JP2003258044A - プローブカード、プローブ装置、プローブ試験方法及びプローブ針 - Google Patents
プローブカード、プローブ装置、プローブ試験方法及びプローブ針Info
- Publication number
- JP2003258044A JP2003258044A JP2002052378A JP2002052378A JP2003258044A JP 2003258044 A JP2003258044 A JP 2003258044A JP 2002052378 A JP2002052378 A JP 2002052378A JP 2002052378 A JP2002052378 A JP 2002052378A JP 2003258044 A JP2003258044 A JP 2003258044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probe card
- test
- needle
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プローブカードの中央部が歪むのを抑制して
安定した電気的特性試験が可能なプローブ装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明に係るプローブ装置は、プローブ
カードを用いて半導体ウエハにプローブ試験を行うプロ
ーブ装置であって、プローブカード基板と、このプロー
ブカード基板の下面側に設けられたプローブ針１４と、
プローブカード基板の下面側に設けられ、テストヘッド
１側に電気的に接続するためのテスタ接続端子と、プロ
ーブカード基板の下面側から前記テスタ接続端子に接続
される接続部材１２と、この接続部材に電気的に接続さ
れるテストヘッド１と、半導体ウエハＷを保持するウエ
ハ保持機構と、を具備するものである。
安定した電気的特性試験が可能なプローブ装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明に係るプローブ装置は、プローブ
カードを用いて半導体ウエハにプローブ試験を行うプロ
ーブ装置であって、プローブカード基板と、このプロー
ブカード基板の下面側に設けられたプローブ針１４と、
プローブカード基板の下面側に設けられ、テストヘッド
１側に電気的に接続するためのテスタ接続端子と、プロ
ーブカード基板の下面側から前記テスタ接続端子に接続
される接続部材１２と、この接続部材に電気的に接続さ
れるテストヘッド１と、半導体ウエハＷを保持するウエ
ハ保持機構と、を具備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハにプ
ローブ試験を行うためのプローブカード、プローブ装
置、プローブ試験方法及びプローブ針に関するものであ
る。
ローブ試験を行うためのプローブカード、プローブ装
置、プローブ試験方法及びプローブ針に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセス工程で半導体ウエハ上に
多数のＩＣチップを形成した場合には、その半導体ウエ
ハのまま個々のＩＣチップについて電気的特性の検査を
行い、不良品をスクリーニングするようにしている。そ
して、この検査には通常、プローブ装置が用いられてい
る。このプローブ装置は半導体ウエハ上の個々のＩＣチ
ップが有する電極パッドにプローブカードのプローブ針
を接触させ、プローブ針から所定の電圧を印加すること
により各ＩＣチップの導通試験などの電気的検査を行っ
て個々のＩＣチップが電気的特性を有するか否かをテス
タを介して試験する装置である。
多数のＩＣチップを形成した場合には、その半導体ウエ
ハのまま個々のＩＣチップについて電気的特性の検査を
行い、不良品をスクリーニングするようにしている。そ
して、この検査には通常、プローブ装置が用いられてい
る。このプローブ装置は半導体ウエハ上の個々のＩＣチ
ップが有する電極パッドにプローブカードのプローブ針
を接触させ、プローブ針から所定の電圧を印加すること
により各ＩＣチップの導通試験などの電気的検査を行っ
て個々のＩＣチップが電気的特性を有するか否かをテス
タを介して試験する装置である。
【０００３】上記プローブ装置は、半導体ウエハ上のＩ
Ｃチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップから
の出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピ
ンエレクトロニクスを有するテストヘッドと、ＩＣチッ
プ上の所定の電極パッドに接触させるプローブ針を有す
るプローブカードと、テストヘッドとプローブ針とを電
気的に接続させるためのポゴピンを有する接続リングと
を備えている。そして、このようなプローブ装置には必
要に応じてリニアマザーボードやパーフォーマンスボー
ド等の中継基板が設けられ、これらの中継基板によりプ
ローブカードとテスタを電気的に接続するようにしてい
る。
Ｃチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップから
の出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピ
ンエレクトロニクスを有するテストヘッドと、ＩＣチッ
プ上の所定の電極パッドに接触させるプローブ針を有す
るプローブカードと、テストヘッドとプローブ針とを電
気的に接続させるためのポゴピンを有する接続リングと
を備えている。そして、このようなプローブ装置には必
要に応じてリニアマザーボードやパーフォーマンスボー
ド等の中継基板が設けられ、これらの中継基板によりプ
ローブカードとテスタを電気的に接続するようにしてい
る。
【０００４】図３（ａ）は、従来のプローブカードを示
す概略平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す
３ｂ−３ｂ線に沿った断面図である。図３（ｃ）は、半
導体ウエハに電気的特性試験を行っている様子を示す断
面図である。
す概略平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す
３ｂ−３ｂ線に沿った断面図である。図３（ｃ）は、半
導体ウエハに電気的特性試験を行っている様子を示す断
面図である。
【０００５】図３（ａ），（ｂ）に示すように、プロー
ブカードは、メモリデバイスの半導体ウエハにおける複
数のＩＣチップを同時に測定することが可能なものであ
る。プローブカードは、表面及び内部にプリント配線が
設けられたプローブカード基板１１０を有している。こ
のプローブカード基板１１０にはその中央部に基板開口
エリアが設けられている。プローブカード基板１１０の
外周にはテスタ接続端子エリア１１５が設けられてお
り、このテスタ接続端子エリア１１５にはテスタ接続端
子１１６が配置されている。
ブカードは、メモリデバイスの半導体ウエハにおける複
数のＩＣチップを同時に測定することが可能なものであ
る。プローブカードは、表面及び内部にプリント配線が
設けられたプローブカード基板１１０を有している。こ
のプローブカード基板１１０にはその中央部に基板開口
エリアが設けられている。プローブカード基板１１０の
外周にはテスタ接続端子エリア１１５が設けられてお
