JPH10111315A - プローブカードおよびこれを用いた試験装置 - Google Patents
プローブカードおよびこれを用いた試験装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ状態でのチップのバーンイン試験が可
能なプローブカードおよびそれを用いた試験装置を提供
する。 【解決手段】 本発明によるプローブカード４は、被測
定物であるチップが形成されたシリコンウエハと熱膨張
係数が近い石英ガラス基板５を用いて形成されているの
で、バーンイン試験において常温から高温に温度を変化
させても、プロービングパッド６とボンディングパッド
３の位置ずれが生じないため、常温で位置決めを行え
る。また、石英ガラス基板５は透明であるので、従来の
ガラエポ基板のように位置合わせのための穴を開けてお
く必要がなく、プロービングパッド６とボンディングパ
ッド３位置合わせが容易である。さらに、導電性ゴム１
０の上に安定性、導電性に優れたＡｕボール１１を形成
することにより、ボンディングパッド３との電気的導通
がより確実になる。
能なプローブカードおよびそれを用いた試験装置を提供
する。 【解決手段】 本発明によるプローブカード４は、被測
定物であるチップが形成されたシリコンウエハと熱膨張
係数が近い石英ガラス基板５を用いて形成されているの
で、バーンイン試験において常温から高温に温度を変化
させても、プロービングパッド６とボンディングパッド
３の位置ずれが生じないため、常温で位置決めを行え
る。また、石英ガラス基板５は透明であるので、従来の
ガラエポ基板のように位置合わせのための穴を開けてお
く必要がなく、プロービングパッド６とボンディングパ
ッド３位置合わせが容易である。さらに、導電性ゴム１
０の上に安定性、導電性に優れたＡｕボール１１を形成
することにより、ボンディングパッド３との電気的導通
がより確実になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
の電気的特性を測定するプローバーに用いられるプロー
ブカードに関し、ウエハ状態の複数のチップに対してバ
ーンイン試験を行うことが可能なプローブカードおよび
これを用いた試験装置に関する。
の電気的特性を測定するプローバーに用いられるプロー
ブカードに関し、ウエハ状態の複数のチップに対してバ
ーンイン試験を行うことが可能なプローブカードおよび
これを用いた試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体集積回路の潜在的不良を
選別するスクリーニング方法のひとつとしてバーンイン
試験を行い、出荷品の信頼性を確保している。図５は、
従来のバーンイン試験方法を示す図であり、図におい
て、３１は組立工程の完了した後の半導体集積回路、３
２はソケット、３３は恒温槽、３４は電圧印加装置であ
る。従来のバーンイン試験では、半導体集積回路３１を
恒温槽３３内でソケット３２にセットし、電圧印加装置
３４より実使用条件よりも高い電源電圧を印加し、恒温
槽３３により実使用条件よりも高い雰囲気温度を与え
て、エージングを行う。このように実使用条件よりも厳
しい条件下で試験を行うことにより、短時間で潜在的な
故障を検出するものである。一方、最近の傾向として、
半導体集積回路の電気的特性を測定するプローバーを用
い、ウエハ状態でバーンイン試験を行う方法が提案され
ている。例えば、特開平５−３４０９６４号公報では、
半導体ウエハ裏面よりヒーターにて加熱しながら、半導
体ウエハ上のチップのボンディングパッドに対してバン
プを接触させ、すべてのチップに対し一度に電圧を印加
することが可能なバーンイン試験装置が提案されてい
る。
選別するスクリーニング方法のひとつとしてバーンイン
試験を行い、出荷品の信頼性を確保している。図５は、
従来のバーンイン試験方法を示す図であり、図におい
て、３１は組立工程の完了した後の半導体集積回路、３
２はソケット、３３は恒温槽、３４は電圧印加装置であ
る。従来のバーンイン試験では、半導体集積回路３１を
恒温槽３３内でソケット３２にセットし、電圧印加装置
３４より実使用条件よりも高い電源電圧を印加し、恒温
槽３３により実使用条件よりも高い雰囲気温度を与え
て、エージングを行う。このように実使用条件よりも厳
しい条件下で試験を行うことにより、短時間で潜在的な
故障を検出するものである。一方、最近の傾向として、
半導体集積回路の電気的特性を測定するプローバーを用
い、ウエハ状態でバーンイン試験を行う方法が提案され
ている。例えば、特開平５−３４０９６４号公報では、
半導体ウエハ裏面よりヒーターにて加熱しながら、半導
体ウエハ上のチップのボンディングパッドに対してバン
プを接触させ、すべてのチップに対し一度に電圧を印加
することが可能なバーンイン試験装置が提案されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
バーンイン試験は、組立工程が完了し、パッケージング
された状態で行われていたため、発生した故障がウエハ
プロセスに起因するものかパッケージングに起因するも
のかを区別することが困難であった。また、ウエハ状態
であれば試験時の温度をさらに加速して上げることが可
能であるが、パッケージがあるために温度加速が制限さ
れていた。さらに、多数のソケット３２、恒温槽３３等
の設備が必要であり、コストが高く、広いスペースも必
