JP2013219269A - 半導体装置の特性評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による半導体装置の特性評価装置は、ウエハ5を外周部で固定し水平方向に移動可能な固定部11と、固定装置11に固定されたウエハ5の一面側に上下移動自在に配置されるプローブカード6aと、固定装置11に固定されたウエハ5の他面側に上下移動自在に配置され、少なくとも1つ以上の電極16が表出するように絶縁物で被覆されたステージ15とを備え、電極16は、ウエハ5に形成されるチップサイズよりも小さいことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
上述の通り、ウエハ状態でチップの電気的特性を評価するウエハプローバには、チャックトップステージタイプのプローバと、ダブルサイドプローバとの2種類がある。以下、それぞれのプローバについて詳細を説明する。
上記の前提技術によるダブルサイドプローバにおける不具合は、ピンポイントでウエハの裏面に圧力が付与されることによって生じる。従って、ダブルサイドプローバのメリット(例えば、大電流でも正確に測定可能)を保持しつつ、ウエハに対するキズやダメージ等の不具合を解消するためには、ウエハの裏面に対する応力を面で付与されるようにし、かつ、電気的接触をピンポイントでできるようにすればよい。そのようにすれば、ウエハの裏面に対して面で圧力が付与されるためチップにキズが付くことを防止し、ウエハの裏面に対して電極をピンポイントで電気的接触させるため、従来のダブルサイドプローバと同様に電流の回り込みを防止して精度良く測定することができる。以下、本実施の形態1による半導体装置の特性評価装置の具体的な構成および動作について説明する。
図5は、本発明の実施の形態2によるステージ15の一例を示す斜視図である。図5に示すように、本実施の形態2では、ステージ15に、ウエハ5に電流を印加するフォース用電極(フォース電極)と、ウエハ5の電圧を測定するセンス用電極(センス電極)とを形成することを特徴としている。その他の構成および動作は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図6は、本発明の実施の形態3によるステージ15の一例を示す斜視図である。また、図7は、図6に示すステージ15の上面図である。図6,7に示すように、本実施の形態3では、ステージ15の表面に真空溝2および真空孔3を設けることを特徴としている。その他の構成および動作は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の実施の形態4では、電極16に真空溝2または真空孔3を設けることを特徴としている。その他の構成および動作は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図12は、本発明の実施の形態5によるステージ15の一例を示す斜視図である。図12に示すように、本実施の形態5では、電極16をステージ15の外周部に設けることを特徴としている。その他の構成および動作は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図13は、本発明の実施の形態6によるステージ15の一例を示す斜視図である。また、図14は、図13に示すステージ15の側面図である。図13,14に示すように、本実施の形態6では、ステージ15の表面と側面との境界部が曲面であることを特徴としている。その他の構成および動作は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
Claims (6)
- ウエハを外周部で固定し水平方向に移動可能な固定部と、
前記固定部に固定された前記ウエハの一面側に上下移動自在に配置されるプローバと、
前記固定部に固定された前記ウエハの他面側に上下移動自在に配置され、少なくとも1つ以上の電極が表出するように絶縁物で被覆されたステージと、
を備え、
前記電極は、前記ウエハに形成されるチップサイズよりも小さいことを特徴とする、半導体装置の特性評価装置。 - 前記電極は、
前記ウエハに電流を印加するフォース電極と、
前記ウエハの電圧を測定するセンス電極と、
を備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の特性評価装置。 - 前記ステージは、表面に真空吸着用の溝および孔が設けられることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置の特性評価装置。
- 前記電極は、表面に真空吸着用の溝および孔の少なくとも一方が設けられることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置の特性評価装置。
- 前記電極は、前記ステージの外周部に設けられることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置の特性評価装置。
- 前記ステージは、表面と側面との境界部が曲面であることを特徴とする、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置の特性評価装置。
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