JPH07159496A - 集積回路の検査のための装置及びその方法 - Google Patents
集積回路の検査のための装置及びその方法Info
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- JPH07159496A JPH07159496A JP6243543A JP24354394A JPH07159496A JP H07159496 A JPH07159496 A JP H07159496A JP 6243543 A JP6243543 A JP 6243543A JP 24354394 A JP24354394 A JP 24354394A JP H07159496 A JPH07159496 A JP H07159496A
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Abstract
びにその方法を提供し、より特定すれば、検査しようと
する集積回路内に検査回路を直接埋め込み、検査を実行
しつつ当該回路の連続動作を可能にするような装置なら
びにその方法を提供する。 【構成】 電流監視セルをチップ内部の電力供給線上の
選択した位置に配置する。それぞれのセルは所定の時刻
に流れる電流を基準と比較する。電流が基準を超過して
いる場合には、チップ内部の障害を表わす信号を提供す
る。セル内のフリップフロップは障害状態の表示を維持
するように設定する。2つの実施例において、セルはそ
れぞれのセルについて検査結果を順次アクセスするため
に用いる走査チェーンへ接続してある。第3の実施例は
走査チェーンを含まない。電流分流器をそれぞれのセル
に含めることで機能回路から障害検出器の電圧降下を分
離し、障害検出を目的とした電流の測定による影響を最
小限に抑えることができる。
Description
置ならびにその方法に関し、より特定すれば、検査しよ
うとする集積回路内に検査回路を直接埋め込み、検査を
実行しつつ当該回路の連続動作を可能にするような装置
ならびにその方法に関する。
積回路用製造検査プログラムの開発は開発作業に時間が
かかり高価である。CMOS集積回路の回路設計が複雑
になり、製造検査開発は設計サイクルの大きな部分とな
っている。現在、検査プログラム開発のための技術の大
半は「スタック・アト・フォールト(Stuck-at-faul
t)」方式の使用に基いている。「スタック・アト・フ
ォールト」モデルは障害シミュレーション、ATPG
(自動検査パターン生成)、スキャン検査、BIST
(内蔵自己検査技術)、および幾つかの埋め込み型検査
構造の基本である。「スタック・アト・フォールト」モ
デルは考え得る製造時の欠陥の過半数を識別する上で不
十分であることが示されている。
流)検査はスタティック型CMOS回路製造時の欠陥を
検出する一層正確な方法として提案された。Iddq検
査は静止Idd電流の監視に基づくものである。静止I
dd電流の変化は障害のある回路を示し得る。
ゲートアレイ集積回路用として、セルのアレイ内に直接
Iddq検査回路を埋め込むことにより、内部Iddq
電流検査能力を提供するための装置及びその方法を目的
としている。Iddq電流はセルのアレイ内部の様々な
点で監視され、標準セル、ゲートアレイ、及び多数ゲー
トCMOS集積回路に実現可能である。これによって高
価な検査用機器またはさらなる検査パターンの生成を必
要とせずにチップそれ自体で製造時検査を行なうことが
できるようになる。Iddq検査は機能パターンと使用
可能である。これはJTAG規格(JTAG1149.
1は境界走査に関するIEEE規格の1つ)を支持し集
積回路の回路内検査を可能にする。埋め込み型内蔵Id
dq検査回路も電流のリアルタイム監視、電流流量分析
及び障害の識別に用いることができる。
間のかかる検査パターン生成なしでチップ内電流の内部
的監視を提供するものである。電流監視セルも検査パタ
ーンと組み合わせて使用して障害の識別のために電流の
リアルタイム監視を提供することができる。
み型内蔵静電流検査のための装置ならびにその方法を提
供することである。
している集積回路の連続動作を可能にするような埋め込
み型内蔵静電流検査を行なえるような装置及びその方法
を提供することである。
は時間のかかる検査パターンを生成せずにチップ内の電
流を監視するための装置及びその方法を提供することで
ある。
めの走査チェーンに接続してある複数の電流監視セルを
用いる静電流検査を行なうための装置を提供することで
ある。
るための装置であって、前記集積回路内部に埋め込まれ
てこれの障害を検出する能力を有する複数の電流監視セ
ルと、前記電流監視セルに結合してあり前記電流監視セ
ルを順次走査するための走査回路とを含むことを特徴と
する装置を提供することによって達成される。
適実施例についての説明と付随の請求項を添付してある
図面と併せて熟読することにより、本発明に関連の当業
者には明らかとなろう。
査回路を有する集積回路10が図示してある。検査回路
は電力分布と電流検出の両方に用いる複数のIddq電