要であった。一方、上記のような問題を解消するために
は、プローバーを用い、ウエハ状態でバーンイン試験を
行う方法が有効であるが、従来のプローブカードは不透
明なガラエポ基板等で形成されいるため、チップのボン
ディングパッドに対してプロービング針を接触させる作
業が難しく、針の位置決め精度が悪く、また針の本数に
も制限があった。また、ガラエポ基板とシリコンウエハ
では、熱膨張係数に違いがあるため、常温時に位置合わ
せを行っても、温度を上昇させるとずれが生じるという
問題もあった。さらに、特開平５−３４０９６４号公報
では、半透明状のポリイミド膜にバンプを形成し、ポリ
イミド膜上の開口部より光学顕微鏡にてアライメントマ
ークを用い位置合わせを行う試験装置が提案されている
が、長期の使用におけるポリイミド膜の信頼性が危惧さ
れる。
バーンイン試験は、組立工程が完了し、パッケージング
された状態で行われていたため、発生した故障がウエハ
プロセスに起因するものかパッケージングに起因するも
のかを区別することが困難であった。また、ウエハ状態
であれば試験時の温度をさらに加速して上げることが可
能であるが、パッケージがあるために温度加速が制限さ
れていた。さらに、多数のソケット３２、恒温槽３３等
の設備が必要であり、コストが高く、広いスペースも必
要であった。一方、上記のような問題を解消するために
は、プローバーを用い、ウエハ状態でバーンイン試験を
行う方法が有効であるが、従来のプローブカードは不透
明なガラエポ基板等で形成されいるため、チップのボン
ディングパッドに対してプロービング針を接触させる作
業が難しく、針の位置決め精度が悪く、また針の本数に
も制限があった。また、ガラエポ基板とシリコンウエハ
では、熱膨張係数に違いがあるため、常温時に位置合わ
せを行っても、温度を上昇させるとずれが生じるという
問題もあった。さらに、特開平５−３４０９６４号公報
では、半透明状のポリイミド膜にバンプを形成し、ポリ
イミド膜上の開口部より光学顕微鏡にてアライメントマ
ークを用い位置合わせを行う試験装置が提案されている
が、長期の使用におけるポリイミド膜の信頼性が危惧さ
れる。
【０００４】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ウエハ状態でのチップのバー
ンイン試験が可能なプローブカードおよびこれを用いた
試験装置を提供することを目的とする。
るためになされたもので、ウエハ状態でのチップのバー
ンイン試験が可能なプローブカードおよびこれを用いた
試験装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるプロー
ブカードは、半導体ウエハ上に形成された複数のチップ
の電気的特性を一括して測定するためのプローブカード
であって、石英ガラス基板と、この石英ガラス基板に配
置され上記各チップのボンディングパッドに当接される
接触電極と、上記石英ガラス基板に配置された検査用の
回路配線を備えたものである。また、接触電極は、ボン
ディングパッド形成用マスクを用いて形成される。ま
た、接触電極は、弾力性のある導電性ゴムまたは導電性
ゴム上にＡｕボールを形成したものよりなる。
ブカードは、半導体ウエハ上に形成された複数のチップ
の電気的特性を一括して測定するためのプローブカード
であって、石英ガラス基板と、この石英ガラス基板に配
置され上記各チップのボンディングパッドに当接される
接触電極と、上記石英ガラス基板に配置された検査用の
回路配線を備えたものである。また、接触電極は、ボン
ディングパッド形成用マスクを用いて形成される。ま
た、接触電極は、弾力性のある導電性ゴムまたは導電性
ゴム上にＡｕボールを形成したものよりなる。
【０００６】さらに、この発明に係わる試験装置は、上
記のいずれかのプローブカードを、被測定物である複数
のチップが形成された半導体ウエハ上に位置させる固定
手段と、半導体ウエハを載置し、プローブカードとの位
置合わせ行う位置決め手段と、プローブカードの各接触
電極をチップのボンディングパッドに対して、均一かつ
一定の圧力で接触させる圧着手段と、チップに接触電極
から電気信号を印加する信号印加手段と、チップを加熱
または冷却する手段を備えたものである。
記のいずれかのプローブカードを、被測定物である複数
のチップが形成された半導体ウエハ上に位置させる固定
手段と、半導体ウエハを載置し、プローブカードとの位
置合わせ行う位置決め手段と、プローブカードの各接触
電極をチップのボンディングパッドに対して、均一かつ
一定の圧力で接触させる圧着手段と、チップに接触電極
から電気信号を印加する信号印加手段と、チップを加熱
または冷却する手段を備えたものである。
【０００７】
実施の形態１．図１、図２は、本発明の実施の形態１で
あるプローブカードを示す断面図および上面図である。
図において、１はその主面に被測定物であるチップが多
数形成された半導体ウエハ、２は表面保護膜、３はそれ
ぞれのチップの回路素子と外部電極端子とを接続する接
続領域であるボンディングパッド、４は本発明によるプ
ローブカードであり、５は石英ガラス基板、６はチップ
のボンディングパッド３と電気的コンタクトをとるため
の接触電極であるプロービングパッド、７は電源および
グランド等に接続されるコネクタ、８は検査用の回路配
線をそれぞれ示す。また、図３は、プロービングパッド