り、このテスタ接続端子エリア１１５にはテスタ接続端
子１１６が配置されている。
【０００６】プローブカード基板１１０の下面側には前
記基板開口エリアの周辺に合わせてプローブ針固定用の
モールド樹脂からなる固定リング１１２が配置されてい
る。さらに、前記プローブカード基板１１０の下面側に
は、図３（ｂ）に示すように、複数のプローブ針１１４
が固定リング１１２の周囲に沿って固定されており、そ
の固定された基端が前記プリント配線に接続されてい
る。プリント配線はジャンパー配線１１８を介してテス
タ接続端子１１６に接続されている。また、ジャンパー
配線１１８の近傍には針元接続端子１２０が配置されて
いる。
記基板開口エリアの周辺に合わせてプローブ針固定用の
モールド樹脂からなる固定リング１１２が配置されてい
る。さらに、前記プローブカード基板１１０の下面側に
は、図３（ｂ）に示すように、複数のプローブ針１１４
が固定リング１１２の周囲に沿って固定されており、そ
の固定された基端が前記プリント配線に接続されてい
る。プリント配線はジャンパー配線１１８を介してテス
タ接続端子１１６に接続されている。また、ジャンパー
配線１１８の近傍には針元接続端子１２０が配置されて
いる。
【０００７】また、プローブ針１１４のアーム部が前記
基板開口エリアに向かって伸張されている。各プローブ
針１１４のアーム部はその先端がプローブカード基板１
１０とほぼ垂直になるように略Ｌ字型に折り曲げられて
いる。このアーム部の先端は、ウエハのＩＣチップの電
極パッドに接触する触針部を有している。各プローブ針
のアーム部の一部である中間節部は、前記固定リング１
１２の樹脂で固定保持され、各プローブ針１１４がしっ
かりと位置決め保持されている。
基板開口エリアに向かって伸張されている。各プローブ
針１１４のアーム部はその先端がプローブカード基板１
１０とほぼ垂直になるように略Ｌ字型に折り曲げられて
いる。このアーム部の先端は、ウエハのＩＣチップの電
極パッドに接触する触針部を有している。各プローブ針
のアーム部の一部である中間節部は、前記固定リング１
１２の樹脂で固定保持され、各プローブ針１１４がしっ
かりと位置決め保持されている。
【０００８】プローブカードによって実際に電気的特性
試験を行う場合には、図３（ｃ）に示すように、チャッ
クテーブル１１９の上に半導体ウエハ１１３を保持し、
チャックテーブル１１９を所定の温度に加熱して半導体
ウエハ１１３を高温環境下に置く。次いで、プローブ針
１１４の触針部をウエハ１１３のＩＣチップの各電極パ
ッドに導き、前記アーム部のバネ性を利用して所定圧力
で触針部を電極パッドに押圧する。この結果、触針部と
電極パッドとの接触が良好に行われ、複数のＩＣチップ
の電気的特性試験を同時に行うことにより生産性の向上
を図ることができる。また、高温環境下で試験すること
によりＩＣチップの信頼性についても試験することがで
きる。
試験を行う場合には、図３（ｃ）に示すように、チャッ
クテーブル１１９の上に半導体ウエハ１１３を保持し、
チャックテーブル１１９を所定の温度に加熱して半導体
ウエハ１１３を高温環境下に置く。次いで、プローブ針
１１４の触針部をウエハ１１３のＩＣチップの各電極パ
ッドに導き、前記アーム部のバネ性を利用して所定圧力
で触針部を電極パッドに押圧する。この結果、触針部と
電極パッドとの接触が良好に行われ、複数のＩＣチップ
の電気的特性試験を同時に行うことにより生産性の向上
を図ることができる。また、高温環境下で試験すること
によりＩＣチップの信頼性についても試験することがで
きる。
【０００９】上記プローブカードでは、パフォーマンス
ボード基板１１０がテスタ接続端子面を上面にしてテス
トヘッド側のポゴピン１２１に接続される。また、プロ
ーブ針立て面を下面にウエハ１１３上のＩＣチップの電
極パッドとコンタクトが取られている。チャックテーブ
ル１１９を上昇させてオーバードライブをかけることで
ＩＣチップの電極パッドと電気的な接続が可能になり、
電気的特性試験が可能になる。
ボード基板１１０がテスタ接続端子面を上面にしてテス
トヘッド側のポゴピン１２１に接続される。また、プロ
ーブ針立て面を下面にウエハ１１３上のＩＣチップの電
極パッドとコンタクトが取られている。チャックテーブ
ル１１９を上昇させてオーバードライブをかけることで
ＩＣチップの電極パッドと電気的な接続が可能になり、
電気的特性試験が可能になる。
【００１０】図３（ｃ）に示すように、ＩＣチップの多
ピン化が進むにつれてコンタクトした時点でのプローブ
カード中央部１２２での荷重が大きくなる。これによ
り、モールド樹脂からなる固定リング１１２を支点とし
てプローブカード中央部１２２を歪ませてしまう。その
結果、安定した電気的特性試験ができないことがある。
ピン化が進むにつれてコンタクトした時点でのプローブ
カード中央部１２２での荷重が大きくなる。これによ
り、モールド樹脂からなる固定リング１１２を支点とし
てプローブカード中央部１２２を歪ませてしまう。その
結果、安定した電気的特性試験ができないことがある。
【００１１】図４（ａ）は、図３（ｃ）に示すプローブ
針を電極パッドに接触させた様子を示す概略斜視図であ
り、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すプローブ針を電極
パッドに接触させた様子を示す概略側面図である。
針を電極パッドに接触させた様子を示す概略斜視図であ
り、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すプローブ針を電極
パッドに接触させた様子を示す概略側面図である。
【００１２】ＩＣチップの電気的特性試験に用いられる
プローブカードの検針では、ＩＣチップの高密度化に伴
ってより縮小化された電極パッド１２３へのコンタクト
を実現する必要がある。このため、図４（ｂ）に示すよ
うにプローブ針１１４の母材径１１４ａを細くすること
により高密度の針立てを行っている。この母材径１１４
ａは、概ね１００〜２００μｍ程度である。プローブ針
１１４の母材としては、タングステン（Ｗ）、レイウム
タングステン（ＲｅＷ）、ベリリウムカッパー（ＢｅＣ
ｕ）が主に用いられている。
プローブカードの検針では、ＩＣチップの高密度化に伴
ってより縮小化された電極パッド１２３へのコンタクト
を実現する必要がある。このため、図４（ｂ）に示すよ
うにプローブ針１１４の母材径１１４ａを細くすること
により高密度の針立てを行っている。この母材径１１４
ａは、概ね１００〜２００μｍ程度である。プローブ針
１１４の母材としては、タングステン（Ｗ）、レイウム
タングステン（ＲｅＷ）、ベリリウムカッパー（ＢｅＣ
ｕ）が主に用いられている。
【００１３】縮小化された電極パッド１２３へのコンタ
クトを実現するためには、母材径１１４ａを細くするこ
とが不可欠であるが、針先径１１４ｂも小さくする必要
がある。しかし、プローブ針の針先径１１４ｂを小さく
すると電極パッド１２３とのコンタクト性が不安定とな
り、安定した電気的特性試験が行われない。具体的には
プローブ針の先端径１１４ｂが概ねφ２０μｍよりも小
さくなった時点で、電気的特性試験に悪影響を及ぼすこ
とになる。
クトを実現するためには、母材径１１４ａを細くするこ
とが不可欠であるが、針先径１１４ｂも小さくする必要
