JPS5918864B2 - 半導体ウエハ−検査装置 - Google Patents
半導体ウエハ−検査装置Info
- Publication number
- JPS5918864B2 JPS5918864B2 JP14084376A JP14084376A JPS5918864B2 JP S5918864 B2 JPS5918864 B2 JP S5918864B2 JP 14084376 A JP14084376 A JP 14084376A JP 14084376 A JP14084376 A JP 14084376A JP S5918864 B2 JPS5918864 B2 JP S5918864B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- chips
- chip
- semiconductor wafer
- probes
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- Expired
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエ・・−の検査装置に関し、とくに特
性試験用の探針の構造に関する。
性試験用の探針の構造に関する。
半導体ウエ・・一内に多数形成されたトランジスタ又は
ICチップをウェハー状態のまま、間欠送り機構によつ
て1チップづつ送りながら自動的に電気的特性を測定し
、良品と不良品に判別する検査装置(以下プローバーと
称する)は、トランジスタまたはICチップ内の所定の
測定箇所に探針をあてるように配置された長(゛針状探
針を備えた基板(以下プローブ・カードと称する)を有
して(・る。
ICチップをウェハー状態のまま、間欠送り機構によつ
て1チップづつ送りながら自動的に電気的特性を測定し
、良品と不良品に判別する検査装置(以下プローバーと
称する)は、トランジスタまたはICチップ内の所定の
測定箇所に探針をあてるように配置された長(゛針状探
針を備えた基板(以下プローブ・カードと称する)を有
して(・る。
従来のプローブ・カードは、長(・針状探針が基板面に
ほぼ平行な方向に固定され、その探針の先端部分が基板
面に垂直な方向に曲がつて、チップの電極に接触するよ
うになつて(・る。
ほぼ平行な方向に固定され、その探針の先端部分が基板
面に垂直な方向に曲がつて、チップの電極に接触するよ
うになつて(・る。
このような構造のプローブ・カードでは多数の探針の先
端部分の高さのバラつきやチップの電極との位置ずれに
よる接触不良を起し易く、本来良品の製品を不良品と判
定してしまうことがある。また、針状探針を多数必要と
するプローブ・カードを製作する場合には、探針先端の
位置と高さの製御に熟練された作業者を必要とし、製作
の自動化や量産化が難し(゛oさらに、複数個のチップ
を同時に測定する際に、長(゛針状探針どうしの水平部
分が接触しな(・よう、隣接するチップに探針を立てる
ことは困難である。
端部分の高さのバラつきやチップの電極との位置ずれに
よる接触不良を起し易く、本来良品の製品を不良品と判
定してしまうことがある。また、針状探針を多数必要と
するプローブ・カードを製作する場合には、探針先端の
位置と高さの製御に熟練された作業者を必要とし、製作
の自動化や量産化が難し(゛oさらに、複数個のチップ
を同時に測定する際に、長(゛針状探針どうしの水平部
分が接触しな(・よう、隣接するチップに探針を立てる
ことは困難である。
このため、複数個のチップを同時に測定する際は、隣接
しな(・チップを測定しなければならな〜・。しかし、
この方法による限り複数個、例えば2個のチップを同時
に測定しても、2個のチップが同時に良品、ある(・は
同時に不良品になる確率が、隣接するチップ2個を測定
する場合に比して、きわめて低(゛。一方、良品と不良
品のテスト時間は、テストが十数項目ある場合、その中
で不良になる、項目が現われると、そこでテストを中止
して次のチップのテストに移るようになつて(・るため
、不良品のテスト時間の方が良品のテスト時間より短(
・、そのため、2個のチップを同時に測定して、良品と
不良品の組み合せになると、良品のチップの測定が終る
まで次のチップのテストに移らず、不良品の短(・測定
時間のチップは、待つて(・ることになる。これによつ
て、2個のチップを同時に測定して測定時間を短くする
利点が減少する。さらに、ウェハーの端の方にあるチッ
プを測定する場合、片方の探針群がウェハー上になく、
1個のチップしか測定できな(゛場合が、隣接している
チップを測定する場合より数多く起り、測定時間を短く
するのを妨げて(゛る。本発明の目的は、製作が容易で
あり、かつ、測定時間の短縮に適するように、任意の位
置の1個および複数個のチツプを同時に測定できる探針
を有する半導体ウエ・・一検査装置を提供することであ
る。
しな(・チップを測定しなければならな〜・。しかし、
この方法による限り複数個、例えば2個のチップを同時
に測定しても、2個のチップが同時に良品、ある(・は
同時に不良品になる確率が、隣接するチップ2個を測定
する場合に比して、きわめて低(゛。一方、良品と不良
