JPS5892232A - ウエ−ハ検査装置 - Google Patents
ウエ−ハ検査装置Info
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- JPS5892232A JPS5892232A JP19129281A JP19129281A JPS5892232A JP S5892232 A JPS5892232 A JP S5892232A JP 19129281 A JP19129281 A JP 19129281A JP 19129281 A JP19129281 A JP 19129281A JP S5892232 A JPS5892232 A JP S5892232A
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- JP
- Japan
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- stage
- wafer
- probe
- vacuum
- vacuum adsorption
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子を多数形成したウェーハへ検針
を用いて通電し、特性検査を行うウェーハ検査装置の改
善に関するものである。
を用いて通電し、特性検査を行うウェーハ検査装置の改
善に関するものである。
現在、半導体装置は、ＰＮ接合を種々組合せて得た多数
の素子を形成済みのウェーへ毎に特性検査を各々行う場
合が圧倒的に多い。すなわち、上述のウェーハ検査は、
第１図に示すように、例えばＮＰＮパワートランジスタ
を例に採れば、各々のパワートランジスタを形成し、表
面１［エミッタ及びベース電極を、裏面２にコレクタ電
極を有するウェーハ３を、真空吸引孔４，４．・・・・
・を備え電−流駆動触子５と、電圧検出触子６とを兼ね
るステージ７Ｌに４Ｉ１２置して、真空吸引によりウェ
ーハ３の裏面２をステージ７の上面と密４させ、表面ｌ
の各電極へ電流駆動検針８及び電圧駆動検針９を押圧し
て電流を各パワートランジスタへ流Ｌ１１１圧を測定す
ることにより、特性検査を行っている。
の素子を形成済みのウェーへ毎に特性検査を各々行う場
合が圧倒的に多い。すなわち、上述のウェーハ検査は、
第１図に示すように、例えばＮＰＮパワートランジスタ
を例に採れば、各々のパワートランジスタを形成し、表
面１［エミッタ及びベース電極を、裏面２にコレクタ電
極を有するウェーハ３を、真空吸引孔４，４．・・・・
・を備え電−流駆動触子５と、電圧検出触子６とを兼ね
るステージ７Ｌに４Ｉ１２置して、真空吸引によりウェ
ーハ３の裏面２をステージ７の上面と密４させ、表面ｌ
の各電極へ電流駆動検針８及び電圧駆動検針９を押圧し
て電流を各パワートランジスタへ流Ｌ１１１圧を測定す
ることにより、特性検査を行っている。
ところで、このウェーハ検査は、ウェーハ３の裏面２と
ステージ７の上面とが全面に亘って均一な接触状態を保
てず、そのために、電流駆動検針８と電流駆動触子５と
の間に定電流を流して、パワートランジスタの真の電圧
降下分を測定しようとしても、接触状態が良い箇所のパ
ワートランジスタと、悪い状態の箇所のそｎとは、接触
抵抗が異る分だけ、測定電圧に偏差を生じることとなる
。
ステージ７の上面とが全面に亘って均一な接触状態を保
てず、そのために、電流駆動検針８と電流駆動触子５と
の間に定電流を流して、パワートランジスタの真の電圧
降下分を測定しようとしても、接触状態が良い箇所のパ
ワートランジスタと、悪い状態の箇所のそｎとは、接触
抵抗が異る分だけ、測定電圧に偏差を生じることとなる
。
しかも、最近ウェーハは大径化する傾向があるので、測
定電圧の偏差は更に大きくなり、検査精度低下を招く弱
点がある。さらにウェー へ自身は、完全に平坦とは限
らず、表面保護被膜の製作の仕方によっても相当反りが
起り、この点からも、真空吸引だけで接触抵抗を均一化
することは不１１能であり、ウェー八検査精度向上を図
る必要があった。
定電圧の偏差は更に大きくなり、検査精度低下を招く弱
点がある。さらにウェー へ自身は、完全に平坦とは限
らず、表面保護被膜の製作の仕方によっても相当反りが
起り、この点からも、真空吸引だけで接触抵抗を均一化
することは不１１能であり、ウェー八検査精度向上を図
る必要があった。
この発明は、上記の問題解決の意図で、検討考察を行っ
た末、提案するに至ったもので、ウェーハを真空吸引す
るステージを、多分割として電圧検出触子として用いる
とともに、各々の分割さ扛たステージに、夫々電流駆動
触子を内蔵する真空吸引孔を設けることを特徴としてい
る。以下にこの発明の具体的実施例を説明する。
た末、提案するに至ったもので、ウェーハを真空吸引す
るステージを、多分割として電圧検出触子として用いる
とともに、各々の分割さ扛たステージに、夫々電流駆動
触子を内蔵する真空吸引孔を設けることを特徴としてい
る。以下にこの発明の具体的実施例を説明する。
第２図は、この発明の−・実施例を示すウェーハ検査装
置の真空吸着ステージの要部斜視図、ディスク状のステ
ージ１０は、その中心で等角度ニ交頗する直線にて、例
えば８コの扇形基板１１，１２゜１３．１４，１５，１
６．１７．１８に分割されるとと′−もに、夫々のほぼ
中央に、第３図に示すように、−Ｌ面部分が円筒状で、
中途から截頭円錐台状とした真空吸着／ズル１９、ｇ空
吸着ノズル１９内に絶縁スリーブ２０及び押しバネ２１
とともに内蔵された電流、駆動触子の役割を果す平行ピ
ン２２を真空吸引路２３を形成する間隙を保って配置し
た真空吸引孔２４．２５，２６，２７，２８，２９，３
０．３１が設けである。
置の真空吸着ステージの要部斜視図、ディスク状のステ
ージ１０は、その中心で等角度ニ交頗する直線にて、例
えば８コの扇形基板１１，１２゜１３．１４，１５，１
６．１７．１８に分割されるとと′−もに、夫々のほぼ
中央に、第３図に示すように、−Ｌ面部分が円筒状で、
中途から截頭円錐台状とした真空吸着／ズル１９、ｇ空
吸着ノズル１９内に絶縁スリーブ２０及び押しバネ２１
とともに内蔵された電流、駆動触子の役割を果す平行ピ
ン２２を真空吸引路２３を形成する間隙を保って配置し
た真空吸引孔２４．２５，２６，２７，２８，２９，３
０．３１が設けである。
第４図は、第２図及び第３図に示した真空吸着ステージ
」二に載置したＮＰＮパワートランジスタウェーへの拡
大断面を模式的に示したもので、つ工−ハ全体に形成さ
れたＮ型コレクタ３２ＫＰ型のベース３３，３３．・曲
・、Ｎ型のエミッタ３４，３４．・曲が島状に形成され
たプレーナ構造のものである。
」二に載置したＮＰＮパワートランジスタウェーへの拡
大断面を模式的に示したもので、つ工−ハ全体に形成さ
れたＮ型コレクタ３２ＫＰ型のベース３３，３３．・曲
・、Ｎ型のエミッタ３４，３４．・曲が島状に形成され
たプレーナ構造のものである。
そしてエミッタ３４上に押当てた検針３５は電流駆動用
で、真空吸引孔内の平行ピン２２と対になり定電流源（
図示省略）に接続されている。又検針３６は電圧検出用
で、分割された一つの扇形基板１１と対となって微少電
圧計測電圧計へ接続さ扛ている。３７はパワートランジ
スタ人力のため微弱入力端子注入用検針である。
で、真空吸引孔内の平行ピン２２と対になり定電流源（
図示省略）に接続されている。又検針３６は電圧検出用
で、分割された一つの扇形基板１１と対となって微少電
圧計測電圧計へ接続さ扛ている。３７はパワートランジ
スタ人力のため微弱入力端子注入用検針である。
さて、以上の通りのウェーハ検査装置を使用しτウェー
ハ特性検査を行うと、第４図におけるつ工−ハには、従
来不適当な裏面位置３８で接触抵抗が最小となり、破ｆ
ｆＭ３９で示すような電流路が形成されて、コレクタ３
２中の横方向抵抗４０による余分で不都合な電圧降下υ
が、第５図のように基板１１の触子と検針３６との間に
現れる恐れがなく、適正な特性電圧Ｖが測定できる。す
なわち、このウェーハ検査装置では、ウェーハが真空吸
着ステージ上の一つの基板にて吸引さｎると、真空吸引
孔の近傍で、電流駆動触子及び電圧検出触子が接触する
ので、いわゆる理想的なケルビン接続状態となり、正確
な測定が可能となるのである。
ハ特性検査を行うと、第４図におけるつ工−ハには、従
来不適当な裏面位置３８で接触抵抗が最小となり、破ｆ
ｆＭ３９で示すような電流路が形成されて、コレクタ３
２中の横方向抵抗４０による余分で不都合な電圧降下υ
が、第５図のように基板１１の触子と検針３６との間に
現れる恐れがなく、適正な特性電圧Ｖが測定できる。す
なわち、このウェーハ検査装置では、ウェーハが真空吸
着ステージ上の一つの基板にて吸引さｎると、真空吸引
孔の近傍で、電流駆動触子及び電圧検出触子が接触する
ので、いわゆる理想的なケルビン接続状態となり、正確
な測定が可能となるのである。
尚上記実施例では、真空吸引孔を１個の基板に対応させ
て１個設けたが、この発明は、何ら限定するものではな
く、その他の真空成層孔を設けてもよく、又真空吸着ス
テージは、等分割に限らず、ウェーハの種類によっては
、同心円状分割としてもよい。
て１個設けたが、この発明は、何ら限定するものではな
く、その他の真空成層孔を設けてもよく、又真空吸着ス
テージは、等分割に限らず、ウェーハの種類によっては
、同心円状分割としてもよい。
この発明を実施すれば、ウェーハの全面に亘って接触抵
抗を均一とし、正確な半導体素子特性検査が行えること
は勿論、ウェーハ裏面へ押当てる電流駆動触子が真空吸
引孔内に在るため、接触先端部は清浄に保つことができ
、摩耗も少い利点がある。
抗を均一とし、正確な半導体素子特性検査が行えること
は勿論、ウェーハ裏面へ押当てる電流駆動触子が真空吸
引孔内に在るため、接触先端部は清浄に保つことができ
、摩耗も少い利点がある。
第１図は、従来のウェーハ検査装置の真空吸着ステージ
の要部断面図、第２図はこの発明の一実施例を示すウェ
ーハ検査装置の真空吸着ステージ、の要部斜視図、第３
図はその真空吸引孔の拡大断゛面図、第４図は、ウェー
ハの拡大模式断面図、第５１ｍＨそ（７）−個の素子の
記号化したシンボル図である。 １１．１２，１３，１４，１５，１６，１７．１８・・
・・・・多分割したステージ、（電圧駆動触子） ２２・・・・・・電流駆動触子、 ２４．２５，２６，２７，２８，２９，３０．３１ ・
＝−・・真空吸引孔、３５．３６．３７・・・・・・検
針。