がある。しかし、プローブ針の針先径１１４ｂを小さく
すると電極パッド１２３とのコンタクト性が不安定とな
り、安定した電気的特性試験が行われない。具体的には
プローブ針の先端径１１４ｂが概ねφ２０μｍよりも小
さくなった時点で、電気的特性試験に悪影響を及ぼすこ
とになる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】前述したように従来の
プローブカードでは、固定リング１１２を支点としてプ
ローブカード中央部１２２を歪ませてしまい、その結
果、安定した電気的特性試験ができないことがある。ま
た、従来のプローブ針では、プローブ針の母材先端径が
小さくなると電気的特性試験に悪影響を及ぼすことがあ
る。
プローブカードでは、固定リング１１２を支点としてプ
ローブカード中央部１２２を歪ませてしまい、その結
果、安定した電気的特性試験ができないことがある。ま
た、従来のプローブ針では、プローブ針の母材先端径が
小さくなると電気的特性試験に悪影響を及ぼすことがあ
る。
【００１５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、プローブカードの中央部
が歪むのを抑制して安定した電気的特性試験が可能なプ
ローブカード、プローブ装置及びプローブ試験方法を提
供することにある。また、本発明の他の目的は、プロー
ブ針の母材先端径が比較的に小さくても安定した電気的
特性試験が可能なプローブ針を提供することにある。
れたものであり、その目的は、プローブカードの中央部
が歪むのを抑制して安定した電気的特性試験が可能なプ
ローブカード、プローブ装置及びプローブ試験方法を提
供することにある。また、本発明の他の目的は、プロー
ブ針の母材先端径が比較的に小さくても安定した電気的
特性試験が可能なプローブ針を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るプローブカードは、半導体ウエハにプ
ローブ試験を行うためのプローブカードであって、プロ
ーブカード基板と、このプローブカード基板の下面側に
設けられたプローブ針と、プローブカード基板の下面側
に設けられ、テストヘッド側に電気的に接続するための
テスタ接続端子と、を具備することを特徴とする。
め、本発明に係るプローブカードは、半導体ウエハにプ
ローブ試験を行うためのプローブカードであって、プロ
ーブカード基板と、このプローブカード基板の下面側に
設けられたプローブ針と、プローブカード基板の下面側
に設けられ、テストヘッド側に電気的に接続するための
テスタ接続端子と、を具備することを特徴とする。
【００１７】上記プローブカードによれば、プローブカ
ード基板の下面側にプローブ針を設け、このプローブ針
と同じ下面側にテスタ接続端子を設けている。このた
め、プローブ試験を行うためにオーバードライブ荷重を
かけた際、テスタ接続端子にプローブ針と逆側の面（上
面）から荷重がかかることを防止できる。従って、プロ
ーブカードの中央部で歪むことを抑制できる。これによ
り、ＩＣの電極パッドとプローブ針との安定したコンタ
クトが可能になる。
ード基板の下面側にプローブ針を設け、このプローブ針
と同じ下面側にテスタ接続端子を設けている。このた
め、プローブ試験を行うためにオーバードライブ荷重を
かけた際、テスタ接続端子にプローブ針と逆側の面（上
面）から荷重がかかることを防止できる。従って、プロ
ーブカードの中央部で歪むことを抑制できる。これによ
り、ＩＣの電極パッドとプローブ針との安定したコンタ
クトが可能になる。
【００１８】また、本発明に係るプローブカードにおい
ては、前記プローブ針の先端部が導電膜で被覆されてい
ることも可能である。これにより、プローブ針のコンタ
クト特性を向上させることができ、安定した電気的特性
試験を行うことができる。
ては、前記プローブ針の先端部が導電膜で被覆されてい
ることも可能である。これにより、プローブ針のコンタ
クト特性を向上させることができ、安定した電気的特性
試験を行うことができる。
【００１９】また、本発明に係るプローブカードにおい
ては、前記導電膜がニッケル、パラジウム及び金のうち
いずれかからなる膜であることが好ましい。
ては、前記導電膜がニッケル、パラジウム及び金のうち
いずれかからなる膜であることが好ましい。
【００２０】また、本発明に係るプローブカードにおい
ては、前記プローブ針の母材先端径が２０μｍ未満であ
ることが好ましい。
ては、前記プローブ針の母材先端径が２０μｍ未満であ
ることが好ましい。
【００２１】本発明に係るプローブ装置は、請求項１に
記載のプローブカードを用いて半導体ウエハにプローブ
試験を行うプローブ装置であって、前記プローブカード
基板の下面側から前記テスタ接続端子に接続される接続
部材と、この接続部材に電気的に接続されるテストヘッ
ドと、半導体ウエハを保持するウエハ保持機構と、を具
備することを特徴とする。
記載のプローブカードを用いて半導体ウエハにプローブ
試験を行うプローブ装置であって、前記プローブカード
基板の下面側から前記テスタ接続端子に接続される接続
部材と、この接続部材に電気的に接続されるテストヘッ
ドと、半導体ウエハを保持するウエハ保持機構と、を具
備することを特徴とする。
【００２２】上記プローブ装置によれば、プローブカー
ド基板の下面側から接続部材によってテスタ接続端子に
接続しているので、プローブ試験を行うためにオーバー
ドライブ荷重をかけた際、テスタ接続端子にプローブ針
と逆側の面（上面）から荷重がかかることを防止でき
る。従って、プローブカードの中央部で歪むことを抑制
できる。これにより、ＩＣの電極パッドとプローブ針と
の安定したコンタクトが可能になる。
ド基板の下面側から接続部材によってテスタ接続端子に
接続しているので、プローブ試験を行うためにオーバー
ドライブ荷重をかけた際、テスタ接続端子にプローブ針
と逆側の面（上面）から荷重がかかることを防止でき
る。従って、プローブカードの中央部で歪むことを抑制
できる。これにより、ＩＣの電極パッドとプローブ針と
の安定したコンタクトが可能になる。
【００２３】また、本発明に係るプローブ装置において
は、前記プローブカード基板の上面側に配置された弾性
体スペーサをさらに含み、この弾性体スペーサは、前記
テストヘッドの側からプローブカード基板を加圧する際
にプローブカード基板の上面のほぼ全体を加圧するもの
であることが好ましい。このように弾性体スペーサによ
ってほぼ全体を加圧することにより、プローブカードの
中央部で歪むことを抑制できる。
は、前記プローブカード基板の上面側に配置された弾性
体スペーサをさらに含み、この弾性体スペーサは、前記
テストヘッドの側からプローブカード基板を加圧する際
にプローブカード基板の上面のほぼ全体を加圧するもの
であることが好ましい。このように弾性体スペーサによ
ってほぼ全体を加圧することにより、プローブカードの
中央部で歪むことを抑制できる。
【００２４】本発明に係るプローブ試験方法は、請求項
１に記載のプローブカードを用いてプローブ試験を行う
方法であって、半導体ウエハのＩＣチップの各電極パッ
ドにプローブカードのプローブ針を押し当ててオーバー
ドライブをかけながら試験を行う際、プローブカード基
板の下面側のテスタ接続端子をテストヘッド側に電気的
に接続することでプローブ試験を行うことを特徴とす
る。
１に記載のプローブカードを用いてプローブ試験を行う
方法であって、半導体ウエハのＩＣチップの各電極パッ
ドにプローブカードのプローブ針を押し当ててオーバー
ドライブをかけながら試験を行う際、プローブカード基
板の下面側のテスタ接続端子をテストヘッド側に電気的
に接続することでプローブ試験を行うことを特徴とす
る。
【００２５】本発明に係るプローブ試験方法は、請求項
５に記載のプローブ装置を用いてプローブ試験を行う方
法であって、半導体ウエハをウエハ保持機構に保持し、
半導体ウエハのＩＣチップの各電極パッドにプローブカ
ードのプローブ針を押し当ててオーバードライブをかけ
ながら試験を行う際、プローブカード基板の下面側のテ
スタ接続端子を接続部材に接続することにより、ＩＣチ
ップの各電極パッドとテストヘッド側を電気的に接続す
ることを特徴とする。
５に記載のプローブ装置を用いてプローブ試験を行う方
法であって、半導体ウエハをウエハ保持機構に保持し、
半導体ウエハのＩＣチップの各電極パッドにプローブカ
ードのプローブ針を押し当ててオーバードライブをかけ
ながら試験を行う際、プローブカード基板の下面側のテ
スタ接続端子を接続部材に接続することにより、ＩＣチ
ップの各電極パッドとテストヘッド側を電気的に接続す
ることを特徴とする。
【００２６】本発明に係るプローブ針は、半導体ウエハ
にプローブ試験を行うためのプローブ針であって、先端
部が導電膜で被覆されていることを特徴とする。
にプローブ試験を行うためのプローブ針であって、先端
部が導電膜で被覆されていることを特徴とする。
【００２７】上記プローブ針によれば、先端部を導電膜
で被覆することにより、プローブ針の先端径を導電膜で
太らせてコンタクト特性を向上させることができる。従
って、安定した電気的特性試験を行うことが可能とな
る。
で被覆することにより、プローブ針の先端径を導電膜で
太らせてコンタクト特性を向上させることができる。従
って、安定した電気的特性試験を行うことが可能とな
る。
【００２８】また、本発明に係るプローブ針において
は、前記導電膜がニッケル、パラジウム及び金のうちい
ずれかからなる膜であることが好ましい。
は、前記導電膜がニッケル、パラジウム及び金のうちい
ずれかからなる膜であることが好ましい。
【００２９】また、本発明に係るプローブ針において
は、前記プローブ針の母材先端径が２０μｍ未満である
ことが好ましい。
は、前記プローブ針の母材先端径が２０μｍ未満である
ことが好ましい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図
である。
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるプローブ装置を概略的に示す構成図
である。
【００３１】このプローブ装置は、図示せぬ昇降機構に
よって昇降可能に構成されたテストヘッド１と、このテ
ストヘッド１の下方で図示せぬ装置本体内に順次配設さ
れたパフォーマンスボード２と、このパフォーマンスボ
ード２と接続するようにインサートリング３により支持
された接続リング４と、この接続リング４の下方に配設
されたプローブカード５を備えている。
よって昇降可能に構成されたテストヘッド１と、このテ
ストヘッド１の下方で図示せぬ装置本体内に順次配設さ
れたパフォーマンスボード２と、このパフォーマンスボ
ード２と接続するようにインサートリング３により支持
された接続リング４と、この接続リング４の下方に配設
されたプローブカード５を備えている。
【００３２】上記テストヘッド１の内部には被検査体と
しての半導体ウエハＷ上のＩＣチップに電圧を印加する
試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込む
ための入力部などからなるピンエレクトロニクス６が内
蔵されている。このピンエレクトロニクス６はパフォー
マンスボード２上に搭載された複数の電子部品回路７に
対して電気的に接続されている。これらの電子部品回路
７は、例えばマトリックス・リレー、ドライバ回路等か
らなる各種測定回路として構成され、各電子部品回路７
の接続リング４との接続端子８はパフォーマンスボード
２の本体である例えばエポキシ系樹脂製の基板９の下面
に例えば基板９と同心円をなす４つの円周上に配列され
ている。
しての半導体ウエハＷ上のＩＣチップに電圧を印加する
試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込む
ための入力部などからなるピンエレクトロニクス６が内
蔵されている。このピンエレクトロニクス６はパフォー
マンスボード２上に搭載された複数の電子部品回路７に
対して電気的に接続されている。これらの電子部品回路
７は、例えばマトリックス・リレー、ドライバ回路等か
らなる各種測定回路として構成され、各電子部品回路７
の接続リング４との接続端子８はパフォーマンスボード
２の本体である例えばエポキシ系樹脂製の基板９の下面
に例えば基板９と同心円をなす４つの円周上に配列され
ている。
【００３３】また、上記接続リング４の上面には接続端
子８に対応するポゴピン１０が同心円をなすように形成
された４つの円周上に配列され、その下面には各ポゴピ
ン１０に導通するポゴピン１１が接続部材１２に対応し
て設けられている。この接続部材１２はプローブカード
５の下面のテスタ接続端子に下方から接続されるように
構成されている。これによりテストヘッド１は、パフォ
ーマンスボード２、接続リング４及び接続部材１２を介
してプローブカード５と電気的に接続できるように構成
されている。
子８に対応するポゴピン１０が同心円をなすように形成
された４つの円周上に配列され、その下面には各ポゴピ
ン１０に導通するポゴピン１１が接続部材１２に対応し
て設けられている。この接続部材１２はプローブカード
５の下面のテスタ接続端子に下方から接続されるように
構成されている。これによりテストヘッド１は、パフォ
ーマンスボード２、接続リング４及び接続部材１２を介
してプローブカード５と電気的に接続できるように構成
されている。
【００３４】また、接続リング４の下面にはゴムなどの
クッション材からなるスペーサ１３が配置されており、
このスペーサ１３はプローブカード５の上面に対応する
位置に形成されている。これにより、プローブカード５
の上面の広い面積をスペーサ１３で下方へ加圧できるよ
うになっている。その加圧の際、ポゴピン１１によって
接続部材１２に電気的に接続できるようになっており、
この接続部材１２はプローブカード５のテスタ接続端子
に電気的に接続されている。
クッション材からなるスペーサ１３が配置されており、
このスペーサ１３はプローブカード５の上面に対応する
位置に形成されている。これにより、プローブカード５
の上面の広い面積をスペーサ１３で下方へ加圧できるよ
うになっている。その加圧の際、ポゴピン１１によって
接続部材１２に電気的に接続できるようになっており、
この接続部材１２はプローブカード５のテスタ接続端子
に電気的に接続されている。
【００３５】プローブカード５は、メモリデバイスの半
導体ウエハＷにおける複数のＩＣチップを同時に測定す
ることが可能なものである。プローブカード５は、表面
及び内部にプリント配線が設けられたプローブカード基
板（プリント基板）を有している。このプローブカード
基板の下面の外周には接続端子エリアが設けられてお