品のテスト時間は、テストが十数項目ある場合、その中
で不良になる、項目が現われると、そこでテストを中止
して次のチップのテストに移るようになつて(・るため
、不良品のテスト時間の方が良品のテスト時間より短(
・、そのため、2個のチップを同時に測定して、良品と
不良品の組み合せになると、良品のチップの測定が終る
まで次のチップのテストに移らず、不良品の短(・測定
時間のチップは、待つて(・ることになる。これによつ
て、2個のチップを同時に測定して測定時間を短くする
利点が減少する。さらに、ウェハーの端の方にあるチッ
プを測定する場合、片方の探針群がウェハー上になく、
1個のチップしか測定できな(゛場合が、隣接している
チップを測定する場合より数多く起り、測定時間を短く
するのを妨げて(゛る。本発明の目的は、製作が容易で
あり、かつ、測定時間の短縮に適するように、任意の位
置の1個および複数個のチツプを同時に測定できる探針
を有する半導体ウエ・・一検査装置を提供することであ
る。
本発明によれば、複数の突起状電極の探針を予め定めら
れた配置で固定した第1の平板と、この平板を緩衝部材
を介して支持する第2の平板とからなるプローブ・カー
ドを備えた検査装置が得られる。
れた配置で固定した第1の平板と、この平板を緩衝部材
を介して支持する第2の平板とからなるプローブ・カー
ドを備えた検査装置が得られる。
本発明によるプローブ●カードを用℃・れば隣接する2
チツプを同時に測定できるため不良品と良品の組み合せ
の待ち時間や、ウエハ一の端のチツプを滴定する場合の
探針のウエハ一からのはずれ時間が減少し、測定時間を
大幅に減少させることができる。また、製作方法も半導
体ウエ・・一上のチップに電極を作る方法と同様に、電
極用のマスクを利用して蒸着とホト●レジスト、さらに
メツキの技術でプローブ●カードの基板に直接製作する
ことができる。
チツプを同時に測定できるため不良品と良品の組み合せ
の待ち時間や、ウエハ一の端のチツプを滴定する場合の
探針のウエハ一からのはずれ時間が減少し、測定時間を
大幅に減少させることができる。また、製作方法も半導
体ウエ・・一上のチップに電極を作る方法と同様に、電
極用のマスクを利用して蒸着とホト●レジスト、さらに
メツキの技術でプローブ●カードの基板に直接製作する
ことができる。
同一のマスクを利用して製作するので、チツプの電極の
位置と正確にあつた探針群を容易に製作することができ
る。この方法は、半導体ウエハ一を製作する一工程の技
術をそのまま使用したものなので、熟練した作業者を必
要とせず、プローブ・カードの量産化や自動化も可能と
なる。以下、本発明を図面を参照して詳述する。第1図
aおよびbは、従来の長(゛針状探針を有する2チツプ
分のプローブ●カードの断面図および裏面図をそれぞれ
示す。
位置と正確にあつた探針群を容易に製作することができ
る。この方法は、半導体ウエハ一を製作する一工程の技
術をそのまま使用したものなので、熟練した作業者を必
要とせず、プローブ・カードの量産化や自動化も可能と
なる。以下、本発明を図面を参照して詳述する。第1図
aおよびbは、従来の長(゛針状探針を有する2チツプ
分のプローブ●カードの断面図および裏面図をそれぞれ
示す。
基板1は、チツプ2の良・不良を記入するための円形の
マーキング孔3を有しスペーサ用のリング4を介して複
数の長(・針状探針5がマーキング孔3の周囲に配置さ
れている。このような多数の長〜・針状探針5を有する
かぎり、探針5の水平部どうしの接触の可能性が大きく
隣接するチツプ2に探針5を立てることは、不可能であ
り、最小限、数チツプ分の間隔をあけなければならな〜
゛。第2図aおよびbは、本発明によるプローブ●カー
ドの一実施例の断面図および裏面図をそれぞれ示す。
マーキング孔3を有しスペーサ用のリング4を介して複
数の長(・針状探針5がマーキング孔3の周囲に配置さ
れている。このような多数の長〜・針状探針5を有する
かぎり、探針5の水平部どうしの接触の可能性が大きく
隣接するチツプ2に探針5を立てることは、不可能であ
り、最小限、数チツプ分の間隔をあけなければならな〜
゛。第2図aおよびbは、本発明によるプローブ●カー
ドの一実施例の断面図および裏面図をそれぞれ示す。
マーキング孔3を有する2板のプリント基板等からなる
平板6および7はコイルバネや板バネなどの緩衝物質8
を介して結合されて(・る。平板7には蒸着とホト●レ
ジストとメツキの技術を利用して突起状電極の探針群9
がチツプの電極配列に一致させて形成されて℃・る。各
探針の直径はチツプ電極よりも小さく、その高さは直径
と同程度に形成されることが望まし(・。突起状電極の
探針9は、第1図の長(・針状探針5と違つて水平部分
がな〜・ので、隣接するチツプ2に探針9を立てること
ができる。このため、従来より、良品と良品、不良品と
不良品の組み合せになる確率が増し、良品と不良品の組
み合せになる確率が減少するために、測徒時間が大幅に
短縮できる。また、探針群の一方がウエハ一外に出て(
・る回数が、従来に比して、大幅に減少し、そのため、
測定時間も大幅に減少させることができる。さらに、ウ
エハ一製作の一工程である蒸着とホト・レジストを.!
