JPS6235530A - 半導体素子の測定方法 - Google Patents
半導体素子の測定方法Info
- Publication number
- JPS6235530A JPS6235530A JP17558785A JP17558785A JPS6235530A JP S6235530 A JPS6235530 A JP S6235530A JP 17558785 A JP17558785 A JP 17558785A JP 17558785 A JP17558785 A JP 17558785A JP S6235530 A JPS6235530 A JP S6235530A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measuring
- connection
- collector
- substrate
- semiconductor element
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子の電気的特性を基板状態で測定す
る方法に関する。
る方法に関する。
（従来の技術）
従来、半導体素子の電気的特性を基板状態で測定する場
合、一般にウェハーステージに測定用電流供給端子（以
下フォーシングと称す）と測定用電圧検出端子（以下セ
ンシングと称す）を繋ぎ。
合、一般にウェハーステージに測定用電流供給端子（以
下フォーシングと称す）と測定用電圧検出端子（以下セ
ンシングと称す）を繋ぎ。
このウェハーステージと基板裏面とを接触させることに
より、半導体素子の電気的特性の測定を行っていた。
より、半導体素子の電気的特性の測定を行っていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかるに、このような測定方法ではウェハーステージに
フォーシングとセンシングをゲルビン接続しても、基板
裏面とウェハーステージの接触抵抗分は測定系から除去
されない。このため、大電流を流す測定を行う場合、こ
の接触抵抗分による電圧降下が加わり測定値が不安定と
なる。
フォーシングとセンシングをゲルビン接続しても、基板
裏面とウェハーステージの接触抵抗分は測定系から除去
されない。このため、大電流を流す測定を行う場合、こ
の接触抵抗分による電圧降下が加わり測定値が不安定と
なる。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、半導体基板に形成された半導体素子の電気的
特性を測定する方法であって、半導体基板の裏面側に形
成された裏面電極にウェハーステージを接触させ、該ウ
ェハーステージに測定用電流供給端子を接続せしめ、該
測定用電流供給端子と対になる測定用電圧検出端子を前
記半導体素子表面に測子を介して接触させてゲルビン接
続を構成してなるものである。
特性を測定する方法であって、半導体基板の裏面側に形
成された裏面電極にウェハーステージを接触させ、該ウ
ェハーステージに測定用電流供給端子を接続せしめ、該
測定用電流供給端子と対になる測定用電圧検出端子を前
記半導体素子表面に測子を介して接触させてゲルビン接
続を構成してなるものである。
（作用）
半導体基板の裏面側には、ウェハーステージを介してフ
ォーシングのみを接続させ、半導体素子表面に測子を介
してセンシングを接触させることによって基板裏面とウ
ェハーステージの接触抵抗分に起因する測定誤差の発生
が防止される。
ォーシングのみを接続させ、半導体素子表面に測子を介
してセンシングを接触させることによって基板裏面とウ
ェハーステージの接触抵抗分に起因する測定誤差の発生
が防止される。
（実施例）
以下１本発明の実施例について説明する。
第１図は、Ｎ型半導体基板１に拡散技術を用いて複数の
トランジスタを形成した半導体素子を例示し、Ｎ型半導
体基板１がこれらのトランジスタのコレクタに該当し、
このコレクタ部分２にベース部分３．エミッタ部分４が
順次拡散形成されている。また、隣り合うトランジスタ
間には、半導体基板１と同タイプのチャンネル反転防止
用高濃度拡散層６ （Ｎ”）が形成されるとともに、
前記高濃度拡散層６のスクライブライン７を挟んで両側
に金属ガードリング８が形成されている。また。
トランジスタを形成した半導体素子を例示し、Ｎ型半導
体基板１がこれらのトランジスタのコレクタに該当し、
このコレクタ部分２にベース部分３．エミッタ部分４が
順次拡散形成されている。また、隣り合うトランジスタ
間には、半導体基板１と同タイプのチャンネル反転防止
用高濃度拡散層６ （Ｎ”）が形成されるとともに、
前記高濃度拡散層６のスクライブライン７を挟んで両側
に金属ガードリング８が形成されている。また。
前記トランジスタを構成するエミッタ部分４及びベース
部分３には金属電極５が形成されている。
部分３には金属電極５が形成されている。
このような構成からなる半導体素子において。
電気的特性を測定するために裏面電極９にウェハーステ
ージ１０を接続し、このウェハーステージ１０にコレク