り、この接続端子エリアにはテスタ接続端子が配置され
ている。プローブカード基板は、針立て面とテスタ接続
端子面を同じ面（図１では下面）に配置する構造として
いる。従って、電気的接続のための接続部材１２も下面
からコンタクトを取るような構造となっている。
導体ウエハＷにおける複数のＩＣチップを同時に測定す
ることが可能なものである。プローブカード５は、表面
及び内部にプリント配線が設けられたプローブカード基
板（プリント基板）を有している。このプローブカード
基板の下面の外周には接続端子エリアが設けられてお
り、この接続端子エリアにはテスタ接続端子が配置され
ている。プローブカード基板は、針立て面とテスタ接続
端子面を同じ面（図１では下面）に配置する構造として
いる。従って、電気的接続のための接続部材１２も下面
からコンタクトを取るような構造となっている。
【００３６】プローブカード基板の下面側には中央部に
プローブ針固定用のモールド樹脂からなる固定リングが
配置されている。さらに、プローブカード基板の下面側
には、複数のプローブ針１４が固定リングの周囲に沿っ
て固定されており、その固定された基端が前記プリント
配線に接続されている。プリント配線はジャンパー配線
（図示せず）を介してテスタ接続端子に接続されている
か、または、プリント基板内のマルチワイヤー配線（登
録商標）でテスタ接続端子に接続されている。
プローブ針固定用のモールド樹脂からなる固定リングが
配置されている。さらに、プローブカード基板の下面側
には、複数のプローブ針１４が固定リングの周囲に沿っ
て固定されており、その固定された基端が前記プリント
配線に接続されている。プリント配線はジャンパー配線
（図示せず）を介してテスタ接続端子に接続されている
か、または、プリント基板内のマルチワイヤー配線（登
録商標）でテスタ接続端子に接続されている。
【００３７】また、プローブ針１４のアーム部がプロー
ブカード基板の中央部の下方に向かって伸張されてい
る。各プローブ針１４のアーム部はその先端がプローブ
カード基板とほぼ垂直になるように略Ｌ字型に折り曲げ
られている。このアーム部の先端は、ウエハＷのＩＣチ
ップの電極パッドに接触する触針部を有している。各プ
ローブ針１４のアーム部の一部である中間節部は、前記
固定リングの樹脂で固定保持され、各プローブ針１４が
しっかりと位置決め保持されている。
ブカード基板の中央部の下方に向かって伸張されてい
る。各プローブ針１４のアーム部はその先端がプローブ
カード基板とほぼ垂直になるように略Ｌ字型に折り曲げ
られている。このアーム部の先端は、ウエハＷのＩＣチ
ップの電極パッドに接触する触針部を有している。各プ
ローブ針１４のアーム部の一部である中間節部は、前記
固定リングの樹脂で固定保持され、各プローブ針１４が
しっかりと位置決め保持されている。
【００３８】プローブカード５に対して半導体ウエハＷ
をアライメントするアライメント機構について説明す
る。プローブカード５の下方には略円形状のステージ２
７が設けられ、このステージ２７の上面に配設されたウ
エハチャック２８により半導体ウエハＷを水平に保持す
るようになっている。このウエハチャック２８の内部に
は加熱装置２９及び冷却媒体の循環路３０が温度調整機
構として設けられ、検査時に必要に応じて加熱装置２９
により半導体ウエハＷを例えば１５０℃まで加熱でき、
また循環路３０を流れる冷却媒体により半導体ウエハＷ
を例えば−１０℃まで冷却できるようになっている。
をアライメントするアライメント機構について説明す
る。プローブカード５の下方には略円形状のステージ２
７が設けられ、このステージ２７の上面に配設されたウ
エハチャック２８により半導体ウエハＷを水平に保持す
るようになっている。このウエハチャック２８の内部に
は加熱装置２９及び冷却媒体の循環路３０が温度調整機
構として設けられ、検査時に必要に応じて加熱装置２９
により半導体ウエハＷを例えば１５０℃まで加熱でき、
また循環路３０を流れる冷却媒体により半導体ウエハＷ
を例えば−１０℃まで冷却できるようになっている。
【００３９】また、上記ステージ２７はウエハチャック
２８を水平方向、上下方向及びθ方向で駆動させる駆動
機構（図示せず）を有し、半導体ウエハＷのアライメン
ト時に駆動機構の駆動によりステージ２７がレール３
１，３２上でＸ、Ｙ方向へ移動すると共にウエハチャッ
ク２８がθ方向で回転し、更に、上下方向へ昇降するよ
うになっている。更に、ウエハチャック２８にはターゲ
ット板３３が取り付けられており、その上方に配設され
た光学的撮像装置３４，３５及び静電容量センサ３６に
よりターゲット板３３及び所定のＩＣチップを検出し、
この検出信号に基づいてプローブカード５と半導体ウエ
ハＷ上のＩＣチップの位置を演算するようになってい
る。そして、この演算結果に基づいてステージ２７の駆
動機構が駆動制御されて半導体ウエハＷ上の検査すべき
ＩＣチップをプローブカード５にアライメントするよう
にしてある。
２８を水平方向、上下方向及びθ方向で駆動させる駆動
機構（図示せず）を有し、半導体ウエハＷのアライメン
ト時に駆動機構の駆動によりステージ２７がレール３
１，３２上でＸ、Ｙ方向へ移動すると共にウエハチャッ
ク２８がθ方向で回転し、更に、上下方向へ昇降するよ
うになっている。更に、ウエハチャック２８にはターゲ
ット板３３が取り付けられており、その上方に配設され
た光学的撮像装置３４，３５及び静電容量センサ３６に
よりターゲット板３３及び所定のＩＣチップを検出し、
この検出信号に基づいてプローブカード５と半導体ウエ
ハＷ上のＩＣチップの位置を演算するようになってい
る。そして、この演算結果に基づいてステージ２７の駆
動機構が駆動制御されて半導体ウエハＷ上の検査すべき
ＩＣチップをプローブカード５にアライメントするよう
にしてある。
【００４０】次に、動作について説明する。例えば１５
０℃の温度下で半導体ウエハＷの電気的検査を行う場合
には、加熱装置２９を作動させ半導体ウエハＷを加熱
し、例えば１５０℃に温度設定し、その温度を維持す
る。次いで、ターゲット板３３、光学的撮像装置３４，
３５及び静電容量センサ３６などから得られた検出デー
タに基づいてステージ２７が駆動して半導体ウエハＷを
プローブカード５に対してアライメントする。
０℃の温度下で半導体ウエハＷの電気的検査を行う場合
には、加熱装置２９を作動させ半導体ウエハＷを加熱
し、例えば１５０℃に温度設定し、その温度を維持す
る。次いで、ターゲット板３３、光学的撮像装置３４，
３５及び静電容量センサ３６などから得られた検出デー
タに基づいてステージ２７が駆動して半導体ウエハＷを
プローブカード５に対してアライメントする。
【００４１】アライメント終了後、テストヘッド１を下
降させると共にプローブカード５及びそれと電気的に接
続された接続部材１２を上昇させる。これにより、パフ
ォーマンスボード２下面の接続端子８が接続リング４上
面のポゴピン１０と電気的に接続されると共に、接続部
材１２が接続リング４下面のポゴピン１１と電気的に接
続される。その結果、テストヘッド１のピンエレクトロ
ニクス６とパフォーマンスボード２の電子部品回路７が
電気的に接続され、更にこれらは接続リング４のポゴピ
ン１０，１１及び接続部材１２を介してプローブカード
５のテスタ接続端子に電気的に接続され、ピンエレクト
ロニクス６とプローブ針１４とが導通可能な状態にな
る。
降させると共にプローブカード５及びそれと電気的に接
続された接続部材１２を上昇させる。これにより、パフ
ォーマンスボード２下面の接続端子８が接続リング４上
面のポゴピン１０と電気的に接続されると共に、接続部
材１２が接続リング４下面のポゴピン１１と電気的に接
続される。その結果、テストヘッド１のピンエレクトロ
ニクス６とパフォーマンスボード２の電子部品回路７が
電気的に接続され、更にこれらは接続リング４のポゴピ
ン１０，１１及び接続部材１２を介してプローブカード
５のテスタ接続端子に電気的に接続され、ピンエレクト
ロニクス６とプローブ針１４とが導通可能な状態にな
る。
【００４２】その後、ウエハチャック２８を上昇させて
半導体ウエハＷ上のＩＣチップの各電極パッドにプロー
ブ針１４の針先を接触させ、更にウエハチャック２８を
所定量オーバードライブさせてプローブ針１４と電極パ
ッドとを導通可能な状態にする。ウエハチャック２８を
上昇させてオーバードライブさせた際、接続リング４下
面のスペーサ１３によってプローブカード基板の上面の
広い面積が加圧されるため、従来技術のようにプローブ
カード基板の中央が歪むことがない。
半導体ウエハＷ上のＩＣチップの各電極パッドにプロー
ブ針１４の針先を接触させ、更にウエハチャック２８を
所定量オーバードライブさせてプローブ針１４と電極パ
ッドとを導通可能な状態にする。ウエハチャック２８を
上昇させてオーバードライブさせた際、接続リング４下
面のスペーサ１３によってプローブカード基板の上面の
広い面積が加圧されるため、従来技術のようにプローブ
カード基板の中央が歪むことがない。
【００４３】この導通可能な状態でテストヘッド１から
所定の電気信号を送信し、パフォーマンスボード２、接
続リング４、接続部材１２、プローブ針１４及び電極パ
ッドを介してＩＣチップに電気信号を入力すると、この
入力信号に基づいた出力信号がＩＣチップから接続リン
グ４及びパフォーマンスボード２の電子部品回路７を介
してピンエレクトロニクス６に取り込まれ、ＩＣチップ
の電気的検査が行われる。
所定の電気信号を送信し、パフォーマンスボード２、接
続リング４、接続部材１２、プローブ針１４及び電極パ
ッドを介してＩＣチップに電気信号を入力すると、この
入力信号に基づいた出力信号がＩＣチップから接続リン
グ４及びパフォーマンスボード２の電子部品回路７を介
してピンエレクトロニクス６に取り込まれ、ＩＣチップ
の電気的検査が行われる。
【００４４】上記第１の実施の形態によれば、プローブ
カード５の上面はスペーサ１３によってテストヘッド側
の接続リング４と面で固定されているため、オーバード
ライブ荷重によりプローブカードの中央部で歪むことを
抑制できる。これにより、ＩＣの電極パッドとプローブ
針１４との安定したコンタクトが可能になる。
カード５の上面はスペーサ１３によってテストヘッド側
の接続リング４と面で固定されているため、オーバード
ライブ荷重によりプローブカードの中央部で歪むことを
抑制できる。これにより、ＩＣの電極パッドとプローブ
針１４との安定したコンタクトが可能になる。
【００４５】図２は、本発明に係る第２の実施の形態に
よるプローブ針であって図１に示すプローブ針を概略的
に示す断面図である。
よるプローブ針であって図１に示すプローブ針を概略的
に示す断面図である。
【００４６】ＩＣチップの電気的特性試験に用いられる
プローブカードの検針では、ＩＣチップの高密度化に伴
ってより縮小化された電極パッドへのコンタクトを実現
する必要がある。このため、プローブ針１４の母材径１
４ａを細くすることにより高密度の針立てを行ってい
る。この母材径１４ａは、概ね１００〜２００μｍ程度
である。プローブ針１４の母材としては、タングステン
（Ｗ）、レイウムタングステン（ＲｅＷ）、ベリリウム
カッパー（ＢｅＣｕ）が主に用いられている。
プローブカードの検針では、ＩＣチップの高密度化に伴
ってより縮小化された電極パッドへのコンタクトを実現
する必要がある。このため、プローブ針１４の母材径１
４ａを細くすることにより高密度の針立てを行ってい
る。この母材径１４ａは、概ね１００〜２００μｍ程度
である。プローブ針１４の母材としては、タングステン
（Ｗ）、レイウムタングステン（ＲｅＷ）、ベリリウム
カッパー（ＢｅＣｕ）が主に用いられている。
【００４７】縮小化された電極パッドへのコンタクトを
実現するためには、母材径１４ａを細くすることが不可
欠であるが、プローブ針１４の先端径１４ｃも小さくす
る必要がある。従って、プローブ針１４の母材先端径１
４ｂが概ねφ２０μｍよりも小さくするものに対して、
プローブ針１４の先端部をニッケル（Ｎｉ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）などの導電性の良い材料膜１５
でメッキ処理する。これにより、プローブ針１４の先端
径１４ｃを導電性の良い材料膜１５でφ２０μｍ程度ま
で太らせてコンタクト特性を向上させることができる。
よって、母材先端径１４ｂがφ２０μｍ未満のプローブ
針１４であっても安定した電気的特性試験を行うことが
可能となる。
実現するためには、母材径１４ａを細くすることが不可
欠であるが、プローブ針１４の先端径１４ｃも小さくす
る必要がある。従って、プローブ針１４の母材先端径１
４ｂが概ねφ２０μｍよりも小さくするものに対して、
プローブ針１４の先端部をニッケル（Ｎｉ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）などの導電性の良い材料膜１５
でメッキ処理する。これにより、プローブ針１４の先端
径１４ｃを導電性の良い材料膜１５でφ２０μｍ程度ま
で太らせてコンタクト特性を向上させることができる。
よって、母材先端径１４ｂがφ２０μｍ未満のプローブ
針１４であっても安定した電気的特性試験を行うことが
可能となる。
【００４８】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
ローブカードの中央部が歪むのを抑制して安定した電気
的特性試験が可能なプローブカード、プローブ装置及び
プローブ試験方法を提供することができる。
ローブカードの中央部が歪むのを抑制して安定した電気
的特性試験が可能なプローブカード、プローブ装置及び
プローブ試験方法を提供することができる。
【００５０】また、他の本発明によれば、プローブ針の
母材先端径が比較的に小さくても安定した電気的特性試
験が可能なプローブ針を提供することができる。
母材先端径が比較的に小さくても安定した電気的特性試
験が可能なプローブ針を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る第１の実施の形態によるプロー
ブ装置を概略的に示す構成図である。
ブ装置を概略的に示す構成図である。
【図２】 本発明に係る第２の実施の形態によるプロー
ブ針であって図１に示すプローブ針を概略的に示す断面
図である。
ブ針であって図１に示すプローブ針を概略的に示す断面
図である。
【図３】 （ａ）は、従来のプローブカードを示す概略
平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す３ｂ−３ｂ線に
沿った断面図であり、（ｃ）は、半導体ウエハに電気的
特性試験を行っている様子を示す断面図である。