1用し、マスクもチツプの電極を作つたマスクと同一の
ものを使用できるので探針の位置も正確にチツプの電極
の位置にあわせることができる。第2図cは、突起状電
極の探針部分の構造を示した図である。テスタの測定部
と結ぶ配線10をした平板7の上に、蒸着で導伝物質1
1(銅など)をつけ、ホト・レジストの技術で突起させ
、さらに、メツキ12(ニツケルなど)をして強化して
(・る。
平板6および7はコイルバネや板バネなどの緩衝物質8
を介して結合されて(・る。平板7には蒸着とホト●レ
ジストとメツキの技術を利用して突起状電極の探針群9
がチツプの電極配列に一致させて形成されて℃・る。各
探針の直径はチツプ電極よりも小さく、その高さは直径
と同程度に形成されることが望まし(・。突起状電極の
探針9は、第1図の長(・針状探針5と違つて水平部分
がな〜・ので、隣接するチツプ2に探針9を立てること
ができる。このため、従来より、良品と良品、不良品と
不良品の組み合せになる確率が増し、良品と不良品の組
み合せになる確率が減少するために、測徒時間が大幅に
短縮できる。また、探針群の一方がウエハ一外に出て(
・る回数が、従来に比して、大幅に減少し、そのため、
測定時間も大幅に減少させることができる。さらに、ウ
エハ一製作の一工程である蒸着とホト・レジストを.!
1用し、マスクもチツプの電極を作つたマスクと同一の
ものを使用できるので探針の位置も正確にチツプの電極
の位置にあわせることができる。第2図cは、突起状電
極の探針部分の構造を示した図である。テスタの測定部
と結ぶ配線10をした平板7の上に、蒸着で導伝物質1
1(銅など)をつけ、ホト・レジストの技術で突起させ
、さらに、メツキ12(ニツケルなど)をして強化して
(・る。
第1図aおよびbは従来の長い針状探針を有するプロー
ブ●カードの断面図および裏面図をそれぞれ示す。 第2図A,bおよびcは、本発明の一実施例によるプロ
ーブ・カードの断面図、裏面図および突起状電極の探針
部の拡大断面図をそれぞれ示す。1:プローブ●カード
基板、2:半導体ウエハ一のチツプ、3:マーキング孔
、4:スベーサ、5:針状探針、6:支持体、7:探針
の基板、8:スプリング等の緩衝物質、9:突起状電極
の探針、10:探針と測定部との配線回路、11:蒸着
した導伝物質、12:メツキ物質。
ブ●カードの断面図および裏面図をそれぞれ示す。 第2図A,bおよびcは、本発明の一実施例によるプロ
ーブ・カードの断面図、裏面図および突起状電極の探針
部の拡大断面図をそれぞれ示す。1:プローブ●カード
基板、2:半導体ウエハ一のチツプ、3:マーキング孔
、4:スベーサ、5:針状探針、6:支持体、7:探針
の基板、8:スプリング等の緩衝物質、9:突起状電極
の探針、10:探針と測定部との配線回路、11:蒸着
した導伝物質、12:メツキ物質。
Claims (1)
- 1 複数個の半導体チップを含む半導体ウエハーを検査
する装置において、前記チップの電極配列と一致するよ
うに配置された電気的特性試験用の突起状電極を設けた
平板と、緩衝部材を介して前記平板を支持する支持体と
を有することを特徴とする半導体ウエハー検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14084376A JPS5918864B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 半導体ウエハ−検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14084376A JPS5918864B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 半導体ウエハ−検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5365069A JPS5365069A (en) | 1978-06-10 |
JPS5918864B2 true JPS5918864B2 (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=15277998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14084376A Expired JPS5918864B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 半導体ウエハ−検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5918864B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019221154A1 (ja) | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 株式会社日本触媒 | 吸水性樹脂粒子の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59185835U (ja) * | 1984-05-02 | 1984-12-10 | 富士通株式会社 | プロ−ブカ−ド |
WO1996013728A1 (fr) * | 1994-10-28 | 1996-05-09 | Nitto Denko Corporation | Structure de sonde |
-
1976
- 1976-11-22 JP JP14084376A patent/JPS5918864B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019221154A1 (ja) | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 株式会社日本触媒 | 吸水性樹脂粒子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5365069A (en) | 1978-06-10 |
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