流監視セル12を含む。セル12は図示した実施例にお
いては縦方向の行と横方向の列に配置してあり、内部の
電力バス14が電力をこれらのセルに分配する。電力は
図示した実施例では内部電力バス14と直交して走る供
給バス16により内部電力バス14へ分配される。回路
10が設計された特定の機能を実行するための標準また
はゲートアレイ・セル18は電流監視セル12の間に配
置され、電力は内部電力バス14によりこれらのセル1
8へ提供される。
びIddq電流監視の両方のために供給バス16と内部
バス14の間の全てのまたは選択したグリッド接続点に
用い得ることが理解できよう。Iddq電流監視セル1
2の各々はアレイ内の所望の点でIddq電流を検査で
きる。Iddq電流監視セル12はそれぞれのセル12
におけるIddq検査結果を順次アクセスするために用
いる走査チェーンに接続する。1つのセル12の走査出
力(Scan Out)接続に関しては隣接するセル12の走査
入力(Scan In)位置に接続し、これを繰り返す。走査
出力接続は検査制御論理回路22内部で終わり、検査結
果はここで受信分析される。基準電圧は検査制御論理回
路22が供給し導電性経路24上の各種セル12に印加
する。
回路10の電力グリッドにおける様々な接続点で静止I
ddq電流を監視するために使用する電力グリッド分配
の部分を成している。それぞれのセル12は電力の分配
と電流の監視双方に使用する。図2に図示したようなセ
ル12には次のような3種類の主要部材が含まれる:I
ddq電流を電流の関数である電圧降下V(Iddq)
に変換する電流検出器26、電圧降下を基準電圧と比較
するコンパレータ28、結果の走査とラッチに使用する
走査フリップフロップ30である。電流検出器26は、
エミッタを導体32及びノード34経由でVSS供給1
6へ結合してあり、コレクタをノード36と導体38経
由で内部電力バス14へ結合してあり、ベースを導体4
0経由でノード36へ結合してあるトランジスタを有す
る。前記トランジスタ26は通常の回路動作中に、ノー
ド34と内部電力バス14の間に接続してあり前記トラ
ンジスタのゲートへバイパス線46から信号を印加する
ことで導通させることができるMOSトランジスタ44
を含むバイパス回路42を作動させることで、電流検出
器内の電圧降下により発生し得る性能に対する影響を回
避するため、回路から任意に切り放すことができる。
での最大Iddq電流を検査するように設定する。最大
Iddq電流より大きな電流は回路に障害があることを
示す。電圧VREFも、電力グリッド内の電流の流れを
分析するために使用可能な異なる電流レベルを測定する
ために変化させることができる。
q電流をV(Iddq)電圧レベルに変換し、これをコ
ンパレータの正の端子に印加し、コンパレータの負の端
子には基準電圧VREFを配線24経由で印加する。2
つの電圧をコンパレータ28で比較し、比較の結果回路
内に障害が存在することが示された場合、適当なレベル
の信号を走査フリップフロップのデータ端子Dに印加す
ることで、フリップフロップをセットする。フリップフ
ロップの状態は、フリップフロップ30の走査データ端
子SDに接続した走査入力線と出力Qに接続した走査出
力線を経由して、走査チェーン20により続けて確定さ
れる。フリップフロップ30がとり得る2つの状態のう
ちの所定の1つであれば、これは回路内に障害がないこ
とを示し、また他方の状態であれば、これは障害が存在
することを示す。
図3に図示した。この実施は、電流検出器50と、コン
パレータ52と、走査フリップフロップ54を含むこと
において図2の実施と類似している。しかし、2つのM
OSトランジスタ58、60を含む電流分流器56を含
む点で異なっている。この回路は電流測定の影響を最小
限に抑えるためのものである。電圧VDDをトランジス
タ58、60の各々のゲートに印加する。トランジスタ
58はソースをVSS供給源16に接続してあり、また
ドレインを内部バス14に接続するノード62に接続し
てある。トランジスタ60はドレインをノード64経由
でコンパレータ52の正の端子へ接続してある。コンパ
レータ52の出力は図2の実施例の場合と同様にフリッ
プフロップ54のデータ入力Dへ接続してある。電流検
出器50のエミッタは電圧供給源VSOURCEへ接続
してあり、またコレクタはノード66経由でノード64
へ接続し、ベースもノード66へ接続してある。
60は電流分流器として作用し、全電流の比較的小さな
部分を検査機能に使用するように相互の大きさが決めて
ある。これは集積回路10の通常の連続動作中に検査を
行なうことの影響を最小限に抑えるためである。量W/
Lはトランジスタの大きさに関係する幅対長さの比であ
る。トランジスタの相対的な大きさは2つのトランジス
タが流す電流に比例する。項Nは2つのトランジスタの
相対的な大きさの比である。つまりトランジスタ58の
大きさがトランジスタ60の大きさのN倍であり、全電
流量のうちのわずかな部分だけがトランジスタ60を通
過して検査機能を実行するのに使用されるということが