の要部断面図、第２図はこの発明の一実施例を示すウェ
ーハ検査装置の真空吸着ステージ、の要部斜視図、第３
図はその真空吸引孔の拡大断゛面図、第４図は、ウェー
ハの拡大模式断面図、第５１ｍＨそ（７）−個の素子の
記号化したシンボル図である。 １１．１２，１３，１４，１５，１６，１７．１８・・
・・・・多分割したステージ、（電圧駆動触子） ２２・・・・・・電流駆動触子、 ２４．２５，２６，２７，２８，２９，３０．３１ ・
＝−・・真空吸引孔、３５．３６．３７・・・・・・検
針。
Claims (1)
- 半導体素子形成済みのウェーハを、ステージ上に真空吸
着して固定し、ウエーノ・へ検針を接触させて通電し特
性検査を行う装＠において、前記ステージを多分割とし
て電圧検出触子として用いるとともに、各々の分割され
たステージに、夫々電流駆動触子を内蔵する真空吸引孔
を設けることを特徴とするウェーハ検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19129281A JPS5892232A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | ウエ−ハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19129281A JPS5892232A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | ウエ−ハ検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892232A true JPS5892232A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16272134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19129281A Pending JPS5892232A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | ウエ−ハ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892232A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166746A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 測定装置 |
| WO2008053518A1 (fr) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Topcon Corporation | Appareil de vérification de semi-conducteur et procédé de vérification de semi-conducteur |
| JP2014202659A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 富士電機株式会社 | 半導体測定装置及び半導体測定方法 |
| WO2015174151A1 (ja) * | 2014-05-15 | 2015-11-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子のオン抵抗測定方法および半導体素子のオン抵抗測定装置 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19129281A patent/JPS5892232A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166746A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 測定装置 |
| WO2008053518A1 (fr) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Topcon Corporation | Appareil de vérification de semi-conducteur et procédé de vérification de semi-conducteur |
| JP2014202659A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 富士電機株式会社 | 半導体測定装置及び半導体測定方法 |
| WO2015174151A1 (ja) * | 2014-05-15 | 2015-11-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子のオン抵抗測定方法および半導体素子のオン抵抗測定装置 |
| JP2015220286A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子のオン抵抗測定方法および半導体素子のオン抵抗測定装置 |
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