６の構造を示す断面図であり、図において９はメッキ
部、１０は弾力性のある導電性ゴム、１１は導電性ゴム
１０の上に形成されたＡｕボールである。
あるプローブカードを示す断面図および上面図である。
図において、１はその主面に被測定物であるチップが多
数形成された半導体ウエハ、２は表面保護膜、３はそれ
ぞれのチップの回路素子と外部電極端子とを接続する接
続領域であるボンディングパッド、４は本発明によるプ
ローブカードであり、５は石英ガラス基板、６はチップ
のボンディングパッド３と電気的コンタクトをとるため
の接触電極であるプロービングパッド、７は電源および
グランド等に接続されるコネクタ、８は検査用の回路配
線をそれぞれ示す。また、図３は、プロービングパッド
６の構造を示す断面図であり、図において９はメッキ
部、１０は弾力性のある導電性ゴム、１１は導電性ゴム
１０の上に形成されたＡｕボールである。
【０００８】本実施の形態によるプローブカード４は、
被測定物であるチップが形成されたシリコンウエハと熱
膨張係数が近い石英ガラス基板５を用いて形成されてい
るため、バーンイン試験において常温から高温に温度を
変化させても、プロービングパッド６とボンディングパ
ッド３の位置ずれが生じないため、常温で位置決めを行
うことができる。また、石英ガラス基板５は透明である
ので、従来のガラエポ基板のように位置合わせのための
穴を開けておく必要がなく、プロービングパッド６とボ
ンディングパッド３位置合わせが容易である。また、図
３−ａに示すように、プロービングパッド６に弾力性の
ある例えばエポキシ樹脂を主成分とし、銀球を含む導電
性ゴム１０を用いることにより、従来の針立て式の金属
プローバーに比べて密着性が良く、複数のボンディング
パッド３に対して均一な接触圧で接触させることが可能
である。さらに、図３−ｂに示すように導電性ゴム１０
の上に導電性に優れたＡｕボール１１を形成することに
より、ボンディングパッド３との電気的導通がより確実
になる。また、バーンイン試験には、厳しい使用条件に
耐えうる安定な部材が必要とされ、Ａｕボール１１は高
温−低温の激しい温度の上げ下げを繰り返しても劣化す
ることなく、安定性に優れている。
被測定物であるチップが形成されたシリコンウエハと熱
膨張係数が近い石英ガラス基板５を用いて形成されてい
るため、バーンイン試験において常温から高温に温度を
変化させても、プロービングパッド６とボンディングパ
ッド３の位置ずれが生じないため、常温で位置決めを行
うことができる。また、石英ガラス基板５は透明である
ので、従来のガラエポ基板のように位置合わせのための
穴を開けておく必要がなく、プロービングパッド６とボ
ンディングパッド３位置合わせが容易である。また、図
３−ａに示すように、プロービングパッド６に弾力性の
ある例えばエポキシ樹脂を主成分とし、銀球を含む導電
性ゴム１０を用いることにより、従来の針立て式の金属
プローバーに比べて密着性が良く、複数のボンディング
パッド３に対して均一な接触圧で接触させることが可能
である。さらに、図３−ｂに示すように導電性ゴム１０
の上に導電性に優れたＡｕボール１１を形成することに
より、ボンディングパッド３との電気的導通がより確実
になる。また、バーンイン試験には、厳しい使用条件に
耐えうる安定な部材が必要とされ、Ａｕボール１１は高
温−低温の激しい温度の上げ下げを繰り返しても劣化す
ることなく、安定性に優れている。
【０００９】図４は、上記のプローブカード４を用いた
試験装置の構成を示す断面図である。図において、１２
はＸＹステージ、１３は下部圧着板、１４はウエハ１の
加熱手段であるヒーター、１５はガラス製の上部圧着
板、１６はウエハ圧着用固定板、１７はウエハ圧着用固
定板１６に螺合すると共に上部圧着板１５に回転自在に
取付けられ、軸方向に移動して上部圧着板１５を上下動
させる圧着用ネジ、１８は圧着用ネジ１７を回転させる
圧着用モータ、１９は圧着用モータ制御装置、２０は光
学顕微鏡、２１は電圧印加装置である。次に動作につい
て説明する。ＸＹステージ１２上に載置された下部圧着
板１３上にはヒーター１４が設けられ、被測定物である
複数のチップが形成されたウエハ１を加熱する。なお、
本実施の形態では加熱手段としてヒーター１４を設けた
が、冷却手段を設ける場合もある。圧着用モータ制御装
置１９は圧着用モータ１８を駆動し、圧着用ネジ１７を
回転させ、上部圧着板１５下面に設けられたプローブカ
ード４のプロービングパッド６を半導体ウエハ１上に設
けられたボンディングパッド３に圧着させる。
試験装置の構成を示す断面図である。図において、１２
はＸＹステージ、１３は下部圧着板、１４はウエハ１の
加熱手段であるヒーター、１５はガラス製の上部圧着
板、１６はウエハ圧着用固定板、１７はウエハ圧着用固
定板１６に螺合すると共に上部圧着板１５に回転自在に
取付けられ、軸方向に移動して上部圧着板１５を上下動
させる圧着用ネジ、１８は圧着用ネジ１７を回転させる
圧着用モータ、１９は圧着用モータ制御装置、２０は光
学顕微鏡、２１は電圧印加装置である。次に動作につい
て説明する。ＸＹステージ１２上に載置された下部圧着
板１３上にはヒーター１４が設けられ、被測定物である
複数のチップが形成されたウエハ１を加熱する。なお、
本実施の形態では加熱手段としてヒーター１４を設けた
が、冷却手段を設ける場合もある。圧着用モータ制御装
置１９は圧着用モータ１８を駆動し、圧着用ネジ１７を
回転させ、上部圧着板１５下面に設けられたプローブカ
ード４のプロービングパッド６を半導体ウエハ１上に設
けられたボンディングパッド３に圧着させる。
【００１０】プロービングパッド６とボンディングパッ
ド３の位置決め手段としては、光学顕微鏡２０により、
いずれも透明なガラス製の上部圧着板１５と石英ガラス
基板５を通して両者のパターンを認識し、ＸＹステージ
１２を移動させて重ね合わせる。本実施の形態では、プ
ロービングパッド６は、ボンディングパッド３穴開け用
のマスクを用いて形成されているため、それぞれの位置
は完全に一致し、アライメントマークは特に形成する必
要がない。光学顕微鏡２０にカメラを接続し、画像処理
によって位置決めを行っても良い。なお、石英ガラス基
板５上に形成された電源供給用の回路配線８は、プロー
ビングパッド６の幅に比べて十分に細いため、アライメ
ントには影響しない。また、本実施の形態ではガラス製
の上部圧着板１５を用いたが、透明または半透明で適度
な硬度があり安定であれば他の材料でも良い。さらに、
上部圧着板１５として不透明な材料を用いる場合には、
パターンを認識するための開口部を設ければ良い。
ド３の位置決め手段としては、光学顕微鏡２０により、
いずれも透明なガラス製の上部圧着板１５と石英ガラス
基板５を通して両者のパターンを認識し、ＸＹステージ
１２を移動させて重ね合わせる。本実施の形態では、プ
ロービングパッド６は、ボンディングパッド３穴開け用
のマスクを用いて形成されているため、それぞれの位置
は完全に一致し、アライメントマークは特に形成する必
要がない。光学顕微鏡２０にカメラを接続し、画像処理
によって位置決めを行っても良い。なお、石英ガラス基
板５上に形成された電源供給用の回路配線８は、プロー
ビングパッド６の幅に比べて十分に細いため、アライメ
ントには影響しない。また、本実施の形態ではガラス製
の上部圧着板１５を用いたが、透明または半透明で適度
な硬度があり安定であれば他の材料でも良い。さらに、
上部圧着板１５として不透明な材料を用いる場合には、
パターンを認識するための開口部を設ければ良い。
【００１１】位置合わせが完了し、均一な接触圧でプロ
ービングパッド６をボンディングパッド３に圧着させた
後、バーンイン試験を開始する。チップは、ヒーター１
４によって加熱されるので、加速試験を行うことができ
る。試験は、電圧印加装置２１よりプロービングパッド
６を介して、半導体ウエハ１上のボンディングパッド３
にパルス信号または直流電流を印加し、チップを動作さ
せ、バーンイン試験が実施される。
ービングパッド６をボンディングパッド３に圧着させた
後、バーンイン試験を開始する。チップは、ヒーター１
４によって加熱されるので、加速試験を行うことができ
る。試験は、電圧印加装置２１よりプロービングパッド
６を介して、半導体ウエハ１上のボンディングパッド３
にパルス信号または直流電流を印加し、チップを動作さ
せ、バーンイン試験が実施される。
【００１２】本実施の形態の試験装置によれば、ＴＥＧ
の信頼性評価等も多数実施でき、製品チップに適用した
場合、アセンブリ後のバーンイン試験を実施する必要が
無くなる。さらに、ウエハ状態でバーンイン試験を行う
ことができるので、従来のようにパッケージの耐熱性を
考慮する必要がなく、温度加速を十分に行うことができ
る。また、パッケージング前に故障を発見することが可
能であるため、不良品をパッケージングする無駄が無く
なり、さらに、従来のバーンイン試験のように多数のソ
ケット３２、恒温槽３３等の設備も必要ないため、低コ
スト化、省スペース化が図られる。
の信頼性評価等も多数実施でき、製品チップに適用した
場合、アセンブリ後のバーンイン試験を実施する必要が
無くなる。さらに、ウエハ状態でバーンイン試験を行う
ことができるので、従来のようにパッケージの耐熱性を
考慮する必要がなく、温度加速を十分に行うことができ
る。また、パッケージング前に故障を発見することが可
能であるため、不良品をパッケージングする無駄が無く
なり、さらに、従来のバーンイン試験のように多数のソ
ケット３２、恒温槽３３等の設備も必要ないため、低コ
スト化、省スペース化が図られる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、透明
で半導体ウエハと熱膨張係数の近い石英ガラス基板を用
いたので、半導体ウエハ上に形成された多数のチップと
の位置合わせが容易であり、さらに、温度変化によって
も位置ずれを生じないため、常温で位置合わせを行い高
温で試験することが可能なプローブカードが得られる効
果がある。
で半導体ウエハと熱膨張係数の近い石英ガラス基板を用
いたので、半導体ウエハ上に形成された多数のチップと
の位置合わせが容易であり、さらに、温度変化によって
も位置ずれを生じないため、常温で位置合わせを行い高
温で試験することが可能なプローブカードが得られる効
果がある。
【００１４】また、接触電極は、ボンディングパッド形
成用マスクを用いて形成されるので、それぞれの位置が
一致しアラインメントマークを特に形成する必要がな
い。また、プローブカードの接触電極として、導電性ゴ
ム上にＡｕボールを形成したので、ボンディングパッド
との導電性が良く、材料としての安定性に優れた信頼性
の高いプローブカードが得られる。
成用マスクを用いて形成されるので、それぞれの位置が
一致しアラインメントマークを特に形成する必要がな
い。また、プローブカードの接触電極として、導電性ゴ
ム上にＡｕボールを形成したので、ボンディングパッド
との導電性が良く、材料としての安定性に優れた信頼性
の高いプローブカードが得られる。
【００１５】また、本発明の試験装置によれば、ウエハ
状態での多数のチップのバーンイン試験を一括して行う
ことが可能であるので、試験時間の短縮化、低コスト
化、省スペース化が図られる。
状態での多数のチップのバーンイン試験を一括して行う
ことが可能であるので、試験時間の短縮化、低コスト
化、省スペース化が図られる。
【図１】 この発明の実施の形態１であるプローブカー
ドを示す断面図である。
ドを示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１であるプローブカー
ドを示す上面図である。
ドを示す上面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１であるプローブカー
ドのプロービングパッドの構造を示す断面図である。
ドのプロービングパッドの構造を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態１である試験装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図５】 従来のバーンイン試験方法を示す図である。
１ 半導体ウエハ、２ 表面保護膜、３ ボンディング
パッド、４ プローブカード、５ 石英ガラス基板、６
プロービングパッド、７ コネクタ、８ 回路配線、
９ メッキ部、１０ 導電性ゴム、１１ Ａｕボール、
１２ ＸＹステージ、１３ 下部圧着板、１４ ヒータ
ー、１５ 上部圧着板、１６ ウエハ圧着用固定板、１
７ 圧着用ネジ、１８ 圧着用モータ、１９ 圧着用モ
ータ制御装置、２０ 光学顕微鏡、２１ 電圧印加装
置、３１ 半導体集積回路、３２ ソケット、３３ 恒
温槽、３４ 電圧印加装置。
パッド、４ プローブカード、５ 石英ガラス基板、６
プロービングパッド、７ コネクタ、８ 回路配線、
９ メッキ部、１０ 導電性ゴム、１１ Ａｕボール、
１２ ＸＹステージ、１３ 下部圧着板、１４ ヒータ
ー、１５ 上部圧着板、１６ ウエハ圧着用固定板、１
７ 圧着用ネジ、１８ 圧着用モータ、１９ 圧着用モ
ータ制御装置、２０ 光学顕微鏡、２１ 電圧印加装
置、３１ 半導体集積回路、３２ ソケット、３３ 恒
温槽、３４ 電圧印加装置。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に形成された複数のチッ
プの電気的特性を一括して測定するためのプローブカー
ドであって、石英ガラス基板と、この石英ガラス基板に
配置され上記各チップのボンディングパッドに当接され
る接触電極と、上記石英ガラス基板に配置された検査用
の回路配線を備えたことを特徴とするプローブカード。 - 【請求項２】 接触電極は、ボンディングパッド形成用
マスクを用いて形成されることを特徴とする請求項１記
載のプローブカード。 - 【請求項３】 接触電極は、弾力性のある導電性ゴムま
たは上記導電性ゴム上にＡｕボールを形成したものより
なることを特徴とする請求項１または請求項２記載のプ
ローブカード。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３のいずれか一項記載
のプローブカードを、被測定物である複数のチップが形
成された半導体ウエハ上に位置させる固定手段、 上記半導体ウエハを載置し、上記プローブカードとの位
置合わせを行う位置決め手段、 上記プローブカードの接触電極を上記各チップのボンデ
ィングパッドに対して、均一かつ一定の圧力で接触させ
る圧着手段、 上記チップに上記接触電極から電気信号を印加する信号
印加手段、 上記チップを加熱または冷却する手段を備えたことを特
徴とする試験装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263970A JPH10111315A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | プローブカードおよびこれを用いた試験装置 |
| TW086101087A TW313688B (en) | 1996-10-04 | 1997-01-31 | Probe card and probe device using such a probe card |
| KR1019970009246A KR19980032057A (ko) | 1996-10-04 | 1997-03-19 | 프로브 카드 및 그것을 이용한 시험장치 |
| DE19717369A DE19717369A1 (de) | 1996-10-04 | 1997-04-24 | Prüfkarte und diese verwendende Untersuchungsvorrichtung |
| CNB971113009A CN1153269C (zh) | 1996-10-04 | 1997-05-23 | 探针卡及使用这种卡的试验装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263970A JPH10111315A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | プローブカードおよびこれを用いた試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10111315A true JPH10111315A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17396757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8263970A Pending JPH10111315A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | プローブカードおよびこれを用いた試験装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10111315A (ja) |
| KR (1) | KR19980032057A (ja) |
| CN (1) | CN1153269C (ja) |
| DE (1) | DE19717369A1 (ja) |
| TW (1) | TW313688B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004274A1 (en) * | 1997-07-14 | 1999-01-28 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conductive contact |
| US6323667B1 (en) | 1996-12-27 | 2001-11-27 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact probe unit |
| KR20020054914A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 티에프티 엘씨디 패널 테스트 유닛 |
| US6628127B2 (en) | 1999-07-22 | 2003-09-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same |
| CN105044402A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-11-11 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种封装微波压控振荡器测试装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10308916A1 (de) * | 2003-02-28 | 2004-09-16 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zum elektrischen Kontaktieren eines Substrats |
| JP3757971B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2006-03-22 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR101140505B1 (ko) * | 2004-04-27 | 2012-04-30 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 시트상 프로브, 그의 제조 방법 및 그의 응용 |
| DE102004035343A1 (de) * | 2004-07-21 | 2005-09-29 | Infineon Technologies Ag | Kontaktierungskarte, Kontaktierungsvorrichtung und Verfahren zum Kontaktieren von einer auf einer Substratscheibe angeorndeten integrierten Schaltung zum Testen |
| CN1326225C (zh) * | 2004-11-05 | 2007-07-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微机械芯片测试探卡及制造方法 |
| US20060109014A1 (en) * | 2004-11-23 | 2006-05-25 | Te-Tsung Chao | Test pad and probe card for wafer acceptance testing and other applications |
| JP2006292727A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-10-26 | Alps Electric Co Ltd | 半導体搬送トレイ、これを用いたバーンインボード、バーンイン試験用の検査装置及びバーンイン試験方法並びに半導体の製造方法 |
| CN1321320C (zh) * | 2005-03-23 | 2007-06-13 | 北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司 | 热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法 |
| DE102006054734A1 (de) * | 2005-12-05 | 2007-06-06 | Feinmetall Gmbh | Elektrische Prüfvorrichtung für die Prüfung eines elektrischen Prüflings sowie entsprechendes Verfahren |
| KR100689180B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-03-02 | 주식회사 코셈 | 반도체 웨이퍼 검사용 프로브 카드 |
| JP5221118B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
| JP2011095028A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Optnics Precision Co Ltd | プローブシート |
| TW201216391A (en) * | 2010-10-11 | 2012-04-16 | Ind Tech Res Inst | Detection method and detection device for LED chips on wafer and transparent probe card thereof |
| KR101471778B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2014-12-10 | 세메스 주식회사 | 프로브 카드의 탐침과 웨이퍼 사이의 실제 접촉 위치를 검출하기 위한 지그 및 이를 이용하는 실제 접촉 위치 검출 방법 |
| JP6218718B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2017-10-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体評価装置及びその評価方法 |
| CN112213612A (zh) * | 2019-07-09 | 2021-01-12 | 刘小伟 | 一种汽车电工电子实训基础电路测试装置 |
| CN111090033A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-05-01 | 淮安芯测半导体有限公司 | 一种半导体装置及其探针测试方法 |
| CN117330800A (zh) * | 2022-06-27 | 2024-01-02 | 象帝先计算技术(重庆)有限公司 | 测试探针卡和测试设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05340964A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ及びチップの試験装置 |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP8263970A patent/JPH10111315A/ja active Pending
-
1997
- 1997-01-31 TW TW086101087A patent/TW313688B/zh active
- 1997-03-19 KR KR1019970009246A patent/KR19980032057A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-04-24 DE DE19717369A patent/DE19717369A1/de not_active Ceased
- 1997-05-23 CN CNB971113009A patent/CN1153269C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6323667B1 (en) | 1996-12-27 | 2001-11-27 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact probe unit |
| WO1999004274A1 (en) * | 1997-07-14 | 1999-01-28 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conductive contact |
| US6337572B1 (en) | 1997-07-14 | 2002-01-08 | Nhk Spring Co., Ltd. | Electric contact probe unit |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW313688B (en) | 1997-08-21 |
| CN1153269C (zh) | 2004-06-09 |
| DE19717369A1 (de) | 1998-04-09 |
| CN1179006A (zh) | 1998-04-15 |
| KR19980032057A (ko) | 1998-07-25 |
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