理解されよう。このような構成によって、電流検出器を
流れる電流はIddq/(N−1)であり、電流検出器
における電圧降下はV(Iddq)、トランジスタ58
を流れる電流はIddq*N/(N−1)となる。
同様であるが、全電流量の比較的小さい部分だけが比較
の目的に使用される点で異なっている。この比率は電流
検出器50によってV(Iddq)電圧へ変換され、こ
の電圧レベルをコンパレータ52で基準電圧レベルVR
EFと比較し、比較の結果をあらわす信号を走査フリッ
プフロップ54へ印加する。フリップフロップの状態が
走査入力と走査出力導線を介して走査演算中に走査され
ることは前述の通りである。
施を図4に図示してある。本実施において、電流検出器
とコンパレータを検査制御論理回路へ移動することによ
って簡略化を達成している。これらはブロック70で図
示したように全ての電流監視セルが共有し、図1の検査
制御論理回路22に含まれると見なすことができる。図
4では単一の行に配置した2個の類似したIddq電流
監視セル72、74を図示しているが、図1に示した構
成と同様に複数の行と列に配置してある複数のこのよう
なセルを集積回路に容易に組み込むことができるものと
考えられる。セル72は図3の実施例におけるトランジ
スタ58、60と同様の一対のMOSトランジスタ7
6、78を含む。トランジスタ76はVSS供給源16
とノード80の間に接続し、トランジスタ78はノード
80と導体82の間に接続する。ノード80は、行
(I)列(J)に位置するセル内の電流をあらわす電流
Iddq(I,J)をノード80とトランジスタ76、
78へ供給するVSS内部バス14へ接続する。トラン
ジスタ76のゲートは電圧供給源VDDへ接続し、一方
トランジスタ78のゲートは選択線82へ接続し、ここ
に選択信号SELECT(I,J)を印加することがで
きる。
6をVSS供給源16とノード90の間に接続し、トラ
ンジスタ88をノード90と導体82の間に接続する。
ノード90はVSS内部バス14に接続する。トランジ
スタ86のゲートは電圧供給源VDDへ接続し、トラン
ジスタ88のゲートは選択線92へ接続して、ここに選
択信号SELECT(I,K)を印加することができ
る。
を経由して検査論理回路ブロック70内の電流検出トラ
ンジスタ98のコレクタへ接続する。前記トランジスタ
のエミッタは電圧VSOURCEの供給源へ接続し、ベ
ースはノード96へ接続する。
気的に結合してあるノード94はコンパレータ100の
正の入力へ接続し、コンパレータ100の負の入力は基
準電圧VREFへ接続する。コンパレータの出力は線1
02へ流れる。検査論理回路70で測定した電流は選択
したセル全部の(N−1)で除算したIddq電流の和
である。
スタ78のゲートへ接続した導線82へ、例えばSEL
ECT(I,J)などの適切な選択信号を印加すること
によって、個別に問合せすることができる。図3との関
連において前述したように、2つのトランジスタ76と
78は電圧分圧回路として作用するので、セル72を含
む集積回路に通常動作を継続させつつ検査を実行するこ
とができる。トランジスタ78のゲートへの信号SEL
ECT(I,J)の印加によって、コンパレータ100
の正の入力に信号を印加することになり、セル72が監
視している集積回路の一部に障害が存在するか否かを示
す論理値を有する出力信号が出力線102に現われるこ
とになる。コンパレータ100の出力は、障害の存在を
あらわすセルがもし存在するならどれなのかを特定する
ために、SELECT(I,J)などの各種選択信号の
印加の時刻に対応する時刻にサンプリングすることがで
きる。
装置ならびにその方法を提供し、より特定すれば、検査
しようとする集積回路内に検査回路を直接埋め込み、検
査を実行しつつ当該回路の連続動作を可能にするような
装置ならびにその方法を提供する。
回路の略図である。
を含むIddq電流監視セルを示す。
す回路図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 集積回路内の障害を検査するための装置
であって、 前記集積回路内部に埋め込まれてこれの障害を検出する
能力を有する複数の電流監視セルと、 前記電流監視セルに結合してあり前記電流監視セルを順
次走査するための走査回路とを含むことを特徴とする装
置。 - 【請求項2】 集積回路の障害を検査するための方法で
あって、 (a)検査すべき集積回路内に複数の電流監視セルを埋
め込む段階と、 (b)前記セル内部の電流検出回路を用いて電流を検出
し、障害の存在を調べる段階と、 (c)前記検出した電流から求めた電圧を基準電圧と比
較する段階と、 (d)このような比較の結果を保存する段階と、 (e)前記セルを順次走査して、障害の存在を示すセル
がもしあればどれなのかを特定する段階とを含むことを
特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
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