testing of CMOS integrated circuits

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