タ用フォーシング１１を接続する。
ージ１０を接続し、このウェハーステージ１０にコレク
タ用フォーシング１１を接続する。
また７ このコレクタ用フォーシング１１と対になりゲ
ルビン接続を構成するコレクタ用センシングライン（図
示省略）をセンシング測子１２により基板層が露出して
いる前記スクライブライン７に接触させる。このとき、
このスクライブライン７には高濃度拡散層６が形成され
ているので、半導体基板１とセンシング測子１２とは良
好なコンタクトが得られ、ゲルビン接続により精密な測
定を行うことができる。図中、金属電極５に接続された
測子１３．１４はそれぞれエミッタ用測子及びベース用
測子を示している。
ルビン接続を構成するコレクタ用センシングライン（図
示省略）をセンシング測子１２により基板層が露出して
いる前記スクライブライン７に接触させる。このとき、
このスクライブライン７には高濃度拡散層６が形成され
ているので、半導体基板１とセンシング測子１２とは良
好なコンタクトが得られ、ゲルビン接続により精密な測
定を行うことができる。図中、金属電極５に接続された
測子１３．１４はそれぞれエミッタ用測子及びベース用
測子を示している。
第２図は、上述のセンシング測子１２を金属ガードリン
グ８に接触させた場合を示し、この場合においても金属
ガードリング８は半導体基板１と同タイプの高濃度拡散
層６を介して半導体基板１と電気的に接続されているの
で、このセンシング測子１２も良好なコンタクトを得る
ことができ。
グ８に接触させた場合を示し、この場合においても金属
ガードリング８は半導体基板１と同タイプの高濃度拡散
層６を介して半導体基板１と電気的に接続されているの
で、このセンシング測子１２も良好なコンタクトを得る
ことができ。
ゲルビン接続により精密な測定を行うことができる。
以上述べた測定方法では、半導体素子表面に特別なセン
シングバットを設けておらず、ゲルビン接続を構成する
センシングラインをセンシング測子１２を介して接続し
ているので、半導体素子の電極形状や製造プロセスの変
更を行う必要がない。
シングバットを設けておらず、ゲルビン接続を構成する
センシングラインをセンシング測子１２を介して接続し
ているので、半導体素子の電極形状や製造プロセスの変
更を行う必要がない。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、半導体基板裏面とウ
ェハーステージの接触抵抗分に起因する測定誤差の発生
を改良し、ゲルビン接続により精密な測定を行うことが
できる。
ェハーステージの接触抵抗分に起因する測定誤差の発生
を改良し、ゲルビン接続により精密な測定を行うことが
できる。
第１図及び第２図は１本発明の詳細な説明する測子の接
続例を示す部分拡大図である。 １０・・・ウェハーステージ
続例を示す部分拡大図である。 １０・・・ウェハーステージ
Claims (1)
- １）半導体基板に形成された半導体素子の電気的特性を
測定する方法であって、半導体基板の裏面側に形成され
た裏面電極にウェハーステージを接触させ、該ウェハー
ステージに測定用電流供給端子を接続せしめ、該測定用
電流供給端子と対になる測定用電圧検出端子を前記半導
体素子表面に測子を介して接触させてゲルビン接続を構
成してなることを特徴とする半導体素子の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17558785A JPS6235530A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体素子の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17558785A JPS6235530A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体素子の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235530A true JPS6235530A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15998686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17558785A Pending JPS6235530A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体素子の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235530A (ja) |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17558785A patent/JPS6235530A/ja active Pending
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