平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す３ｂ−３ｂ線に
沿った断面図であり、（ｃ）は、半導体ウエハに電気的
特性試験を行っている様子を示す断面図である。
【図４】 （ａ）は、図３（ｃ）に示すプローブ針を電
極パッドに接触させた様子を示す概略斜視図であり、
（ｂ）は、（ａ）に示すプローブ針を電極パッドに接触
させた様子を示す概略側面図である。
極パッドに接触させた様子を示す概略斜視図であり、
（ｂ）は、（ａ）に示すプローブ針を電極パッドに接触
させた様子を示す概略側面図である。
１…テストヘッド
２…パフォーマンスボード
３…インサートリング
４…接続リング
５…プローブカード
６…ピンエレクトロニクス
７…電子部品回路
８…接続端子
９…エポキシ系樹脂製の基板
１０，１１，１２１…ポゴピン
１２…接続部材
１３…スペーサ
１４，１１４…プローブ針
１４ａ…プローブ針の母材径
１４ｂ…プローブ針の母材先端径
１４ｃ…プローブ針の先端径
１５…導電性の良い材料膜
２７…ステージ
２８…ウエハチャック
２９…加熱装置
３０…冷却媒体の循環路
３１，３２…レール
３３…ターゲット板
３４，３５…光学的撮像装置
３６…静電容量センサ
Ｗ…半導体ウエハ
１１０…プローブカード基板
１１２…固定リング
１１３…半導体ウエハ
１１５…テスタ接続端子エリア
１１６…テスタ接続端子
１１８…ジャンパー配線
１１９…チャックテーブル
１２０…針元接続端子
１２２…プローブカード中央部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G003 AA08 AA10 AB01 AD01 AF06
AG04 AG12 AG16 AG20
2G011 AA02 AA17 AB06 AB08 AB10
AC06 AC14 AC31 AE03 AF07
2G132 AA08 AB01 AB03 AE02 AE04
AE30 AF06 AF18 AL03
4M106 AA01 BA01 DD03 DD10
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体ウエハにプローブ試験を行うため
のプローブカードであって、 プローブカード基板と、 このプローブカード基板の下面側に設けられたプローブ
針と、 プローブカード基板の下面側に設けられ、テストヘッド
側に電気的に接続するためのテスタ接続端子と、 を具備することを特徴とするプローブカード。 - 【請求項２】 前記プローブ針の先端部が導電膜で被覆
されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブ
カード。 - 【請求項３】 前記導電膜がニッケル、パラジウム及び
金のうちいずれかからなる膜であることを特徴とする請
求項２に記載のプローブカード。 - 【請求項４】 前記プローブ針の母材先端径が２０μｍ
未満であることを特徴とする請求項２又は３に記載のプ
ローブカード。 - 【請求項５】 請求項１に記載のプローブカードを用い
て半導体ウエハにプローブ試験を行うプローブ装置であ
って、 前記プローブカード基板の下面側から前記テスタ接続端
子に接続される接続部材と、 この接続部材に電気的に接続されるテストヘッドと、 半導体ウエハを保持するウエハ保持機構と、 を具備することを特徴とするプローブ装置。 - 【請求項６】 前記プローブカード基板の上面側に配置
された弾性体スペーサをさらに含み、この弾性体スペー
サは、前記テストヘッドの側からプローブカード基板を
加圧する際にプローブカード基板の上面のほぼ全体を加
圧するものであることを特徴とする請求項５に記載のプ
ローブ装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載のプローブカードを用い
てプローブ試験を行う方法であって、 半導体ウエハのＩＣチップの各電極パッドにプローブカ
ードのプローブ針を押し当ててオーバードライブをかけ
ながら試験を行う際、プローブカード基板の下面側のテ
スタ接続端子をテストヘッド側に電気的に接続すること
でプローブ試験を行うことを特徴とするプローブ試験方
法。 - 【請求項８】 請求項５に記載のプローブ装置を用いて
プローブ試験を行う方法であって、 半導体ウエハをウエハ保持機構に保持し、 半導体ウエハのＩＣチップの各電極パッドにプローブカ
ードのプローブ針を押し当ててオーバードライブをかけ
ながら試験を行う際、プローブカード基板の下面側のテ
スタ接続端子を接続部材に接続することにより、ＩＣチ
ップの各電極パッドとテストヘッド側を電気的に接続す
ることを特徴とするプローブ試験方法。 - 【請求項９】 半導体ウエハにプローブ試験を行うため
のプローブ針であって、先端部が導電膜で被覆されてい
ることを特徴とするプローブ針。 - 【請求項１０】 前記導電膜がニッケル、パラジウム及
び金のうちいずれかからなる膜であることを特徴とする
請求項９に記載のプローブ針。 - 【請求項１１】 前記プローブ針の母材先端径が２０μ
ｍ未満であることを特徴とする請求項９又は１０に記載
のプローブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052378A JP2003258044A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | プローブカード、プローブ装置、プローブ試験方法及びプローブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052378A JP2003258044A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | プローブカード、プローブ装置、プローブ試験方法及びプローブ針 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258044A true JP2003258044A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28664073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002052378A Withdrawn JP2003258044A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | プローブカード、プローブ装置、プローブ試験方法及びプローブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003258044A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100465650C (zh) * | 2005-01-18 | 2009-03-04 | 旺矽科技股份有限公司 | 探针卡 |
| CN104280577A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 | 电连接装置 |
| WO2015186953A1 (ko) * | 2014-06-02 | 2015-12-10 | 주식회사 케미텍 | 테스트 장치의 커넥터 시스템에 구비되는 커넥터 어셈블리, 커넥터 서브어셈블리 및 커넥터 핀 |
| WO2018159190A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システム、および検査システムの故障解析・予知方法 |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002052378A patent/JP2003258044A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100465650C (zh) * | 2005-01-18 | 2009-03-04 | 旺矽科技股份有限公司 | 探针卡 |
| CN104280577A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 | 电连接装置 |
| WO2015186953A1 (ko) * | 2014-06-02 | 2015-12-10 | 주식회사 케미텍 | 테스트 장치의 커넥터 시스템에 구비되는 커넥터 어셈블리, 커넥터 서브어셈블리 및 커넥터 핀 |
| KR20150139092A (ko) * | 2014-06-02 | 2015-12-11 | (주)케미텍 | 테스트 장치의 커넥터 시스템에 구비되는 커넥터 어셈블리, 커넥터 서브어셈블리 및 커넥터 핀 |
| KR102123882B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2020-06-18 | (주)케미텍 | 테스트 장치의 커넥터 시스템에 구비되는 커넥터 어셈블리, 커넥터 서브어셈블리 및 커넥터 핀 |
| KR20190117775A (ko) * | 2017-03-02 | 2019-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 시스템, 및 검사 시스템의 고장 해석 및 예지 방법 |
| JP2018147959A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システム、ならびに検査システムの故障解析・予知方法 |
| CN110383443A (zh) * | 2017-03-02 | 2019-10-25 | 东京毅力科创株式会社 | 检查系统以及检查系统的故障分析和预知方法 |
| WO2018159190A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システム、および検査システムの故障解析・予知方法 |
| KR102239051B1 (ko) * | 2017-03-02 | 2021-04-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 시스템, 및 검사 시스템의 고장 해석 및 예지 방법 |
| US11187747B2 (en) | 2017-03-02 | 2021-11-30 | Tokyo Electron Limited | Inspection system and malfunction analysis/prediction method for inspection system |
| JP2021184486A (ja) * | 2017-03-02 | 2021-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システム、ならびに検査システムの故障解析・予知方法 |
| TWI757437B (zh) * | 2017-03-02 | 2022-03-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 檢查系統、以及檢查系統之故障解析及預測方法 |
| JP7105977B2 (ja) | 2017-03-02 | 2022-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システム、ならびに検査システムの故障解析・予知方法 |
| CN110383443B (zh) * | 2017-03-02 | 2023-06-13 | 东京毅力科创株式会社 | 检查系统以及检查系统的故障分析和预知方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100309889B1 (ko) | 프로우브장치 | |
| KR20000004854A (ko) | 멀티핀장치의 검사에 적합한 프로브카드 | |
| JP3315339B2 (ja) | 半導体素子の製造方法並びに半導体素子へのプロービング方法およびその装置 | |
| JPH06151532A (ja) | プローブ装置 | |
| WO2008050648A1 (fr) | Élément de support pour une inspection, dispositif d'inspection et procédé d'inspection | |
| KR100787829B1 (ko) | 프로브 카드 테스트 장치 및 테스트 방법 | |
| JPH10111315A (ja) | プローブカードおよびこれを用いた試験装置 | |
| JP2003084047A (ja) | 半導体装置の測定用治具 | |
| JPH09304436A (ja) | プローブカード | |
| JP2966671B2 (ja) | プローブカード | |
| JP2004053409A (ja) | プローブカード | |
| JP5086783B2 (ja) | カンチレバー型プローブカード | |
| JP2003258044A (ja) | プローブカード、プローブ装置、プローブ試験方法及びプローブ針 | |
| JP2009002865A (ja) | プローブカード及び電子部品試験装置 | |
| US6486688B2 (en) | Semiconductor device testing apparatus having a contact sheet and probe for testing high frequency characteristics | |
| JPH07321168A (ja) | プローブカード | |
| JP2559242B2 (ja) | プローブカード | |
| JP2001077160A (ja) | 半導体基板試験装置 | |
| JP2737774B2 (ja) | ウェハテスタ | |
| JP2003255023A (ja) | プローブカード及びプローブカード試験方法 | |
| KR20020057364A (ko) | 프로브 카드 | |
| JP2005064313A (ja) | プローブカード、プローブ装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH05218149A (ja) | プローブ装置 | |
| JPH0758168A (ja) | プローブ装置 | |
| JPH07318587A (ja) | プローブカード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |