CN1321320C - 热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法 - Google Patents
热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1321320C CN1321320C CNB2005100114639A CN200510011463A CN1321320C CN 1321320 C CN1321320 C CN 1321320C CN B2005100114639 A CNB2005100114639 A CN B2005100114639A CN 200510011463 A CN200510011463 A CN 200510011463A CN 1321320 C CN1321320 C CN 1321320C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aging
- wire
- ageing
- lead
- tube core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，包括以下步骤：1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极及老化所需引线；2)为老化引线接电极，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。本发明利用管芯在硅片上有规律分布的特点，通过巧妙的引线设计在硅片上一次完成所有管芯的互连，在老化时大圆片上所有的管芯都得到电老化，使早期失效管芯在终测时一并被剔除，从而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相对于现在管芯在压焊封装后再进行老化筛选，简化了老化方法，减少了所需使用的老化设备，大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种热扩散压阻式MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems，微电子机械系统)压力传感器芯片级老化方法。
背景技术
目前国际上对芯片的老化已经越来越重视，出现了一些专业芯片级老化方法。近十年来，特别是美国、台湾等国家和地区传感器技术相对成熟，芯片级老化方法发展也相当迅猛。与国外利用九十年代先进技术开发的产品相比，近些年国内扩散硅传感器管芯一直未能有效地解决可靠性等技术问题。目前国内绝大多数传感器生产厂商都采取在管芯压焊封装后进行老化筛选以剔除早期失效器件的方法来提高器件的可靠性。该方法固然能起到提高器件可靠性的目的，但效率低下且成本较高，不利于传感器的大规模生产。
发明内容
针对上述现有热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法所存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种成本较低、简便、高效、可靠性高的热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法。
本发明是这样实现的：一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，包括以下步骤：
1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极和一对老化引线，其中，所有管芯的一端电极分别与一条老化引线串联，另一端电极分别与另一条老化引线串联；
2)将老化引线分别接电源，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；
3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。
优选地，该方法的步骤3)之后还包括：终测筛选出合格管芯，剔除不合格管芯。
优选地，所述硅片上管芯的老化引线是互相连接的，管芯通过该互相连接的老化引线整体连接于老化电极中。
本发明利用管芯在硅片上有规律分布的特点，通过巧妙的引线设计在硅片上一次完成所有管芯的互连，在老化时大圆片上所有的管芯都得到电老化，使早期失效管芯在终测时一并被剔除，从而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相对于现在管芯在压焊封装后再进行老化筛选，简化了老化方法，减少了所需使用的老化设备，大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生产成本。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步详细地说明：
图1是本发明电极形成前管芯分布示意图；
图2是本发明电极形成后带互连引线的管芯分布示意图；
图3是本发明老化后去掉互连引线后带电极的管芯分布示意图。
具体实施方式
本发明主要针对的是利用了“损耗金属”进行扩散硅压阻压力传感器大圆片级老化方法。主要包括以下步骤：
1、准备好淀积了金属厚度为1um的大圆硅片1，如图1所示。
2、光刻大圆硅片形成管芯电极4、大圆片级老化所需的老化引线33′，该引线分别通过管芯电极4与管芯2连接，其中，所有管芯2的一端电极4分别与一条老化引线3串联，另一端电极4分别与另一条老化引线3′串联，从而使各管芯并联。老化引线33′和各管芯2连接良好；如图2所示。老化引线3 3′线宽设计为15um。这里，管芯电极4和老化引线33′通过光刻同时形成，各管芯2的正负电极4分别通过如图所示的两组互连引线33′连接起来后最终会聚到焊盘上，然后通过焊盘外接老化电源。
3、将上述刻蚀过的大圆片1放入85摄氏度恒温条件同时通入氮气的老化箱中，根据所需的老化条件供给大圆片10V的稳定电压对大圆片进行老化，老化时间为96小时。这里，氮气也可以氩气、氖气等惰性气体替代。
4、老化完成之后通过光刻将金属互连引线刻蚀掉而只留下管芯电极；如图3所示。
5、终测筛选出合格管芯，剔除包括早期失效在内的不合格管芯。
Claims (3)
1、一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1)光刻淀积了金属的硅片，形成管芯电极和一对老化引线，其中，所有管芯的一端电极分别与一条老化引线串联，另一端电极分别与另一条老化引线串联；
2)将老化引线分别接电源，并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化；
3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。
2、如权利要求1所述的热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，该方法的步骤3)之后还包括：
终测筛选出合格管芯，剔除不合格管芯。
3、如权利要求1所述的热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法，其特征在于，所述硅片上管芯的老化引线是互相连接的，管芯通过该互相连接的老化引线整体连接于老化电极中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100114639A CN1321320C (zh) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100114639A CN1321320C (zh) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1657892A CN1657892A (zh) | 2005-08-24 |
| CN1321320C true CN1321320C (zh) | 2007-06-13 |
Family
ID=35007524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100114639A Expired - Fee Related CN1321320C (zh) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1321320C (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101650975B (zh) * | 2008-08-11 | 2012-11-14 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法 |
| CN102175979B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-09-17 | 东莞市奇立电源有限公司 | 一种产品老化测试的节能方法及装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312386A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-11-28 | Fujitsu Ltd | 半導体チップのバーンイン基板とバーンイン方法 |
| JPH08250551A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | フリップチップおよびその製造方法ならびに実装方法、バーンイン検査基板 |
| CN1179006A (zh) * | 1996-10-04 | 1998-04-15 | 三菱电机株式会社 | 探针卡及使用这种卡的试验装置 |
| US6259266B1 (en) * | 1998-10-27 | 2001-07-10 | Apack Technologies Inc. | Testing device and method for known good chip |
| CN1324107A (zh) * | 2000-04-27 | 2001-11-28 | 可靠公司 | 老化装置的冷却系统 |
-
2005
- 2005-03-23 CN CNB2005100114639A patent/CN1321320C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312386A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-11-28 | Fujitsu Ltd | 半導体チップのバーンイン基板とバーンイン方法 |
| JPH08250551A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | フリップチップおよびその製造方法ならびに実装方法、バーンイン検査基板 |
| CN1179006A (zh) * | 1996-10-04 | 1998-04-15 | 三菱电机株式会社 | 探针卡及使用这种卡的试验装置 |
| US6259266B1 (en) * | 1998-10-27 | 2001-07-10 | Apack Technologies Inc. | Testing device and method for known good chip |
| CN1324107A (zh) * | 2000-04-27 | 2001-11-28 | 可靠公司 | 老化装置的冷却系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1657892A (zh) | 2005-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1321320C (zh) | 热扩散压阻式mems压力传感器芯片级老化方法 | |
| CN202977812U (zh) | 一种连接器的线簧插孔结构 | |
| CN102214729A (zh) | 一种太阳电池正面电极结构及其制作方法 | |
| CN109103371A (zh) | 一种电池包安装总成 | |
| CN206727078U (zh) | 高效无主栅电池片太阳能组件 | |
| CN202994856U (zh) | 用于变压器试验的通用试验电缆 | |
| CN207165553U (zh) | 晶粒连结元件结构与晶圆结构 | |
| CN204992036U (zh) | 一种魔方式插座 | |
| CN105680262A (zh) | 架空光纤复合相线与常规导线的连接结构及电路接线方法 | |
| CN109788639A (zh) | Fpc电路板 | |
| CN208478425U (zh) | 一种电池包安装总成 | |
| CN207690942U (zh) | 一种动力电池夹具 | |
| CN200944659Y (zh) | 一种用于耳麦的音频线 | |
| CN205982333U (zh) | 电力设备电流二次回路短接装置 | |
| CN102436882A (zh) | 一种波浪式电阻片的电阻器 | |
| CN205726106U (zh) | 一种新型有线电视二分支器 | |
| CN201117439Y (zh) | 分立钽电容可调恒流老炼板 | |
| CN220137210U (zh) | 一种测试转接板 | |
| CN104201523A (zh) | 一种射频同轴电缆连接器及其装配工艺 | |
| CN202333256U (zh) | 一种接线排 | |
| CN201671011U (zh) | 捻股机用芯线检测机构 | |
| CN205374683U (zh) | 半导体芯片的测试结构及系统 | |
| CN208285501U (zh) | 一种侧边带Lightning插口与3.5音频插口的手机壳电路 | |
| CN206650274U (zh) | 一种抗拉伸的数据连接线 | |
| CN210272959U (zh) | 一种多功能通信设备调试连接器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070613 Termination date: 20150323 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |